산업기술 통합검색
정밀 초전도 자석 시스템 생산을 위한 장치가 개발되었다. 장치는 다음과 같이 구성된다.· 감는 기계· 감는 기계를 설치하기 위한 장비· 시험 시설이 장비를 사용하여 샘플로 제작된 솔레노이드최대 영역: 4.2K에서 7.35T최대 영역에서 가진 전류:36A기본 수치내부 지름:52.4mm외부 지름:101mm길이: 202mm전압을 가하여 전류를 멈추게 하기 위한 열 저항:156Ω영속 스위치 열 저항 95Ω필드 없는 스위치 전류:20mA보통 영역에서의 스위치 저항:10Ω저가, 완성된 기술, 대량 생산의 가능성
천연 규암을 분쇄처리 및 정제하여 하기의 규격을 갖춘 실리카 미분체의 실용공정기술을 개발함 - 입자경 : ＜ 15㎛ - 형 상 : 구 형 - 순 도 : ＞ 99.8％· 생산공장의 설계를 하나의 새로운 소재공정 플랜트기술로 패키지화할 수 있음 · 입도 및 불순물 제어가 일련의 분쇄공정에서 이루어지므로, 공정의 단순화 및 투자비 감소를 꾀할수 있음
· 사파이어 c면 또는 6H-SiC 위에 헤테로에피탁시 기술로 GaN 박막을 제조 · buffer 제조기술 사용 · 고온기상 박막 제조 기술 · Metal Organic CVD 기술 · Halide VPE 기술 · Laser VPE 기술· 고부가가치 반도체 소재로써 차세대 첨단 장비에 고밀도 메모리 디스크 및 저전압 구동형 삼차원 전광판으로 그 수요가 크게 증가할 전망임 · 6H-SiC를 사용하면 반응시간과 반응원료를 크게 줄일 수 있으므로 원가 절감 · 6H-SiC 위에 고품위 GaN 박막을 만듦으로 높은 정밀도의 고성능 디바이스를 만들기에 유리함
팔라듐, 구리, 니켈이온 중에서 적어도 두 종류 이상의 금속 이온을 다공성 물질 (합성 혹은 천연 제올라이트, 알루미나, 활성탄, 및 그들의 혼합물)에 함께 도입시킨 촉매의 제조방법으로서 활성금속을 담체에 도입시키는 방법은 침윤법, 적심법, 이온교환법 등을 이용함. · 기존 귀금속 담지 촉매에서 활성금속을 귀금속 대신 전이금속으로 대치시켜, 경제적임 · 제조방법이 간편 · 일산화탄소 제거능은 실온에서 적어도 85% 이상 유지· 수증기 공존하에서 양호한 성능 발휘- 기존 귀금속 담지 촉매에서 활성금속을 귀금속 대신 전이금속으로 대치시켜, 경제적임- 제조방법이 간편- 일산화탄소 제거능은 실온에서 적어도 85% 이상 유지- 수증기 공존하에서 양호한 성능 발휘
· 배기가스 중 질소산화물(NOx)을 프로판을 환원제로 사용하여 선택적으로 제거시킬 수 있는 금속담지 제올라이트 촉매의 제조 및 이용 방법에 관한 기술임. 구리, 코발트, 알칼리토금속, 란타늄 금속이온 중에서 둘 이상의 금속을 제올라이트에 담지 (이온교환법, 적심법, 고상반응법)시켜 제조하였으며, 질소산화물 제거 효능은 배출되는 질소산화물의 농도에 따라 반응온도, 산소 및 프로판 농도를 변화 시키며 최적화시킬 수 있다. · 경제적이며, 쉽게 구할 수 있는 프로판을 환원제로 사용 · 기존 귀금속 담지 촉매에서 활성금속을 귀금속 대신 전이금속으로 대치시켜, 경제적임 · 과량의 산소 공존하에도 촉매 성능 지속 · 제조방법이 간편 · 반응온도 420 ℃에서 900 ppm의 질소산화물을 적어도 85% 제거 가능· 수증기, SOx, CO, 등 공존하에서도 촉매 성능 지속
