산업기술 통합검색
미래의 통신망은 텍스트 데이터, 음성, 및 화상정보를 수용할 수 있는 초고속 정보통신망으로 발전될 전망이며, 초고속 정보통신망은 다양한 특성의 트래픽을 수용하기 위해서 ATM방식으로 표준화가 추진되고 있다. 그러나 ATM망은 고속 패킷교환방식의 일종이므로 망내의 트래픽 환경에 따라 정보의 전달시간이 달라지는 Jitter 현상이 발생될 수 있다. 이러한 Jitter 현상은 음성과 같은 등시성 정보의 품질을 저하시키는 요인이 되므로 이를 보상하는 방법이 마련되어야 한다. 따라서 본 연구에서는 음성정보와 화상정보에 대한 Jitter 현상을 보상하는 알고리즘을 개발하고 이를 칩으로 구현하였다
-이차전지를 포함하여 전기화학적 에너지 생산·저장 시스템의 성능이나 수명을 결정하는 가장 중요한 요인은 전극 표면, 전극/전해질 계면에서 진행되는 산화/환원 반응이라고 할 수 있다. 이들의 연구를 위하여 그동안 ESCA, AES, LEED등 많은 분광학적 표면 조사 기술을 사용하여 위한 노력이 지속되어 왔다. 그러나, 본질적으로 위의 기술들은 모두 ex-situ 기술로서 반응이 완료된 후에 시편을 cell에서 분리하여 분석용 시편 제작 후 측정하기 때문에 분석 시편 제작동안 있을 수 있는 전극의 여러 가지 변화 및 이물질에 의한 오염에 대해서 대책이 부족하며, transient process에 대한 연구가 불가능하다는 단점을 내포하고 있었다. 이들에 비해 최근에 개발된 EME 기술은 고도의 직진성을 갖는 레이저를 probe beam으로 사용하고, 정밀한 레이저 검출기를 사용하여 전기화학 반응이 일어나는 동안 계면반응에 의한 전극의 변화를 in-situ로 측정할 수 있기 때문에 위에서 제시한 여러 가지 표면 조사 기술의 단점을 보완할 수 있고, 반응 산물만을 측정하는 것이 아니고 전해질 속의 화학종 및 전극 내에서 확산하는 화학종까지 측정할 수 있는 장점을 가지고 있다. EME는 전극 반응이 일어날 때 반응에 참여하는 화학종들의 농도구배에 의해 전극 부근 전해질의 굴절률이 변화하며, 이때 optical windows를 통해 cell 내에 조사된 probe beam의 편향을 10-9rad. 농도로 환산하면 10-3mol까지도 측정하는데, 여기에 FT-iR 등에서 사용하는 multiplexed source를 excitation light으로 전극 표면에 조사하면 반응에 참여한 화학종까지도 모두 분별할 수 있는 첨단 기술이다. 또한 EME에서는 probe beam과 전극이 직접 접촉하지 않기때문에 전극 반응에 영향을 주지 않으며, 충·방전 cycle 동안 화학종의 확산 현상 및 transient process를 모두 검출할 수 있으므로 이차전지용 전극 활물질의 충·방전 특성 평가에 매우 유용한 기술이라고 할 수 있다.
