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탄소 나노튜브(CNT)는 평면표시소자, 메모리소자, 전지 등의 정보 및 에너지 분야에 다기능성 신소재로 응용력을 가지고 있다. 현재 CNT는 대부분 기상법에 의해 제조되며, 전기방전법, 레이저 증착법, 플라즈마 화학기상증착법 , 열화학기상증착법, 기상합성법, 전기분해법 및 화염 합성법 등이 알려져 있다. 본 기술은 액상법에 의한 탄소 나노튜브의 제조방법에 관한 것으로서, 상대적으로 낮은 합성온도와 적은 비용으로 대량생산이 용이한 탄소 나노튜브의 제조방법이다. CNT 합성법에 대한 기술 개발은 주로 기상법 위주로 개발되고 있지만, 액상법에 의한 개발은 매우 이례적이다. 본 기술은 고압반응기를 이용하여 임계점 이내에서 CNT를 합성하므로, 기존의 기상법에 비하여 매우 단순하면서도 독창성이지만, 임계점 이하의 사용 압력이 단점이다. 본 기술에 따른 탄소 나노튜브의 제조방법은 액상 탄소원을 사용하고 있어 원료 취급이 보다 용이하고, 그리고 사용된 탄소원의 임계영역 범위에 해당하는 비교적 낮은 온도 및 압력 조건이 유지되는 온화한 조건으로도 탄소 나노튜브를 제조할 수 있어 보다 저렴한 비용으로 탄소 나노튜브의 대량생산이 가능한 등의 효과를 얻을 수 있다.
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- 2004-09-30
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본 기술은 양이온 중합성 개시제로 일액형 에폭시 중합개시제로의 사용을 목적으로 개발되었고, 열잠재성 개시제로 원하는 온도에서 중합을 시키는 기능을 갖는다. 사용량이 에폭시수지 대비 약 3% 이내로 소량 사용이 가능하며, 에폭시 수지 경화물의 내열성이 뛰어나고, 부피 수축이 낮거나 팽창성을 발휘할 수 있다 현재 시판되는 에폭시 수지의 경화제는 주로 2액형으로 사용량이 약 30% 이상을 차지하여 에폭시경화물의 물성이 경화제의 특성에 영향을 받는 반면 본 기술 주로 에폭시수지의 특성만을 잘 나타내어 내열성 등의 경화물을 얻을 수 있다. 합성이 간편하고 내습성이 강하여 보관, 운송이 편리한 일액형의 에폭시수지 경화제이다. 여러 가지의 양이온 중합성 수지의 경화제로 적용되며, 에폭시 수지에 대한 용해성이 뛰어나 경화물의 물성이 균일하다
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- 2004-09-30
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석유화학 산업에서 가장 수요가 많은 촉매, 담체 및 흡착제 소재로 이용되고 있고, 세제 빌더로서 다양한 공업적인 응용성을 갖는 제올라이트는 매우 중요한 소재라 활용되고 있다. 일반적으로 제올라이트는 수열조건하에서 수용액중에 결정화 과정에 의해 제조되며, 장시간의 결정화 과정을 필요로 하기 때문에 회분식으로 제조되어 왔다. 장시간의 결정화과정은 제조설비의 대형화를 필요로 하기 때문에 다공성 분자체의 대량 생산을 위해 많은 투자비가 소요되는 문제가 있다. 따라 합성시간의 단축은 제조비용을 줄일 수 있어 제올라이트의 실제응용에 있어서 필수적이다.다공성분자체, 층상구조화합물, 세라믹소재 등 각종 제올라이트의 합성 전구용액을 만든 후 슬러리 펌프를 통해 튜브형 마이크로파 반응기에 연속적으로 주입하여 합성 및 결정화시킴으로써, 종래 결정화에 장시간이 소요되었던 회분식 수열 합성법과 달리 소요시간이 수분 내지 수십 분 이내로 단축되고, 기존의 회분식 수열 또는 마이크로파 합성법에 비해 제조 및 수거 공정이 연속적으로 비교적 작은 설비로도 대량 생산에 용이할뿐만 아니라 다공성 분자체 합성 시 유기주형물질의 사용을 절감할 수 있는 제올라이트 제조방법 및 그 장치에 관한 것이다.
