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MaTiO3계에서 MgO의 양을 조절하고 섭씨 1400도 이상의 고온에서 소결함으로써 마이크로파 주파수 영역에서 낮은 손실값을 갖도록 한다. <구성>95% 이상의 순도를 갖는 MgTiO3에 3-30몰%의 MgO와 0.01-0.5몰%의 CaO를 첨가한 혼합 조성물에 증류수를 붓고 우레탄 용기중에서 우레탄 볼을 사용하여 습식으로 혼합 및 분쇄한 슬러리를 섭씨 100도에서 24시간동안 건조한다. 건조된 혼합물을 섭씨 1200도의 대기중에서 2시간 하소하여 혼합물에 화학 반응이 일어나도록한 후, 하소된 혼합물을 다시 습식 분쇄하고 건조시켜 미립으로 만든 다음, 하소 분말에 유기 바인더로서 1주량 분율의 폴리비닐알콜을 넣고 입상화시켜 분류하여 분말을 제조한다. <효과>섭씨1400도 이상의 고온에서 소결함므로써 기공의 발생을 크게 줄이고 소결 밀도가 높은 상태에서 평균 입경을 크게 함으로써 입계와 기공에 의한 유전손실을 줄일 수 있다.1. 압전 세라믹스 입자를 압전 고분자내에 분산시켜 복합화한 압전 세라믹-고분자 복합재료에 있어서, 압전고분자로 PVdF를 매트릭스로 하여 최대 5중량%의 실란이 첨가된 PZT 압전 세라믹스 입자가 10∼60용량% 분산됨과 아울러최대 3용량%의 카본이 첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 압전 세라막-고분자 복합재료.2.압전 세라믹스 입자를 압전 고분자 내에 분산시켜 복합화한 압전 세라믹-고분자 복합재료의 제조방법에 있어서, PZT 압전 세라믹스에 최대 5중량%의 실란을 알콜과 함께 첨가하여 PZT 입자의 표면에 실란이 코팅되도록 한 후,PVdF 압전 고분자에 10∼60용량%의 실란처리된 PZT와 최대 3용량%의 카본 미립자를 첨가하여 건식 혼합한 다음 압출 성형법으로 50∼300㎛ 두께의 쉬트형으로 성형함을 특징으로 하는 압전 세라막-고분자 복합재료의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 압출성형시의 온도는 210℃인 것을 특징으로 하는 압전 세라믹-고분자 복합재료의 제조방법
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본 발명은 고주파용 유존체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 고주파 유전체 조성은 소결온도가 적어도 1300∼1600℃의 고온일 뿐 아니라, 소결조제(sintering aids)를 첨가하지 않고는 소자로서 사용될 수 있는 충분한 기계적 강도와 유전특성을 가진 치밀한 소결체를 얻을 수 없었다. 이에 1mol의 ZnO와 2mol의 TiO2를 조합으로 하는 ZnTi2O5에서 Zn2+이온을 Ca2+, Ba2+, Sr2+중 선택된 하나의 이온으로 치환한 [(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)]Ti2O5 이때, x = 0.001∼0.90 mol인 고주파용 유전체 자기조성물 또는 1mol의 TiO₂대해 ZnO를 0.04∼1.00mol까지 첨가한 TiO2-x(ZnO)에서 Zn2+이온을 Ca2+, Ba2+, Sr2+중 선택된 하나의 이온으로 치환한 [(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)]TiO₃이때, X = 0.01∼0.90 mol인 본 발명을 제공함으로써 900∼1250℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속산화를 원료만으로 구성된 3성분계 조성을 갖는 온도보상용 마이크로웨이브 유전체 조성을 제공하도록 한 것이다.1. 다음 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물:TiO2-x(ZnO), 이때 0.04≤x≤1.002. 제1항에 있어서, Zn<2+> 이온을 Ca<2+>, Ba<2+>, Sr<2+>로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 이온으로 치환한 다음의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물:[Zn(1-y)(Ca,Ba,Sr)yO]xTiO3-x, 이 때, 0.04≤x≤1.00이고, 0＜y≤0.90.3. 산화아연 및 산화티타늄과, 칼슘 카보네이트, 바륨 카보네이트 및 스트론튬 카보네이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 종을 다음 조성을 만족하도록 혼합하고, 습식 분쇄한 후, 하소하고, 900~1250℃에서 2~4시간 소성하는 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물의 제조방법:[Zn(1-y)(Ca,Ba,Sr)yO]xTiO3-x, 이 때, 0.04≤x≤1.00이고, 0＜y≤0.90.
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종래의 용매법에 의한 다이아몬드의 합성시 존재하는 다이아몬드 형성 밀도의 제어 한계를 극복하여 고품위 다이아몬드 분립체의 크기와 밀도를 인위적으로 제어하는 것이 가능하도록 한 다이아몬드 합성 방법을 제공하는 데 발명의 목적을 두고 있다. 흑연판 사이사이에 적층 배열되는 용매 금속판을 서로 다른 두 종류의 금속 물질로 이루어진 복합 구조로 형성한 것으로 중간층의 상하면에 중간층과는 다른 금속 물질로 이루어지고 내부에 일정 크기(직경 10 마이크로미터-2 MM)의 구멍이 형성된 바깥층을 겹쳐지게 하여 흑연판 사이에 위치하는 복합 구조의 용매 금속판에서 바깥층의 외면이 흑연판과 직접 접촉하도록 하여 다이아몬드를 형성토록 함으로써 다이아몬드 분립체의 크기 및 밀도를 인위적으로 제어하는 것이 가능하며, 원하는 크기를 갖는 고품위의 다이아몬드를 소정의 형성 밀도로 제조할 수 있다. 이와 같이 중간층을 사이에 두고 다공성의 바깥층이 겹쳐진 복합 용매 금속판과 흑연판을 교대로 적층 배열한 다음 이를 고압 용기 중에 장입하여 고압을 가한 상태에서 고온으로 가열하게 되면 복합 용매 금속판의 구멍이 뚫린 부분에서는 두 종류의 용매 금속(중간층과 바깥층)과 탄소(흑연판)의 공정 반응에 의해 다른 부분보다 빨리 용해되고, 이에 따라 각 구멍 형성 부위에서 다이아몬드 결정의 성장이 일어나게 된다.1. 흑연판과 용매금속판을 교대로 적응배열하여 고온, 고압하에서 다이아몬드를 형성시키는 합성방법에 있어서, 용매금속판을 이중금속으로 이루어진 중간층과 내부에 통공이 형성된 양 바깥층이 겹쳐진 복합 용매 금속판을 구성하여 봉공형성부위에서의 우선적인 용해에 이은 다이아몬드의 형성이 이루어지도록 함으로써 다이아몬드의 형성밀도를 조절할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성방법.2. 제1항에 있어서, 바깥층에 형성된 통공의 직경은 10㎛~2mm인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성방법.
