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불용성의 첨가제와 생태학적으로 순수한 소디움 실리케이트 바인더를 기초로 만든 제품들□ 장점 - 인장강도 : 50MPa - 압축강도 : 200MPa 이상 - 150°C 이상의 어닐링온도에서 물에 녹지 않는다 - 가열시 팽창하지않는다 - SiO2 sol-gel 을 함유하고 있는 공정을 저렴하게 할 수 있다 □ 응용분야- 높은 압축강도를 갖는 벽돌 생산(200 °C 이상의 어닐링온도) - 생태학적으로 순수하여 환경친화적이며 개선된 강도특성을 갖는 방수판의 생산 - 인공화강암, 유리를 깨서 만드는 장식타일 등의 개발
□ 기술 사양 구성재료(액상과 분말)이 조제되고, 막자사발과 막자를 활용하여 혼합되며, 분말과 액상이 완전히 혼합되는데 일반적으로 1분 정도가 요구되고, 솔더 페이스터가 완성됨.
□ 기술 사양 Planetary Mill을 이용한 강력한 분쇄과정에서 "분쇄촉매(grinding catalyst)"을 활용한 실험실 수준의 극 미세 입자 알파 알루미나 분말의 제조법이다.
□ 목적 이 기술은 구조용강의 표면경화를 목적으로 하며 기계에서 마찰이 작용하는 표면을 처리하는데 사용될 수 있고 고하중에 작용되는 기계부품의 처리에 사용될 수 있다. 즉 기어 휠의 접촉강도와 샤프트, 스리브, 플런저 등의 내구성을 향상시키는데 사용 가능하다. □ 기술적 경제적 특성과 개요 기술의 본질은 플라즈마 발생장치와 일정한 사이클로 사용되는 전기-아크 증착기에 의해 구조용강의 표면에 3개층의 내마모 피막이 형성되는 것이며 이것은 내부에 질화된 2개층의 영역과 미세하게 분산된 TiN 코팅층의 영역으로 되어있다. 질화된 2개의 상은 모재에 코팅된 TiN과 매우 높은 접착력을 제공하며, 마찰과정에서 대상물과 접촉할 때 안정성 및 고열안정성을 제공한다. 플라즈마와 이온화처리의 조합에 의해 처리된 구조용강으로 제작된 기계부품의 표면은 내마모 내식성이 향상된 것을 보여준다. 이 기술의 효과는 구조용강 40X(0.4% C, 1.0% Cr, 0.5--0.8% Mn, 0.17--0.37% Si) 의 샘플에 의해 설명되고 있다. 아래에 나타낸 그래프는 플라즈마가 가미된 이온코팅 기술로 처리된 강(40X)의 시편에 대한 마이크로경도 측정값을 보여주고 있으며, 다른 하나의 그래프는 다양한 형태로 처리된 강(40X)의 시편에 대한 내마모 측정값을 보여주고 있다.
□ 설명 할로우 애노드(hollow anode)를 이용한 아크 방전은 동시 또는 순차적으로 시작되는 두 가지 형태에 따라 티탄 이온소스가 동작한다. 제한된 캐소드 1 과 할로우 애노드 2 사이의 제한 방전은 가스 이온을 발생시키고 20μs 내에 진공 아크를 시작한다. 전극 2와 3사이에서 시작된 진공 아크의 캐소드 접점에서 금속 이온이 발생한다. 미세망 형태의 메탈 그리드에 의해서 안정화된 플라즈마 표면에서 이온들을 추출한다. 할로우 애노드 2와 금속선으로 만든 2개의 그리드(grid)로 구성된 전극 5사이에 가해진 직류 전압에 의해서 이온은 요구되는 에너지 수준까지 가속된다. 가속된 이온빔은 시편이나 부품에 위치한 이온 수집기(collector)에 도착한다. 전극 6 그리드에 15kV 정도의 반대 전위를 가해주어 collector로부터 방출된 2차 전자를 제거한다. 