산업기술 통합검색
-GPS 수신기를 이용하여, 송전선 양단에 설치되어 있는 전류차동계전기들의 전류샘플링을 동기시키는 장치를 개발하였다. 송전선 양단의 GPS 수신기들에서 만들어내는 서로 동기된 1PPS 신호를 이용하여 60 12 Hz 주기의 pulse를 만들어주고, 이를 이용해서 서로 동기된 전류샘플링이 적당한 계수값 지정과 함께 이루어지도록 A/D 변환기와 메모리 그리고 프로그램형 논리소자를 사용한다. 본 장치는 통신을 이용한 기존의 방식에 비해 계전기의 계산부담을 덜어주고 보다 정확한 샘플링 동기를 얻을 수 있게 한다.
-원활하고 편리한 3D 모델데이터 구축과 3D Graphics, VR기술의 활성화 및 Cyber Space기반 기술 확보를 위한 본 기술의 필요성, 방법, 그리고 응용분야를 아래와 같다. 기존의 3차원 모델링 제작 도구로서 물체를 모델링할 경우 막대한 시간과 인력이 요구되고, 물체와 동일한 실사를 추출할 수 없다. 그러나 본 기술은 적은 시간과 인력으로 물체의 3차원 모델데이터를 실사와 동일하게 추출한다. 3차원 모델데이터를 추출하는 방법으로는 첫째, 디지털 카메라의 위치들을 설정한다. 둘째, 디지털 영상들을 획득한다. 셋째, 각각의 영상들을 보면서 특징점들을 지정한다. 넷째, 특징점들에 의해 물체의 표면을 형성함으로서 3차원 모델데이터가 추출된다
- 열병합시스템은 하나의 열원으로 전력과 열을 동시에 발생시키는 종합 에너지 시스템으로 발전에 수반하여 발생하는 배열을 회수하여 이용하므로 에너지의 종합열이용 효율을 높이는 에너지 절약 설비로 기존의 발전방식보다 30-50%의 에너지절약 효과를 거둘 수 있는 고효율 에너지 이용기술이다. 근래에 대표적으로 채용하고 있는 원동기는 청정연료를 사용하는 가수엔진 열병합시스템이다. 가스엔진 열병합시스템은 열병합 시스템은 열효율이 높고, 신뢰성 및 안전성이 뛰어나며, 가스연료를 사용하므로 엔진수명이 길고 메인터넌스가 쉬우며 발전규모가 15kw-2,000kw정도의 용량에 적합하다는 특징때문에 민생용 열병합으로 관심이 고조되고 있다. 또한 가스엔진 열병합시스템은 냉각수로부터 온수를 회수하고, 배가스로부터는 증기 또는 온수를 회수할 수있으므로 종합열효율이 높고, 배열회수의 다양화가 가능하다는 특징이 있다. 열병합시스템용 온수 발생장치는 열병합 시스템이 건물의 지하실등의 제약요건이 많은 장소에 설치되므로 컴팩트하여야 하고, 온수 발생장치에서의 유동특성이 원동기인 가스엔진의 성능저하에 영향을 미치며, 엔진발전기에 비하여 기동이 상당히 늦어져 시스템 전체의 기동특성에 영향을 줄 수 있다. 또한 온수발생장치는 배가스의 조성 및 열역학적 성질에 따라서 설계의 개념이 바뀜은 물론 회수된 열이 냉난방, 급탕등의 열원으로 사용되기 때문에 열부하기의 특성에 따라서도 설계개념이 바뀌어야 한다-에너지절약효과 -환경편익성 -수입대체효과 -기타성과(온수발생장치 설계및 제작기술 확립, 열병합시스템 이외의 기타 폐열회수설비 설계기술에의 응용, 교환기 설계기술 향상 기대, 엔진 열병합시스템의 패키지화를 위한 기반기술확보, 다양한 에너지절약기술 확보)
최근 대도시 대기오염의 주범은 과거의 공장매연과 난방연료에서 자동차 배기가스로 바뀌었다. 자동차 배기가스의 주성분은 주로 미연소 탄화수소(CHx), 질소산화물(NOx), 일산화탄소(CO) 등의 유독가스와 이산화탄소(CO2), 수증기 및 분진이다. 그 중에서도 NOx는 그 자체로도 인체에 매우 유독하며, 광화학반응올 오존을 생성시켜 여름철 스모그현상, 지구의 온난화 및 산성비의 원인을 제공하기도 한다.본 과제는 n형 반도성 산화물인 WO3를 주요 소재로 이용하여 저농도의 NOx 가스를 감지하는 센서의 개발에 관한 것으로서, KIST의 김태송 박사팀 및 (주)우영의 성기숙 박사팀과 산학연 협력연구(G7과제) 결과이다. WO3 박막센서는 1 ppm이하의 NO2를 수초내에 감지해낼 수 있으며, 높은 감도(Rgas/Rair= 50)를 가지고, 센서 크기를 최소화해 소비전력을 낮추고 제조원가를 낮춘 것이 특징이다.