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콜룸브석 합성 공정을 개선하여 PMN계 세라믹의 이차상 생성을 억제시킴으로써 유전률이 높은 PMN계 세라믹스를 안정적으로 제조할 수 있게 한다. <구성>MgO와 Nb2O5를 동일한 몰수만큼 칭량한 후 이들을 혼합하고 건조한다. 건조 분말을 섭씨 1,000도에서 2시간 동안 1차 하소시킨후 하소된 분말을 유발에서 분쇄하고 1,100, 1,200, 1,300도에서 2시간 동안 2차 하소시킨다. <효과>소결성이 월등하고 유전률도 높은 PMN계 세라믹 캐패시터를 제조할 수 있다.1. a)MgO와 Nb2O5의 화합물을 1,000℃에서 1차 화소 시키는 단계 b) 하소된 분말을 분쇄하는 단계, c) 분쇄물을 1,200℃이상, 1,500℃ 이하의 온도 범위에서 2차 하소시켜 MgNb2O6를 생성시키는 단계, 및 d) 생성된 MgNb2O6를 PbO와혼한한 후, 800℃ 내지 900℃의 온도에서 하소시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 Pb (Mg1/2Nb2/3)O3의 이차상 생성의억제 방법.2. 제1항에 있어서, 상기 단계 (a)에서 MgO와 Nb2O3를 동몰수로 혼합하는 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 단계 (d)에서 MgNb2O6와 PbO 1:3의 비율로 혼합하는 것인 방법
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분말의 응집화현상을 효과적으로 방지하고자 지르코니아와 안정화제를 수산화물상태로 침전시킨후 함께 끊는 증류법으로 수분을 효과적으로 제거하도록 한다. <구성>수용성인 지르코늄염과 이트륨 또는 세륨을 함유하는 안정화제 염의 수용액을 pH가 일정하게 유지된 암모니아 수용액에 침전시켜 침전물을 수용액으로부터 분리한 다음, 수세하고, 이를 물과 함께 끓는 혼합물을 형성시키는 유기용매에 분산시켜 함께 끓는 증류한다. 이를 통해 미립자 표면에 흡착 응축된 수분을 제거한 후, 지르코늄을 함유하는 미립자를 유기용매로부터 분리시켜 섭씨 500-1200도 온도에서 열 처리 한다. <효과>지르코니아 분말에 함유된 수분이 완전히 제거됨에 따라 소결체의 치밀화를 이룰 수 있고 강하게 응집된 입자들이 없기 때문에 열 처리후 분쇄 공정을 생략할 수 있어 경제적이다.1.수용성인 지르코늄염과 이트륨 또는 세륨을 함유하는 안정화제 염의 수용액을 pH가 일정하게 유지된 암모니아 수용액에 침전시켜 침전물을 수용액으로부터 분리한 다음, 수세하고, 이를 물과 함께 끓는 혼합물을 형성시키는 유기용매에 분산시켜 함께 끓는 증류를 행함으로써 미립자 표면에 흡착 응축된 수분을 제거한 후, 지르코늄을 함유하는 미립자를 유기용매로부터 분리시켜 500~1200℃의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 안정화 지르코니아 분말의 제조방법.2.제1항에 있어서, 6~12의 pH 범위에서 침전시키는 것을 특징으로 하는 안정화 지르코니아 분말의 제조방법.3.제1항에 있어서, 침전완료 후 침전용액을 10분 내지 5시간 동안 반응시키는 것을 특징으로 하는 안정화 지르코니아 분말의 제조방법.4.제1항에 있어서, 유기용매는 n-부탄올 또는 톨루엔인 것을 특징으로 하는 안정화 지르코니아 분말의 제조방법
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일측에 탄화질 성형체 투입구가 형성되고, 타측에 탄화규소 반응소결체 배출구가 형성된 반응로와, 상기 반응로 내부에서 일정한속도로 이동되는 카본 직포와, 상기 카본 직포를 연속적으로 이송시키는 이송장치와, 상기 성형체 투입구를 통해 카본 직포로 투입되는 성형체에 공급되는 용융 규소 또는 규소-몰리브데늄 합금이 수납되어 있는 용융금속 공급용기와, 상기 용융 금속 공급용기와 카본 직포 사이에 설치되어 카본 직포 위에서 이송되는 성형체로 용융금속이 공급되는 이동통로를 구비한 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트와, 상기 용융금속이 침윤된 성형체가 소결된 후 성형체에 과잉침윤된 금속을 제거하는 과잉융용금속 제거장치로 구성함을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 제조장치.1. 일측에 탄화질 성형체 투입구가 형성되고,타측에 탄화규소 반응소결체 배출구가 형성된 반응로와, 상기 반으로 내부에서 일정한 속도로 이동되는 카본 직포와, 상기 카본 직포를 연속적으로 이송시키는 이송장치와, 상기 성형체 투입구를 통해 카본 직포로 투입되는 성형체에 공급되는 용융 규소 또는 규소-몰리브데늄 합금이 수납되어 있는 용융금속 공급용기와, 상기 용융 금속 공급용기와 카본 직포사이에 설치되어 카본 직포위에서 이송되는 성형체로 용융금속이 공급되는 이동통로를 구비한 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트와 상기 용융금속이 침윤된 성형체가 소결된 후 성형체에 과잉침윤된 금속을 제거하는 과잉용융금속 제거장치로 구성함을 특징으로 하는 탄화규소 반응 소결체의 제조장치.2.