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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

저전력 고효율 전장 발광(EL)비상등 개발

전장발광램프는 형광체에 교류전계가 인가될때 빛이 발하는 것으로 나란한 두평행전극에 ZnS계의 형광층이 삽입된 형태가 기본이다. 형광체는 일정한 크기를 갖는 입자의 형태를 유지하고 있으므로 이를 두 편형전극사이에 고정시키기 위해서는 적당한 바인더(결합제)가 필요하다 일반적으로 사용되는 형광체의 입자직경은 10-50ym이고, 사용되는 바인더는 고유전율의 유기물이다. 전계발광이 이루어지기 위해서는 형광층을 가로질러 흐르는 전류의 흐름이 없어야 한다. 이를 위해서 별도의 BaTio3등을 사용한 절연층이 형광층과 전극사이에 설치된다 절연층의 삽입으로 인한 형광층에의 전계강도 약화를 최소화시켜주기 위해서는 고유전율을 갖는 절연체를 사용해야 한다. 형광층에서 발생한 빛이 외부로 방출되기 위해서는 한쪽의 전극은 고유전율을 갖는 절연체를 투명해야한다. 그리고 동작중인 형광체에 수분이 침투하면 형광체가 열화하여 휘도가 저하되는 문제가 발생하므로 이를 방지하기 위해 방습충이 별도로 설치된다. -도광판유니트는 CCFL을 이용한 고급형 LCD BACKLIGHT이다. 광도파 및 산란의 특성을 이용해서 도광판의 측면에 형광램프를 설치하여 대단히 얇은 두께 및 고효율의 BACKLIGHT를 가능하게 되는 기술이다

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 제어·자동화

고속전철 전기·제어시스템 기술 개발(1)

전체적인 추진시스템의 사양에 대해서는 주행 Pattern 및 운전시간 곡선 등이 명확히 정의되지 않았기 때문에 대략적인 수치로 선정하고 4개 세부과제별로 핵심요소기술에 대한 설계 방법 및 분석에 주력하였다. 그 내용은 견인전동기의 정격 선정 및 설계방법, 추진제어 알고리즘 분석, 전력변환 장치의 기본 설계방법, 콘버터의 설계 및 기본 제어기술, 인버터의 유도전동기 구동을 위한 PWM 패턴 발생기술, 신호전송시스템의 설계 및 내고장성 제어 시스템 설계, 차량 네트워크 시스템에 관한 기초 설계 및 CAN 인터페이스 보드 설계 및 네트워크 시스템 프로토타입의 구축 등이다. 지금까지 얻어진 결과들을 바탕으로 각 세부 분야별로 보다 집중적인 연구를 진행한다면 우리 실정에 적합한 전기·제어 시스템을 개발할 수 있을 것이며, 향후 G7 과제 진행시에 큰 도움이 될 것이다.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 통신 > 기타 통신

고온초전도 S-I-S 조셉슨접합 제조기술 개발

세계적으로 기술적 문제로 인하여 아직까지 고온초전도 S-I-S 접합이 개발되어 있지 않다. 또한 low angle S-N-S biepitaxial 접합을 개발할 필요가 있다. 본 연구는 이러한 문제를 극복할 수 있는 방법을 택하여 새로운 low angle S-N-S접합과 새로운 S-I-S접합개발을 위한 base layer를 제작하였다. 새로운 방법에 의한 low angle biepitaxial 죠셉슨 접합의 제작을 위하여 [001]축이 20o 비스듬이 cut된 STO기판의 반쪽은 CeO2/YSZ 이중 buffer layer가 사용되었다. YBCO박막은 STO위에 직접 성장한 부분은 c축이 20o 기울어져 있고 buffer layer위에서 성장한 부분은 c축에 수직이다. 따라서 전체적 YBCO박막은 20o a축 tilt 혹은 a축 twist biepitaxial 죠셉슨접합을 형성하였다. 또한 S-I-S 접합을 위하여 수백 Å의 gap(D)을 갖는 두 영역의 YBCO가 제작되어야 하는데 이러한 YBCO가 성장할 수 있는 기초 gap을 갖는 base layer를 개발하였다. 이러한 base layer로써 MgO를 경사지게 증착하여 고온 초전도박막을 증착하기 전에 V자 형태의 골을 미리 제작하는 새로운 방법으로 제작한 SNS 죠셉슨 접합의 가능성, 장접과 기초적인 특성을 측정해 보았다. 또다른 방법으로 STO와 MgO 혹은 STO와 YSZ의 열팽창계수의 차이를 이용하여 수백 Å의 gap을 가진 base layer의 제작을 시도하였다.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