최근에는 높은 에너지 밀도와 긴 수명을 갖는 전지를 개발하기 위해 고체 전해질을 사용한 고체전지에 대해 많은 연구가 이루어지고 있다. 고체전지는 기존 액체전해질을 사용하는 전지에 비해 누액의 염려가 없으며 진동 및 충격에 대한 저항성이 높으며, 공해를 일으키지 않는 장점이 있다. 또한 액체전해질을 사용하는 경우 이온전도를 위한 액체전해질과 양극과 음극을 전자전도로부터 격리하는 격리판이 있어야하는데 고체전해질을 사용하는 경우 양극과 음극을 격리하는 동시에 이온을 전달하기 때문에 단층으로 형성을 할 수 있다. 또한 전지 요소가 모두 고체이기 때문에 박막 제조 공정을 이용하여 두께 10μm이하인 박막전지를 제조할 수 있다. 이러한 박막 2차전지는 용량이나 구동전압도 단위전지를 직렬 또는 병렬로 연결하여 다중 셀을 형성할 수 있으므로 반도체 집적 회로, 마이크로 센서, 마이크로 엑츄에이터, 등의 자가전원으로 매우 적합하게 응용될 수 있다. 특히 최근에 자기카드의 발전된 형태인 IC카드에 전원으로 사용할 경우 지시계를 탑제하여 카드 판독기 없이 내용을 볼 수 있는 스마트카드의 실현에 큰 도움을 줄 것이다. 고체 전지에 사용되는 여러가지 고체 전해질 재료 중에서 리튬 이온 전도성 고체 전해질은 리튬의 질량이 낮고, 높은 분해 전압을 갖는 특성때문에 관심이 집중되고 있다. 최근에는 높은 이온전도도와 분해전압, 리튬과 반응하지 않는 화학정 안정성 등, 여러가지 장점을 지닌 Li-P-O-N계 전해질이 개발되어 많은 연구가 이루어지고 있다. 그러나 여러가지 장점에도 불구하고 Li-P-O-N계 박막전해질은 아직까지 체계적인 연구가 이루어지지 않았다. 따라서 본 연구에서는 Li-P-O-N계 박막 고체전해질의 박막 증착 조건에 따른 구조변화가 리튬 이온전도도에 미치는 영향을 고찰하였고, 그 결과를 토대로하여 박막전지에 사용하기에 적합한 전해질의 증착조건과 조성을 확정하여 V2O5양극을 사용하여 Li | LIPON | V2O5 박막전지를 구성하였다. 제작된 박막전지를 사용하여 전지의 성능을 저하하는 요인을 밝히고 이를 개선하여 고성능 박막 2차전지를 개발하였다.
ㅇ탄산염을 이용한 연료 전지 o전해질의 기공 내 함침을 위한 샘플내 기공 부여 ㅇ내열성과 강도 유지ㅇ열효율 높고 무공해
본 연구에서는 전력설비의 계측제어용 정보들이 영상을 포함한 효율적인 통신망 구축방법을 제시하고자 기존의 전송매체인 광케이블망에서 기존의 정보설비와의 호환성을 고려한 전송방식의 기술적인 연구에 목적을 두고 있다. 광통신의 광대역 특성을 최대한 활용하기 위해 각종 정보의 다중화 방식인 WDM, TDM이외의 다른 다중화 방법인 SCM방식을 이용하여 기존의 아날로그 및 디지틀 신호의 혼합방식을 이용한 것으로서 영상정보 등을 비압축으로 실시간 전송이 가능하므로 기존의 존속성, 호환성, 발전성등이 우수하다. 따라서 본 연구에서는 전력설비용 계측제어 정보를 효율적으로 통합 전송하기 위하여 광SCM전송기술을 개발하였다. 개발 내용으로는 전기설비의 계측제어를 위한 정보통신망의 분석, 광SCM전송기술의 특성분석, 광SCM전송시스템의 제작, 광SCM시스템의 성능시험과 적용방안에 대하여 논의하였다.
세계적으로 기술적 문제로 인하여 아직까지 고온초전도 S-I-S 접합이 개발되어 있지 않다. 또한 low angle S-N-S biepitaxial 접합을 개발할 필요가 있다. 본 연구는 이러한 문제를 극복할 수 있는 방법을 택하여 새로운 low angle S-N-S접합과 새로운 S-I-S접합개발을 위한 base layer를 제작하였다. 새로운 방법에 의한 low angle biepitaxial 죠셉슨 접합의 제작을 위하여 [001]축이 20o 비스듬이 cut된 STO기판의 반쪽은 CeO2/YSZ 이중 buffer layer가 사용되었다. YBCO박막은 STO위에 직접 성장한 부분은 c축이 20o 기울어져 있고 buffer layer위에서 성장한 부분은 c축에 수직이다. 따라서 전체적 YBCO박막은 20o a축 tilt 혹은 a축 twist biepitaxial 죠셉슨접합을 형성하였다. 또한 S-I-S 접합을 위하여 수백 Å의 gap(D)을 갖는 두 영역의 YBCO가 제작되어야 하는데 이러한 YBCO가 성장할 수 있는 기초 gap을 갖는 base layer를 개발하였다. 이러한 base layer로써 MgO를 경사지게 증착하여 고온 초전도박막을 증착하기 전에 V자 형태의 골을 미리 제작하는 새로운 방법으로 제작한 SNS 죠셉슨 접합의 가능성, 장접과 기초적인 특성을 측정해 보았다. 또다른 방법으로 STO와 MgO 혹은 STO와 YSZ의 열팽창계수의 차이를 이용하여 수백 Å의 gap을 가진 base layer의 제작을 시도하였다.