-이차전지를 포함하여 전기화학적 에너지 생산·저장 시스템의 성능이나 수명을 결정하는 가장 중요한 요인은 전극 표면, 전극/전해질 계면에서 진행되는 산화/환원 반응이라고 할 수 있다. 이들의 연구를 위하여 그동안 ESCA, AES, LEED등 많은 분광학적 표면 조사 기술을 사용하여 위한 노력이 지속되어 왔다. 그러나, 본질적으로 위의 기술들은 모두 ex-situ 기술로서 반응이 완료된 후에 시편을 cell에서 분리하여 분석용 시편 제작 후 측정하기 때문에 분석 시편 제작동안 있을 수 있는 전극의 여러 가지 변화 및 이물질에 의한 오염에 대해서 대책이 부족하며, transient process에 대한 연구가 불가능하다는 단점을 내포하고 있었다. 이들에 비해 최근에 개발된 EME 기술은 고도의 직진성을 갖는 레이저를 probe beam으로 사용하고, 정밀한 레이저 검출기를 사용하여 전기화학 반응이 일어나는 동안 계면반응에 의한 전극의 변화를 in-situ로 측정할 수 있기 때문에 위에서 제시한 여러 가지 표면 조사 기술의 단점을 보완할 수 있고, 반응 산물만을 측정하는 것이 아니고 전해질 속의 화학종 및 전극 내에서 확산하는 화학종까지 측정할 수 있는 장점을 가지고 있다. EME는 전극 반응이 일어날 때 반응에 참여하는 화학종들의 농도구배에 의해 전극 부근 전해질의 굴절률이 변화하며, 이때 optical windows를 통해 cell 내에 조사된 probe beam의 편향을 10-9rad. 농도로 환산하면 10-3mol까지도 측정하는데, 여기에 FT-iR 등에서 사용하는 multiplexed source를 excitation light으로 전극 표면에 조사하면 반응에 참여한 화학종까지도 모두 분별할 수 있는 첨단 기술이다. 또한 EME에서는 probe beam과 전극이 직접 접촉하지 않기때문에 전극 반응에 영향을 주지 않으며, 충·방전 cycle 동안 화학종의 확산 현상 및 transient process를 모두 검출할 수 있으므로 이차전지용 전극 활물질의 충·방전 특성 평가에 매우 유용한 기술이라고 할 수 있다.
본 고안은 전자파 차단용 바지 및 치마에 관한 것으로, 남성용 또는 여성용 바지 및 치마의 안쪽에 사용되는 안감 라이닝 섬유를 전자파 차단 섬유로 대체하고 본 전자파 차단용 바지 및 치마를 착용함으로써 남성의 경우에는 생식기 부분을 완전히 보호받고 여성의 경우에는 생식기 보호로 유산과 기형아 출산을 예방할 수 있음.