액정표시소자 광학 시뮬레이터

액정표시소자(LCD)는 경량,박형,저소비전력의 장점으로 인하여 최근 notebook computer, monitor를 중심으로 그 수요가 급격히 증가하고 있으며 특히 정보화 사회에서 display소자의 중요성이 부각되면서 새로운 산업의 한 축으로 성장해가고 있다. 우수한 특성을 갖는 LCD를 설계하기 위해서는 각종 물성 및 공정 parameter의 최적화가 요구되는데 이러한 최적설계에는 약간의 검증실험을 포함한 simulation방법이 대단히 유용하다. simulation의 목적은 TN-LCD의 특성에 미치는 각 parameter의 영향을 상세히 분석하고 동시에 공정 parameter의 tolerance를 크게 하여 최적의 특성을 갖는 TN-LCD를 설계하기 위한 parameter의 최적화에 있다. 본 연구에서는 TN-LCD 광학 simulation의 핵심인 액정의 분자배열 해석과 투과율계산에 대한 이론을 구체적으로 기술한다.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 정보 > 응용소프트웨어

미세자기신호 검출용 고온초전도 SQUID 시스템 개발 외

본 연구는 고온초전도박막을 이용하여 77 K에서 사용이 가능한 SQUID를 제작하고 이를 이용하여 심장에서 발생하는 미세한 자기신호를 검출하는 측정장치를 개발하는 것이 목적임.Pulsed Laser Deposition(PLD)방법과 magnetron sputtering방법을 사용하여 Tc 〉90 K, Jc 〉106 A/cm2인 YBCO박막 제작 - Bi-crystal기판을 이용한 YBCO dc SQUID를 제작하여 액체질소온도(77 K)에서 작동 성공 - SNS step-edge junction SQUID magnetometer 제작 및 특성연구 - 고온초전도 microwave filter제작 및 특성조사 - Step edge junction 80개가 직렬로 연결된 SQUID array와 10×10, 10×100, 100×100 array접합의 제작 및 특성조사 - 수은계 및 새로운 수은탈륨계를 개발하여 특허신청 - 특성이 우수한 SQUID제작을 위하여 박막과 bulk의 다음특성을 연구하였음 ·energy gap, flux dynamics, 산소함량에 따른 Hall효과 ·탄성성질을 연구하여 온도변화에 따른 구조변환 ·수은계 초전도체의 자기적 성질 ·고온초전도체의 애니온모형이 만족하는 분수적 통계역학을 베리의 위상으로 기술할 수 있음을 밝혀냄

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2000-08-29
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일반기술 정보 > 기타 소프트웨어