) 고온초전도 에피택셜 단층(다층)박막의 성장 및 물성분석: - 펄스-레이저 증착법에 의한 고온초전도 YBCO/MgO 에피택셜 박막의 성장(강한 c- 축배향의 에피택셜 박막이며, 20mm X 20mm까지 균일한 박막을 성장함). - 마이크로파 특성이 우수한 접지평면용 이중 금속박막(Ti/Ag)의 증착. 2) 고온초전도 마이크로파 소자의 최적설계 및 구현: - 오픈-스터브선 방식의 고온초전도 다극(3-극, 5-극, 7-극 및 9-극) 저역통과필터의 제조. - 평행결합선 방식의 고온초전도 다극(2-극, 4-극, 6-극) 대역통과필터 제조. 3) 고온초전도 마이크로파 필터의 저온 마이크로파 특정시스템의 구축과 응답특성측정. - 3-성분 시험치구의 설계 및 제작, 저온 마이크로파 측정시스템(HP-8510 + LTS-II) 의 구축(∼50GHz). - 고온초전도 저역통과필터: 삽입손실(1dB이내)/ 고온초전도 대역통과필터: 삽입손실 (0.5dB이내). 극수의 증가에 따라, 저지대역의 스커트 특성이 더욱 가파르게 됨. 4) 고온초전도 마이크로파 소자제조용 각종 장비(실험실용)의 설계/제작. - 고속스핀코터, 접촉정렬기, 베이커, 펄스-레이저 증착용 성장챔버 등.
본 연구에서는 rf-sputtering 방법을 사용하여 양질의 고온초전도 박막을 제작한 후, 이 박막을 기판으로하여 고온초전도 마이크로스트립 패치안테나를 제작하고, 모멘트법을 이용하여 해석하였으며, 고온초전도 마이크로스트립 안테나 설계를 위한 프로그램 및 전자기적 특성 컴퓨터 시뮬레이션 프로그램을 개발하였다.▣ 고온초전도 박막제조 및 미세가공 - 유전체 단결정기판(MgO, LaAlO3)위에 rf-magnetron sputtering법으로 YBCO 고온초전도 박막 제조 ▣ 고온초전도 마이크로스트립 안테나 배선 및 고주파특성 조사 - 사진식각에 의한 고온초전도 박막의 미세 형상화 및 박막의 특성 평가 - 고주파 설계 시스템에 의한 안테나 최적 패턴 및 전자기적 특성 컴퓨터 시뮬레이션 배선 및 고주파 특성 조사 (모뎀 정립, 시작품 제작)
ITU-T T.120 시리즈 표준들은 다자간에 이루어지는 멀티미디어 회의 환경에서 사용되는 다자간 데이터 통신 서비스를 정의하고 있다, 여기서 정의된 서비스들은 서로 다른 망에 연결되어 있는 둘 이상의 참가자들이 자유롭게 연결을 확립하고 관리할 수 있도록하는 기능과 연결된 참가자들 간에 이루어지는 다자간 데이터 통신 기능을 제공한다. 이와 더불어 T.120 시리즈 표준들에서는 아래에 보는바와 같이 이러한 서비스를 바탕으로 구현되는 몇 가지 응용과 이와 관련된 프로토콜도 정의하고 있다. T.123 : 다양한 형태의 망을 지원하기 위한 프로토콜 스텍 T.122/125 : 다자간 통신 서비스 T.124 : 회의에 관련된 전반적인 제어 서비스 T.126 : 정지영상 전송 서비스 T.127 : 다지점 파일 전송 서비스 이중 T.122/125는 개발 경험이 있으며, 다른 부분은 분석중 이거나 완료한 상태이며, 특히 T.124의 구현에 관련한 과제를 도출하기를 원한다.