제1항에있어서, 상기 열분해 카본 코팅된 그라피이트 또는 고밀도 그라피이트의 상면에 성형체와 공급되는 용융금속과의 접촉면적을 증대시키도록 성형체와 동일한 형상의 홈이 생성되는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 제조장치.3.제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트는 반응로l 높이 방향으로 2~5개 적층설치되며, 각각의 그라파이트마다 카본 직포가 설치된 것을 특징으로하는 탄화규소반응소결체의 제조장치.4.제1항에있어서, 상기 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트의 이동통로는 폭이 0.5~1.2mm이고, 깊이가 2~4mm인 것을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 제조장치.5.다공성 탄화규소/카본 또는 카본 성형체를 사용하여 용융금속의 침투에 의해 탄화규소반응소결체를 제조하는 탄화규소 반응소결체의 제조방법에 있어서, 불활성분위기 하에서 용융금속 공급용기로 부터 이동통로가 형성된 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트를 통해 모세관압에 의해 용융금속을 상기 탄소질 성형체로 공급하며, 상기 탄소질 성형체가 놓이는 카본 직포는 일정한 속도로 이동하여 상기 탄소질 성형체를 연속적으로 이송시켜 연속침윤시킴을 특징으로 하는 탄화규소 반응 소결체의 연속제조방법.6.제5항에 있어서 탄소질 성형체가 카본 지고에 놓여지는 초기 상태에서는 탄소질 성형체 투입구와 탄화규소 반응소결체 배출구를 폐쇄하여 10-2torr이하의 진공분위기에서 1450˚C이상으로 가열하고,탄소질 성형체가 놓인 카본 직포에 용융금속의 침윤이 시작되면 분위기를 불활성 분위기로 전환함과 아울러 탄소질 성형체 투입구 및 탄화규소 반응소결체 배출구를 개방하며, 탄화규소 반응소결체의 표면에 잔류하는 과잉용융금속은 과잉 용융금속 제거장치에 의해 제거하도록 하며, 카본 직포를 연속적으로 이송시며 성형체를 연속침윤시킴을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 연속제조방법.7.제6항에 있어서, 상기 탄소질 성형체에 용융금속 침윤시 반응대의 가열온도는 1450~1700˚C이고,용융금속 공급용기의 가열온도는 1450~1500˚을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 연속제조방법.8.제6항에있어서, 상기 과잉용융금속 제거장치의 가열온도는 1600~1800˚C인것을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 연속제조방법.9.제5항에서있어서, 상기 카본 직포의 이송속도는 0.5~5cm/min인것을 특징으로 하는 탄화규소반응소결체의 연속제조방법.
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
새로운 원료계로서 직접법에 의하여 경제적이며 대량 생산이 가능한 베타형 탄화규소 미세 분말을 제조한다. <구성>일반식 (I)(II)(III)(IV)의 메타실란알칸들을 단독으로 또는 두가지 이상 혼합하여 운반 기체 존재하에 열분해 시킨다. <효과>화학적, 물리적으로 안정하고 내열성이 좋으며 열전도성이 좋고 열팽창 계수가 낮으며 내마성이 높은 제품을 얻는다.1. 일반식(1), (2), (3) 또는 (4)의 메틸실라알칸들을 단독으로 또는 두가지 이상 혼합하여 운반기체 존재하에 열분해시키는 것으로 이루어지는 구형의 β형 탄화규소 미세분말의 제조방법. 일반식(1)에서 R1,R2,R3는 독립적으로 CH2 또는 Cl를 표시한다. 일반식 (2)에서 R1,R2,R3는 독립적으로 CH3 또는 H를 표시한다. 일반식(3)에서 R1, R2는 독립적으로 CH3 또는 Cl, R3는 독립적으로 H 또는 Cl를 표시한다. 일반식(4)에서 R1, R2는 독립적으로 CH3 또는 H를 표시한다.2. 제1항에 있어서, 메틸실라알칸 화합물중 일반식(1), (2), (3) 또는 (4)로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물의 운반기체중 농도가 50% 이하인 것이 특징은 β형 탄화규소 미세분말의 제조방법.3. 제1항에 있어서, 운반기체로 알곤, 수소 또는 이들의 혼합기체를 사용하는 것이 특징인 β형 탄화규소 미세분말의 제조방법.4. 제1항에 있어서, 열분해 반응 온도가 750-1,600℃인 것이 특징인 β형 탄화규소 미세분말의 제조방법.5. 제1항에 있어서, 잔류 염화규소가 남아있는 경우에 2차 열처리 과정으로 알곤 대기하에서 1,000-1,200℃로 온도를 올려 잔류 염화규소를 제거하는 것이 특징인 β형 탄화규소 미세분말의 제조방법.
