일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 혼신방지 및 비화기능을 갖는 전화시스템 제어방법은 공중 전화 교환망에서 통화자간의 운용 중 혼신방지 및 비화기능을 갖는 전화시스템 및 제어에 관한 것이다.본 시스템은 공중 전화 교환망을 이용한 전화시스템에 있어서, 비화모드와 일반 통화 모드로 구분되며, 운용 중 혼신방지 및 비화기능을 갖는 기능이 있으며, 음성신호를 디지털 신호로 변환하는 코덱부, 공중 전화 교환망으로 음성데이터를 보내는 모뎀부, 공중 전화 교환망 사이의 절연 및 과전류 보호를 위한 DAA부, 다이얼링을 위한 키패드부, 현재의 상태 및 전화번호 표기를 위한 디스플레이부, 이들을 제어하기 위한 마이크로 컨트롤러로 구성이 되며, 코덱부에서 보낸 음성 데이터를 암호화, 복호화 및 전화기 시스템을 제어하기 위한 제어프로그램을 탑재하여, 공중 전화 교환망에서 통화자간의 운용 중 혼신방지 및 비화기능을 갖는 전화기 시스템간의 정보를 주고받음을 특징으로 한다.본 발명은 특히 일반 공중 전화 교환망을 이용하여 통화를 할 시 통화내용에 대한 비밀유지가 필요한 통화자간의 혼신방지 및 비화기능을 제공한다.본 발명은 공중 전화 교환망에서 통화자간의 운용 중 혼신방지 및 비화기능을 갖는 전화시스템 및 제어에 관한 것이다.본 발명은 특히 일반 공중 전화 교환망을 이용하여 통화를 할 시 통화내용에 대한 비밀유지가 필요한 통화자간의 혼신방지 및 비화기능을 제공한다. 본 시스템은 공중 전화 교환망을 이용한 전화시스템에 있어서, 상기 시스템은, 비화 통화와 일반 통화 모드로 구분되며, 음성신호를 디지털 신호로 변환하는 코덱부, 공중 전화 교환망으로 음성데이터를 보내는 모뎀부, 공중 전화 교환망 사이의 절연 및 과전류 보호를 위한 DAA부, 다이얼링을 위한 키패드부, 현재의 상태 및 전화번호 표기를 위한 디스플레이부, 이들을 제어하기 위한 마이크로 컨트롤러로 구성이 되는 운용 중 혼신방지 및 비화 기능을 갖는 전화기 시스템간의 정보를 주고받음을 특징으로 하는 시스템
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- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2006-05-11
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전기·전자 > 소자응용 기술
* 원리 및 구성 본 기술은 부저항소자를 이용하여 범용 연산증폭기의 전압이득을 크게 증가시키는 방법 및 이 방법에 의하여 구성된 증폭기에 관한 것으로,연산증폭기의 출력단에서 출력저항과 병렬로 부저항소자를 연결함으로써 이루어진다. 상기 부저항소자는 교차연결된 인버터를 사용하여 구성하고, 상기 연산증폭기의 정 및 부의 출력노드를 상기 교차연결된 인버터의 입력에 연결한다. 상기 부저항소자는 정규적 CMOS, NMOS 또는 바이폴라 증폭기를 사용하여 구현할 수 있다. * 배경 본 기술은 기존의 피드백루프내의 OTA, 또는 복제증폭기를 사용하는 방법에 비하여 간단하고 효율적일 수 있도록 하였다. * 중요성 및 독창성간단한 차동증폭기를 설계하여 이의 이득을 본 발명의 방식으로 개선하면 경제적인 저가 고성능 연산증폭기를 얻을 수 있다. 특히 전압이득이 높지 않은 광대역 증폭기의 이득을 개선하는데 매우 효과적이다.* 주요 적용 제품 아날로그 집적회로, 범용 연산증폭기* 특징 및 장점 - 첫째, 부저항소자를 사용하여 증폭기의 출력저항과 병렬로 연결되면 부저항소자의 보상역할 때문에 전체출력저항은 증가한다. 이 소자는 40 dB 이상의 충분한 추가적인 이득을 제공한다. - 둘째, 경제적인 저가 고성능 연산증폭기를 얻을 수 있고 특히 전압이득이 높지 않은 광대역 증폭기의 이득을 개선하는데 매우 효과적이다.- 셋째, 기존의 피드백루프내의 OTA, 또는 복제증폭기를 사용하는 방법에 비하여 훨씬 간단하고 효율적이므로 이들에 대해 매우 양호한 대안이 될 수 있다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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전기·전자 > 소자응용 기술
기존의 유기발광 소자의 경우 발광층을 단일층이나 다층구조를 사용함으로써 효율이 낮고 발광되는 부분의 폭이 협소하여 전류 증가에 따른 안정화된 색을 얻을 수 없는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 전자 및 정공 이동층의 경계면을 계단형의 농도로 섞인 구조를 통하여 정공 및 전자 수송층과 발광층 사이의 이종접합을 정공수송층과 전자수송층 물질을 혼합해 전하가 통과하는 장벽의 높이를 점진적으로 변화시키고 발광층을 정공수송층과 전자수송층 및 에너지 전달 유기물질을 1:1:1 로 혼합한 층 위에 다중 양자 우물 발광구조를 사용하면 발광물질로의 에너지 전달효율을 증진하여 정공과 전자의 재결합 확률을 높일 수 있기 때문에 발광효율이 증진한다. 발광 부분을 여러 개의 다층 구조로 분산시킴으로 전류가 증가함에도 높은 발광 효율을 보이고, 양자우물 구조의 종류, 개수, 위치 및 두께에 따라 발광분광학의 조절이 가능 할 것이다.전자 및 정공이동층의 경계면을 계단형의 농도로 섞인 구조를 통하여 정공 및 전자 수송층과 발광층 사이의 이종접합을 정공수송층과 전자수송층 물질을 혼합해 전하가 통과하는 장벽의 높이를 점진적으로 변화시키고 발광층을 정공수송층과 전자수송층 및 에너지 전달 유기물질을 같은 비율로 혼합한 층 위에 다중 양자 우물 발광구조를 사용하여 전류 대 발광효율이 우수하고, 소자 내부의 열화 특성 및 국부적으로 발생하는 강한 전계 현상을 제거하고, 전류가 증가함에도 색특성의 안정화 된 고효율의 발광소자를 제작하는 방법 제시.