실시간 영상 처리용 2-D 콘벌루션 필터 칩

본 연구에서는 곱셈기를 사용하지 않은 새로운 구조의 실시간 영상처리용 2-D 콘벌루션 필터칩을 설계하고 제작하였다. 기존의 상용화된 2-D 컨볼루션 필터 칩은 방대한 연산량을 실시간으로 처리하기 위하여 다수의 곱셈기를 사용하는데 3x3의 윈도우를 가지는 Harris Semiconductor사의 HSP48901이나 HSP48908의 경우 9개의 곱셈기를 내장하고 있다. 이러한 곱셈기는 VLSI로 구현할 때 매우 많은 면적을 차지하게 되며 가격대 성능비를 떨어뜨리는 주요 원인이 된다. 따라서 곱셈기를 사용하지 않는 콘볼루션 필터의 아키텍쳐가 많이 연구되었는데 주요 알고리즘은 powers-of-two 계수 알고리즘이다. 이러한 powers-of-two 계수 알고리즘은 shift-and-add(SA) 구조의 조합회로로 구현되는데 기존의 연구에서 제안된 아키텍쳐에서는 3x3의 윈도우 필터의경우 9개의 곱셈기 대신 9개의 SA 블럭을 사용하여 VLSI 면적은 줄일 수 있지만 프로그램머블한 필터를 설계할 경우 데이타 처리 속도가 저하되어 가격대 성능비 즉 게이트 수대 데이타 처리속도비의 개선을 기대할 수 없다. 본 연구에서는 3x3 윈도우의 콘벌루션 필터 설계시 SA 블럭을 하나만 사용하므로써 9개의 곱셈기를 사용하는 경우는 물론 9개의 SA 블럭을 사용하는 경우에 비하여 약 2배의 가격대 성능비를 향상시킬 수 있는 아키텍쳐를 설계하고 칩을 제작하여 검증하였다. 또한 구현된 필터 칩은 MPEG2 표준안인 CCIR601의 영상신호 전송속도(10.4 Mpixel/second)를 만족한다. 본 연구에서 설계된 필터 아키텍쳐는 VHDL(VHSIC Hardware Description Language)로 모델링하고 SYNOPSYSTM을 이용하여 기능 검증과 논리합성 및 타이밍 시뮬레이션을 수행하였다. 또한 구현된 필터 칩은 제작 후 테스트 보드를 구현하여 기능을 검증하고 컴퓨터 시뮬레이션과 동일한 결과를 확인하였다. 구현된 필터 칩은 3,893 개의 게이트로 구성되며 최대 데이타 전송 속도는 15.625 Mpixel/second이다.

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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

실리콘 표면 마이크로머시닝 기술과 FET를 이용한 가속도계

표면마이크로머시닝 기술을 이용한 소형가속도계의 개발이 활발히 이루어지고 있는데, 그 이유는 표면 마이크로머시닝을 이용하면 표면 미세구조체를 IC 회로의 제작 공정 후에 비교적 간단하게 형성시킬 수 있고, 몸체 마이크로머시닝을 이용한 경우와 비교하여 면적을 적게 차지하므로 die size를 줄일 수 있으므로 비용절감의 효과도 얻을 수 있기 때문이다. 실리콘 가속도계의 검지방법은 압저항형과 콘덴서를 이용하여 전압형태로 출력을 얻는 것이 주류를 이루어 왔으나, 본 연구에서의 검지방법은 FET(Field Effect Transistor)를 이용하여 전류형태의 출력을 얻어내는 것이다. 이 방법을 채택할 경우 민감도의 향상과 신호처리회로의 단순화가 이루어 질 것으로 예상된다. 기존 가속도계는 저정밀급(해상도: 10-1∼10-2g)도 비교적 고가($10∼100/개)이고 중정밀급(해상도: 10-3g정도)도 수백달러의 고가이다. 특히 군수용으로 사용되는 초고정밀급(해상도: 10-5∼10-6g)의 경우는 가격도 초고가 일뿐만 아니라 기술도 공개 되어 있지 않다. 따라서 저가의 가속도계의 개발은 새로운 시장개척과 방대한 시장의 개발을 의미한다고 할 수 있다. 대표적인 응용분야를 살펴보면 shock detector로써의 airbag release와 vibration detector로써의 비행기 날개의 기계적인 stress monitoring 등을 들 수 있다. 특히 자동차에 응용되는 부분으로써는 airbag release 이외에도, automatic door release, active suspension, 그리고 anti-lock brakes 등이 있고, biomedical application으로는 heart wall motion을 monitoring 하는 센서로서 이용될 수 있다. 미세 가공 기술을 이용한 가속도계는 1980년대 말부터 130만개 정도의 수요가 발생하여 390만 달러의 시장을 형성하였고 대략 28.1%의 높은 시장 성장 비율을 기록하였다. 1998년에는 약 1940만개의 수요가 예상되고, 약 4억 5천만불 이상의 시장을 기록 할 것으로 예상된다.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 전력설비