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
산소-아세틸렌 토치법이 지니고 있는 특성인 국부적인 고속합성 능력을 이용하여 기존의 기상합성 방법으로 제조된 작은 면적의 고속합성 능력을 이용하여 기존의 기상합성 방법으로 제조된 넓은 면적의 다이아몬드 박막 또는 후막을 다수개 연결 접합하므로써 넓은 면적의 다이아몬드 박막 또는 후막을 용이하게 제조할 수 있도록 한 산소-아세틸렌 토치를 이용한 다이아몬드 필름의 접합방법을 제공하는 것이다. <구성>기판상에 확개된 경사 모서리면을 갖는 다이아몬드 막을 다수개 합성하여 온도조절이 가능한 기판 지지대 위에 격자상으로 배열한 다음, 산소-아세틸렌 토치의 환원염을 다이아몬드 막의 경계부에 가하여 다이아몬드 막 상호간의 접합이 이루어지도록 하므로써 대면적의 다이아몬드 막을 형성하도록 구성되어 있다. <효과>적은 크기의 다이아몬드 막을 산소-아세틸렌 토치법으로 연결 접합시켜 임의 넓이의 다이아몬드 박막 또는 후막을 제조하므로써 다이아몬드의 산업적 응용범위를 한층 확대시킬 수 있다.1. 다이아몬드의 기상합성방법으로 기판상에 확개된 경사모서리면을 갖는 다이아몬드 막을 다수개 합성하여 온도조절이 가능한 기판지지대 위에 격자상으로 배열한 다음, 산소-아세틸렌 토치의 환원염을 다이아몬드 막의 경계부에 가하여 다이아몬드 막 상호간의 접합이 이루어지도록 함으로써 대면적의 다이아몬드 막을 형성함을 특징으로 하는 다이아몬드 막의 접합 방법.2. 제1항에 있어서, 산소-아세틸렌 토치의 환원염에 의한 다이아몬드 막의 접합시 다이아몬드 막에 부착된 기판을 산화염으로부터 다이아몬드 막의 손상을 방지하기 위한 보호막으로 이용함을 특징으로 하는 다이아몬드 막의 접합방법.3. 제1항에 있어서, 기판 상에 다이아몬드 막 합성시에 경사진 마스크를 이용하여 합성 후 다이아몬드막의 모서리면이 경사지게 형성되도록 한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 막의 접합방법.4. 제1항에 있어서, 다이아몬드의 접합시 토치입구에 덮개를 설치하여 토치로부터 분출되는 가스에 의해 대기가 덮개 내부로 유입되지 못하도록 함을 특징으로 하는 다이아몬드 막의 접합방법.
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
(A)본 발명은 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정 방법 및 장치에 관한 것으로, 일반적인 산소분압 측정방법은 종래 진공장치가 진공챔버(1) 내부의 각 위치마다 산소분압이 균일하지 않아 종래의 측정되는 산소분압은 진공장치 내부의 평균적인 산소분압일 뿐이고, 박막이 증착되는 가열판(8) 상측에 대한 실제의 산소분압과는 오차가 발생되는 문제가 있었다. 따라서 산소분압에 따라 전기저항이 변화되는 비화학양론적인 반도체 산화물에 열전대와 전기저항 측정용 전선을 부착한 소자를 기판이부착되는 가열판에 부착하여 가열판 주변의 부분적인 산소 분압을 측정하도록 한 본 발명에 의한 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정 방법 및 소자(10)와, 소자(10)의 온도를 측정하는 열전대(11)와, 소자(10)의 전기저항을 측정하는 전선(12)과, 전공챔버(1)의 진공을 유지함과 아울러 소자(10)의 온도와 저항에서 발생되는 전기신호를 진공챔버(1)의 외부로 인출하는 피드 쓰루(feed through)(13)와, 상기 피드 쓰루(13)를 통해서 출력되는 전기신호 중 소자의 온도를 읽어주는 온도지시기(14) 및 소자의 저항을 읽어주는 멀티 미터(15)로 구성되는 산소분 측정 장치가 제공됨으로써 가열판 주위의 산소분압을 정확하게 측정할 수 있게 되는 것이다.1. 산소분압에 따라 전기저항이 변화되는 비화학양론적인 반도체 산화물에 열전대와 전기저항 측정용 전선을 부착한 소자를 기판이 부착되는 가열판에 부착하여 가열판 주변의 부분적인 산소 분압을 측정하도록 한 박막제조용 진공장치 산소분압 측정 방법.2. 제 1항에 있어서, 산소분압에 따라 전기저항이 변화되는 비화학양론적인 반도체 산화물인 소자와, 소자의 온도를 측정하는 열전대와, 소자의 전기저항을 측정하는 전선과, 진공챔버의 진공을 유지함과 아울러 소자의 온도와 저항에서 발생되는 전기신호를 진공챔버의 외부로 인출하느 ㄴ피드 쓰루(feed through)와, 상기 피드 쓰루를 통해서 출력되는 전기신호 중 소자의 온도를 읽어주는 온도지시기 및 소자의 저항을 읽어주는 멀티미터로 구성한 것을 특징으로 하는 박막제조용 진공장치의 산소분압 측정장치.
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 비교적 낮은 온도에서 소결조제 없이 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며 다양한 온도보상범위를 가지는 유전체 조성을 제공하기 위하여 산화아연과 산화티타늄이 화학양론적으로 조합된 ZnTiO3 및 상기 ZnTiO3에서 Zn2+이온이 Mg2+이온으로 치환된 (Zn1-xMgx)TiO3 여기서, x= 0.02에서 0.5의 조합을 가지는 저온소결이 가능한 온도보상용 마이크로파 유전체 자기조성물을 제공한다.1. 산화아연과 산화티타늄이 화학양론적으로 조합된 ZnTiO3인 저온소결이 가능한 온도 보상용 마이크로파 유전체 자기조성물.2. 제 1항에 있어서, 상기 ZnTiO3에서 Zn<2+>이온이 Mg<2+>이온으로 치환된(Zn(1-x)Mgx)TiO3 여기서, x=0.02에서 0.5의 조합을 가지는 저온소결이 가능한 온도보상용 마이크로파 유전체 자기조성물.3. 제 2항에 있어서, 상기 x가 0.20에서 0.35인 저온소결이 가능한 온도보상용 마이크로파 유전체 자기조성물.