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명은 유기발광소자에서 발광층에서 정공과 전자의 수를 균일하여 형성하여 고효율 유기발광소자를 제작하는 새로운 방법을 제시하고 있다. 나노크기의Ni 박막을 ITO 기판위에 증착하여 열처리를 통하여 NiO 완충층을 형성하고 형성된 NiO 완충층을 유기발광소자의 양극전극과 정공수송층 사이에 삽입한 새로운 유기발광소자 제작방법을 제안한다. ITO 양극전극과 정공수송층 사이에 NiO 완충층을 사용한 유기발광소자의 발광특성이 NiO 의 완충층을 사용하지 않는 유기발광소자의 발광특성보다 향상됨을 확인하였다. NiO 완충층을 삽입한 유기발광소자의 전기적 및 광학적 특성을 조사한 결과 ITO 양극전극과 정공수송층사이에 나노크기의 NiO 완충층을 삽입하면 새로운 고효율 유기발광소자를 제작할 수 있으며 본 발명에서는 고효율 유기발광소자를 제작하기 위한 새로운 구조제작방법을 제시한다.고효율 유기발광소자 제작을 위해 NiO 완충층을 사용하는 유기발광소자는 Ni 금속을 ITO 기판위에 5~10 nm 두께로 열증착하는 단계와 열처리과정단계인 두단계 공정을 사용하여 완충층을 형성한다. 형성된 완충층을 사용하는 유기발광소자의 양극전극과 정공수송층사이에 삽입하므로서 고효율 유기발광소자를 제작할 수 있는 새로운 제작방법을 제시한다. NiO 완충층을 사용하는 고효율 유기발광소자는 열증착과 열처리의 저비용 공정으로 제작가능하여 이 제작방법을 상용화할 경우 고효율, 저저가 유기발광소자를 제작할 수 있다. NiO 완충층을 사용하는 유기발광소자를 적용한 디스플레이 소자 제작으로 국내외 시장성은 수천억불에 달할 것으로 추산된다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명에서는 유기발광소자의 발광층 호스트물질의 발광효율 및 발광수명을 증진하기 위하여 발광층의 에너지 갭보다 큰 에너지 갭을 갖는 유기불순물을 발광층에 첨가하여 기존의 유기발광소자보다 발광효율이 높고 발광수명이 긴 유기발광소자 제작방법을 제시한다. 발광층에 에너지갭이 큰 유기물을 첨가한 결과 발광층 호스트물질로 발광을 하는 소자보다 향상된 발광효율 및 수명을 보여준다. 에너지 갭이 큰 불순물의 첨가는 고효율, 장수명 유기발광 소자의 새로운 구조를 제안한다.본 발명은 유기발광소자의 발광층에 발광호스트의 에너지 갭보다 큰 비발광 불순물을 첨가하여 제작된 고효율 및 장수명 유기발광소자의 구조를 제안한다. 첨가된 비발광 불순물은 공간전하를 감소하여 전자 및 정공의 주입효율을 향상시키며 발광층으로 주입되는 전하의 에너지 장벽을 높여 발광층에서 엑시톤 형성확률을 높여 발광효율도 향상하였다. 또한 발광층으로 주입되는 정공을 제한하고 발광층에서 정공의 분포를 감소시켜 소자의 수명도 크게 향상되었다. 에너지 갭이 큰 비발광 불순물을 첨가한 고효율 및 장수명 유기발광소자는 능동형 유기발광소자의 상용화에 중요한 원천기술을 제공한다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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전기·전자 > 소자응용 기술
*원리 및 구성이 기술은 고전압 소자가 형성되는 반도체 기판에 트렌치(trench)를 형성하고, 이 트렌치의 내부 측면에 게이트(gate)를 형성한 전계효과(field effect) 고전압 소자(high voltage device)의 구조와 그 제조 방법에 관한 것으로, 이 기술의 고전압 소자는 제 1 도전형 반도체 기판과, 상기 제 1 도전형 반도체 기판상의 소정 영역에 정의된 트렌치 영역을 제외한 상기 제 1 도전형 반도체 기판상에 형성된 제 1 도전형 제 1 반도체층과, 상기 트렌치 영역 하부의 상기 제 1 도전형 반도체 기판에 형성된 제 1 도전형 제 2 반도체층과, 상기 제 1 도전형 제 2 반도체층내에 형성된 제 2 도전형 드리프트 영역과, 상기 트렌치 영역 양측의 상기 제 1 도전형 제 1 반도체층에 형성되며, 상기 트렌치에 대응되는 방향의 소정영역에 형성된 소오스 영역과, 상기 제 2 도전형 드리프트 영역내에 형성된 드레인 영역과, 상기 제 1 도전형 반도체 기판 및 제 1 도전형 제 1 반도체층 사이에 절연막을 사이에 두고 상기 트렌치 영역 양측면에 측벽형상으로 각각 형성된 게이트 전극과, 상기 제 1 도전형 제 2 반도체층에 형성되며, 상기 게이트전극과 대응되는 방향의 상기 소오스 영역 측면에 형성된 제 1 도전형 제 3 반도체층과, 상기 소오스 영역 및 제 1 도전형 제 3 반도체층과, 상기 드레인 영역에 콘택홀을 통해 각각 연결된 소오스 및 드레인 전극을 포함하여 구성된다.*특징 및 장점저전압 소자 공정과 호환이 가능하면서, 수직형 게이트를 형성시켜 기존의 구조에서 게이트가 차지하는 면적을 줄일 수 있고 필드 플레이트를 추가적인 비용 없이 사용 할 수 있다. 또한 기존의 고전압 소자 구조에 비해 단위 면적당 전도저항이 매우 낮으며, 공정 호환성이 뛰어나다. *적용분야-고전압 집적회로에 사용되는 고전압 소자로 사용될 수 있다. -단위 면적당 전도저항이 매우 작은 고전압 소자로 사용될 수 있으며 필드 플레이트를 형성시키는 비용을 절감할 수 있다. -단위 면적당 전도저항의 감소로 인한 시스템의 성능 향상 및 비용 절감이 가능하다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