몰리브덴을 비롯한 활성성분을 중심으로 하여 코아 부분을 만들고 여기에 다시 쉘 부분을 형성하도록 하여 소위 "코아-쉘"이라는 새로운 개념을 바탕으로 촉매를 제조하므로써 우수한 활성을 나타내는 "코아-쉘 구조를 갖는 아크릴로니트릴 제조용 신규 촉매"의 개발· 프로필렌을 반응물로 하여 아크릴로니트릴을 제조할 수 있는 고선택성 촉매개발 - 새로운 형태의 Bi-Mo 계열 혼합산화물 촉매 - 기존의 상용촉매보다 2배 이상 성능이 우수 - 선택성의 향상으로 부산물 생성이 감소 (아크롤레인, 아세토니트릴 등 0.2% 수준)
· 레이저 발진봉의 제품 제작 기술 · 단결정 : Nd : Y3A15O12 단결정 · 규격 : 3∼13±0.025㎜ × 5∼152.4±0.25㎜ · Perpendicularity : < 5 arc min · Parallelism : < 10 arc sec. flatness : λ/10 (6328A) · Coating : single layer antireflection(반사율 < 0.25%)· 기판소재의 제품제작 기술 · 단결정 : Sapphire, ruby (특수이온 도핑 가능) · 방위 : (0001), (1102), (1012), (1010) · 최대크기 : 50㎜ × 50㎜ × 0.5/1.0㎜ ± 0.02㎜ 방위 · 정밀도 : 0.5° flatness : ≤ 1㎛/10㎜ · Parallelism : ≤ 0.2° transmission range : 0.2∼6.0㎛ · Scratch free, colorless, one or two sides epi. pol.
· 수열법을 이용하여 1,500기압, 400℃의 조건으로 대형 (3∼4㎏) 압전수정 합성· 합성된 단결정을 정밀가공하여 웨이퍼 제조· 생산성 : 5개월에 원석 350㎏(웨이퍼 5,000unit 제조)생산· 결함밀도 : 진동자용 수정의 1/10이하· 원석의 형상을 제어하여 고품위 원석 합성기술
본 발명은 열에너지 저장매체인 고-액 상변화 물질을 안정화 시키기 위하여 카르복실메틸 셀룰로즈를 증점제로 사용하여 망상구조의 겔을 형성시켜 상분리를 해결하고, 조핵제를 사용하여 과냉각을 해결한 새로운 조성의 안정된 잠열축열재이다.
생분해성 및 생체적합성을 지닌 지방족 폴리에스테르의 소수성 특성을 보완하며 결정화도, 생분해특성을 조절하기 위하여 친수성을 띠는 폴리에틸렌글리콜을 개환반응을 통하여 그라프트 시키는 합성법과 합성에 의해 제조된 물질에 관한 것이다.의료용 재료로 응용될 수 있는 새로운 고분자 재료의 합성과 합성된 재료에 관한 것이다. 기존의 생분해성 의료용 재료들은 소수성 특성만을 지니고 있어 단백질 약물의 방출이나 인체내 존재하는 단백질이 흡착되는 특성으로 인하여 다양한 의료용 재료의 응용에 제약이 있었다. 이에 본 발명에서는 생체친화성을 나타낸는 폴리에틸렌글리콜을 지방족 폴리에스테르에 그라프트율과 그라프트되는 분자량을 바꾸며 그라프트함으로써 지방족 폴리에스테르의 결정성, 생분해특성을 조절할 수 있는 신물질 합성을 보여주고 있다. 이와 같은 합성법을 통하여 기존의 γ광선등을 통하여 표면 일부만을 개질시키고 재료의 손상을 주는 방법을 지양하는 화학적 방법에 의한 폴리에틸렌글리콜이 지방족 폴리에스테르에 그라프트시킬 수 있게 되었다. 화학적 합성법을 통하여 폴리에틸렌글리콜이 지방족 폴리에스테르에 그라프트된 신물질이며 그라프트율과 그라프트 길이에 의해 다양한 물성을 나타낸다.