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 저온열화거동(low temperature degradation)을 억제하여 고강도ㆍ고인성을 유지할 수 있는, 재료의 표면에 질소를 고용체로 함유하고 내부소재보다 저온열화가 억제되는 안정한 표면층을 가지는 지르코니아 복합재료 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명이 제조방법은 지르코니아 소재 또는 지르코니아 복합소재를 질소원 존재하에서 1200~1700℃의 온도에서 열처리하는 것으로 이루어진다.1. 질소를 고용체 형태로 함유함으로써, 내부소재보다 저온열화가 억제되는 안정한 표면층을 갖는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료2. 제 1항에 있어서, 상기 지르코니아의 일부 또는 전부가 TZP(ftetragonal zirconea polycrystals)형태인 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료.3. 제 1항에 있어서, 상기 표면층은 지르코니아가 내부보다 안정화된 전이성 정방정(t-ZrO₂),입방정(cubic),이들의 혼합체 또는 단사정과 이들의 혼합체로 존재하는 것을 특징으로 하는 지를코니아 재료.4. 지르코니아 재료의 표면에 질소화합물을 공급한 후 불활성 가스 또느 질소 가스 분위기에서 열처리함으로써, 상기 소재의 표면을 내부 소재보다 저온열화가 억제되는 표면층으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.5. 제 4항에 있어서, 상기 소재의 표면에 질소화합물로서 질소화합물 또는 질소화합물과 타원소와 복합체를 분말형태로 공급한 후 질소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.6. 제 4항에 있어서, 상기 소재의 표면에 질소화합물을 함유하는 슬러리 형태로 공급한 후 질소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.7. 제 4항에 있어서, 상기질소화합물이 2A, 3A,4A,4B족 원소와 N을 함유한 질소화합물인 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.8. 지르코니아 재료를 질소 분위기에서 1200~1700℃의 온도에서 열처리함으로써, 상기 소재의 표면을 내부 소재보다 저온열화가 억제되는 표면층으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.
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기공층이 세라믹 유전체 전후표면의 대략 중앙부와 연통된 별도의 주입통로를 갖도록 형성하고, 내부전극의 주입 전에 세라믹 유전체의 양측면부에 일차 외부전극층을 소부한 다음 용융금속중에 담그어 주입통로를 통하여 용융금 속의 주입이 저압하에서 신속하게 이루어지도록 할 수 있다. <구성>가연성물질로 이루어진 카본페이스트의 전방 또는 후방단부의 일측이 양쪽면중의 한쪽과 연결돼도 유전체 시이트의 단부까지 돌출되도록 도포하여 소결후에 생성된 기공층에 세라믹 유전체의 측면과 외부로 연통되는 주입통로를 형성하고, 세라믹 유전체의 양측면에 금속전극 페이스트를 도포하여 소부함으로써 일차 외부전극을 형성한 후에 이를 용탕중에 담그어 주입통로를 통하여 기공층내부로 용융금속이 주입되도록 하여 내부 전극을 형성한 다음 일차 외부전극 위에 Ni나 Ni 합금층을 피복하여 이차 외부전극을 형성한다.1.가연성물질로 이루어진 카본페이스트가 도포된 유전체 시이트를 다수매 적층 소결하여 생성된 기공층의 내부로 전면 후면과 측면중의 한쪽과 연결된 외부통로를 통하여 용융금속을 주입하여 내부전극을 형성하는 적층세라믹 캐패시터의 제조방법에 있어서, 카본페이스트의 전방 또는 후방단부의 일측이 양쪽면중의 한쪽과 연결되도록 유전체 시이트의단부까지 돌출되도록 도포하여 소결 후에 생성된 기공층에 세라믹 유전체의 측면과 외부로 연통되는 주입통로를 형성하고, 세라믹 유전체의 양측면에 금속전극 페이스트를 도포하여 소부함으로써 일차 외부전극을 형성한 후에 이를 용탕중에 담그어 상기 주입통로를 통하여 기공층내부로 용융금속이 주입되도록 하여 내부전극을 형성한 다음 일차 외부전극 위에 Ni나 Ni합금층을 피복하여 이차 외부전극을 형성함을 특징으로 하는 적층 세라믹 캐패시터의 제조방법.2. 제 1 항에 있어서, 내부전극 형성용 금속이 Pb나 PB합금 또는 Sn합금인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹캐패시터의 제조방법.3. 가연성물질로 이루어진 카본페이스트가 도포된 유전체 시이트를 다수매 적층 소결하여 생성된 기공층의 내부로 용융금속을 주입하여 내부전극을 형성하는 적층세라믹 캐패시터의 제조방법에 있어서, 카본페이스트의 전방 또는 후방단부의 일측이 양측면중의 한쪽과 연결된 외부통로를 통하여 유전체 시이트의 단부까지 돌출되도록 도포하여 소결 후에생성된 기공층에 세라믹 유전체의 측면과 외부로 연통되는 주입통로를 형성하고, 세라믹 유전체의 양측면에 은이나 백금/은의 금속 페이스트를 소부하여 일차 외부전극을 형성한 후 그 위에 도금이나 증착 또는 전극 페이스트 소부의 방법으로Ni나 Ni합금층을 피복하여 외부전극을 형성한 다음 상기 주입통로를 통하여 용융금속의 주입을 행하여 내부전극을 형성함을 특징으로 하는 적층 세라믹 캐패시터의 제조방법.4.제 3 항에 있어서, 내부전극 형성용 금속이 Pb나 Pb합금 또는 Sn합금인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹캐패시터의 제조방법