전원공급장치 병렬운용 최적시스템 개발

-본 기술은 병렬운전이 가능한 모든 전원공급장치(무정전 전원장치, 전동기구동장치,각종 직/교류 전원장치)의 운전상태를 원격감시하여 최적상태로 유지제어하여 시스템 신뢰도 향상과 전원공급시스템을 구성하는 각 모듈이 가변하는 부하조건에서 항상 최적의 효율을 갖도록 부하분담시켜 최대한의 에너지절감이 가능하도록 구성하는것이다. 지능제어유니트는 전원공급시스템으로부터 시스템 전압, 전류, 온도 및 부하분담비와 같은 시스템운용에 필요한 주용데이터들을 수집하고 이에 필요한 모든 hardware와 Software를 장착하고 있으므로 여러 장소에 널리 산재에 있는 모든 전원공실을 중앙통제살에서 원격조정 가능하여 유지보수비를 절약할 수 있다. 또한 이상상태 발생시 긴급한 정도에 따라 기기실 운영자를 무선호출할 수 있을 뿐만아니라 전화로 음성송출이 가능하므로 전원공급시스템의 신뢰도를 더 한층 배가시킬 수 있다. 현재 미국, 일본, 독일 및 유럽 선진국에서는 하루가 다르게 수요가 증가하고 있는 양질의 전원공급시스템의 안정적인 전원공급에 의한 전체 시스템의 신뢰도를 높일 수 있도록 보다 효율적인 부하분담기법에 의한 에너지절감이 가능하도록 우너격제어가능 최적제어시스템을 개발하여 상용화 단계에 이르고 있다.- 에너지절약효과- 생산성 향상

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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기시스템

전철용 고주파 대전력 비정질 Transformer개발

-전기기기의 소형화, 저손실화의 경향에 따라 고주파전원에 대한 관심이 증대되고 이에 따라 전력변환용 고주파변압기의 개발연구도 활발해지고 있다. 그리고 기존의 규소강판 코어를 적용하면 고주파화면 소형화는 가능하나 효율이 80%대로 급격히 떨저지고 코어손실에 의한 발열이 문제가 된다. 따라서 코어손실이 규소강판의 1/4수준인 비정질재료를 이용하는 것이 바람직하다. 비정질코어소재의 수요가 주상변압기의 적용확대에 따라 점차늘고 있고 향후 5년 이내 급격하게 늘것으로 기대됨에 따라 현재 방향성 규소강판 가격의 2배수준에서 머지않은 장래에 거의 같은 수준으로 될것으로 예상된다. 또한 고주파화에 의해 즉 주파수의 정격을 1,500Hz로 높여 코어량을 40%이상 줄일 수 있기 때문에 충분한 경제성이 있다- 에너지절약효과- 환경편익성- 생산성향상

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2000-08-29
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일반기술 통신 > 기타 통신

고온초전도 마이크로파 필터를 이용한 통신용 공용기 개발(Ⅰ)