신도시의 규모가 팽창되고 있는 가운데 많은 유통업계들이 앞 다투어 신도시 시장진출을 모색하고 있는 실정이다. 대도시와는 달리 신도시의 주고객들은 젊은 연령층이기에 새로운 소비문화가 형성되고 있다. 따라서 신도시로 진출하려는 유통업계에 있어서 할인점 입지선택 및 운영방안을 위한 정확한 소비자 성향분석이 중요한 요소로 대두되고 있다. 본 연구는 잠재적인 고객을 대상으로 한 앙케이드를 기초로 과학적인 의사결정 기법(AHP, Conjoint Analysis)을 적용해 시장진출을 모색중인 중소기업이 효과적인 소비자 성향분석을 할수 있도록 의사지원 시스템을 구축하였다. 나아가서, 소비자의 요구를 반영하는 구조적인 접근기술인 QFD를 이용해 소비자들의 요구사항과 목소리를 시장진출에 반영해 향후 변화를 모색하는 기업에서 필요로하는 정보를 제공할 수 있도록 하였다.
본 고안은 신호등에 관한 것으로, 특히 커버의 통공에 신호판을 설치하고 신호판의 전면에 일정형상으로 천공된 통공에 표식판을 고정설치하여서 신호등의 제작비용을 줄일 수 있도록 함은 물론 신호등의 점멸시 색맹, 색약자들도 보고 색깔을 인식할 수 있도록 한 것임.
최근에는 높은 에너지 밀도와 긴 수명을 갖는 전지를 개발하기 위해 고체 전해질을 사용한 고체전지에 대해 많은 연구가 이루어지고 있다. 고체전지는 기존 액체전해질을 사용하는 전지에 비해 누액의 염려가 없으며 진동 및 충격에 대한 저항성이 높으며, 공해를 일으키지 않는 장점이 있다. 또한 액체전해질을 사용하는 경우 이온전도를 위한 액체전해질과 양극과 음극을 전자전도로부터 격리하는 격리판이 있어야하는데 고체전해질을 사용하는 경우 양극과 음극을 격리하는 동시에 이온을 전달하기 때문에 단층으로 형성을 할 수 있다. 또한 전지 요소가 모두 고체이기 때문에 박막 제조 공정을 이용하여 두께 10μm이하인 박막전지를 제조할 수 있다. 이러한 박막 2차전지는 용량이나 구동전압도 단위전지를 직렬 또는 병렬로 연결하여 다중 셀을 형성할 수 있으므로 반도체 집적 회로, 마이크로 센서, 마이크로 엑츄에이터, 등의 자가전원으로 매우 적합하게 응용될 수 있다. 특히 최근에 자기카드의 발전된 형태인 IC카드에 전원으로 사용할 경우 지시계를 탑제하여 카드 판독기 없이 내용을 볼 수 있는 스마트카드의 실현에 큰 도움을 줄 것이다. 고체 전지에 사용되는 여러가지 고체 전해질 재료 중에서 리튬 이온 전도성 고체 전해질은 리튬의 질량이 낮고, 높은 분해 전압을 갖는 특성때문에 관심이 집중되고 있다. 최근에는 높은 이온전도도와 분해전압, 리튬과 반응하지 않는 화학정 안정성 등, 여러가지 장점을 지닌 Li-P-O-N계 전해질이 개발되어 많은 연구가 이루어지고 있다. 그러나 여러가지 장점에도 불구하고 Li-P-O-N계 박막전해질은 아직까지 체계적인 연구가 이루어지지 않았다. 따라서 본 연구에서는 Li-P-O-N계 박막 고체전해질의 박막 증착 조건에 따른 구조변화가 리튬 이온전도도에 미치는 영향을 고찰하였고, 그 결과를 토대로하여 박막전지에 사용하기에 적합한 전해질의 증착조건과 조성을 확정하여 V2O5양극을 사용하여 Li | LIPON | V2O5 박막전지를 구성하였다. 제작된 박막전지를 사용하여 전지의 성능을 저하하는 요인을 밝히고 이를 개선하여 고성능 박막 2차전지를 개발하였다.