○ 기술발명의 목적: 3상 다이오드 정류회로의 입력 전류에 함유된 고조파를 저감○ 기술 요약 및 특징: 본 발명은 3상 멀티 레벨 전압원 컨버터에 관한 것으로, 제1, 제2, 제3 전압원으로부터 출력되는 제1, 제2, 제3 전류를 각각 유기시킨 제1, 제2, 제3 유기 전류를 정류시켜 부하측에 제공하는 3상 다이오드 브리지 정류부; 제1, 제2, 제3 유기 전류에 함유된 고조파를 저감시키는 레벨 변환 보조부; 및 1차측 권선의 일단 및 2차측 권선의 일단이 레벨 변환부에 연결되고, 1차측 권선의 타단이 제1 캐패시터를 경유하여 3상 다이오드 브리지 정류부의 일단에 연결되고, 2차측 권선의 타단이 제2 캐패시터를 경유하여 3상 다이오드 브리지 정류부의 타단에 연결된 단상 변압기로 구성된다. 따라서, 3상 6스텝 정류회로에 단상 자려식 인버터, 단상 변압기, AC 스위치로 구성된 레벨 변환 보조회로를 배치하여 AC 스위칭 제어함으로서 컨버터 회로의 입력 파형을 멀티 레벨화할 수 있다.○ 색인어: 3상, 멀티 레벨, 고조파 저감, 전압원, 컨버터본 발명은 제1, 제2, 제3 전압원으로부터 출력되는 제1, 제2, 제3 전류를 각각 유기시킨 제1, 제2, 제3 유기 전류를 정류시켜 부하측에 제공하는 3상 다이오드 브리지 정류부; 상기 제1, 제2, 제3 유기 전류에 함유된 고조파를 저감시키는 레벨 변환 보조부; 및 1차측 권선의 일단 및 2차측 권선의 일단이 상기 레벨 변환부에 연결되고, 1차측 권선의 타단이 제1 캐패시터를 경유하여 상기 3상 다이오드 브리지 정류부의 일단에 연결되고, 2차측 권선의 타단이 제2 캐패시터를 경유하여 상기 3상 다이오드 브리지 정류부의 타단에 연결된 단상 변압기를 포함한다.이러한 3상 멀티 레벨 전압원 컨버터에 의하면, 3상 6스텝 정류회로에 단상 자려식 인버터, 단상 변압기, AC 스위치로 구성된 레벨 변환 보조회로를 배치하여 이를 AC 스위칭 제어함으로서 컨버터 회로의 입력 파형을 멀티 레벨화할 수 있다.본 발명은 3상 다이오드 브리지 정류회로(D1 ∼ D6)를 구비한 주회로, 전원 주파수의 3배로 동작하는 단상 자려식 인버터(G11, G12)와 그리고 단상 변압기(TX1)와 역으로 전류를 흐르게 할 수 있는 3개의 AC 스위치(Sa∼Sc)를 구비한 레벨 변환 보조회로를 포함한다.AC 스위치(Sa, Sb, Sc)는 입력 주파수의 2배로, 단상 자려식 인버터 스위치(G11, G12)의 스위칭 주파수는 입력 전원 주파수의 3배로 동작하고, 단상 변압기(TX1)의 권수비 1 : k1 에 의해서 2개의 전압값(+k1E, -k1E)을 발생시킨다. 여기서, 제1 콘덴서(C1)와 제2 콘덴서(C2)의 양단간의 전압(E1, E2)를 E1 = E2 = E 라 하고, G11이 턴 온(turn on)되면 콘덴서 전압, +E가 변압기 1차측에 인가되어 변압기 2차측 'n-N'사이에 VnN = +k1E 을 유기하고, VAN전압은 SA가 °동안 턴온되는 기간에 다이오드 D4, D5가 도통 되기 때문에 +k1E의 전압이 발생된다.그리고, VAN 전압은 SC가 턴온되면 다이오드 D1, D4를 통하여 직류 전압 E가 발생된다. 그리고 반주기 후에 G12가 턴온되면 VnN 전압은 콘덴서 -E 전압이 변압기 1차측에 인가되어 2차측에 - k1E 전압을 유기하고, 이때 SA가 턴온되고, 다이오드 D3, D4가 도통하고 있기 때문에 이 기간 동안 VAN 전압은 -k1E가 된다. t = 180°+ °후에 SC 가 턴온되면 G12는 계속 도통 상태에서 VnN은 -k1E이고, VAN 전압은 다이오드 D3, D2를 통하여 -E가 된다.
- 보유기관
- 전북대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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전기·전자 > 소자응용 기술
본 기술은 레이저 다이오드의 온도에 따른 전류-전압 특성을 이용하여 레이저 다이오드의 온도를 보상할 수 있는 자동 온도 보상기능을 갖는 레이저 다이오드 구동회로 및 구동방법에 관한 것이다. 본 기술에 따른 온도 보상기능을 갖는 레이저 다이오드 구동회로는, 광원인 레이저 다이오드; 레이저 다이오드를 구동하기 위한 구동단; 구동단에 변조전류를 제공하는 변조 전류원; 레이저 다이오드의 바이어스 전류를 제공하는 바이어스 전류원; 레이저 다이오드의 전류-전압 온도 특성에 따라 특정 절점의 DC 바이어스를 추출하는 자동 바이어스 추출 회로; 레이저 다이오드의 특정 절점의 DC 바이어스와 제1 기준전압을 비교하여, 레이저 다이오드 바이어스 전류원을 조절하는 제1 비교기; 및 레이저 다이오드의 특정 절점의 DC 바이어스와 제2 기준전압을 비교하여, 레이저 다이오드 변조 전류원을 조절하는 제2 비교기를 포함한다. 본 기술에 따르면, 기존에 외부에 별도로 사용하던 레이저 다이오드 감지용 포토다이오드(MPD)가 필요하지 않으며, 또한, 단채널, 1차원 다채널 및 2차원 다채널 형태의 레이저 다이오드 구조에 용이하게 적용하여 광송신기를 소형화 및 간소화시킬 수 있고, 저가의 광송신기를 제작할 수 있다.본 기술은 레이저 다이오드의 구동회로에 있어서,광원인 레이저 다이오드;상기 레이저 다이오드를 구동하기 위한 구동단;상기 구동단에 변조전류를 제공하는 변조 전류원;상기 레이저 다이오드의 바이어스 전류를 제공하는 바이어스 전류원;상기 레이저 다이오드의 전류-전압 온도 특성에 따라 상기 레이저 다이오드의 특정 절점의 DC 바이어스를 추출하는 자동 바이어스 추출 회로(AUTOMATIC BIAS EXTRACTION CIRCUIT: ABE);상기 레이저 다이오드의 특정 절점의 DC 바이어스와 제1 기준전압(VREF1)을 비교하여, 상기 레이저 다이오드 바이어스 전류원을 조절하는 제1 비교기; 및상기 레이저 다이오드의 특정 절점의 DC 바이어스와 제2 기준전압(VREF2)을 비교하여, 상기 레이저 다이오드 변조 전류원을 조절하는 제2 비교기를 포함하는 온도 보상기능을 갖는 레이저 다이오드 구동회로에 관한 것이다.