-SrTiO3는 비저항이 1013cm 인 부도체이지만, dopant를 첨가하여 환원 소결을 하면 특정한 입계특성을 가지는 반도성 소결체가 된다. SrTiO3 는 높은 유전상수(k=100,000)와 낮은 손실계수(0.5%이하)를 가지기 때문에 BL콘덴서 제조에 이용되며 특정한 물질을 입계확산 시킴에의해 우수한 비선형 전류 전압 특성과 서지내량을 가지는 바리스터로 제조된다. 이들 SrTiO3 계 바리스터는 콘덴서 특성을 겸하기 때문에 바리스터로서의 서지 전류흡수 뿐아니라 우수한 노이즈 흡수와 더불어 빠른 인펄스성 에너지의 흡수 기능을 갖게 된다. 본 연구에서는 순도99.9% 이상의 SrCO3, TiO2, Nb2O5 을 출발물질로 하였으며 1400-1550℃ 온도 범위에서 환원 소결하여 반도성 소결체를 제조한 후 이차 열처리를 통하여 Na2O, K2O 등의 받게(acceptor)역할을 할 수 있는 금속산화물을 800-1100℃ 의 온도 범위에서 0.5h-4h을 입계확산시켰다.환원분위기(N2:H2=9:1) 에서 제조된 소결체는 반도성을 나타내었으며 이차열처리한 소결체는 일정크기의 전기적 포텐셜 장벽이 형성되어 문턱전압이 10-70V인 비선형 전류 -전압 특성을 나타내었다.
최근 이동 통신, 정보 통신 등 전자통신 산업의 급속한 발전과 함께 관련 통신전자 소자의 고속화·고밀도화 및 경량화의 요구에 부응하여 다수의 다양한 고성능 소자가 한 개의 작은 chip으로 집약되고, 전자기기들의 소형화가 경쟁적으로 진행되면서 카메라 일체형 VTR, 휴대용 personal computer, 휴대용 TV, 휴대폰 등 휴대용 전자기기에 있어서 소모 전력 및 전원의 극소화를 위한 노력이 대대적으로 이루어지고 있다. 그러나 현재까지 상기 기기들의 소모전력을 낮추는 기술은 어느 정도 가시화 되어 왔으나 상대적으로 전원의 크기는 감소하지 않아 전자기기 소형화에 걸림돌이 되고 있어 전지의 소형화는 매우 절실한 문제가 되고 있다. 따라서 차세대 전자제품용 이차전지의 박막화는 폭넓은 기술적 경제적 파급효과를 가져오리라고 예상된다. 리튬박막이차전지는 산화물 계통의 양극 및 고체전해질을 사용함으로 기존의 리튬이온전지에 비해 안정성을 확보할 수 있고, 제조 방법이 반도체 공정에 사용되는 sputter, CVD, evaporator와 같은 진공장비를 사용함으로써 반도체공정과의 호환성이 우수하고 임의의 크기 및 형태로 제작 가능하다. 또한 넓은 사용 온도범위(-20℃∼100℃)를 가지며 이차원적인 평면구조의 전지의 생산이 가능하고 리튬전지의 내부저항이 큰 단점을 전해질의 박막화로 극복함으로써 상대적으로 낮은 이온전도도를 지닌 물질의 사용도 가능하게 해준다.
최근에는 높은 에너지 밀도와 긴 수명을 갖는 전지를 개발하기 위해 고체 전해질을 사용한 고체전지에 대해 많은 연구가 이루어지고 있다. 고체전지는 기존 액체전해질을 사용하는 전지에 비해 누액의 염려가 없으며 진동 및 충격에 대한 저항성이 높으며, 공해를 일으키지 않는 장점이 있다. 또한 액체전해질을 사용하는 경우 이온전도를 위한 액체전해질과 양극과 음극을 전자전도로부터 격리하는 격리판이 있어야하는데 고체전해질을 사용하는 경우 양극과 음극을 격리하는 동시에 이온을 전달하기 때문에 단층으로 형성을 할 수 있다. 또한 전지 요소가 모두 고체이기 때문에 박막 제조 공정을 이용하여 두께 10μm이하인 박막전지를 제조할 수 있다. 이러한 박막 2차전지는 용량이나 구동전압도 단위전지를 직렬 또는 병렬로 연결하여 다중 셀을 형성할 수 있으므로 반도체 집적 회로, 마이크로 센서, 마이크로 엑츄에이터, 등의 자가전원으로 매우 적합하게 응용될 수 있다. 특히 최근에 자기카드의 발전된 형태인 IC카드에 전원으로 사용할 경우 지시계를 탑제하여 카드 판독기 없이 내용을 볼 수 있는 스마트카드의 실현에 큰 도움을 줄 것이다. 고체 전지에 사용되는 여러가지 고체 전해질 재료 중에서 리튬 이온 전도성 고체 전해질은 리튬의 질량이 낮고, 높은 분해 전압을 갖는 특성때문에 관심이 집중되고 있다. 최근에는 높은 이온전도도와 분해전압, 리튬과 반응하지 않는 화학정 안정성 등, 여러가지 장점을 지닌 Li-P-O-N계 전해질이 개발되어 많은 연구가 이루어지고 있다. 그러나 여러가지 장점에도 불구하고 Li-P-O-N계 박막전해질은 아직까지 체계적인 연구가 이루어지지 않았다. 따라서 본 연구에서는 Li-P-O-N계 박막 고체전해질의 박막 증착 조건에 따른 구조변화가 리튬 이온전도도에 미치는 영향을 고찰하였고, 그 결과를 토대로하여 박막전지에 사용하기에 적합한 전해질의 증착조건과 조성을 확정하여 V2O5양극을 사용하여 Li | LIPON | V2O5 박막전지를 구성하였다. 제작된 박막전지를 사용하여 전지의 성능을 저하하는 요인을 밝히고 이를 개선하여 고성능 박막 2차전지를 개발하였다.