절연체 7은 변압기 오일로 충진되어 있고, 소스는 라디에이터를 통하여 물이 순환하여 냉각된다. □ 사양 - 가속 전압 : 20~80[kV] - 진공 아크 전류 : 50~150 [A] - 제한 아크 전류 : 30~60 [A] - 금속 이온빔 전류: 0.1~0.5[A] - 가스 이온빔 전류: 0.1~0.25 [A] - 동작 펄스 반복률 : 12.5, 17, 25, 50 [Hz] - 전류 펄스 유지 시간 : 400[μs] - 제한 아크 발생부터 진공 아크 발생의 지연 : 0~400[μs] - 이온빔 단면적 : 250 cm2 - 캐소드 교환없이 진공 아크 동작 시간 : 30[h] - 캐소드 교환없이 제한 아크 동작 시간 : 100[h] - 소스 파워 공급 전원 : 3상 380V - 소스내의 압축가스의 초과 압력 : 2~10 [atm]
□ 설명 이 장치는 진공 스퍼터링을 위한 장치로, 건축용 평판유리(가로 세로 2 x 3 m²)위에 장식이나 거울면 코팅 증착을 목적으로 한다. 동시에 4장의 유리판을 마그네트론 스퍼터링 시스템을 통해 증착한다. □ 기술적 사양 - 성능 특성치 1. 크기 (길이x높이x폭) 3.5 x 2.5 x 2.7 m 2. 설비 총 면적 200 m² 3. 가동사이클당 물소비량 2.5 m³ 4. 평균소비전력 50 kW 5. 최대소비전력 100 kW 6. 작동사이클당 제품수 4 장(230x320cm²) 7. 평균가동지속시간 60 min 8. 제품의 종류 8.1 장식용 반투명 건축용 ²유리 - 반투명 코팅재 : 티타늄, 스테인레스강 - 코팅층 투명도의 균일성 : + 5% 8.2 거울 - 반사 코팅재 : 티타늄, 알루미늄, 스테인레스강 9. 월 생산량(3 교대시) - 장식용 반투명 건축용 유리 및 거울재 10,000 m²
□ 설명 이 장치와 기술은 재료와 제품의 표면을 처리하여 강도와 전기화학적, 전기물리적 특성을 개선하는데 목적이 있다. □ 기술평가 및 경제적 이익 기술의 본질은 재료와 제품의 표면에 수초 동안 저에너지, 고전류 전자빔(LEHCEB)을 표면이 용융되거나 또는 비산되는 단계까지 쏘여주는 것이다. 저에너지, 고전류 전자빔(LEHCEB)을 생성하기 위해서는 각각의 요소들을 조합하는 방법이 유일하며, 폭발 방출 음극 플라즈마 다이오드를 기초로하는 전자 소스가 사용된다.□ 적용분야고강도 합금인 절삭 공구의 수명 연장 BK8, T15K6, and T5K10 등의 형태인 고강도 합금의 절삭 tool에 전자빔을 조하할 경우 그림 2에 나타나 있는 바와 같이 고속도 절삭 수명이 2-5배 증가 하였다. T5K10합금으로 제작된 절삭공구의 표면 바로 아래층 면적은 절삭 길이의 함수이며 LEHCEB처리 전(1), LEHCEB 처리후(2-4)에는 에너지 밀도가 변화하였다. 처리재료:강 40배, 절삭조건 : S=0.14mm/rev, d=1.5mm, v=300m/min. 구조적으로 해석하면 용융 카바이드상과 바인더 상이 만났을 때 표면층의 코발트 바인더의 입자 크기가 더 작아지고 추가적으로 바인더는 W, Ti, C로 덮여진다. 처리재료의 코발트 바인더로의 확산억제로 인하여 공구의 수명이 증가한다. 전자빔 시스템의 생산성, 경제적으로 생산되는 공구의 원가, 투자, 운영비용, 기대이익 등을 평가해볼 때 장비의 총비용은 1~2년 이내에 보상될 것이다.