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명은 측쇄에 페릴렌 모이어티와 트리아진 모이어티를 갖는 비공액성 청색 발광 폴리머 및 이로부터 형성된 발광층을 갖는 단층형 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것으로 보다 상세하기로는 유기용매에 대한 용해도 및 가공성이 우수한 비공액성 발광 폴리머 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 폴리머 사슬에 트리아진 모이어티의 도입을 통한 엑시머 현상을 억제하고 캐리어(CARRIER) 균형을 향상시키며 또한 인광 물질의 도입에 따른 고효율의 발광 특성을 구현할 수 있다.본 발명의 페닐렌 모이어티를 측쇄에 갖는 MMA의 비공액성 청색 발광 폴리머는 전도성 폴리머에 비해 용해도 특성이 뛰어나고 가공하기가 용이하여 이를 이용하여 유기 전계 발광 소자를 제작하기가 간단하고 용이하다. 특히 페릴렌 모이어티를 갖는 폴리머는 PVK 보다도 엑시머 영향이 적으며 열적 안정성이 뛰어나고 새로운 기능기의 도입이 용이하다. 또한 페릴렌 모이어티와 트리아진 모이어티를 측쇄로 갖는 코폴리머는 캐리어 균형이 향상되어 낮은 구동 전압을 나타내고, 발광특성이 없는 트리아진 유닛의 분자내 희석 효과에 의해 보다 청색에 가까운 발광 특성을 나타냈다. 또한 위에서 합성한 PPPMA-DTPM 코폴리머에 인광 물질을 도입한 인광 폴리머는 발광 효율이 개선된다.특히 본 발명에서 제작한 코폴리머에 다양한 Ir 착물 유도체를 도입함으로써 녹색뿐만 아니라 고효율의 적색 및 청색 폴리머 발광 소자를 제작하는 것이 가능하다. 상기에 나타난 결과에서 본 발명자가 제작한 발광 소자는 기존의 공액성 폴리머와 측쇄형 폴리머로 구성된 발광 소자보다 고효율/고내구성의 특성을 가진 단층형 풀 컬러 디스플레이 제작이 용이해진다.
- 보유기관
- 서강대학교
- 등록일
- 2006-09-25
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전기·전자 > 소자응용 기술
*원리 및 구성본 발명은 PTC 특성을 갖는 과전류 차단용 전도성 중합체 및 그 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 나노 크기를 갖는 전도성 카본블랙과 폴리올레핀계 고밀도 폴리에틸렌 고분자 재료를 용융 혼합하여 회로 보호 장치의 소자로 사용되는 전도성 중합체 조성물에 의한 PTC 소자의 제조 방법에 관한 것이다. PTC 성능의 향상을 위하여 전도성 충전재인 카본블랙을 오존을 이용하여 직접 표면처리한 후 고분자와 용융 혼합하여 만든 전도성 중합체 조성물을 전해질 금속박막과 전도성 접착제를 이용하여 PTC 소자를 제작하였다. 그 결과 직접 처리된 오존으로 인하여 카본블랙의 표면에 산소 관능기가 증가하게 되고 이로 인해 카본블랙 고유의 전기전도도를 감소시키는 결과를 가져왔다. 이는, 수지의 융점에서 카본블랙 간의 전도네트워크 파괴를 용이하게 하여 최대비저항값의 증가를 가져왔으며, 이로 인해 우수한 PTC 세기를 갖는 PTC 소자를 제조 할 수 있었다. 본 발명은 이러한 특성을 가지는 PTC 소자의 제조 방법 및 활용에 관한 것을 제공한다.*배경PTC 특성이란 상온 정도의 낮은 온도에서는 저항이 낮아 전도성을 가지지만, 온도가 상승함에 따라 비교적 좁은 온도 영역에서 전기저항이 급격히 증가하는 특성을 말하며, PTC 소자란 이러한 특성을 이용하는 고분자 스위치를 말한다. PTC 현상의 원인은 고분자 내에서 결정상태와 비결정 상태의 변화 즉, 온도가 상승하여 사용한 수지의 용융점 부근이 되면 전도성 충전 입자간의 간격, 응집간의 간격이 커져 이로 인해 형성되었던 전도 네트워크가 파괴됨으로써 전자의 터널링(tunneling) 현상을 방해하기 때문에 발생하는 것으로 설명되고 있다.이와는 반대로, 용융점이 오래 지속되거나 더 높은 온도로 올라가게 되면 유동성을 전도성 입자들이 자유로이 재배열하여 입자간에 응집(aggregation)이 일어나게 되고 새로운 전도성 네트워크를 형성하게 됨으로써 전자들의 이동 통로가 증가하게 되고 이로 인해 저항값이 낮아지는 NTC 현상이 발생한다. 이러한 현상은 과전류가 인가된 상태에서 계속 높은 저항을 유지함으로써 과전류를 차단하는 회로 보호용 소자에서는 치명적인 결과를 가져온다. 따라서, 우수한 PTC 소자는 높은 PTC 세기를 갖고, 전기적 재현성이 우수하며, NTC 현상이 적고, 충전제 함량이 적어 경제적으로 유리한 것 등이다.1)처리용 오존의 주입속도, 농도 및 처리 시간 조절로 카본블랙의 산소-함유 관능기 함량 조절이 가능.2)종래의 화학적 가교방법의 문제점인 혼합공정 온도상의 제약과 가교도에 제약이 따르는 점이나, 조사 가교 방법의 제약인 가교 공정시 제조비가 증가하여 공정 처리시 많은 비용이 발생하는 문제점이나 가교도를 균일하게 유지하기가 어려운 단점이 발생하지 않음.3)상온 이하의 저진공하에서 장치를 운전하므로 표면처리 장치가 비교적 간단함.4)표면처리 반응의 개시를 위한 개시제 및 촉매 혹은 에너지가 필요 없으므로 경제적. 5)조성물에 수분의 침투가 전혀 없어 처리시간과 소자의 제작시간이 짧아 PTC 소자의 제작비 절감 및 성능 향상에 크게 기여.6)수지의 용융점에서의 최대 비저항값이 증가되어 우수한 PTC 세기를 나타낼 수 있음.