리튬 이차전지는 에너지 밀도가 높고, 전지 동작 전압이 낮으며, 납이나 카드뮴 등 중금속을 사용하지 않기 때문에 환경 오염 문제가 없어 가장 주목 받고 있는 차세대 전지이다. 리튬 이차전지의 정극 중에 자원이 품부하고 값이 싸다는 장점이 있어 LiMn2O4등이 많이 사용되고 있다. 우수한 LiMn2O4 정극 재료를 개발하기 위하여 열처리 온도와 시간 등을 변화시키면서 그 특성들을 조사한 결과 800℃ 36시간 열처리한 경우, 처번째 싸이클 방전 용량이 120mAh/g이었고, 싸이클이 진행되는 동안 110mAh/g으로 안정되고 충방전 효율도 95%이상으로 우수하여 리튬 이차전지용 정극으로 활용이 가능함을 확인하였다
본 고안은 휴대용 전화기에 있어서 그 개폐덮개를 수평으로 회전개폐되게 하여 사용이 편리하고 외관적 디자인이 우수하게 한 수평회전 개폐식 휴대전화기에 관한 것으로서, 송화기를 포함한 본체와 수화기를 포함한 덮개로 구분 형성하여 중첩하되 각각의 일측단부에 축봉에 의해 축설되게 하여 본체 또는 덮개가 수평회전되게 함으로써 종래의 스프링에 의한 플립형 개폐방식을 축점에 의해 회전되게 한 회전형 개폐방식으로 고안함으로써 그 개폐 구조를 구성하고 있는 부품이 단조로워져 조립 및 생산성이 향상되고 원가 절감의 효과와 구성 부품의 수명 또한 연장되며, 외관적인 형태가 종래의 절반수준으로 축소되므로 휴대성이 매우 향상됨은 물론 외관적인 디자인에서도 다양하고 보다 용이한 디자인을 창출케하는 효과가 있는 수평회전 개폐식 휴대전화기에 관한 것임.
본 연구에서는 플래쉬 메모리 (flash memory) 카드를 이용하여 intelligent ambulatory monitoring 시스템을 설계하였다. 1961년 Holter에 의해 휴대용 제품이 개발된 이후, 마이크로프로세서와 저장매체의 발달로 기존의 자기테입 저장방식에서 반도체 메모리 저장방식을 채택한 시스템이 출현하였다. 최근에는 PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association) 플래쉬 메모리(flash memory) 카드를 채택한 장비들도 개발되고 있다. 본 연구에서는 고성능의 8비트 원칩 마이크로콘트롤러를 이용하여 전체시스템을 저전력, 소형-경량화 시키고 20M 바이트 용량의 플래쉬 메모리 카드를 이용하여 환자로부터 획득된 데이터 관리에 효율을 높였다. 시스템의 주요사양은 2채널, 0.05-60㎐의 대역폭, CMRR60, 8bit-250㎐ sampling rate, 20M 바이트 저장용량, 24시간 동안 full-disclosure 저장 방식이다. 플래쉬 메모리 카드는 MS-DOS 환경에서 파일형태로 인식이 될 수 있도록 FFS(Flash File System)으로 제어하여 검출된 데이터를 쉽게 일반 PC와 인터페이스되도록 하였다. 또한 단순기록장치 기능 이외에 진단파라미터 검출 알고리즘을 개발하여 post-processing에 이용하였다. 진단 파라미터 검출 알고리즘의 성능을 평가하기 위해 MIT/BIH 데이터베이스를 사용하여 QRS를 검출한 결과, 평균 99.14%를 얻었다.