연료전지(fuel cell)는 연료의 산화반응에 의한 화학에너지를 전기에너지로 변환하는 시스템으로서, 에너지효율면이나 환경면에서 기타의 에너지원에 비해 많은 장점을 지니고 있어 미래의 고효율, 청정에너지원으로서 주목받고 있다. 본 연구실에서는 고체 전해질형 연료전지의 핵심구성요소이며, 연료전지의 효율을 결정하는데 가장 중요한 고체전해질 조성 및 제조공정의 개발에 역점을 두어 왔다. 연료전지용 고체 전해질은 특성에 있어서 높은 이온전도도, 강한 내환원성, 낮은 소결온도 등을 필요로 하는데, 현재 상업화되어 있는 대표적인 조성인 이트리아 안정화 지르코니아(YSZ)의 경우 낮은이온전도도로 인한 높은 작동온도 및 낮은 소결성으로 인한 높은 제조온도의 단점을 지니고 있다. 본 연구실에서는 전해질 내환원성에 대한 평가방법 개발을 통하여 세리아(CeO2)계 전해질의 낮은 내환원성의 단점을 극복하면서 동시에 높은 이온전도도를 가지는 Y-doped ZrO2 - CeO2 전해질조성을 개발하였다. 또한 이 조성들의 실제 응용을 위해 요구되는 소결온도 저하를 위해 침전공정을 개선한 저온 소결공정을 확립하였다.전해질 내환원성에 대한 평가방법 개발을 통하여 세리아(CeO2)계 전해질의 낮은 내환원성의 단점을 극복하면서 동시에 높은 이온전도도를 가지는 Y-doped ZrO2 - CeO2 전해질조성을 개발
고주파 저손실 Mn-Zn Ferrites 의 공정연구와 첨가제 제어를 통하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1) 승온시 환원성 분위기 (0.2%)를 유지시킬 경우 oxygen mobility 를 증가시켜 밀도의 증가를 얻을 수 있었으며, 100 kHz 에서 hysteresis loss 감소에 의한 전체 손실감소 효과를 얻을 수 있었다. 2) 저온소결공정을 통하여 미세한 grain size 를 가진 시편의 경우 eddy current loss 가 주도적인 500 kHz 영역에서 낮은 손실값을 나타내었다. 이는 미세구조상에서 grain boundary 숫자의 증가로 비저항값이 증가하여 eddy current에 의한 손실을 감소시켰기 때문이다. 3) 기존의 SiO2-CaO 첨가제 system 에 비하여 Ta2O5 가 첨가되었을 경우 입자가 보다 균일하게 분포하는 현상을 관찰할 수 있었다. 또한 이 경우 A 값을 낮추어 소결하였을 때 낮은 손실특성을 얻을 수 있었다. Ta2O5를 이용한 3 additive system에 제 4 의 첨가제를 통하 여 손실을 20% 이상 감소시켰다. 이는 주로 hysteresis loss 감소에 기인한 것으로 판단된다. 4) Milling 시간이 증가함에 따라 과대입성장을 이룬 grain의 수가 증가하였으며 소결밀도가 증가하였다. 전자기적 물성은 5 시간동안 milling을 수행한 시편이 가장 우수하였다. 하지만 이러한 경향은 첨가제와 소결온도에 따라 민감하게 변하였다. 이상의 연구를 통하여 100℃ 500kHz 500Gauss 에서 200mW/cc 이하의 손실특성을 갖는 시편을 제작하였다.