- 보유기관
- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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*원리 및 구성본 발명은 상온에서 충분히 낮은 저항값을 가지며 과다 전류 부하 전후의 저항 변화율의 차이가 비교적 큰 나누 구조를 가지는 전도성 충전제/고밀도 물리 폴리에틸렌 복합재료를 사용하여 정온 전선, 과전류 차단용 전기장치, 회로보호 소자, 가열기 등의 소자로 사용되는 전도성 중합체 조성물에 의한 PTC 소자의 제조방법에 관한 것이다. 또한 가교도 증진을 통한 NTC 현상을 제거하기 위하여 전도성 충전제인 카본블랙 표면에 실란 커플링제를 직접 처리한 후 고분자와 응용 혼합하여 만든 전도성 중합체 조성물을 가지고 전해질 금속박막을 이용하여 만든 PTC 세기를 나타내며 가교도 증진을 통한 NTC 현상의 제거 및 재형성이 향상된 소자로서, 본 발명은 이러한 특성을 가지는 소자의 제조 방법 및 활용에 관한 것을 제공한다.*배경전도성 중합체 조성물 및 이를 포함하는 전기 소자는 공지되어 있으며, 이러한 조성물은 중합체 성분을 포함하고 내부에 전도성이 좋은 카본블랙 또는 금속과 같은 미립 전도성 충전제가 분산되어 있다. 이러한 조성물은 흔히 양의 온도 계수 (PTC, positive temperature coefficient) 거동을 나타내는데, PTC 특성이란 상온 정도의 낮은 온도에서는 저항이 낮아 전도성을 가지지만, 온도가 상승함에 따라 비교적 좁은 온도 영역에서 전기저항이 급격히 증가하는 특성을 말한다. 즉 조성물은 일반적으로 비교적 좁은 온도 범위에 걸쳐 온도가 증가함에 따라 저항률이 증가한다. 이 저항률 증가가 일어나는 온도가 스위칭 온도 Ts이고, 급격한 기울기 변화를 나타내는 곡선부의 온도에 대한 최대 저항시의 온도가 PTC 온도를 의미한다. 따라서, 이러한 특성을 가지는 PTC 전도성 중합체 조성물은 주위 온도 및 전류 조건에 따라 변화하는 회로 보호 소자 등의 전기소자로 사용하기 적합하다.*종래기술전도성 중합체 조성물의 저항률은 전도성 충전제를 더 첨가함으로써 감소될 수 있지만, 전도성 충전제 첨가는 일반적으로 PTC 세기의 변화 및 NTC (Negative temperature coefficient) 현상을 유발한다. 상기와 같은 NTC 특성을 억제하기 위하여 여러 가교 공정이 사용되고 있으며, 가교방법으로는 화학적 가교방법 및 조사 가교방법 등이 일반적으로 사용되고 있다. - 조사가교는 전자빔과 같은 조사선을 최종 성형된 전도성 고분자 물질에 조사함으로써 결정성 고분자의 분자간 가교를 유도하여 네트워크 구조를 형성하는 방법으로서 가장 일반적으로 사용하고 있는 방법이다. 그러나 이러한 조사 가교 방법은 다음과 같은 제약이 따른다. 첫째, 전자선 가속기의 투자설비가 다른 공정시설에 비하여 상대적으로 많이 들며 높은 에너지가 요구되기 때문에 가교공정시 제조비가 증가하여 공정 처리시 많은 비용이 발생하며, 둘째, 전도성 성형물 내의 일정 부분이 일정 시간 동안에 흡수하는 조사량은 성형물 표면으로부터의 거리, 조사의 세기, 에너지 형태 등에 의존하기 때문에 가교도를 균일하게 유지하기가 어려우며, 셋째, 조사 가교 공정은 통상 성형물의 냉각 후 진행되는데 분자의 유동이 없는 상태에서 가교된 후 조사에 의한 용융으로 다시 유동이 발생하면 고분자의 구조 변화와 더불어 전도성 충전제로 사용된 카본블랙 입자들의 이동에 의해 PTC 특성이나 재현성이 떨어진다. *특징 및 장점1)나노 입자 크기를 가지는 카본 블랙의 표면을 실란 커플링제로 직접 처리하여 전도성 중합체 조성물의 가교도를 증진시시킴.2)상온에서의 비저항값은 낮고 용융점에서의 비저항값은 높아 우수한 PTC 세기를 가짐.3)특히 적절한 농도의 실란 처리에 의해 고온하에서 발생하는 PTC 소자의 결함인 NTC 현상이 제거되고 재현성이 우수한 PTC 소자.4)정온 전선, 과전류 차단용 전기장치, 회로 보호 소자, 가열기 등의 소자로 사용하기에 유용.