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대기중 소결공정만을 통해 소결체의 결정입계에 입계 절연층이 형성되도록 한 입계형 반도성 자기 콘덴서 재료 및 콘덴서를 제공한다. <구성>주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO30.005-0.012몰 및 5가이온의 산화물인 Nb2O5,Ta2O5,Sn2O5가 단독 또는 2이상 조합된 형태로 0.003-0.006몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기 콘덴서 제조 조성물을 1500도C이상의 온도에서 대기중 소결하여 액상의 생성을 유도차고 상기 조성물의 그린테입 위에 Pt,Pd 등의 귀금속 페이스트를 스크린 인쇄하여 얻어진 단위층을 다수매 순차적층하여 대기중에서 소결하는 것으로 구성되는데, 이 과정을 통해 형성된 기공층 내에 Pb,Sn 등의 기저금속을 내부전극으로 주입하여 제조된다. <효과>유전상수가 높고,유전손실이 낮아 유전상수의 온도유전성이 우수하다.1. 주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO2 0.005-0.0l2몰과 5가 이온의 산화물인 Nb2O5, Ta2O5 및 Sb2O5가 단독또는 2이상 조합된 형태로 0.O03-O.OO6몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기 콘덴서 제조용 조성물.2.주성본인 SrTiO3에 TiO2와 5가 이온의 산화물인 Nb2O5, Ta2O5 또는 Sb2O5를 첨가하여 혼합·분쇄 및 가압성형을행한 다음 1500℃ 이상의 온도에서 대기중 소결을 하여 결정입계에 액상의 생성을 유도하고, 소결체의 냉각과정을 통해상기 결정입계에 생성된 액상이 입계 절연층을 형성하도록 함을 특징으로 하는 입계형 자기 콘덴서의 제조방법.3.제2항에 있어서, 입계 절연층 내부로 PbO, Bi2O3, B2O3나 CuO로 구성되는 절연물질을 확산시켜 절연저항을증진시킴을 특징으로 하는 입계형 자기 콘덴서의 제조방법.4.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO2 0.005-0.0l2몰과 Nb2O5, Ta2O5 또는 Sb2O5가 단독 또는 조합된 형태로0.003-0.006물 첨가되어 이루어진 조성의 그린테입 위에 Pt, Pd등의 귀금속 페이스트를 스크린 인쇄하여 얻어진 단위층을다수매 순차적층하여 대기중에서 소결함을 특징으로 하는 입계형 반도성 적층 자기 콘덴서의 제조방법.5.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성본으로 TiO2 0.005-0.012몰과 Nb2O5, Ta2O5 또는 Sb2O5가 단독 또는 조합된 형태로0.003-0.006몰 첨가되어 이루어진 조성의 그린테입 위에 카본등의 가연성 재료로 구성된 페이스트를 인쇄하여 얻어진 단위층을 다수매 순차적층하여 대기중에서 소결함으로써 가연성 페이스트를 연소제거하여 기공층을 형성하고, 그 기공층내에 Pb,Sn등의 기저금속을 내부전극으로 주입함을 특징으로 하는입계형 반도성 적층 자기 콘덴서의 제조방법
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입계형 반도성 자기콘덴서의 미세구조의 치밀화와 결정성장의 촉진을 도모하여 우수한 전기적 특성을 나타내도록 한다. <구성>주성분인 SRTIO3 1몰에 부성분으로 TIO2 0.01~0.04몰과, DY2O3 0.001~0.010몰과, ZNO 0.001~0.007몰과, MNO2 0.002~0.012몰을 첨가하여 이루어져 있다. <효과>유전상수 50,000 이상, 유전손실 1.5퍼센트이하, 비저항 10 기가오옴 이상의 우수한 전기적 특성을 나타낸다.1.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO2 0.01∼0.04몰, Dy2O3 0.001∼0.010몰, ZnO 0.001∼0.007몰, MnO20.002∼0.012몰 및 Al2O3 0.01∼0.07몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기콘덴서 제조용 조성물.2.제 1 항에 있어서, 주성분이 TiO2 0.01∼0.02몰, Dy2O3 0.002∼0.005몰, ZnO 0.001∼0.007몰, MnO2 0.005∼0.009몰 및 Al2O3 0.03∼0.04몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기콘덴서 제조용 조성물.3.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 Tio2 0.01∼0.04몰, Dy2O3 0.001∼0.010몰, ZnO 0.001∼0.007몰, MnO20.002∼0.012몰 및 Al2O3 0.01∼0.07몰 첨가되어 이루어진 조성의 유전체 자기를 환원분위기의 1400∼1470℃에서 소결하여결정입자를 반도체화 하고, PbO등의 절연물질로 구성된 절연페이스트를 도포하여 대기중에서 열처리해서 입계절연층을 형성하고 소결체의 양면에 외부전극을 형성하여서 된 입계형 반도성 자기콘덴서
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알루미나 세라믹스 성형체를 하소하여 표면 연마한 후 소결하므로써 빛의 산란과 반사를 최소한으로 억제하여 투광성 향상 및 작업성 수율을 증가시킬 수 있는 투광성 다결정 알루미나 세라믹스를 제조한다. <구성>투광성 세라믹스는 순도 99.9% 이상의 산화알루미늄에 산화마그네슘 0.03-0.1wt%와 산화지르코늄 0.002-0.07wt%를 첨가하여 제조한다. 이때산화물들은 염화물, 탄산염, 또는 초산염의 형태로 첨가되며, 이와같이 혼합된 분말은 가압 성형되어 대기중에서 800-1,300도C로 1-5시간 동안 하소한 후, 이 하소체의 표면을 나일론이나 융 재질의 버프(buff)로 평활하게 연마하여수소 또는 진공 분위기에서 1,750-1,900도C로 1-15시간 소결하여 제조한다.1. 순도 99.99%이상의 산화알루미늄에 산화마그네슘 0.03~0.1w/o와 산화지르코늄 0.002~0.07w/o이 첨가되어이루어짐을 특징으로 하는 투광성 다결정 알루미나 세라믹스 조성물.2.제1항에 있어서, 산화마그네슘과 산화지르코늄이 산화물의 전단계인 염화물, 탄산염 또는 초산염의 형태로첨가됨을 특징으로 하는 투광성 다결정 알루미나 세라믹스 조성물.3.순도 99.99%이상의 산화알루미늄분말에 0.03~0.1w/o의 산화마그네슘과 0.002~0.07w/o의 산화지르코늄을 첨가 혼합하여 얻어진 혼합분말을 성형하여 성형체를 얻고, 이 성형체를 대기중에서 하소하여 가공하기에 적절한 강도를 갖는 하소체를 제조하여 하소체의 표면을 평활하게 연마한 후 수소 또는 진공분위기중에서 소결함을 특징으로 하는 투광성다결정 알루미나 세라믹스 조성물.4.제3항에 있어서, 하소공정은 800~1300℃의 온도에서 1~5시간동안 행해짐을 특징으로 하는 투광성 다결정알루미나 세라믹스 조성물.