인터넷 상에서 네티즌들의 profile 데이터를 실시간으로 수집 가공 분석하여 네티즌과 인터넷 사업자에게 정보추천 서비스 및 컨설팅 서비스로 1:1 마케팅을 가능케 하는 기술국내 최초의 profile 분석기술 및 솔루션 독자 개발로 초대형 데이터 실시간 수집, 가공, 분석 기술 보유로 아래 역할수행 가능- web navigation tracking & data processing- web log profile analysis- profile engine customization- prosessed profile information prviding- profile management & recommendation softwere development
충전기능이 내장된 휴대폰(휴대전화기 또는 이동통신용 단말기)에 관한 것으로, 휴대폰의 내부 일측에 외부전원을 공급할 수 있는 플러그와, 플러그로부터 인입되는 전원을 충전에 알맞는 전압으로 강하시키면서 정류 및 정전업화 한 다음 충전지로 공급시켜 충전하는 충전수단을 일체형으로 부가 설치하여 외부충전기를 따로 휴대하거나 할 필요없이 교류전원(220V)이 있는 곳이면 바로 충전할 수 있도록 고안한 것이다.별도의 충전기가 필요없이 충전을 할 수 있으므로 기존의 충전기 분리형의 불편함을 해소할 수 있으며, 외부충전기와 그 주변 악세서리 제조에 따른 자원손실과 비용손실을 막을 수 있다. 또한 산업폐기물의 일종인 외부충전기와 그 악세서리의 양산을 막음에 따라 환경보호에도 기여할 수 있게 된다.
PCS 단말기용 IF 아날로그 ASIC 설계기술1) 주요기능 - CDMA/FM dual mode 기능 - 역방향 링크 I/Q 변조 기능 - 순방향 링크 I/Q 복조 기능 - 클럭 신호 발생 기능 - 모니터용 ADC 기능 2) 집적도 규모: 약 23,000개의 소자 3) 칩 크기: 4.28 x 4.28 ㎟ 4) 소모전력: 89mW @ 3.3V 5) 패키지: 80 pin TQFP 6) 제작기술: 0.35mm 아날로그 CMOS
- WLL/IMT-2000 단말기용 GaAs MESFET 송신 MMIC - WLL/IMT-2000 단말기용 GaAs MESFET 수신 MMIC개인 이동 통신 휴대전화기용 송/수신 부품
대전류용 Trench Gate DMOS 전력소자 제조 기술 - N채널 트렌치 게이트 전력소자 제조기술 - P채널 트렌치 게이트 전력소자 제조기술 - 트렌치 식각기술 - 트렌치 게이트 산화막 성장 및 게이트 전극 형성기술 - 트렌치 게이트 채널 형성 기술 - 고집적 트렌치 게이트 (100 M cells/inch2) 전력소자 제조기술- 대전류용(구동전류;< 10 A,항복전압;< 50 V ) Trench Gate DMOS 전력소자 제조 기술의 국내 확보로 전량 수입에 의존하는 부품을 국내에서 양산함으로써 수입 대체 효과 및 리튬이온 이차전지가 활용되는 정보통신기기의 대외 경쟁력 향상 - 휴대폰, 노트북PC, 스텝모터 및 소형 전원장치 등의 핵심부품으로 활용. 특히 휴대폰, 노트북PC 등은 급진적으로 시장이 창출되고 있어 경제적 효과가 지대함.
프로브 시스템 위치제어 기술은 전자파 인체 SAR 측정시스템의 측정 제어에 관한 기술로 프로브 시스템의 위치제어 뿐만 아니라 SAR 측정과 Field 측정 제어를 포함하고 있어 FCC 에서 규제하고 있는 이동통신단말기의 적합성 평가에 활용할 수 있다.프로브 시스템 위치제어 SWSAR 측정 및 Field 측정 SW
ATM UNI 4.0 사용자측 프로토콜 및 구현제품에 대한 적합성 시험에 필요한 ATSUNI 4.0 프로토콜 규격으로부터 추출한 시험그룹 및 시험항목 각 시험항목에서 요구하는 TestPDU 목록 각 시험항목에 대하여 TestPUD로부터 작성된 Test Procedure UNI 4.0 적합성시험을 위한 ATS
WinSock 2 API를 이용한 native ATM 응용 개발 기술 및 프로그램- Native ATM 환경의 WWW 브라우저와 서버 프로그램 - Native ATM 서비스 이용을 위한 WinSock 2 프로그랭밍 기술 - WinSock 2를 이용한 native ATM 응용제작기술