ㅇ탄산염을 이용한 연료 전지 o전해질의 기공 내 함침을 위한 샘플내 기공 부여 ㅇ내열성과 강도 유지ㅇ열효율 높고 무공해
Pulsed D.C. 플라즈마는 D.C. 플라즈마에 비해 정확한 이온 및 전자전류를 가지며 방전시 기판상에 존재하는 공간전하가 제거되는 장점을 가지고 있다. 또한 Pulsed D.C. 플라즈마는 Duty의 조절이 가능하여 RF 플라즈마에 비해 기판으로 이온을 가해주는 시간비율의 조절이 자유롭다. 이러한 Pulsed D.C. 플라즈마를 사용하여 금속질화물의 한 예로 HfN 박막을 증착하였다. HfN 박막은 Plasma Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PEMOCVD)에 의해 증착되었다. Tetrakis diethyl amido Hafnium (TDEAHf)가 Hf precursor로 사용되었다. carrier gas와 reactive gas 로는 각각 Ar 과 N2를 사용하였다. 열 에너지와 플라즈마 에너지에 의해 증착된 HfN 박막의 증착률은 열 에너지에 의해서만 증착된 HfN 박막의 증착률에 비해 매우 높았다. Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS)의 분석결과 열 에너지와 플라즈마 에너지에 의해 증착된 HfN 박막은 낮은 산소 농도와 높은 탄소 농도를 갖고 있었으며, 반면에 열 에너지에 의해서만 증착된 HfN 박막은 높은 산소 농도와 낮은 탄소 농도를 갖고 있었다. 열 에너지와 플라즈마 에너지에 의해 증착된 HfN 박막이 낮은 산소 농도를 나타내는 것은 증착된 박막의 조직이 치밀하여 증착후 공기중에 노출되어도 산소가 박막내로 많이 유입되지 않기 때문으로 추정된다.
현 산업 사회의 정보화 사회로의 성숙에 따라 현재 전세계의 각 선진국에서는 광대역 디지털 종합 네트워크(Broadband Integrated Services Digital Network: B-ISDN) 구축사업을 활발히 전개하고 있다. B-ISDN에서는 네트워크의 정보 전송 능력을 극대화하기 위하여 광통신 시스템을 주축으로 통신 시스템을 구축하고 있으며 국내에서도 2015년까지 각 가정을 광통신 시스템으로 연결하고자 계획하고 있다. 이러한 B-ISDN 구축 사업에 의하여 고속 광소자 및 전자소자에 대한 수요가 급격히 늘고 있는데 이러한 용도에 사용되는 소자는 대부분 화합물 반도체 이종접합을 이용하는 구조를 가지고 있다. 한편, 화합물 반도체 이종접합은 서로 다른 여러 종류의 화합물 반도체를 다층 구조 형태로 결함없이 에피성장하여야 하는 요구에 의하여 고도의 에피성장기술이 요구된다. 이러한 화합물 반도체 이종접합 소자 제작을 위하여 다수의 에피성장법이 사용되고 있으나 이중 MOCVD 에피성장법은 다양한 구조를 에피성장시킬 수 있는 장점과 CVD 방법이 갖는 대면적 에피성장의 용이성에 의하여 대량생산용으로 가장 널리 사용되는 에피성장법이다. 현재 국내의 삼성, LG, 현대, 삼미, 국제, 광전자 등 화합물 반도체 소자 제작사에서는 자체적인 에피 웨이퍼 제작과 함께 외국에서 에피 웨이퍼를 수입하여 소자를 제작하고 있는 실정이다. 특히, 국내에서의 에피성장 기술이 아직 안정화되어 있지 않은 이유로 많은 물량을 일본, 미국, 유럽 등으로부터 수입하고 있는 실정이다. 본 연구진은 지난 10년 이상의 MOCVD 에피성장 관련 연구를 기반으로 현재 1.3 m 및 1.55 m 통신용 InGaAsP/InP 레이저, 파장 필터, 파장 변환기 웨이퍼를 에피성장시키고 있으며 GaAs계 반도체 레이저 웨이퍼 에피성장도 함께 수행하고 있다. 본 연구진의 에피성장 기술을 국내의 중소기업에 접목하여 전용 에피 웨이퍼 생산사를 설립하면 국내의 수요를 충족시키고 나아가 외국으로의 수출도 기대할 수 있어 수익성있는 사업을 전개할 수 있을 것으로 기대한다.
