산업기술 통합검색

기술검색

최상위 분류를 먼저 적용하면 세부 분류를 선택할 수 있습니다.
상세 필터
검색조건 초기화

적용된 검색조건

검색 결과 4244건

169 / 213 페이지
일반기술 재료 > 기타 금속재료

마그네슘 재료의 상온 ECAP 방법

본 발명은 고강도 마그네슘 재료를 제조하기 위한 상온 ECAP 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래 연성이 부족하여 열간에서 실시할 수 밖에 없었던 ECAP(Equal Channel Angular Process)을 상온에서 실시함으로써 용이하게 마그네슘 재료의 물성을 개선시킬 수 있는 상온 ECAP 방법에 관한 것이다. 본 발명의 ECAP 방법은, 마그네슘 재료를 300~340℃로 예열하는 단계; 상기 예열된 마그네슘 재료를 압출하는 단계; 상기 압출된 마그네슘 재료를 350~450℃에서 열처리하는 단계; 및 상기 열처리된 마그네슘 재료를 상온에서 ECAP(Equal Channel Angular Process) 처리하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 한다.

보유기관
인하대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 고분자재료

SWNTs/블록공중합체 투명 복합막 및 그 제조방법

PS-P4VP 블록 공중합체를 분산제로 사용하여 탄소나노튜브를 분산한 용액을 사용하여 스핀코팅으로 박막을 제조한다. 고분자의 절연특성으로 인해 저해된 전도성을 보상하기 위해 블록 공중합체 마이셀의 코어로 도핑제로 사용할 수 있는 염을 도입하여 전도성을 향상 시킨다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 금속재료

자기 조립법을 이용한 상온 전도성 또는 반도체성 나노 튜브 제조법

이에 본 발명자들은 상기와 같이 종래의 금속 나노 튜브의 제조 공정의 단순화와 에너지 소모를 줄이기 위한 실온에서의 반응 조건에 대한 문제를 개선하기 위하여 연구 노력하였다. 그 결과, 은 입자와 알킬기를 이용하여 여러 단계의 공정을 한 단계의 간단한 반응 공정으로 줄일 수 있었고, 고온이 아닌 상온에서 반응을 할 수 있게 되어 본 발명을 완성하게 되었다. 또한 결합되는 입자의 종류를 변형함에 따라 전도성 혹은 반도체성 나노튜브를 제조할 수 있게 되었다. 따라서 본 발명은 상온에서 쉽게 전도성 은 입자 또는 반도체성 황화은 나노입자로 구성된 나노 튜브를 자기 조립법을 이용하여 만드는데 목적이 있다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 분석·물성평가 기술

자가발전기,연료전지, 태양전지를 이용한 자전거용 전원공급 장치

본 발명품은 하이브리드 기술을 이용한 전원 공급장치를 부착한 자전거로서 자전거 주행시에는 타이어와 연결되어 있는 자가 발전기를 이용하여 전력을 얻고 정지시에는 자전거 본체의 물통 거치대 부분에 부착되어 있는 연료 전지와 자전거 뒷자석에 부착되어 있는 SOLAR CELL에 의해 전력을 얻게끔 만들었다. 각각 연료전지와 발전기에서 나오는 전선은 전원 변경 스위치로 연결되어, 필요에 따라 선택할 수 있도록 고안되었다. 이를 통해 제공되는 전기는 자전거 핸들 중앙부에 부착되어 있는 시거잭 포트에 공급되어 자전거 주행시에 핸드폰 충전 및 핸즈프리등과 같은 전기 장치를 이용할 수 있는데에 목적을 두고 있다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 고분자재료