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- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-27
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*원리 및 구성본 발명은 전기 PTC 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학가교 공정상의 제약을 극복하고 생산성을 향상시키기 위하여 전도성 중합체 조성물을 전자선 조사에 의해 가교 처리함으로써 NTC (negative temperature coefficient) 현상이 제거되고 재현성이 향상된 PTC 소자의 제조방법 및 이를 통해 얻어진 PTC 소자에 관한 것이다.*배경 - PTC (positive temperature coefficient) 특성이란 상온 정도의 낮은 온도에서는 저항이 낮아 전도성을 갖지만, 온도가 상승함에 따라 비교적 좁은 온도 영역에서 전기저항이 급격히 증가하는 특성을 말한다. 따라서, 이러한 특성을 가지는 PTC 전도성 중합체 조성물은 주위 온도 및 전류 조건에 따라 변화하는 회로 보호 소자 등의 전기소자로 사용하기 적합하다. 통상의 PTC 소자의 구조는, 전도성 중합체 조성물로 이루어진 저항체, 저항체에 부착되고 전력 공급원에 연결된 2개의 전극 및 전극 위의 전해질 금속박을 포함한다. - 표준 조건하에서 회로 보호 소자는 전기 회로에서 부하와 직렬로 연결되어 저온, 저 저항 상태를 유지한다. 그러나 과전류 또는 과온도 조건에 노출되면 소자는 저항이 증가하며, 회로 내의 부하로의 전류 흐름을 효과적으로 차단한다. 이러한 소자는 다시 상온 저전류 및 저온 상태로 돌아오게 되면 낮은 저항 상태를 회복하지만, 용융점이 오래 지속되거나 더 높은 온도로 올라가게 되면 전도성 충전제의 브라운 운동 및 반데르발스 힘에 의한 재응집으로 수지의 저항이 감소하는 NTC 현상이 발생한다. 이러한 현상은 과전류가 인가된 상태에서 계속 높은 저항을 유지함으로써 과전류를 차단하는 회로 보호용 소자에서는 치명적인 결과를 가져온다.*제조 방법 상의 특징 1)높은 에너지를 가진 전자선을 PTC 소자에 조사시킴으로써 가교 공정이 순간적으로 일어남으로써 조업시간이 짧아 경제적.2)화학 가교법에서 볼 수 있는 수분의 침투가 전혀 없음.3)전 가교조업이 상온에서 이루어지는 등 이상적인 가교 공정으로 수행.*특징 및 장점본 발명의 방법에 의하여 제조된 PTC 소자는 1)상온에서의 비저항값은 작으며 용융점에서의 비저항값은 높아지는 우수한 PTC 특성을 나타냄.2) 특히 적절한 세기의 전자선 조사에 의해, 용융점 이상의 온도 구간에서 오랜 시간 동안 지속시 나타나는 소자의 결함인 NTC(negative temperature coefficient) 현상이 제거되고 재현성이 우수함.3)정온히터, 열 센서, 과전류 레귤레이터 및 저전력 회로 보호 장치의 소자로 사용하기에 유용.4)전자선 조사를 통해 가교된 본 발명의 PTC 소자는 저온과 고온에서 우수한 기계적 특성, 매우 높은 내화학성 및 내열성 등을 가짐.
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- 2006-11-27
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전기·전자 > 소자응용 기술
*원리 및 구성본 발명은 분자 소자용 π-공액성 화합물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자기 조립이 가능하고 전체 분자가 π-공액 결합으로 연결되어 전자 비편재화가 용이한 구조를 가지며, 또한 분자 내에 양이온을 포함하고 있어 산화/환원이 가능하여 외부에서 가해준 전기장에 의해 용이하게 전자를 트랩할 수 있는 성질을 갖으며, 말단에는 금 전극 혹은 기타 금속 전극과 반응하여 단분자 막을 용이하게 형성하는 티올기 혹은 티올기의 전구체 혹은 티올기와 유사 반응성기를 가지고 있어 고집적화된 전자 소자의 제조에 유용한 π-공액성 화합물에 관한 것이다.*배경분자를 이용한 컴퓨터 칩의 개발이 중요한 이유는 현재 사용되는 광학 포토리토그라피에 의존하는 마이크로엘렉트로닉스 제조법을 획기적으로 개선할 수 있는 방법을 제시한다는 데 있다. 즉, 현재의 칩 제조법으로는 칩의 집적도가 사용되는 빛의 광학적 분해능에 의해 결정되며, 이 경우 70 nm 정도가 최소화 할 수 있는 한계로 인식되고 있으며, X-선이나 전자빔 등을 이용할 경우 30 ∼ 20 nm 정도까지의 선폭에 도달할 수 있다고 보여진다. 그러나 이 경우에 수십 나노미터 이하의 선폭 크기를 갖는 소자를 제작할 때 사용되는 여러 장비나 클린룸 등의 공장 건물 유지 등에 필요한 경비가 기하학적으로 증가하게 되어 기술적인 한계성보다 경제적인 한계성 때문에 초고집적도를 갖는 반도체 칩 생산은 조만 간에 한계점에 도달할 것으로 생각된다. 예측되기로는, 2010년경에는 반도체 팹 라인 하나를 건설하는 비용이 약 30 내지 50조원 그리고 2015년 정도에는 200조원으로 급증할 것으로 전망되며 결국 소비자가 지불할 수 있는 반도체의 가격과 반도체 칩의 성능이 평형에 도달할 것이므로 더 이상의 고집적화도는 어렵다는 것이다. 그러나 분자를 이용한 소자의 제작은 분자 자기 조립 기술을 이용하면 특별한 조작 없이 용액 상에서 한번에 이루어지며 만약 한 개의 분자를 각각 소자로 사용할 수 있다면 1023개의 소자를 1 몰의 분자로부터 쉽게 제조할 수 있다는 장점을 갖는다.*적용제품 및 경쟁제품유기분자를 소자로 사용하기 위해서는 전극 상에 단분자 막을 형성하여야 하는데, 현재 알려진 단분자 막을 제조하는 방법으로는 분자 자기 조립(self-assembly)법과 랭무어-블로짓(Langmuir-Blodgett)법 두 가지가 있다. 이중 분자 자기 조립 단분자 막(SAM, self-assembled monolayer)의 제조는 분자의 한쪽 말단에 금과 반응을 하여 결합을 잘 형성하는 티올기(-SH) 혹은 티올기의 전구체 혹은 티올기와 유사 반응성을 갖는 기가 있으면 가능한 데,금 전극과 쉽게 반응하여 공유 결합을 형성하면 단분자막이 형성된다는 것은 잘 알려진 사실이다. 이러한 사실을 바탕으로 하여, Yale대학의 Reed 및 Rice대학의 Tour 등은 페닐렌 아세틸렌 올리고머에 전자주게 및 전자받게(electron acceptor) 작용기가 도입된 유기분자(화합물 A) 또는 전자받게기만 도입된 유기분자(화합물 B, C)를 금 전극에 자기조립 단분자 박막으로 형성하고 박막 상에 금 전극을 증착하여 메모리 소자로 작동이 가능하다는 것을 발표하였다[M. A. Reed, J. Chen, A. M. Rawlett, D. W. Price and J. M. Tour, Appl. Phys. Lett., 78(2001) 3735.] .현재 이러한 분자가 스위칭 특성을 갖는 이유에 대해서는 아직 확립된 이론이 없으나 기본적으로 분자가 갖추어야할 특성으로는 방향족 분자와 삼중결합 등으로 연결되어 분자 전체의 π-전자가 비편재화되어 외부에서 전기장이 가해지면 쉽게 편재화가 가능한 구조를 가져야 하며, 또한 전자받게기를 가지고 있어 외부에서 흘러 들어오는 전자를 순간적으로 잘 트랩할 수 있는 특성을 가져야 하는 것으로 생각되고 있다. 그러나 현재까지 알려진 분자는 대부분이 전자받게기로 니트로기(NO2)를 사용하므로 다양한 구조의 화합물의 합성과 적용이 되지 않고 있었다.*특징 및 장점1)자기 조립이 가능하고 전체 분자가 π-공액 결합으로 연결되어 전자 비편재화가 용이한 구조를 가진다.2)분자 내에 양이온을 포함하고 있어 산화/환원이 가능하여 외부에서 가해준 전기장에 의해 용이하게 전자를 트랩할 수 있는 성질을 갖으며, 말단에는 금 전극 혹은 기타 금속 전극과 반응하여 단분자 막을 용이하게 형성하는 티올기 혹은 티올기의 전구체 혹은 티올기와 유사 반응성기를 가지고 있어 고집적화된 전자 소자의 제조에 유용하다.