ECR plasma CVD는 기존의 plasma source에 비해 낮은 작업 압력, 높은 ion 밀도, 낮은 plasma potential, 그리고 ion energy 와 ion flux의 독립적 조절 가능성 등으로 인하여 최근 single wafer process에의 적용이 활발히 연구되고 있다. 한편 실리콘 질화막은 오랫동안 반도체공정에 이용되어 왔으며, 최근에는 특히 X-ray lithography용 마스크 재료로서 많은 연구가 되고 있는데, 이 경우는 적정 막응력, 화학양론적 조성, 불순물 함량, 표면 평활도, 가시광 투과도 등에서의 엄격한 막질의 조절이 요구된다. 그러나 각각의 막질간에 서로 상관관계가 있기 때문에 기존의 LPCVD 혹은 PECVD process로는 최적의 막질을 얻기 힘들다. 본 연구는 넓은 process margin과 gas source 선택의 장점을 지니고 있는 ECR plasma CVD 방법을 이용한 실리콘 질화막의 증착과 물성분석에 촛점을 맞추고 있다. Source gas의 종류와 혼합비 (SiH4/N2 혹은 SiH4/NH3), 증착압력, 증착온도 등의 변화에 따른 실리콘 질화막의 성질을 분석한 결과, 적정 잔류인장응력조건 (1x109dyne/cm2 이하)에서 N2를 이용한 막이 NH3를 이용한 막에 비해 Si/N ratio는 약간 증가하였으며, 표면 평활도도 0.64nm(rms)로 매우 우수했다. 또한 가시광 투과도와 optical band gap도 상당히 증가함을 알 수 있었다. 이는 LPCVD 혹은 PECVD로 증착한 실리콘 질화막에 비해 월등히 우수한 결과로, 저응력·고투광성 박막재료의 개발에 ECR plasma CVD의 응용가능성을 확인할 수 있었다.
반도체 패키지는 소자가 집적된 chip을 module에 연결하여 반도체제품을 최종구성하는 공정이다. 이러한 과정중 chip을 module에 연결하는 부분은 반도체패키지기술 중 가장 관건이 되는 공정으로써 이에 대한 많은 연구가 진행되어 왔다. 지금까지의 방법은 chip주위에 pad를 구성하여 wire로 연결하는 형태가 주로 채택되고 있다. 그러나 소자 집적도의 향상과 더불어 입출력 단자수의 급격한 증가는 새로운 형태의 연결방법으로써 chip과 module을 solder로 연결하는 flip chip 공정의 필요성을 제기하게 되었다. Flip chip 기술은 chip전면에 solder bump를 형성시켜 pad간 간격을 넓힐 수 있게 설계하여 가능한 pad의 수를 늘리는 것이다. 그러나 이 경우 solder와 Al metal pad사이의 degradation이 발생하므로 이를 개선하기 위하여 Al 층위에 Ni/Au의 bump층을 형성시킨다. 이 공정은 무전해도금기술로 이루어지며 특히 wafer전면에 균일한 Ni도금면이 형성될 수 있도록 Ni-P와 Ni-B 도금액을 통한 연구가 필요하다. 이를 위하여 도금액의 교반기능을 포함한 제반특성을 분석하여 최적의 조건을 설정한다. 이 연구는 집적도와 입출력단자수가 증가하는 반도체패키지 연구에 있어서 필수적인 공정으로 이를 통한 산업적 응용은 컴퓨터를 포함하여 자동차, 시계, 군수, 항공산업 전반에 걸쳐 개발, 이용될 수 있다.