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티탄산주석지르코늄계에 소결 조제로 산화아연과 산화안티몬을 미량 첨가하여 비교적 저온 소결을 통해 소결 조직을 치밀화함으로써 고온 부하 및 내습부하 특성을 향상시킨 위치 변위 시스템용 유전체 자기 조성을을 제조한다. <구성>주성분 원료 분말인 지르코니아, 티타니아 및 산화주석에 소결 조제로 산화아연과 산화안티몬을 첨가함에 있어서, 주성분 Zr(1-x)Sn(x)Ti(1+y)O4에 소결 조제로 aZnO+bSb2O3가 첨가된 유전체 자기 조성물로서 몰비로 0.17GHz에서 유전율이 35 이상, 품질 계수(Q) 값이 7,000 이상을 나타내며, 소결 조제의 첨가로 인해 조직이 매우 치밀화되기 때문에 저손실 공진 주파수와 고온 부하 및 내습 부하 등의 장기 신뢰성에 있어서 안정된 품질 계수(Q)값과 공진 주파수의 안정된 온도 특성을 나타내는 등의 우수한 신뢰성을 지닌다.1. 주성분 Zr1-xSnxTi1+yO4에 소결조제로 aZnO+bSb2O3가 첨가된 유전체 자기 조성물로서 몰비로 0.1＜x＜0.3몰, 1＜Y＜1.05몰(Y=y+1)이고, 소결조제의 첨가량은 Zr1-xSnxTi1+yO4에 대해 0＜a+b＜0.05중량%인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물
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본 발명은 충분히 큰 사이즈의 웨이퍼를 열처리하는 경우에도 균일 가열이 이루어질 수 있고 , 온도의 급격한 증가가 가능하며 증착 박막의 결정성도 향상시킬 수 있는 새로운 형식의 세라믹 박막의 열처리 방법을 제공하기 위하여; 지지수단위에 박막이 성막된 재료를 위치시키고, 상기 박막에 마이크로파를 인가하여, 상기 박막을 급속 가열하고 온도측정수단을 이용하여 온도를 측정하고, 원하는 온도에서 마이크로파의 발생을 정지시키는 것으로 이루어지는 마이크로파를 이용한 세라믹 박막의 급속 열처리 방법을 제공한다.1. 지지수단위에 박막이 성막된 재료를 위치시키고, 상기 박막에 마이크로파를 인가하여 상기 박막을 급속 가열하고, 온도특정수단을 이용하여 온도를 측정하고, 원하는 온도에서 마이크로파의 발생을 정지시키는 것으로 이루어지는 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.2. 제1항에 있어서, 상기 지지수단 위에 상기 재료의 지지부를 추가적으로 형성하여 상기 재료가 그 위에 위치할 수 있게하는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.3. 제2항에 있어서, 상기 온도측정수단으로 열전대를, 상기 지지부의 뒷면을 식각하고, 그 안으로 상기 열전대를 삽입, 고정시켜 온도를 측정하는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.4. 제2항에 있어서, 상기 온도측정수단으로 열전대를, 상기 지지부를 두 장 이상 겹치게 하고, 그 겹쳐진 지지부의 사이로 상기 열전대를 삽입, 고정시켜 온도를 측정하는, 마이크로파를 이요鉢강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 열전대는 쉴딩 처리된 열전대 라인을 가지는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.6. 제1항에 있어서, 상기 온도측정수단이 파이로미터인 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.7. 제1항에 있어서, 상기 가열이 단열구조내에서 이루어지는, 마이크로파를 이용한 강유전, 고유전, 전왜, 반도성, 또는 전도성 세라믹 박막의 급속 열처리 방법.
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산화물 소결조제와 α-Si3N4 분말의 혼합물로부터 제조된, 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 갖는 내부와, 이 내부와 동일한 소결조제와 β-Si3N4의 혼합물로부터 제조된, 상기 내부 보다 상대적으로 미세한 구조를 갖는 표면부로 이루어진, 이층 미세구조를 갖는 질화규소 소재 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 이층 미세구조를 질화규소 소재는 재료 전체의 파괴 인성이 우수함과 동시에 표면부의 강도가 우수하고, 기계 가공 후 표면 조도가 작은 장점이 있기 때문에, 베어링 메카니칼 씰 등의 각종 내마모 부품에 응용할 수 있다.1. α-Si3N4 분말에 산화물 소결조제, 유기 바인더 및 용매를 첨가하여 볼밀링하고 건조시켜 질화슈고 소결체의 내부용 원료 혼합물을 준비하는 공정, 상기 내부용 원료 혼합물을 성형하여 내부 성형체를 제조하는 공정, β-Si3N4 분말에 소결조제, 유기 바인더, 분산제 및 용매를 첨가하여 볼밀링하여 질화규소 소결체의 표면부용 슬러리를 제조하는 공정, 상기 내부 성형체에 표면부용 슬러리를 피복시킨 후 건조 및 성형하여 내부는 α-Si3N4, 표면부는 β-Si3N4로 이루어진 이층 구조체를 제조하는 공정, 상기 이층 구조체를 소결시키는 공정을 포함하는, 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 가지는 내부와, 이 내부에 비하여 상대적으로 미세한 구조를 가지는 표면부로 이루어진, 이층 미세구조를 가지는 질화슈고 소결체의 제조 방법.2. 제1항에 있어서, 상기 산화물 소결조제는 Y2O3 1-15 중량%와 Al2O5 1-12 중량%, 또는 Yb2O5 1-18중량%와 SiO2 1-12중량% 중에서 선택되는 어느 하나의 군을 세라믹 중량에 대하여 1-20%의 양으로 첨가하는 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 내부용 원료 혼합물의 유기 바인더로서 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리비닐알콜을 세라믹 중량에 대하여 0.1-3중량%의 양으로 첨가하는 방법.4. 제1항에 있어서, 상기 내부용 원료 혼합물의 용매로서 증류수 또는 에틸알콜 또는 메틸알콜을 건조 고체 중량에 대하여 30-90중량%의 양으로 첨가하는 방법.5. 