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- 한국화학연구원
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- 2006-11-27
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전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명은 수소 및 불활성 가스 플라즈마에 의한 양자점 구조의 머큐리카드뮴텔룰라이드 박막을 이용한 적외선 탐지소자제작방법에 관한 것으로, 기판과 박막의 격자상수차가 5% 내외가 되지 않는 CdTe, CdZnTe, GaAs, Si 등의 기판(34)위에어떠한 박막 성장방법에 관계없이 Hg 1-x Cd x Te 박막(30)으로 성장시켜 수소 및 불활성 가스를 이용한 플라즈마 방법으로 성장된 Hg 1-x Cd x Te 박막(30)에 양자점(32)을 형성시켜 이를 상온에서 동작할 수 있는 적외선 탐지소자에 적용 제작할 수 있다. 이를 위해 CdTe, CdZnTe, GaAs, Si 기판(34) 중 어느 하나를 이용하여 통상의 박막 생성방법인 LPE,MOCVD 그리고 MBE 방법 중 어느 하나로 성장된 Hg 1-x Cd x Te 박막(30)을 플라즈마가 형성될 수 있는 수소 및 불활성가스 플라즈마장치 내에 장착시켜 발생되는 가스 플라즈마가 Hg 1-x Cd x Te 박막(30)에 입사되어 상온 동작이 가능한 양자점(32)을 형성하게 되는 양자점 형성과정과, S-K 방법 또는 수소 및 불활성 가스 플라즈마 방법에 의해 생성된 양자점구조의 Hg 1-x Cd x Te 박막(30) 위에 금속패드를 형성하고 도선을 연결하여 상온 동작이 가능한 적외선 탐지소자를 제작하는 탐지소자 제작과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의한 수소 및 불활성 가스 플라즈마 방법에 의한 양자점 구조의 머큐리카드뮴텔룰라이드 박막을 이용한 적외선 탐지소자 제작방법은, 기판의 종류에 관계없이 박막의 양자점 생성이 용이하면서도 가격과 부피가 줄어들고 특히 상온 동작이 가능하여 Wetting Layer가 없는 구조의 적외선 탐지소자를 제작할 수 있다. 특히, 본 발명에 의한 탐지소자에 사용되는 양자점 구조의 Hg 1-x Cd x Te 박막은 전류밀도가 온도와 무관하여 77K 저온에서와 같은 효과를 낼 수 있어 탐지소자가 상온에서 동작이 가능할 뿐만 아니라, 결과적으로 가격 절하 및 소형화가 가능하여 적외선 영상센서인 탐지소자의 상용화가 이루어질 수 있어 자동차나 비행기 등에 쉽게 장착이 가능하여 상용화에 크게 이바지 할 수 있을 것으로 기대된다.또한, 일반적인 박막의 경우에 표면이 평평해야 박막이 성장이 잘 이루어지지만 본 발명에 의한 수소 및 불활성 가스 플라즈마 방법을 통해서는 표면이 평평 하지 않더라도 성장된 Hg 1-x Cd x Te 박막의 양자점 형성이 가능하며, 아울러 이처럼 표면이 평평하지 않는 경우에는 적외선의 흡수효과가 뛰어나 오히려 탐지소자의 감지효과가 높아질 수 있는 이점도 제공된다.또한, 수소 및 불활성 가스 플라즈마 방법으로 제작된 양자점 구조의 Hg 1-x Cd x Te 박막이나 S-K 방법으로 제작된 양자점 구조의 Hg 1-x Cd x Te 박막 모두 적외선 탐지소자를 제작할 경우, 기존의 박막을 이용하여 제작한 탐지소자에 비해 에너지 밀도의 구별이 뚜렷하고 전류밀도 등이 온도와 무관하게 작용하므로 양자효과(Quantum Efficient)가 뛰어나 상온에서 작동이 가능할 수 있다는 효과도 있다.
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- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명은 초고주파 집적회로의 전력용 GaAs MESFET(metal-semiconductor field effect trasistor) 및 수동소자에서 격리된 전극을 상호 연결하기 위한 에어브리지(air-bridge) 제조 방법에 관한 것으로 형성된 소자 패턴에서 구조상 발생하는 기생 캐패시턴스를 작게하여 소자의 주파수의 특성을 개선하기 하기 위한 소오스간의 전기적인 연결 장치의 갭에 에어를 채워넣는 에어브리지 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 초고주파 집적회로의 전력용 GaAs MESFET(metal-semiconductor field effect trasistor) 및 수동소자에서 격리된 전극을 상호 연결하기 위한 에어브리지(air-bridge) 제조 방법에 관한 것으로 형성된 소자 패턴에서 구조상 발생하는 기생 캐패시턴스를 작게하여 소자의 주파수의 특성을 개선하기 하기 위한 소오스간의 전기적인 연결 장치의 갭에 에어를 채워넣는 에어브리지 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 또 다른 목적은 격리된 소오스 상호간을 전기적으로 접속시키는 금속층 간의 거리를 크게 하기 위하여 상기 금속층이 아아치형으로 되는 에어브리지를 제공하는 것이다.상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 에어브리지 제조 방법은 에어 브리지용 포스트를 형성하는 공정, 금속 박막 형성 공정, 표면 포토 레지스트를 리소그라피하는 공정, 금속박막을 리프트-오프에 용이하도록 에칭하는 공정, 에어브리지용 금속을 증착하고 리프트-오프하는 공정등으로 구성된다.