-현대사회가 점차 산업화 고도화 되어감으로 인해 가정용이나 공업용으로 많은 위험가스와 공해가스들을 사용하게 된다. 그러나 인간의 후각으로써는 위험 가스의 종류 판별이 힘들고 그 농도를 정량화 한다는 것은 불가능하다. 또 사람의 후각이 미치지 못하는 구석진 부분이나 고온, 고압, 저온, 저압 등의 사람의 출입이 불가능한 곳에서의 가스의 종류와 정량화도 위험 가스에 의한 사고를 예방하는 데에 있어서 매우 중요한 부분이다. 따라서 이러한 곳에 반드시 가스 센서가 사용되어야 하며 한가지의 가스를 감지해야 하는 경우보다는 여러 가지가 섞여 있는 복합 가스를 검지 해야 할 경우가 대부분이므로 멀티 가스 센서의 개발은 필수적이라 하겠다. 본 연구에서는 비교적 낮은온도에서 사용가능하고 감도와 선택성이 상당히 우수하며, 이미 반도체 제작공정에서 많이 사용된바 있는 MOSFET을 이용한 멀티가스센서를 개발하고자 한다. 이를 위해 Pd-base 물질을 gate로 하는 MOSFET 센서소자를 제작하고 이를 바탕으로 게이트 물질, 게이트의 다공성, 산화막의 두께, 전체 센서의 크기등의 변수를 조절하면서 가장 선택성과 감지성이 우수한 개별 MOSFET단위소자를 개발한다. 온도에 따른 감지특성도 아울러 조사하여 최적 작동온도를 밝혀낸다. 이렇게 개발된 단위소자들을 하나의 기판위에 집적 시키고 여러가스에 대한 실험을 통해서 가장 뛰어난 출력신호가 나타나는 구조의 집적회로를 구성한다. 출력신호를 각각의 가스 신호로 바꾸어주는 패턴인식기술과 신호처리 기술을 개발하고 그 회로를 센서가 들어가는 칩안에 같이 제작하여 하나의 칩으로써 완벽한 멀티센서를 제작하고자 한다.
-본 연구는 먹는샘물 제조공정에 발생할 수 있는 고장을 FMEA를 이용해 사전에 예측, 분석하여, 공정내의 원활한 운용을 이루고자 하는데 그 목적이 있다. FMEA란 제조업 중심의 중소기업이 많은 우리 나라에서 제조 공정 시스템 내의 고장 모드를 사전에 미리 분석하여, 공정 내의 신뢰성과 안정성을 높이는데 크게 기여 할 수 있다. FMEA의 응용은 최근 많은 중소기업에서 준비중인 ISO9000 및 QS9000 인증과정에도 도움을 줄 수 있어 그 응용분야가 매우 넓다고 본다.
최근 국내 시장에서는 일반 산업용은 물론 자동차 가전제품 의료 군사용 등으로 사용되는 각종 센서의 대부분을 수입에 의존하고 있어 이에 대한 국산화가 시급한 실정이다. 현재 센서들은 소형화 다기능화의 비용화 대량 생산화 등을 위해 반도체형으로 변모하고 있다. 이런 고부가가치의 반도체형 센서는 선진 외국에서 기술이전을 기피하는 것이다. 기술을 전수받기도 어렵고 비용이 많이 소모된다. 반도체 센서는 기종의 반도체 기술에 마이크로머시닝 기술을 합한 것을 기본으로 한다. 그러나 기존의 반도체 집적회로나 IC제조시만큼 정밀하거나 고가의 시설을 맞출 필요는 없기 때문에 국내 중소기업에서도 많은 투자없이 시도할 수 있는 분야이다. 실제로 반도체 센서의 세계적인 기업이 대부분 다품종 소량생산 방식을 취하고 있어 중소기업 참여가 바람직하다.현재 세계 센서시장의 대부분을 차지하고 있는 압력센서 가속도 센서 온도습도 센서 유속 유량센서 등의 설계 및 제조기술을 보유하고 있는 본 연구실은 국산 시제품 개발단계에 있다. 이번에 개발된 반도체 센서의 주요 기술은 설계기술 제조기술 시험기술 등으로 대별할 수 있다. 여기에는 기계적 구조에 대한 이론적 시뮬레이터 개발과 같은 설계기술은 물론 미세 신호를 증폭 변환하는 회로 설계, 이론적 분석에 근거한 마스크 설계 등이 증폭된다. 현재 마이크로 머시닝, 박막 도포, 식각, 접합, 패키징 기술 등의 제조기술과 개발된 센서의 감도, 온도 특성, 장기 안정성, 기계적 강도 등을 시험하고 평가하는 기술도 이미 개발된 상태다.