) 고온초전도 에피택셜 단층(다층)박막의 성장 및 물성분석: - 펄스-레이저 증착법에 의한 고온초전도 YBCO/MgO 에피택셜 박막의 성장(강한 c- 축배향의 에피택셜 박막이며, 20mm X 20mm까지 균일한 박막을 성장함). - 마이크로파 특성이 우수한 접지평면용 이중 금속박막(Ti/Ag)의 증착. 2) 고온초전도 마이크로파 소자의 최적설계 및 구현: - 오픈-스터브선 방식의 고온초전도 다극(3-극, 5-극, 7-극 및 9-극) 저역통과필터의 제조. - 평행결합선 방식의 고온초전도 다극(2-극, 4-극, 6-극) 대역통과필터 제조. 3) 고온초전도 마이크로파 필터의 저온 마이크로파 특정시스템의 구축과 응답특성측정. - 3-성분 시험치구의 설계 및 제작, 저온 마이크로파 측정시스템(HP-8510 + LTS-II) 의 구축(∼50GHz). - 고온초전도 저역통과필터: 삽입손실(1dB이내)/ 고온초전도 대역통과필터: 삽입손실 (0.5dB이내). 극수의 증가에 따라, 저지대역의 스커트 특성이 더욱 가파르게 됨. 4) 고온초전도 마이크로파 소자제조용 각종 장비(실험실용)의 설계/제작. - 고속스핀코터, 접촉정렬기, 베이커, 펄스-레이저 증착용 성장챔버 등.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 통신 > 안테나

고온초전도박막을 이용한 microstrip 안테나 개발

본 연구에서는 rf-sputtering 방법을 사용하여 양질의 고온초전도 박막을 제작한 후, 이 박막을 기판으로하여 고온초전도 마이크로스트립 패치안테나를 제작하고, 모멘트법을 이용하여 해석하였으며, 고온초전도 마이크로스트립 안테나 설계를 위한 프로그램 및 전자기적 특성 컴퓨터 시뮬레이션 프로그램을 개발하였다.▣ 고온초전도 박막제조 및 미세가공 - 유전체 단결정기판(MgO, LaAlO3)위에 rf-magnetron sputtering법으로 YBCO 고온초전도 박막 제조 ▣ 고온초전도 마이크로스트립 안테나 배선 및 고주파특성 조사 - 사진식각에 의한 고온초전도 박막의 미세 형상화 및 박막의 특성 평가 - 고주파 설계 시스템에 의한 안테나 최적 패턴 및 전자기적 특성 컴퓨터 시뮬레이션 배선 및 고주파 특성 조사 (모뎀 정립, 시작품 제작)

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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

고주파 집적회로에서 시그널 인테그러티

최근 통신용 회로, 고성능 컴퓨터, 및 각종 전자시스템이 고도화됨에 따라 이들 시스템에서 신호의 지연 및 왜곡등이 설계상 심각한 병목현상으로 대두되었다. 실상 이들에 관한 본질적인 문제는 반도체소자 및 전송로상에서의 마이크로웨이브 현상에 기인하며 본연구실에서는 이들에 관련한 연구를 수행하고 있다. 따라서 본 포스터에서는 고밀도 고속 VLSI 회로 및 전자 패키징에서의 전기신호의 왜곡에 기인한 시그널 인테그러티 해석 및 이들 전기신호 노이즈 모델링에 대하여 계시하며 이들을 실험적으로 고찰하기 위한 고주파 측정 방법 및 모델링에 대하여 소개한다. 더불어 이들 부분회로에 대한 실험적 특성 분석 및 모델링을 이용한 MCM (Multi-Chip Module) 설계용 툴개발에 관한 내용도 계시한다. 특히 고주파 회로에서의 IC 인터컨넥트 및 트랜스미션 라인의 S-파라미터 측정 및 TDR/TDT 측정을 위한 테스트 패턴 설계 및 이들에 관한 특성 분석 방법에 대하여 도식적으로 기술하며 본 연구실에서 수행하고 있는 시그널 인테그러티 문제와 관련하여 IC 내에서 신호의 지연 및 크로스톡 모델링에 관한 측정 데이터 및 모델링을 예시하고 전자 패키징에 관련하여서는 동시스위칭에 관련한 패키징 노이즈 즉 칩내의 파워선 혹은 그라운드선과 같은 기준 전위의 변형에관한 시뮬레이션 결과를 예시한다.