제1항에 있어서, 상기 내부 성형체가 건조된 내부용 원료 혼합물을 100-500kg/㎠의 압력 하에 일축 가압 성형한 다음, 100-3,000kg/㎠의 압력으로 정수압 성형하거나 또는 일축 가압 성형 공정을 거치지 않고 100-3,000kg/㎠의 압력의 정수압 성형에 의해 성형되는 것인 방법.6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 소결조제가 상기 내부용 원료 혼합물의 소결조제와 동일한 것인 방법.7. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 유기 바인더로서 폴리에틸렌글리콜 또는 폴리비닐알콜을 세라믹 중량에 대하여 약 0.3-3%의 양으로 첨가하는 방법.8. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 분산제로서 디메틸아민을 세라믹 중량에 대하여 약0.1-2%의 양으로 첨가하는 방법.9. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리의 용매로서 증류수를 건조 고체 중량에 대하여 30-90%의 양으로 첨가하는 방법.10. 제1항에 있어서, 상기 표면부용 슬러리를 상기 내부 성형체 위에 피복시키는 공정을 약 1기압, 상온에서 원하는 두께에 따라 상기 표면부용 슬러리에서 약1-30분간 첨지시킴으로써 수행하는 방법.11. 제1항에 있어서, 상기 이층 구조체의 성형을 1,000-3,000kg/㎠의 압력 범위에서 내부 성형체를 성형할 때와 동일하거나 더 큰 압력으로 정수압 성형하는 방법.12. 제1항에 있어서, 상기 이층 구조체의 소결을 1,650-1,850℃ 온도 범위에서 약 1기압의 질소 분위기 하에 1-8시간 동안 상압 소결하거나, 또는 1,850-2,000℃ 온도 범위에서 2-100기압의 질소 압력 하에 1-10시간 동안 가스압 소결하는 방법.13. 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 가지며, 길이 10-30㎛ 및 직경 2-8㎛으로 성장한 주상 β-Si3N4가 전체 부피의 40% 이상을 차지하는 미세구조를 가지는 내부와, 이 내부에 비하여 상대적으로 미세한 구조를 가지며, 평균 결정립 크기 0.5-8㎛의 β-Si3N4로 이루어진 표면부로 구성된, 이층 미세구조를 가지는 질화규소 소재.
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재료 > 기타 세라믹재료
다음 조정식, SR1-2XBIXTI1-YWYO3 이때, X=0.05~0.3MOL% BI2O3 Y=0.15~0.9MOL% WO3로 이루어짐을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용유전체 자기 조성물.1.다음 조성식, (Sr1-2xBixTi1-yWy)O3 이때, x=0.0005∼0.003 y=0.0015∼0.009으로 이루어지는 경계층 콘덴서용유전체 자기 조성물.2.주성물 Sr1-2xBixTi1-yO3(x=0.0005∼0.003, y=0.0015∼0.009)에 Bi2O3 -WO3 프릿을 습식으로 혼합·건조하여 성형한 후, 이를 환원분위기에서 1,400∼1,470℃ 온도로 1차 소성하고, 1,250℃에서 2차 열처리함을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.3.제2항에 있어서, 환원첨가제로서 Bi2O3와 WO3의 혼합비를 1 : 3의 몰비로 혼합하고 용융시킨후 급냉하여 미세분말로 분쇄한 Bi23-WO3 프릿을 사용하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.4.제3항에 있어서, 용융조건으로 900℃에서 10분간 용융하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.5.제2항에 있어서, 성형조건은 1,500kg/cm2의 성형압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.6.제2항에 있어서, 환원분위기로 h2:n2의 비가 10 : 100[sc cm] 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.7.제2항에 있어서, 1차 소성시간으로 4시간 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기 조성물의 제조방법.8.제2항에 있어서, 2차 열처리 시간으로 2시간 유지하는 것을 특징으로 하는 경계층 콘덴서용 유전체 자기조성물의 제조방법
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본 발명은 지르코니아 발열체의 내열충격성을 개선하여 그 수명을 향상시키기 위해 외부 전기로 및 내부 전기로를 가지는 2중구조의 초고온 전기로에 사용되는, 연결부 발열체 및 발열부 발열체로 이루어지는 지르코니아 발열체의 구조에 있어서, 상기 발열체들 사이에 상기 연결부 발열체보다는 크고 상기 발열부 발열체보다는 작은 직경을 가지는 발열체가 1개 이상 개재되는 초고은 전기로용 지르코니아 발열체의 구조; 상기 지르코니아 발열체에 개재되는 발열체가 상기 연결부 발열체 및 발열부 발열체의 중간 직경을 가지는 1개의 발열체인 1개의 발열체인 초고은 전기로용 지르코니아 발열체의 구조 및 상기 지르코니아 발열체에 개재되는 발열체(들)의 총길이가 3.54에서 1cm인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조를 제공한다.1.외부 전기로 및 내부 전기로를 가지는 2중구조의 초고온 전기로에 사용되는, 연결부 발열체 및 발열부 발열체로 이루어지는 지르코니아 발열체의 구조에 있어서, 상기 발열체들 사이에 상기 연결부 발열체보다는 크고 상기 발열부 발열체보다는 작은 직경을 가지는 발열체가 1개 이상 개재되는 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조.2. 제1항에 있어서, 개재되는 상기 발열체는 상기 연결부 발열체 및 발열부 발열체의 중간 직경을 가지는 1개의 발열체인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조.3. 제1항에 있어서, 개재되는 상기 발열체(들)의 총길이가 3.54에서 1㎝인 초고온 전기로용 지르코니아 발열체의 구조
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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