마이크로임프린팅을 이용한 PVDF 박막의 강유전성 패턴 어레이를 제조하는 방법

본 발명은 α크리스탈 구조의 PVDF 박막의 강유전성 발현 방법에 있어서, 기판 위에 PVDF 용액을 스핀코팅하여 PVDF 박막을 제조하는 단계(I); 스핀코 팅된 PVDF 박막 위에 패턴화된 마이크로몰드를 접촉시키는 단계(II); 및 상기 PVDF 박막 및 마이크로몰드를 함께 가압 및 가온을 하여, PVDF 박막의 α 크리스탈을 γ 크리스탈로 변화시키는 단계(III)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이 크로임프린팅을 이용한 PVDF 박막의 강유전성 패턴 어레이를 제조하는 방법을 제공 한다. 본 발명의 방법은 마이크로임프린팅 기법과 가압 및 가온을 통해, PVDF 박막 의 상유전특성(para-electric)을 갖는α 크리스탈을 강유전성 γ 크리스탈로 트랜 스폼할 수 있으며, 또한, 토포그래픽(tphgraphic)하게 패턴화된 마이크로몰드로 PVDF 박막을 마이크로임프린팅, 가압 및 가온하는 경우, 마이크로몰드로 가압된 영 역에서만 선택적으로 강유전체 γ 크리스탈로 트랜스폼되어, 토포그래 픽(tphgrahic)한 PVDF 패턴어레이를 생산할 수 있다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 분석·물성평가 기술

CMOS 이미지센서용 적층형 포토다이오드 및 그 제조방법

본 발명은 CMOS 이미지센서용 포토다이오드에 관한 것으로서, 실리콘 벌크 위에 에피택셜층을 형성하여 상층으로부터 N2-P2-N1-P1 적층형 구조를 이루는 포토다이오드 및 이러한 구조의 포토다이오드를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 포토다이오드는 실리콘 벌크위에 에피택셜층으로 각층을 성장시켜 상층으로부터 N2-P2-N1-P1 적층형 구조를 이루는 포토다이오드로서, 상기 N2-P2 접합 및 공핍영역은 청색 검출 영역인 제1포토다이오드층이고, 상기 P2-N1 접합 및 공핍영역은 녹색 검출 영역인 제2포토다이오드층이며, 상기 N1-P1 접합 및 공핍영역은 적색 검출 영역인 제3포토다이오드층을 이루는 것을 특징으로 한다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 금속재료

비정질 형성능이 우수한 Zr-Y계 이상 비정질 합금조성물

본 발명은 하나의 재료 내에 인-시츄 방법을 통해 우수한 비정질 형성능을 가지는 상분리 된 이상(二相) 비정질이 존재하는 Zr-Y계 비정질 합금조성물에 관한 것이다. 본 발명은 (Zr100-xYx)100-y-zAlyCoz으로 표시되며, (여기서, x,y,z는 각 성분원소의 at%로서 0<x<100, 15≤y≤33, 15≤z≤33의 값을 가진다) 급속 응고 시 액상에서 상분리 되어 서로 다른 이상의 비정질 조직이 형성되는 것을 특징으로 하는 비정질 형성능이 우수한 Zr-Y계 비정질 합금조성물을 제공한다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 분석·물성평가 기술

태양전지 장난감

본 발명은 태양전지를 이용한 장난감이다. 태양광 에너지를 이용하여 전기를 생산하는 태양전지 모듈부, 생산된 전기를 이용하여 구동하는 동작부, 진동을 감지하여 멜로디를 발생하는 멜로디발생장치로 구성되어 있다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 금속재료

비정질 형성능이 우수한 고강도 철기 비정질 합금 조성물

본 발명은 철기 벌크 비정질 합금조성물 특히, 철, 보론, 니오븀, 이트륨을 기본 조성으로 하는 4원계로 구성되는 합금조성물에 관한 것으로, 철(Fe)-보론(B)-이트륨(Y)-니오븀(Nb) 4원계 합금에서의 각 성분의 조성범위는 66원자%≤Fe≤70원자%, 21원자%≤B≤25원자%, 3원자%≤Nb≤6원자%, 3원자%≤Y≤5원자%으로 이루어진다.본 발명의 철기 벌크 비정질 합금은 우수한 비정질 형성능을 갖고 있어서 직경 4mm이상의 크기로 주조법에 의하여 제조될 수 있으며 높은 강도, 내마모성, 내부식성을 지니고 있기 때문에 고강도 내마모 부품, 구조용 재료, 용접 및 코팅재료 등으로 제조되어 사용될 수 있다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 금속재료

비정질 형성능이 우수한 마그네슘계 비정질 합금

본 발명은 주성분인 마그네슘에 다른 금속원소(구리, 니켈, 아연, 알루미늄, 은, 팔라듐, 가돌륨, 이트륨, 칼슘 또는 네오듐)을 첨가하여 대기 중에서 일반 금형 주조법으로 벌크 비정질 형성이 가능하며 동시에 비정질 형성능이 우수한 마그네슘계 비정질 합금에 관한 것이다.본 발명은 일반식 MG100-X-YAXBY(X, Y는 원자량%로 각각 2.5≤X≤30, 2.5≤Y≤20)로 표시되며, 상기 A는 CU, NI, ZN, AL, AG 및 PD 중에서 선택된 적어도 1종이고, 상기 B는 GD, Y, CA 및 ND 중에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 분석·물성평가 기술