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- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명에 따른 GaN막 형성방법은, 기판이 장입된 반응기 내로 In기체를 흘려보내 상기 기판 표면을 In 기체로 처리하는 단계(S12); 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 교번하여 흘려보내 상기 기판 표면을 NH3 기체와 GaCl 기체로 번갈아 가면서 처리하는 단계(S18); 및 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 동시에 흘려보내 상기 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시키는 단계(S20); 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, GaN막 성장(S20) 전에 기판표면 처리단계(S10)를 더 거침으로서 사파이어 등의 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다. 특히, 기판표면 처리단계(S10)는 처음에는 In 기체를 이용하고, 그 이후로는 GaN막을 에피텍셜 성장시키는데 사용되는 NH3와 GaCl 기체를 번갈아 가면서 이용하기 때문에 GaN막의 성장과 기판표면처리를 하나의 반응기 안에서 연속적으로 수행할 수 있어서 간단하게 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다는 잇점이 있다.본 발명에 의하면, GaN막 성장(S20) 전에 기판표면 처리단계(S10)를 더 거침으로서 사파이어 등의 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다. 특히, 기판표면 처리단계(S10)는 처음에는 In 기체를 이용하고, 그 이후로는 GaN막을 에피텍셜 성장시키는데 사용되는 NH3와 GaCl 기체를 번갈아 가면서 이용하기 때문에 GaN막의 성장과 기판표면처리를 하나의 반응기 안에서 연속적으로 수행할 수 있어서 간단하게 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다는 잇점이 있다.본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
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- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
[기술의 개요] 본 기술의 목적은 전도성 화합물 층 사이에 적어도 하나의 비전도성 화합물 층 구역이 삽입되어 적층된 전도성 박막을 제공하는 데 있다.본 기술의 다른 목적은 기판을 전도성 음이온성 화합물 용액에 디핑하여 기판에 전도성 음이온성 화합물의 단분자막을 형성하고, 기판에 형성된 단분자막과 반대 전하의 전도성 또는 비전도성 이온성 화합물 용액에 디핑하여 기판에 전도성 또는 비전도성 이온성 화합물의 단분자막을 적층하는 단계를 적어도 2회 이상 반복하는 단계를 포함하며, 반복 단계는 적어도 하나의 비전도성 이온성 화합물의 단분자막을 적층하는 단계를 포함하지만, 반복 단계의 최종 단계는 전도성 이온성 화합물의 단분자막을 적층하는 단계인 전도성 박막의 제조방법을 제공하는 데 있다.[구성 및 작용] 한 가지 관점에서, 본 기술은 전도성 화합물 층 사이에 적어도 하나의 전도성 화합물 층 구역이 삽입되어 적층된 전도성 박막을 제공한다. 다른 관점에서 본 기술은 기판을 전도성 음이온성 또는 전도성 양이온성 화합물 용액에 디핑하여 기판에 전도성 음이온성 또는 전도성 양이온성 화합물의 단분자막을 형성하는 단계(I) 및 기판에 형성된 단분자막과 반대 전하의 이온성을 갖는 전도성 또는 비전도성 화합물 용액에 디핑하여 기판에 전도성 또는 비전도성 이온성 화합물의 단분자막을 적층하는 단계를 적어도 2회 이상 반복하는 단계(II)를 포함하며, II 단계는 적어도 하나의 비전도성 이온성 화합물의 단분자막을 적층하는 단계를 포함하나 최종 단계는 전도성 이온성 화합물의 단분자막을 적층하는 단계인 전도성 박막의 제조방법을 제공한다. 또 다른 관점에서 본 기술은 본 기술에 따른 전도성 박막을 포함하는 전기화학 소자를 제공한다.[기대효과] 본 기술에 따라 제조된 전도성 박막은 전자전달이 용이하고 ㎚ 크기의 균일한 두께를 가지며, 매우 빠른 착색/소색 응답성을 나타내면서도 우수한 메모리 특성과 반복성을 보유하는 등 우수한 전기화학 특성을 가진다.이러한 전도성 박막은 산화-환원반응을 수반하는 전기화학소자에서 전도성 박막 내 전자 전달을 용이하게 하고 또한 본 기술에 따라 제조된 전기화학소자는 산화 환원 반응을 용이하게 하여 응답속도가 빠르고 디스플레이, 전자 책, 전자종이, ID, Tag, 전자 라벨, 휴대용 컴퓨터,선글라스, 자동차 후사경, 태양광 조절 창, 장식용 제품, 화학센서, 바이오센서, 광전 센서 및 정보 기억 처리 장치 등 다방면에 응용 가능하다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-26
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명은 표면 코팅된 분말을 이용한 바리스터용 반도성 SrTiO 3 산화물의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 반도성 SrTiO 3 소결체를 분쇄하여 NaOH 수용액에 담가 건조시킨 후 소결하여 바리스터용 반도성 SrTiO 3 산화물을 제조하는 방법에 관한 것이며, 본 발명의 방법에 의해 제조된 바리스터용 반도성 SrTiO 3 산화물은 입자 크기 및 작동 문턱 전압 (threshold voltage)의 정밀한 제어가 가능하고 바리스터 작동의 신뢰성이 향상된 특성을 갖는다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명은 바리스터용 반도성 SrTiO3 산화물의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 다양한 소결 분위기의 1200 ∼ 1600 ℃ 고온에서 하소공정을 수행한 후 얻어진 하소분말을 다양한 소결 분위기의 1200 ∼ 1600 ℃의 온도에서 상압 소결하여 바리스터용 반도성 SrTiO3 산화물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하여 제조된 바리스터용 반도성 SrTiO3 산화물은 입계의 불균일성이 감소되고 작동 문턱 전압(threshold voltage)의 정밀한 제어가 가능하며 바리스터 작동의 신뢰성이 향상된 특징을 갖는다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 기술은 에미터 스위치 사이리스터에 관한 것으로, 특히 부하의 단락시 전원부의 고전압으로 인해 전력소자가 파괴되는 것을 방지하기 위해 보호회로를 구비한 에미터 스위치 사이리스터를 개발하는 것이 목적이다. ㅇ기술 요약 및 특징: 보호회로에 의해 플로팅 에미터의 전압을 감지하여 EST의 안쪽 게이트 전압을 낮추어줌으로써 EST의 단락상태 유지를 위해 필수적인 고전압 전류 포화특성을 얻을 수 있도록 한다. 따라서, 산업용 모터 제어에서 통상 요구되는 10㎲ 정도의 단락상태 유지 특성을 갖는다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2008-01-31
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