제 1 세부과제 : 고주파 SMPS용 페라이트 소재 및 코아개발 소결공정을 통한 미세구조 제어및 단위공정 연구를 통하여 각각의 공정변수에 따른 손실변화를 연구하였으며, 3성분계 이상의 첨가제가 Power Loss 감소에 미치는 영향을 관찰하여 100℃ 500kHz 500Gauss 하에서 200mW/cc 이하의 손실특성을 갖는 코아를 개발하였다. 또한 페라이트 소결시 소성공정 변화에 따른 전자기적 특성의 변화를 고찰하였다. 제 2 세부과제 : EMI, EMC 페라이트 소재 및 코아개발 Chip형 EMI filter용 저온 소결 페라이트 소재 개발에 관한 연구 결과 EMI 주파수 대역인 1∼1000MHz 범위에서 사용가능한 chip bead ferrite 소재를 개발하여 체계화하고, chip bead의 ferrite/electrode 계면현상을 검토하였다. 또한 tape casting 양산공정에 미치는 인자효과들을 살펴보았으며, 임피던스, 직류저항, 납땜성이 우수한 칩 비드 시작품을 제작하였다. 제 3 세부과제 : Co-roasting 에 의한 Mn-Ferrite 제조 다양한 종류의 원료를 이용하여 복합폐산수용액을 제조하였으며, 각각의 원가와 제조공정등을 고려해 볼때 Ferro Mn 이 가장 경제성이 있는 원료로 판명되었다. 또한 pH 조절법과 응집제등 다양한 방법을 통하여 불순물을 제거하였으며 이로부터 소프트 페라이트의 요구조건을 만족시키는 복합수용액을 제조하였다.
-자계를 가하면 물체에 변형을 생기게 하는 자성재료를 자기변형재료라 한다. 자기변형재료는 변위량이 적으나 외부의 교류자계 변화에 의해서 비접촉으로 소자에 변위를 생기게 할 수 있으므로, 케이블리스 센서 및 엑추에이터로서 작동시킬 수 있는 특징을 가지고 있다. 특히 초자기변형소자는 압전소자에 비해서 대출력, 대변위를 가지고, 또 단위응력당 질량이 적은 이점이 있다. 따라서, 앞으로 초소형 엑추에이터 및 자기센서로서 이용될 가능성이 크다. 1. 센서용 자기변형재료 : 정밀측정, 생산자동화 및 자동제어 등에 필수요소로 사용되는 계측소자(sensor)는 대부분이 피측정 물리량을 전기적 신호로 변환시키며, 나아가 컴퓨터와 연결하여 주는 매체로서, 모든 측정분야에서 중요한 역할을 한다. 자기변형재료를 이용한 센서의 장점은 그 측정원리가 간단하다. 따라서 신뢰성 및 재현성이 우수하고 가격이 비교적 저렴하다. 특히 우수한 신뢰성 때문에 생산자동화, 자동제어 및 군사용에 많이 사용되고 있다. 이러한 장점에도 불구하고 센서의 동적특성, 선형도 및 크기가 다른 센서에 비하여 우수하지 못하여 응용에 제한을 받아왔다. 이러한 단점을 보강하기 위하여, 최근에 개발된 비정질 자성재료를 사용하여 센서의 특성을 향상시키고 있다. 2. 엑추에이터용 초자기변형재료 : 기존의 자기변형재료(약 40×10-6)보다 훨씬 큰 자기변형값을 가지는 재료를 초자기변형재료라 하는데, 이러한 초자기변형재료는 1960년부터 미국을 중심으로 행한 희토류 자성재료의 연구에 의해 실온에서 10-3 정도의 변위량을 가지는 소재(Tb-Dy-Fe계 합금)가 개발되었다. 그후의 일축결정성장기술 등의 개발에 의해 비교적 작은 자계속에서도 큰 자기변형을 얻을 수 있게 되었다.