콘덴서 입력형 단상정류회로의 교류측 고조파전류 저감 기술 - 고효율.고역율 PWM 제어기술(효율 95%이상) - 회로구성의 간소화, 경량화 기술 - 무효전력.고조파 억제를 위한 전력변화기술 장점 - 기존의 SMPS에 비하여 고속응답특성 - 회로부품수를 최적화 함으로서 소형.경량화와 저가화 - 고역율과 고효율, 출력전압의 안정화에 의한 부하기기의 운전효율 향상(기존 제어방식에 비교하여 10% 효율향상 기대) - 계통전력 품질의 양질화에 기여 (전원 고조파 각차 왜율 3%, 총합 왜율 5%) - 세계각국의 고조파 규제에 대한 대책강구의 일환으로 본기술의 활용에너지 절약효과 - 전력계통 전력품질 향상에 기여 - 세계각국의 고조파 규제에 대한 대책 해결 기대 - 기술 수입 대체효과
DRAM(Dynamic Random Acess Memory)이 간단한 정보저장용 기억단위 소자로서 반도체 메모리 시장을 개척한 이래로 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 기억소자는 초미세화 및 초고집적화의 엄청난 개발속도를 가속화하는데 기여하게 되었다. 반도체 메모리의 고집적화가 가속됨에 따라 DRAM과 FRAM의 Cell capacitor에서 높은 축적량을 보이는 물질인 PZT, 스트로늄-타이타늄 산화물 리튬-나이오뷰 산화물을 비롯한 강유전체 박막을 이용한 정보 저장방법이 연구되고 있다. 본 연구는 유전체 박막 커패시터를 RF magnetron sputtering을 이용하여 유전상수가 높은 강유전체 박막을 235nm 에서 275nm두께로 RuO2전극위에 증착하여 그 전기적 특성을 개선하였다. 저온에서 비정질 BTO층을 증착하였으며 600℃이상의 높은 온도에서 다결정 BTO층을 증착하였다. 미세결정위의 다결정 이중구조를 갖는 커패시터의 용량은 단위면적당 (2.5±0.1)×105 pF/cm2이었으며, 누설 전류는 전계 2×105v/cm에서 10-10A/cm2이었다. DC전도도는 2×105V/cm에서 10-13/cm이하로 나타났다.
본 연구에서는 전력설비의 계측제어용 정보들이 영상을 포함한 효율적인 통신망 구축방법을 제시하고자 기존의 전송매체인 광케이블망에서 기존의 정보설비와의 호환성을 고려한 전송방식의 기술적인 연구에 목적을 두고 있다. 광통신의 광대역 특성을 최대한 활용하기 위해 각종 정보의 다중화 방식인 WDM, TDM이외의 다른 다중화 방법인 SCM방식을 이용하여 기존의 아날로그 및 디지틀 신호의 혼합방식을 이용한 것으로서 영상정보 등을 비압축으로 실시간 전송이 가능하므로 기존의 존속성, 호환성, 발전성등이 우수하다. 따라서 본 연구에서는 전력설비용 계측제어 정보를 효율적으로 통합 전송하기 위하여 광SCM전송기술을 개발하였다. 개발 내용으로는 전기설비의 계측제어를 위한 정보통신망의 분석, 광SCM전송기술의 특성분석, 광SCM전송시스템의 제작, 광SCM시스템의 성능시험과 적용방안에 대하여 논의하였다.