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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 전력설비

고효율, 고역률 스윗칭 정류기

-(Spec.) 입력 : 220V(단상), 출력 : 48V, 50A 또는 100A -고주파 스윗칭을 위한 소프트 스윗칭(ZVZCS) 기술 -전력용 반도체 구동기술 -전력회로 및 제어회로 최적 설계 기술 -마그네트 설계 기술 -노이즈 및 EMI 저감 기술 -병렬운전 기술 장점 - 소형, 경량, 고전력 밀도 - 고효율 (90% 이상) - 고역률 (98% 이상) - ZVZCS 기술 --> 저가의 IGBT 사용 --> 원가절감 - 병렬운전 기술정류기 *타 활용 분야 - 밧데리 충전기, 산업용 SMPS(용접기, 도금용 정류기, 등) *기술이전(개발)소요기간 및 비용 : 12 개월 / 1.5 억원 *기대효과 : 대전력 고주파 전원장치의 상용화

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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

교통신호등 LED전구

본 기술은 현재 전량 외국에서 수입 사용하는 교통신호등용 백열전구를 대체하는 반도체 LED를 220V 상용 고전압에서 고효율로 사용하게 하는 교통신호등 LED 전구에 관한 기술임 장점 - 고효율(기존의 전구에 비해 효율이 9배 정도임) - 장수명(기존의 전구에 비해 20배 이상으로 반 영구적) - 수명 및 에너지 절약대비 가격이 저렴함세계 최초로 반도체 LED를 220V 상용 고전압에서 고효율로 사용하게하는 교통신호등 LED 전구로서 국내외 수출 증대에 획기적인 효과가 있을 것으로 생각됨.

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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기시스템

다기능 컴팩트형 22.9KV 지중배전선로 준공시험장치 및 기술개발

지중 전력케이블의 포설후 준공시험은 새로 포설된 케이블의 장기 신뢰성을 좌우하는 매우 중요한 검사로서, 국내의 경우에는 22.9 kV CN/CV 지중 배전선로에 대해 46 kV의 직류 고전압을 10 분간 인가하는 직류 전압시험을 사용해 왔다. 그러나, 직류 전압시험은 케이블에 존재하는 상당히 큰 결함조차도 검출하지 못할 뿐 아니라, 직류 고전압의 사용으로 인해 케이블에 새로운 손상을 입혀 시험 후 교류 전압 통전시에 사고가 일어나는 등 문제가 도출되었다. 이에 따라, 본 연구에서는 한국전력 전력연구원의 지원으로 새로 포설된 지중 배전 케이블에 존재하는 결함을 적절히 검출할 수 있는 새로운 지중 전력케이블 준공시험 장치를 개발하였다. 새로 개발된 지중배전선로의 준공시험 장치는 세계 최초로 진동파 전압시험과 개폐충격파-부분방전 시험을 병행할 수 있도록 고안되었으며, 인버터를 이용하여 고전압을 발생시키기 때문에 장치 크기의 컴팩트화가 가능하였다. 준공시험으로 진동파 전압시험을 적용할 경우에는, 시험대상 케이블을 55 kV의 직류 고전압으로 충전시킨 뒤 인덕턴스를 통해 방전시켜 약 3 ∼ 6 kHz의 주파수를 갖는 진동파 전압이 시험대상 케이블에 가해지도록 한다. 이러한 진동파 전압을 반복하여 50회 인가하였을 때 케이블이 견뎌내면 양호한 것으로 판단된다. 만일 케이블에 결함이 존재하면 인가되는 진동파 전압으로 인해 결함에서 절연파괴가 일어나게 되고, 시험장치에 경보가 울리도록 되어있다. 모든 시험은 자동 및 수동으로 수행될 수 있다. 아울러, 개폐충격파-부분방전 시험은 약 30 kV 정도의 개폐충격파 전압을 시험대상 케이블에 인가하여 부분방전의 발생 여부를 파악하는 방법이며, 5 회의 반복 시험에서 부분방전이 검출되지 않으면 케이블이 건전한 것으로 판단한다. 이 방법 역시 시험장치의 컴팩트화와 아울러 상당히 경제적이다. 이 지중 배전선로용 준공시험 장치가 개발됨으로써 국내 22.9 kV 지중배전선로에 대한 준공시험을 보다 정확하고 안전하게 수행할 수 있게 되었으며, 국내에서의 적용은 물론 시험장치의 수출 및 Turn-Key 방식의 해외 지중배전선로 공사에도 적용할 수 있어, 범세계적으로 장치의 보급과 활용이 파급되리라 기대된다. 현재 이 시험장치는 국내와 국제 특허 출원중이다.

