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일반기술 물리학 > 반도체 (I41~I46)

실리콘 가속도 센서의 제조방법

본 발명은 실리콘 가속 센서의 제조 방법에 관한 것으로서 메스(Mass)의 모서리에 언더컷이 발생하는 것을 억제할 수 있는 실리콘 가속도 센서의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 제조 방법은 마스크 패턴에, 메스의 높이를 C로 했을 때, 메스의 각변이 일치하는 네 귀퉁이의 모서리 점에 각 변의 폭이 메스 높이의 두배의 폭을 가지는 사각형의 보상 패턴을 그 중점을 C에 대해 10퍼센트 이내의 범위 내에서 상기 모서리 점에 일치시키고, 상기 보상 패턴의 각 변의 폭을 2C로 결정하도록 한다.이러한 본 발명에 의하면, 목적하는 형태 메스를 성공적으로 형성할 수 있게 된다.본 발명은 실리콘 가속 센서의 제조 방법에 관한 것으로서 메스(Mass)의 모서리에 언더컷이 발생하는 것을 억제할 수 있는 실리콘 가속도 센서의 제조 방법에 관한 것이다.실리콘 가속도 센서는 진동, 충격, 가속도 등의 물리량을 전기적 신호로 감지하는 센서로서 집적회로 기술을 이용하여 초소형화, 초경량화로 제작되어지고 있다. 이러한 가속도 센서는 자동차, 비행기, 선박등 각종 수송 수단, 그리고 공장 자동화 및 로봇 등의 제어 시스템에 있어서 필수적인 소자이고, 그 소자의 적용 및 활용 분야의 가능성은 무한하다.반도체 집적회로기술에서 미세가공(micro-machining) 기술은 실리콘의 이방성이나 불순물 농도 차이 등을 이용하여 웨이퍼 상에 구멍, 홈, 피라미드형과 같은 여러 가지 형상의 기계소자를 조리할 수 있게 하였다(Silicon diffused element piezoressitive diaphragms, J. Appl. Phys., vol. 33, no. 11, 1962,Fabrication of novel three-dimensional micro-structures by the anisotropic etching of(100) and(11) silicon, IEEE Trans. on Electron Devices, vol. ED-25, no. 10, 1978).이상과 같은 미세가공 기술은 힘, 압력, 가속도 센서 제조 등에 이용되고 있는데, 화학용액에 의한 실리콘의 식각법은 1950년대 초에 시작되었으나, KOH 수용액을 이용한 식각법은 1967년 웨지너(H. A.Waggener et al.) 등이 처음 보고하였다. 그리고 1970년대 말부터 비인(K. E. Bean)에 의해 실리콘 이방성 식각에서 가장자리의 언더컷팅(undercutting)에 대한 보상법과 보상구조에 관한 연구가 되어 왔다.

보유기관

대구기술이전센터

등록일

2006-03-16

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일반기술 물리학 > 반도체 (I41~I46)

이득 고정 반도체 광증폭기

○ 기술발명의 목적 : 본 기술은 반도체 광증폭기 외부에 이득고정을 위한브래그 격자를 추가하지 않고 반도체 광증폭기 내부에서 사용되는 렌즈 또는 광섬유 단면에 의한 반사광으로 하여금 이득을 고정시키도록 하므로 이득고정 반도체 광증폭기의 성능은 유지되고, 제조공정이 단순하고, 가격이 저렴함과 함께 과도신호 현상이 발생하지 않는 이득고정 반도체 광증폭기를 제공함에 있다.○ 기술 요약 및 특징 : 본 기술은 이득고정 반도체 광증폭기에 관한 것으로서, 광신호를 전달하는 제 1 광섬유를 통해 입사된 광신호를 반도체 칩을 통해 증폭하여 제 2 광섬유로 출력하는 반도체 광증폭기에 있어서, 제 1 광섬유를 통해 출력된 광신호를 집적시켜 상기 반도체 칩으로 입사시킴과 아울러 자발 방출광은 반사시키는 제 1 반사/집적수단, 반도체 칩으로부터 증폭 출력된 광신호를 집적시킴과 아울러 반도체 칩으로부터 출력된 자발방출광 중 일부를 반사시키는 제 2 반사/집적수단를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

보유기관

충남대학교

등록일

2007-12-21

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일반기술 물리학 > 반도체 (I41~I46)

반도체 중공 입자 및 이의 제조방법

본 발명은 금속염과 셀레늄염 화합물과 친수성 고분자를 함유한 용액에 초음파 조사에 의하여 생성된 금속-셀레늄 화합물의 내부가 비어 있는 30~50nm의 입자 크기를 가지는 반도체 중공 입자 및 이의 제조방법을 제공한다. ; 본 발명에 따라 얻어진 상기 반도체 중공 입자는 광촉매, 코팅제, 충진제, 진단 시약제 등으로 적용될 수 있다. 발명의 목적은 금속염과 셀레늄염 화합물 및 결정성 고분자인 폴리비닐알코올과 같은 친수성고분자를 함유한 수용액에 초음파를 조사하여 금속-셀레늄 화합물의 결합 반응으로 비교적 간단하게 반도체 중공 나노 입자를 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 데 있다.

보유기관

부산대학교

등록일

2008-12-31

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일반기술 물리학 > 반도체 (I41~I46)

비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법

해당 기술에따른 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법은, 반도체 기판의 상부에 헥사메틸디실라잔 층을 도포하고, 나노 채널을 상기 헥사메틸디실라잔 층의 상부에 형성하는 단계, 상기 나노 채널이 형성된 헥사메틸디실라잔 상부에 제 1 포토리소르라피를 수행하여 제 1 공간부를 형성하고, 상기 제 1 공간부 및 제 1 포토레지스트 상에 금속층을 적층하여 상기 나노 채널의 양단에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 나노 채널의 표면에 원자층 증착법을 수행하여 터널링 층, 전자저장 층 및 산화물 층을 포함하는 기억소자층을 실린더 형태로 형성하는 단계, 상기 기억소자층, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 상기 반도체 기판의 상부에 제 2 포토레지스트를 도포하고, 포토리소그라피를 수행하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 제 2 공간부를 형성하는 단계, 상기 형성된 제 2 공간부 및 제 2 포토레지스트상부에 금속층을 적층하고, 상기 제 2 포토레지스트를 제거하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.해당 기술에의하면 기억소자층인 터널링 층, 전하저장 층, 산화물 층을 알루미나를 이용하여 원자층증착법으로 형성하기 때문에, 메모리 동작 전압을 감소시킬수 있으며, 보다 빠른 메모리 동작 속도를 구현할 수 있으며, 채널의 길이를 조절할 수 있고, 나노 채널 주위에 실린더 형태로 터널링 층, 전하 층 및 산화물 층을 균일하게 코팅하여 메모리 소자 자체의 화학적, 물리적 안정성 및 소자의 동작 전압을 감소시킬 수 있으며, 간단한 공정으로도 반도체 나노 채널에 메모리 구조 및 실린더 형태의 게이트를 제조할 수 있도록 지원함으로써, 전자의 표면 산란을 현저히 줄여 메모리 전자소자의 동작 속도를 개선할 수 있는 효과가 있다.

보유기관

고려대학교

등록일

2009-01-22

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