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일반기술 화학공정 > 공정모델링·모사 기술

국부 전기화학석출법을 이용한 치밀한 품질의 높은종횡비의 미세구조물을 제조하는 방법

* 기존의 기술 두 전극사이의 기준 전류값을 정해 놓고 전극사이에 그 이상의 전류가 흐르게 되면 미세전극과 구조체간의 거리를 분리시키는 방법(미세전극과 구조체간의 접촉을 허용)을 이용하여 미세구조물을 제조하는 기술이었다.그러나, 이러한 종래의 기술들은 미세전극과 구조체간의 접촉을 허용하기 때문에 다공성의 구조체가 만들어 진다는 문제를 가지고 있다. 또한 구조물이 많은 기공을 갖게 되면 전기적으로는 저항이 높아지게되고 구조적으로는 강도가 낮아진다는 단점을 갖고 있었다.* 개요 및 독창성1) 기존의 문제점을 개선하고자 치밀성이 있고 높은 종횡비를 갖는 미세 금속구조물을 신속하게 제조하는 방법을 제공한다.2) 국부전기화학석출법(LOCALIZED ELECTROCHEMICAL DEPOSITION)을 이용한 높은 종횡비(텔레비전이나 영화화면의 세로와 가로 크기의 비율)를 갖는 3차원의 매우 가늘고 작은 물체를 제조한다.*특징 및 장점1) 전도성 미세(매우 가늘고 작은) 전극을 간격 형성을 위해 전도성 기판 표면부근에 위치시키는 단계2) 전도성 미세전극과 전도성(전기가 옮겨지는 성질)의 기본적인 판의 표면이 접촉하도록 전기화학적 매체를 도입하는 단계3) 3차원 물체를 분리하기 위하여 전기화학적 매체를 가로질러 전기적 비율을 허락하는 단계 4) 전도성 전극과 3차원 물체사이의 최적 거리를 선정하는 단계5) 가장 알맞은 작업이 되어 가는 정도의 조건 아래에서 뽑아진 미세 전극과 3차원 물체사이의 거리를 일정하게 유지 6) 전도성 전극을 이동시키는 단계를 포함한다.7) 미세전극과 3차원 물체사이의 최적거리는 코우히어런트 X-선을 이용한 미세 방사(빛이나 열 에너지를 내뿜는 것)학적 장치를 이용하여 확인되며, 전도성 전극의 위치조절은 방향 전동기에 의해 행해진다.

보유기관

포항기술이전센터

등록일

2006-04-20

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일반기술 화학공정 > 공정모델링·모사 기술

후강판 압연후 냉각중 발생하는 두께방향 수축량 예측 방법

본기술은 가역식 압연기를 이용하는 후강판 압연에서 압연후 발생하는 냉각에 따른 두께방향 수축량을 정확히 예측하므로써 최종 제품에서의 두께적층율을 높이는 방법에 관한 것으로, 가역식 압연기를 이용하는 후강판 압연에서 두께방향 수축을 예측하기 위한 방법에 있어서, 압연후 냉각중의 두께방향 수축정도를 직선의 형태로 근사화하여 근사값을 구하는 단계와; 상기 근사값을 이용하여 냉각중 발생하는 변태에 의한 변태팽창량을 고려하는 수축보상계수를 구하는 단계와; 수축보상계수를 구하기 위해 필요로 하는 데이터들을 강종별로 연속냉각시험을 통하여 구하는 단계와; 강종별로 연속냉각시험을 통하여 얻은 데이터들을 이용해 가장 영향이 큰 요소들로 회귀분석하여 변태개시, 종료온도, 변태팽창량을 구하는 단계와;; 상기의 회귀식과 변태전, 후의 수축계수를 이용하여 수축보상계수(TF) 값을 구하고 이를 이용하여 냉각후 수축된 두께를 예측하는 단계와;로 이루어진 후강판 압연후 냉각중 발생하는 두께방향 수축량 예측방법을 제공하는 것을 요지로 한다.; 본 기술에 의하면, 종전의 예측방법에 비해 신뢰도가 높고, 정확한 두께 예측이 가능하게 하므로, 그 효과가 크다고 볼 수 있다.가역식 압연기를 이용하는 후강판 압연에서 두께방향 수축을 예측하기 위한 방법으로, 압연후 냉각중의 두께방향 수축정도를 직선의 형태로 근사화하여 근사값을 구하는 단계와; 상기 근사값을 이용하여 냉각중 발생하는 변태에 의한 변태팽창량을 고려하는 수축보상계수를 하기식에 의하여 구하는 단계와; TF(수축보상계수) = A1-T×A2-(T-Tref)×A3 여기서, a : 변태후 수축계수 b : 변태전 수축계수 △S : 변태 팽창량 Ts : 변태 개시온도 Tf : 변태 종료온도 수축보상계수를 구하기 위해 필요로 하는 데이터들을 강종별로 연속냉각시험을 통하여 구하는 단계와; 강종별로 연속냉각시험을 통하여 얻은 데이터들을 이용해 가장 영향이 큰 요소들로 회귀분석하여 변태개시, 종료온도, 변태팽창량을 하기식에 의하여 구하는 단계와; R0+R1×C+R2×Si+R3×Mn+R4×Ni+R5×Nb+R6×Ln(C.R.)... 여기서, C, Si, Mn, Ni, Nb : 강의 화학성분 C. R. : 냉각속도 R0∼R6 : 회귀분석으로 구한 계수 상기의 회귀식과 변태전, 후의 수축계수를 이용하여 식을 이용하여 수축보상계수(TF) 값을 구하고 이를 이용하여 냉각후 수축된 두께를 예측하는 단계와;로 이루어진 것을 특징으로 하는 후강판 압연후 냉각중 발생하는 두께방향 수축량 예측방법으로 구성된다.

보유기관

(주)포스코

등록일

2006-07-26

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일반기술 화학공정 > 공정모델링·모사 기술

박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 및 그 제조방법

본 발명에서는 직교하는 세 개의 축 위에 5개 이상의 광학식 마커가 부착된 보정틀과 보정방법을 개발하였다. 애니메이션 시장의 폭발적인 증가로 인하여 3차원 애니메이션 제작에 필수적인 모션캡처 장비의 수요역시 증가할 것으로 보인다. 또한 스포츠 분야에서 운동선수의 동작분석과 병원에서 재활환자의 치료에 모션캡처 장비가 널리 사용되고 있다. 따라서 현재 1800억정도의 모션캡처 장비 시장 역시 증가할 것이다.국내 광학식 모션캡처 장비 회사는 한 곳밖에 없으나 카메라 보정을 위한 방법의 수준이 세계적인 수준과 비교하여 떨어진다. 따라서 본 발명의 기술을 기업화하여 판매할 수 있을 것으로 보여진다.본 발명에 따르면 자기보정방법에서 카메라 보정 행렬을 계산하는데 있어서 어파인 변환 행렬을 계산하기 위한 과정과 매트릭 변환 행렬을 계산하기 위한 수학적인 가정 없이도 카메라 보정 행렬을 계산할 수 있다. 또한 하나의 보정틀을 이용하여 카메라 보정을 할 수 있다.기초원천본 발명을 이용하면 자기보정방법에서 카메라 보정 행렬을 계산하는데 있어서 어파인 변환 행렬을 계산하기 위한 과정과 매트릭 변환 행렬을 계산하기 위한 수학적인 가정 없이도 카메라 보정 행렬을 계산할 수 있으면 이를 토대로 3차원 좌표 정보를 계산할 수 있다.

보유기관

한국산업기술진흥원

등록일

2008-10-22

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