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2000-08-29
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일반기술 통신 > 기타 전송 기술

다자간 회의 시스템을 위한 ITU-T T.120 시리즈의 구현

ITU-T T.120 시리즈 표준들은 다자간에 이루어지는 멀티미디어 회의 환경에서 사용되는 다자간 데이터 통신 서비스를 정의하고 있다, 여기서 정의된 서비스들은 서로 다른 망에 연결되어 있는 둘 이상의 참가자들이 자유롭게 연결을 확립하고 관리할 수 있도록하는 기능과 연결된 참가자들 간에 이루어지는 다자간 데이터 통신 기능을 제공한다. 이와 더불어 T.120 시리즈 표준들에서는 아래에 보는바와 같이 이러한 서비스를 바탕으로 구현되는 몇 가지 응용과 이와 관련된 프로토콜도 정의하고 있다. T.123 : 다양한 형태의 망을 지원하기 위한 프로토콜 스텍 T.122/125 : 다자간 통신 서비스 T.124 : 회의에 관련된 전반적인 제어 서비스 T.126 : 정지영상 전송 서비스 T.127 : 다지점 파일 전송 서비스 이중 T.122/125는 개발 경험이 있으며, 다른 부분은 분석중 이거나 완료한 상태이며, 특히 T.124의 구현에 관련한 과제를 도출하기를 원한다.

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2000-08-29
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일반기술 정보 > 기타 시스템 소프트웨어

동전투입 작동되는 컴퓨터 입,출력 제어장치

-본 고안은 코인의 입력신호에 의해 펄스발생부의 2진화 10진수 디코더를 거쳐 마이크로 프로세서에 입력된 신호는 탐색부에 전달되어 시간설정부를 세트하고 LED제어부를 통해 표시부에 출력되도록 구성된것을 특징으로하는 동전투입으로 작동되는 컴퓨터 입,출력 제어장치임

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일반기술 정보 > 컴퓨터 본체

디지탈 릴레이 알고리듬 개발 및 성능 평가 시스템(DADPES)

컴퓨터 기술의 진보에 따라 기존의 아날로그 릴레이는 점차 디지탈 릴레이로 대체되고 있으며, 디지탈 릴레이는 최근 각광을 받고 있다. 이러한 릴레이의 핵심은 알고리듬 개발 및 성능 평가이다. 기존의 알고리듬개발은 2단계로 수행된다. 1단계는 릴레이의 입력신호 취득부분 이며, 2단계는 컴퓨터 언어로 작성된 알고리듬 부분 이다. 따라서, 이와같은 2단계를 단일과정으로 통합하면 디지탈 릴레이 알고리듬 개발 및 성능 평가에 수반되는 비용과 노력을 경감 시킬 수 있다. 이러한 점에 착안하여 개발한 DADPES는 시스템내에 입력신호의 발생부와 알고리듬 구현부를 동시에 접목시켜 구현하였다. 따라서, DADPES의 실행에 따라 신속하게 개발된 알고리듬의 성능평가가 가능하므로 디지탈릴레이 개발 및 성능 평가에 커다란 기여가 예상된다. DADPES는 송배전선 보호, 모선 보호, 변전소 보호, 변압기 보호, 모터 보호 및 발전기 보호 등에 적용되는 각종 릴레이의 여러 가지 알고리듬 개발 및 성능평가에 적용할 수 있다.