□ 설명 고온 텅스텐 필라멘트를 이용한 비자활(non self-sustainded) 저압 아크 방전으로 발생한 고밀도 균질 플라즈마는 재료, 제품상에 기능성 코팅시 이온 플라즈마 증착에 대한 기술적 공정을 강화하고 안정화하는데 이용된다.□ 파라미터- 방전 전류 : 10~100 [A]- 방전 전압 : 40~60 [V]- 동작 압력 : 0.05 ~ 1 [Pa]- 플라즈마 밀도 : 109 ~1010 [cm-3]- 크기 : ø 300~500 [mm]□ 고온 필라멘트를 갖는 프라즈마 소스 "PINK"플라즈마 소스 "PINK" 는 대형 진공로에서 고밀도 균질 플라즈마를 생산하는데 이용되고, 재료 표면 처리의 복합 기술 구현을 위한 장비의 현대화(기술적인 역량 확장)하는데 이용된다.□ 플라즈마 소스 "PINK"는 다음과 같은 분야에 적용할 수 있다.-고에너지 효율의 저온 벌크 플라즈마 발생-진공 아크 증착기내의 마이크로 입자 저감-음극 재료에 의한 오염 없이 표면의 세정, 에칭, 활성화 -플라즈마 코팅 공정의 단순화-고경도(30GPa), 내마모성, 내부식성 등의 특성을 갖는 미세/나노 구조 코팅층 형성
산화물-금속(구리 또는 은 layer)-산화물의 소프트 코팅 피막 구조를 갖고 있는 열 저장 유리에 대한 기술을 개발하였다. 가시광선 영역에서 구리 또는 은 layer를 갖는 열 저장 유리에 대한 스펙트럼 분석 결과는 그림1과 같다. □ 기술평가 및 경제적 이익빌딩 난방 열의 대부분은 유리를 통하여 열 복사 형태로 손실된다. 이런 열 손실은 가시광선은 통과하고 적외선 복사는 반사하는 열 저장 유리를 이용함으로써 제거할 수 있다.□ 열 손실 저감을 목적으로 거주용 및 공공용 건물에 판유리를 설치하는 경우에는 블랭킷(CHT3, THAT 5911-001-05160369)으로 조립된 열 저장 유리를 이용한다. 유리는 복층(이중) 유리창 시공에 적용된다. 유리의 크기는 2.3 X 1.6 m2 이다. CHT3 판유리는 진공 증착 방법에 의한 표면 처리 표준(규격) GOST 111-90에 만족한다. CHT3는 거주용 및 사무용 빌딩, 다른 건축물의 유리 시공에 있어서 복층 유리창에 사용된다. 선택적인 코팅층은 적외선 영역에서 유리를 통한 열 손실을 상당히 저감할 수 있고, 중요한 부분에 있어서 낮은 계수 특성을 나타낸다. 코팅층은 유리에 높은 응착성을 보이고 환경적으로 안전하다.
□ 설명철도차량 휠의 초음파 마감 처리용 마찰기술 복합물(이후 복합물로 언급)을 철도 철도차량 휠의 필요 거칠기를 구하고 롤 표면을 강화시키는 용도로 기획하였습니다. 복합물 작용 원리는 기계적 처리 결함을 제거하고, 잔존 거대응력을 수축시켜 만들어내며, 표면을 강화시키고 기계 부품의 내구성을 증가시키기 위해 두 초음파 압자(indentor)를 동시에 적용한 기관차 휠의 소성변형에 기반하고 있습니다. 복합물은 초음파 기술 세트 UZGK-02(발생기-도구), 도구의 전기 구동장치(제어 장치 및 스텝 모터), 도구 설비를 장착할 부속품 및 선반으로 가공한 작동기 등으로 구성되어 있습니다.□ 복합물은 다음 사항을 가능하게 합니다마모 도구 및 재료를 적용하지 않게 함;거친 마무리 처리에 동일한 장비(선반)을 사용하게 함;크기 왜곡 없이 표면을 강화시킵니다.
□ 설명질화된 주물 합금은 강철에 질소를 첨가하는 용도로 만들어 낸 것입니다. 질화 크롬과 크롬철을 고-크롬 스테인레스 강철에 첨가하는데 주로 사용하였습니다. 질화 망간과 바나듐철을 저-합금 고-강도 강철을 제조하는데 사용하였습니다. 질화 규소철은 주로 규소를 포함하는 강철의 전기 및 다른 등급에 첨가하고자 만들어 낸 것입니다. □ 기술 평가 및 경제적 이점설계 기술에 전력이 채택된 것이 아닙니다. 이 기술은 환경에 알맞고, 단기간이며, 단일 단계로 이루어진 과정이며, 이 과정은 재료 손실 및 오염을 완전히 제거합니다. (오물과 가스 방출이 전혀 없으며, 합금철 내에 8-36%의 질소가 함유되어 있고, 0.1 kWh/톤의 전력 소모량을 보입니다.) 질소를 강철에 첨가하는데 사용한 모든 유형의 전형적 합금철을 질화시키는 용도에 이 새로운 기술이 적합합니다. 질화 시설은 열 기구를 포함하지 않고, 단순한 디자인이며, 작동이 쉽습니다. 질소-함유 합금의 활용 계수가 3-5의 계수까지 증가하였습니다.