전도성 다층 박막 전극의 제조방법 및 이를 포함하는 전기화학 소자

본 발명은 전도성 다층 박막과 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전기화학 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전기전도성 층 사이에 비전도성 층을 삽입하여 응답속도가 향상된 다층 박막, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전기화학 소자에 관한 것이다. 본 발명은 이온성 화합물의 이온결합 특성을 이용하여 적층하며, 적층하고자 하는 선택된 전도성 이온성 화합물을 포함하는 각각의 용액에 기판을 디핑하였다가 빼내는 과정을 반복하고 그 중간에 비전도성 이온성 화합물 용액에 디핑하는 과정을 삽입함으로써 전자전달이 용이하고 박막의 두께가 균일한 전도성 박막을 제조할 수 있다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 재료 공정기술

나노와이어 배열 구조를 이용한 신경소자

본 발명은 전기 신호를 송수신하는 와이어를 포함하는 신경 소자에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 신경에서 발생하는 전기 신호를 효율적으로 획득하고 상기 신경에 전기 자극을 인가하는 와이어를 포함하는 신경 소자의 구조에 관한 것이다. 본 발명에 따른 신경 소자는 신경으로부터 검출되는 전기 신호를 처리하는 처리 모듈로 연결되며, 상기 신경소자는 나노 와이어를 통해 신경에 삽입되어 상기 신경으로 부터 전기 신호를 획득하거나 상기 신경에 삽입되어 전기 자극을 인가한다. 상기 신경소자는 적어도 하나의 관통 홀과 지지대를 추가로 구비할 수 있다. 본 발명에 따른 신경 소자는 신경을 죽이지 않고 전기 신호를 획득하거나 전기 자극을 제공할 수 있는 장점이 있다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 금속재료

지르코늄/티타늄계 이상분리 비정질 합금

본 발명은 이상분리 지르코늄/티타늄계(Zr/Ti계) 비정질 합금에 관한 것으로서, 본 발명에 의하면 일반식 (ZT)100-a-b(A)a(B)b 로 표시되고, 여기서 ZT는 Zr 및 Ti 중 적어도 1종이고, (A)는 Y 및 La 중 적어도 1종이고, (B)는 Be, Fe, Co, Ni, Cu, Ag 및 Nb 중 적어도 2종이며, a, b 는 원자량%로 5≤a≤60, 20≤b≤80 범위를 갖는 비정질 형성능이 우수한 지르코늄/티타늄계 이상분리 비정질 합금이 제공된다. 본 발명의 이상분리된 비정질 합금은 나노크기를 갖는 아주 미세한 연결구조를 가지는 상분리 조직을 가지고 있어 선택적 열처리 혹은 냉각속도의 조절을 통하여 이상분리된 조성을 선택적으로 나노 결정화하여 비정질 기지 나노복합재를 손쉽게 제조할 수 있다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 금속재료

다양한 응용이 가능한 이상분리 지르코늄/티타늄계 비정질 합금

본 발명은 이상분리 지르코늄/티타늄계 비정질 합금에 관한 것으로서, 본 발명에 의하면 일반식 (ZT)100-a-b(A)a(B)b 로 표시되고, 여기서 ZT는 Zr 및 Ti 중 적어도 1종 이고, (A)는 Gd, Ge 및 Nd 중 적어도 1종이고, (B)는 Be, Al, Fe, Co, Ni, Cu, Ag 및 Nb 중 적어도 2종이며, a, b 는 원자량%로 5≤a≤60, 20≤b≤80 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 비정질 합금이 제공된다. 본 발명의 이상분리된 비정질 합금은 나노크기를 갖는 아주 미세한 연결구조를 가지는 상분리 조직을 가지고 있어 선택적 열처리 혹은 냉각속도의 조절을 통하여 이상분리된 조성을 선택적으로 나노 결정화하여 비정질 기지 나노복합재를 손쉽게 제조할 수 있다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 금속재료