보유기관
한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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일반기술 정보 > 기타 시스템 소프트웨어

디지탈 신호를 이용한 슬루율 가변 CMOS 연산증폭기 설계 및 제작

본 연구에서는 CMOS 연산증폭기의 슬루율을 외부의 디지탈 신호에 의해 제어할 수 있는 방법을 제안하였고, 이를 연산증폭기의 설계에 응용하여 0.8μm twin-well double metal/single poly 공정을 이용하여 제작하였다. 슬루율의 가변화를 이루기위해 4비트의 입력신호에 의해 제어되는 병렬 전류감산기를 설계하였으며, 이를 연산증폭기 설계에 이용함으로서 입력 디지탈신호의 크기에 따라 16단계에 걸친 슬루율과 전력소모의 선형적인 변화가 가능하였다. 또한 제작된 CMOS 연산증폭기를 이용하여 4비트 데이터 변환속도 가변 D/A 변환기에 적용하여 데이터 변환속도의 가변을 실험에의해 볼 수 있었다. 슬루율 가변 연산증폭기는 재래식 연산증폭기와 동일한 소신호 특성을 보였으며, 슬루율과 전력소모의 측정결과 5.8V/μV에서 41.1V/μV까지 가변되며, 이에따른 전력소모는 1.1mW에서 4.1mW까지의 범위에서 16단계의 선형적인 변화를 나타내었다.

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

래치-업을 억제하는 전력용 반도체 소자 설계

Silicon-On-Insulator(SOI) 기술을 이용한 반도체 소자는 높은 신뢰성과 빠른 동작속도 및 집적도의 향상 등을 쉽게 얻을 수 있는 이점 때문에 최근에 활발한 연구가 진행되고 있다. 특히, SOI기술은 절연격리가(dielectric isolation)가 용이하기 때문에 전력 집적회로 (power IC)의 제작에 이용될 경우 소자의 스위칭 속도를 향상시킬 수 있고 논리회로와 전력소자를 구조적으로 완전히 분리시킬 수 있는 등의 여러 가지 장점이 있어 최근에 많은 연구가 활발히 진행되고 있다. 전력용 개별소자(discrete device)로 많이 쓰이고 있는 수평형 IGBT(Lateral Insulated Gated Bipolar Transistor)는 SOI 기판 위에 제작할 때 위에서 언급한 것과 같은 여러 가지 이점을 얻을 수 있으나, IGBT소자에서 최대 전류능력을 제한하는 소위 latch-up 문제는 더욱 심각하게 나타난다. Latch-up특성을 개선하기 위하여 정공 전류를 바이패스시키는 SOI LIGBT를 제안하였고, MEDICI 시뮬레이션을 통해 이를 검증하였다. 제안된 소자는 기존의 LIGBT구조에서 게이트와 캐소드의 위치를 바꾸고 트렌치 게이트를 채택하여 구현하였으며 기존의 소자에 비해서 5배 이상의 latch-up 전류능력을 가짐을 알 수 있었다. 또한, 캐리어의 수명을 여러 가지로 바꾸었을 때에도 개선된 latch-up 특성이 유지됨을 확인 할 수 있었다. 제안된 소자의 스위칭 속도는 기존의 소자와 거의 같았고 순방향 전압강하는 제안된 소자가 캐리어 수명에 따라 약 0.1V 에서 0.8V 정도 높았으나 이것은 에피층의 농도가 낮게 설계될 경우 해결될 수 있다.

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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