□ 설명복합재료를 생산하는 새로운 분말기술은 질소입자가 잘 분산된 구리를 기반으로 하고 있으며, 여기에는 기계적 활성화 분말 혼합 방법, 강한 소성변형의 효과와 기계적 처리 공정이 포함된다. 200-250도 정도에서의 중량 재결정은 구리의 중량 재결정보다 더 높습니다. 고열과 전기전도도를 가진 높은 기계적성지리의 결합은 전기 및 에너지산업에 사용될 가능성 높은 복합재료를 만든다.□ 기술 및 경제 이점이 기술의 기술 및 경제 이점으로 인해 열 및 전기 특성이 높은 구리에 기반한 호환성이 높은 물질을 생성하는 것이 가능해진다.
□ 설명작업의 전체 능력을 4-6배 증가시키기 위해 다중 복구하고 톱니를 강화시키는 결합 기술□ 적용다이아몬드를 깊이 연마하고 매우 단단한 강판을 자를 수 있는 기술 및 장비-가시 거리 깊이로 1.0mm까지 사용된 팁을 복원-2-3회 반복에 의해 톱니 능력이 향상됩니다.이온 빔 처리 공정으로 복구된 톱니 내구성이 2-3배 강화됩니다.결합 복구 경화 방법으로 인해 총 작업이 4-6배 정도로 엄청나게 증가되었습니다.□ 기술 및 경제 이점이온 빔 경화는 새로운 톱니의 능력을 2.5-3배 증가시키며, 이렇게 증가됨으로 인해 이러한 제품의 품질 수준을 끌어올리는 것이 가능해지고, 이렇게 하는데 드는 비용은 새로운 도구 제작 비용의 30%를 초과하지 않습니다.□ 추정 비용톱니 복원 및 강화 비용은 새로운 톱니 제작 비용의 60%를 초과하지 않습니다.
□ 설명티탄 합금에 따라 고상 특성을 증가시키는 것과 함께, 살아있는 유기체에 해로운 합금 요소를 포함하지 않는 기술적으로 순수한 티탄으로부터 초미세 입자(yM3) 구조(d<1 마이크론)가 얻어지도록 냉간 압연을 조합한 전면(전면) 단조 모드를 개발한다. □ 기술 평가 및 경제적 이점제공 기술에는 특별 장비 사용이 요구되지 않으며, 이 기술로 인해 광범위하게 사용되는 산업 장비 (압축기, 스탬프, 압연기 등) 적용과 함께 금속 및 합금에서 UMZ 구조 수용이 가능하게 됩니다. 이렇게 해서, 등통로 각압축(ECAP) 방법 사용과 관련하여 훨씬 더 큰 크기 에서 반쯤 끝마친 품목에 대해 용적 측정 준비를 수용하는 것이 가능해 집니다.
해당 기술에따른 복합 임프린팅 스탬프는 임프린트대상 물질을 지지하는 기판과 동일한 열팽창계수를 갖는 경성(硬性)의 스탬프 평판 상기 스탬프 평판의 일면에 형성된 고분자수지로 이루어진 스탬프 돌출부 및 상기 스탬프 돌출부가 형성된 스탬프 평판면에 형성된 스탬프 평판 노출면을 포함하는 것을 특징으로 하며, 내구성이 뛰어나고, 변형이 적어 장기간 복제몰드로 반복사용이 가능하다는 장점을 가지며, 해당 기술에따른 제조방법으로 상기 복합 나노임프린팅 스탬프를 손쉽게 제조할 수 있다는 장점이 있다.
해당 기술에따른 폴리티오펜계 고분자 나노소재는 티오펜, 3-메틸 티오펜, 3-헥실 티오펜 및 3-옥틸 티오펜으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 단량체를 전기적 중합하여 얻어지며, 직경이 150∼250nm, 길이가 7∼30㎛이고, 480∼560nm에서 최대발광피크가 나타나는 것을 특징으로 하며, 가공성이 뛰어나고 광학특성 및 전계방출특성을 보이기 때문에 발광소자, 전계방출소자는 물론, 태양전지 등의 광전소자에 사용될 수 있다.