N d계 이상분리 비정질 합금

본 발명은 이상분리 비정질 합금에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 비정질 형성능이 우수한 Nd계 합금에 비정질 형성시 구성원소의 고유특성과 열역학적 고찰을 통하여 커다란 혼합열 차이를 가지는 원소를 첨가함으로써 응고시 이상분리 비정질화가 가능하도록 한 비정질 합금에 관한 것이다. 본 발명은 Nd100-a-b(TM)a(D)b 로 표시되며, 여기서, TM은, A군=Y, Ti, Zr, La, Pr, Gd, Hf; B군=Fe, Mn; C군=Co, Ni, Cu, Ag 의 원소군으로 표시될 때 A-B, A-C 및 B-C 에서 선택된 어느 1종의 조합이고 상기 각 조합을 구성하는 원소군의 함량은 5원자량% 이상이고, 상기 각 원소군에서 선택되는 원소는 적어도 1종이고, D는 Al, B, Si, 및 P 중 적어도 1종이며, a, b는 원자량%로 20≤a≤80, 5≤b≤30의 범위를 갖는 것을 특징으로 한다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 재료

다중 전극을 이용한 고효율 광원

본 발명은 유전체로 구성되고, 중공이 형성된 입체형 방전부(2); 상기 방전부(2) 외측면 일측에 구비된 접지전극(8); 상기 접지전극(8)의 양 측에 각각 구비되어 전압을 방전부(2)로 인가하는 외부전극(9, 9'); 상기 외부전극(9, 9')에 대응되는 상기 방전부(2) 내측면 일측에 하나 이상이 구비된 플로팅 전극(10); 상기 중공에 채워진 희가스를 포함하는 광원에 관한 것이다. 본 발명은 에너지의 소비가 감소된 코로나 상태를 이용함으로써 효율이 증가된 램프를 제작할 수 있고, 넓은 면적의 평판형 램프에 적용가능하며, 이를 구동하기 위한 인버터의 숫자를 감소시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 내부에 형성된 플로팅 전극은 고압의 코로나 방전 상태를 형성하여 스퍼터링이 발생하지 않아 램프의 수명을 증가시키고, 방전가스로 수은을 함유하지 않은 희가스를 사용함으로써 온도에 발광특성이 영향을 받지 않아 전원 인가 시 고휘도에 도달하는 시간이 감소하며, 환경오염을 방지하는 효과가 있다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 금속재료

원심주조를 이용한 과공정/아공정 알루미늄 2종 접합 피스톤 제조

본 발명은 원심주조를 이용한 이종 알루미늄의 접합방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 원심주조 시, 빠른 냉각속도와 교반에 의해 과공정의 실린더형 외부재의 조직의 미세화를 이루고, 원심력에 의해 생성되는 밴드층의 우선용융을 활용하여 아공정의 내부재와의 접합을 실현함으로써, 과공정 합금의 사용량을 줄이고 부위별로 기계적 성질을 달리하여 재료비를 절감하고 원가를 낮추며 품질을 높일 수 있도록 한 원심주조를 이용한 이종 알루미늄의 접합방법에 관한 것이다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

결손골 수복용 알루미나 시멘트와 그 제조 방법

본 발명은 새로운 골다공증 치료제인 결손골 수복용 시멘트로 개발된 LiF 및 maleic acid 함유 결손골 수복용 알루미나 시멘트의 조성과 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 결손골 수복용 알루미나 시멘트는, 출발물질로서 CaCO3 및 Al2O3를 사용하여 제조된 알루미나 시멘트에 LiF 및 maleic acid가 첨가되어 경화시간 및 기계적 물성이 향상된 것을 특징으로 하고, 본 발명의 제조방법은 제조된 알루미나 시멘트에 경화시간을 단축시키고 기계적 물성을 증진시키기 위하여 각각 분말상의 LiF와 액상의 maleic acid를 첨가제로 사용하는 것이 본 발명의 특징으로 한다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기
일반기술 재료 > 기타 분석·물성평가 기술

불투명 전도성 산화물 박막 및 그를 이용한 액정표시장치

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 투명한 전도성 산화물에 전이금속이 도핑되어 형성됨으로써 광의 투과율이 저하된 불투명 전도성 산화물 박막을 제공하는 것이다. 그리고, 본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 불투명 전도성 산화물 박막으로 형성된 화소전극과 공통전극을 구비함으로써 콘트라스트비가 향상된 액정표시장치를 제공하는 것이다.

보유기관
연세대학교
등록일
2007-12-27
상세보기