-칩 인덕터는 최근 통신 시스템의 고주파화로 응용 주파수 대역이 높아짐에 따라, 이동 통신용 송수신 공유기, 휴대용 단말기 RF 전력회로, 무선 수신기 및 무선 LAN용 위성방송 수신기, RF 신호필터, EMI/EMC 대책용 부품 등으로 사용된다. 본 연구실에서는 chip inductor용 페라이트 조성과 제조 공정을 개발하였고, 칩화 구현을 위한 페라이트 그린시트 제조기술과 적층화 기술(적층 온도, 압력 및 열처리 조건) 및 소재의 측정 평가 기술을 보유하고 있다. 일반적으로 자성 특성의 열화없이 칩 인덕터를 고주파화하는 것이 어려우며, 응용 주파수가 높아짐에 따라 손실이 증가한다. 또한 소성시, 내부전극과 페라이트간의 반응으로 칩의 자성특성이 열화되는 것도 빼 놓을 수 없는 문제다. 본 연구실에서는 900℃ 이하에서 이론밀도의 95%이상인 소결밀도를 얻을 수 있는 공정을 개발하였고, 응용 주파수 수-100 MHz, 초투자율 수십-1000, 포화자화 4000 Gauss 이상, 고유저항 109 Ω㎝ 이상을 구현할 수 있는 다양한 페라이트 재질을 개발하였다. 손실 특성을 개선하기 위해 첨가물에 대한 연구를 수행중이며 현재 10 MHz에서 Q가 30 이상인 재질을 개발하였다. 더불어 칩의 내부전극 재질과 페라이트 재질의 개선을 통한 반응 억제 연구와 반응기구에 대한 기초연구를 수행하고 있다
연구목표인 Chip형 페라이트 필터의 시작품 제작 및 chip 소형화 연구를 달성하기 위해첫째, 900℃에서 소결이 가능한 NiCuZn계 페라이트 소재를 투자율별로 200, 400, 600, 800의 4개 group으로 구분하여 개발하고 체계화 하였으며, 둘째, 저온 소결용 NiCuZn계 페라이트 분말과 유기물의 혼합조건 변화에 따른 그린시트의 기계적 물성 변화에 대한 연구를 통해 적층성 및 절단성등의 기계적 물성이 우수한 페라이트 그린시트를 제조하였으며, 셋째, 유한 요소법을 이용한 simulation을 통해 내부전극 패턴을설계하고 페라이트 그린시트 위에 설계된 내부전극 패턴의 인쇄조건 및 Viahole filling 조건 선정 실험을 실시하여 최종적으로 임피던스 42 , DC저항 0.06 의 특성을 가지는 3216형의 Chip형 페라이트 필터 시작품을 제조하였다.이러한 연구결과를 바탕으로 Chip형 페라이트 필터용 소재 및 제조방법에 대한 특허를 8건 출원하였다.
자장중 분말사출성형에 의한 HDD용 다극 이방성 Sr-페라이트 소결자석의 제조에 관한 연구를 통하여 다음과 같은 결론을 얻었다.1) PW:CW:HDPE:SA=50:15:30:5 (wt.%)인 다성분계 결합제는 유동성과 성형체의 강도가 우수하였으며, 효과적인 용매추출과 열분해에 의한 결합제제거가 가능하였다. 1.0 m의 평균입도를 갖는 Sr-페라이트의 충전율이 52vol.%인 성형체를 6 kOe의 자장하에서 사출성형할때, Sr-페라이트 자성분말의 방향성은 86%의 최대값을 나타내었다. 2) 자장중 사출성형시 1600 sec-1의 전단속도에서 자성분말/결합제 혼합물의 겉보기점도가 1000 poise이하인 성형체는 4 kOe의 자장에서도 80%이상의 Sr-페라이트 자성분말의 방향성을 나타내었다. 3) n-헵탄에 의한 PW의 추출속도는 에탄올에 의한 PEG의 추출속도보다 약 10배정도 큰 값을 나타내었다. PW와 PEG의 추출율은 용매의 온도, Sr-페라이트의 입도에는 비례하였고, Sr-페라이트의 충전율, PW와 PEG의 분자량 및 첨가량, 그리고 시편의 두께에는 비례하였다. 4) 열분해에 의한 결합제의 제거를 쉽게하는 연속적인 기공은 30wt%이상의 PW또는 PEG를 용매추출로 제거한 후 성형체내에 형성되었으며, 잔류결합제인 CW:HDPE는 1℃/min의 승온속도에서도 결함없이 제거가능하였다. 5) 열분해에 의한 결합제의 제거속도는 Sr-페라이트의 평균입도와 제거된 PW의 양에 비례하였으며, 결합제의 분자량, 시편의 두께 및 Sr-페라이트 충전율에는 반비례하였다. 6) 분말사출성형으로 제조된 이방성 Sr-페라이트 소결자석의 극방향으로의 자성분말의 방향성은 약 85%를 나타내었고, 자기특성은 3.8kG의 잔류자속밀도와 3.4 kOe의 보자력을 나타내었다.