해당 기술은, 록볼트 고정용 그라우트 품질검사장치 및 품질검사방법에 관한 것이다. 상기 품질검사장치는, 굴착공의 내부에서 그라우트에 묻히는 하나 이상의 광섬유케이블과 상기 광섬유케이블의 일단부에 연결되며 광을 발생하여 광섬유케이블의 일단부에 조사하는 광송신부와 상기 광섬유케이블의 타단부에 연결되고 광섬유케이블을 통과한 빛을 받아들이는 광수신부와 상기 광송신부를 통해 조사된 광량과 광수신부에 도달한 광량을 비교하여 손실된 광량을 파악하고 이를 기초로 그라우트의 품질을 판단하는 중앙처리부를 포함한다. 또한, 상기 품질검사방법은, 굴착공에 록볼트와 함께 광섬유케이블을 삽입 설치하는 광섬유케이블 설치단계와; 상기 굴착공에 그라우트를 주입하는 그라우팅단계와 상기 광섬유케이블의 일단부에 광을 조사하는 광송신공정과, 상기 광섬유케이블을 통과한 광을 받아들이는 광수신공정과, 상기 광섬유케이블을 통과한 광량의 감소량을 파악하고 그라우트의 품질을 판단하는 분석공정을 포함하는 검사단계를 구비한다.상기와 같이 이루어지는 해당 기술은, 광섬유케이블을 이용해 그라우트와 록볼트의 접착강도를 결정하는 그라우트의 충진밀도를 파악할 수 있으므로, 구태여 인발용 장비를 이용해 록볼트를 당기지 않아도 되므로 매우 간편하고 위험하지 않으며 작업시간이 빠르고 정확한 품질검사를 할 수 있다.
해당 기술은 알콜센서 및 알콜센서의 제조방법이 개시된다.해당 기술에따른 알콜센서는 절연성 기판과; 상기 절연성 기판 상에 패턴형성된 한 쌍의 전극; 상기 전극 상에 CuO 나노입자로 이루어진 센싱막을 포함하며, 상기 CuO 나노입자는 CuCl2, 상기 CuCl2를 기준으로 4 내지 8 당량의 몰수를 갖는 히드라진 일수화물 및 상기 히드라진 일수화물과 동일한 몰수를 갖는 NaOH를 반응시켜 제조된 Cu 나노분말을 열처리하여 얻어진 것을 특징으로 한다.해당 기술에따르면, 알콜 가스의 감도 및 선택성을 높일 수 있는 효과가 있다.
질화갈륨 박막 제조용 단결정 기판, 질화갈륨 박막 제조방법 및 질화갈륨박막 제조용 단결정 기판으로 제조된 질화갈륨 박막을 포함하는 발광다이오드 및 레이저다이오드가 제공된다. 해당 기술에따른 질화갈륨 박막 제조용 단결정 기판은 사파이어, 실리콘 카바이드, 산화아연, 실리콘 또는 비화갈륨(GaAs)으로 이루어지며, 동일 평면 상에, 복수개의 규칙적으로 반복형성된 패턴을 포함하는 질소이온주입 패턴부 및 상기 패턴을 구획하는 질소이온비주입 구획부를 포함하는 것을 특징으로 하며, 질화갈륨 박막의 성장을 기존와 다른 방식으로 빠르게 성장시킬 수 있으며, 결과적으로 질화갈륨 박막의 결정성 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 단결정기판을 이용한 질화갈륨 박막 제조방법은 제작이 용이하고 질화갈륨 박막의 결정성 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있으며, 상기 질화갈륨 박막 제조용 단결정기판에 의해 제조된 질화갈륨 박막을 포함하는 발광다이오드 및 ㅍ는 광학적 특성이 우수하다는 장점이 있다.
해당 기술은 유기박막 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 해당 기술에 따르는 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 평평한 유전체층의 표면에 계면활성제를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하는 단계, 노즐을 구비한 도가니 내부에 올리고티오펜 유도체 화합물을 배치하고, 상기 도가니에 2 내지 15V의 전압을 인가하여 상기 자기조립 단분자막이 형성된 유전체층을 타겟으로 하여 상기 올리고티오펜 유도체 화합물을 증기화하는 단계, 상기 올리고티오펜 유도체 화합물의 증기가 상기 도가니의 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계, 상기 유전체층의 상부에 상기 올리고티오펜 유도체 화합물의 증기를 20 내지 30℃의 실온에서 증착하여 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 유기막의 상부에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터 빔 증착법을 이용하여 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 절연층의 표면에 유기물이 균일하게 증착될 수 있다.