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- 2004-09-30
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본 기술은 원유 분해능이 있는 해양 기원의 신규한 세균 균주에 관한 것이며, 해양에서 분리된 원유 분해능을 가지는 신규한 클렙시엘라속(Klebsiella sp.) KCL-1 균주에 관한 것이다. 본 기술을 위해 해양 원유 분해 세균의 생리학적 특성과 분자유전학적 특성을 밝히고, 유류 오염에 대한 계측용 바이오센터 개발용 생물소자를 해양 미생물로부터 얻기 위하여 원유 분해능이 우수한 균주를 해양으로부터 분리, 동정하여 분류학상의 위치를 확인하고, 선별된 원유 분해 균주의 특성, 균체 생육도, 유화도 및 원유의 분해능에 미치는 촉진인자의 영향에 대하여 검토하였다. 따라서, 본 기술의 목적은 원유 분해능을 가지는 클렙시엘라속 KCL-1 균주를 제공하는데 있다.본 기술은 생물학적 처리 중 클레시엘라속 KCL-1 균주를 이용한 요화적인 유류 오염 확산을 방지하기 위한 방법이다.
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- 2004-09-30
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본 기술은, 국가중점 환경기술(ET)의 한 분야로서 석유화학 및 정밀화학 공정산업에서 유기 혼합물의 농축 또는 탈수형태로 이용되는 물질 분리기술이며, 대체에너지분야인 연료전지용 소재로도 이용이 가능한 분리막 제조기술이다. 그 응용 분야에서, 기존의 분리방법인 가열식 증류탑공정으로 분리가 어려운 공비점 혼합물, 근비점 혼합물, 이성질체 혼합물 등의 유기 혼합물을 효과적으로 분리할 수 있어 대체공정으로서 원료의 회수 및 환경오염 방지 등의 형태로 본 기술이 현재 이용이 되고 있다. 본 기술은, 물/알콜, 알코올/탄화수소, 알콜/에테르/올레핀/비선형 탄화수소 등의 유기혼합물에서 극성 물질에 대한 고투과-고선택성을 갖는 복합막 형태의 고분자 분리막 제조기술이며, 기존의 개발된 분리막에 비해 유기물 분리효율이 월등히 우수하다. 특히, 고분자간 상호-침투구조로써 다가이온 착물 화가 유도되어 구조적으로 이중 그물구조를 이루기 때문에, 기계적 강도 및 화학적 안정성이 우수한 고분자막 제조기술이다. 또한, 온도에 따른 투과도 대 선택도의 상쇄현상이 없는 조업온도에 대한 안정성이 뛰어난 복합막 제조기술이며, 석유화학 및 정밀화학 공정산업의 경제적, 효율적 측면에서, 공정단축에 따른 초기 설비투자와 시스템 가동에 필요한 에너지 소비량을 크게 줄일 수 있다는 점에서 그 경쟁력이 우수하고 부가가치가 높은 미래의 분리막 분야로 가장 유망한 적용분야로 대두되고 있다.
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- 2004-09-30
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현행 전세계적으로 1000기 이상의 입상화 고속혐기반응조가 가동되고 있으며 유럽 및 미국 등 선진국에서는 고속 혐기반응조가 많이 사용되고 있는 실정이다. 그러나 이러한 입상화 고속혐기반응조를 사용함에 있어 큰 제약은 입상화된 슬러지를 높은 농도로 반응조내부에 유지시키는 것이다. 슬러지의 입상화는 자연적인 조건에서는 6개월이상의 장시간이 요구되는 상태이다. 따라서 입상화 고속혐기반응조를 실제 규모로 새로 설치하려고 할 경우 다른 입상화 고속혐기반응조로부터 이미 입상화된 잉여슬러지를 채취하여 투입해야만 한다. 그러나 이러한 입상화된 슬러지의 성장속도가 극히 낮아 다량의 입상화 잉여 슬러지를 획득하기가 거의 불가능하다. 또한 기존에 설치된 입상화 고속혐기반응조에는 때로는 비정상적인 농도의 폐수가 유입될 수 있으며 경우에 따라서는 독성물질이 유입될 수 있다. 이러한 경우에 입상화 슬러지는 활성을 잃게 되며 동시에 처리효율의 감소가 관찰되게 된다. 그러나 다른 일반적인 혐기공정과는 달리 입상화된 잉여 슬러지를 획득하기 어렵기 때문에 기존 고속혐기반응조의 이상발생시 정상상태로 회복시키는 것에 큰 제약이 있다. 본 기술은 일반적인 입상화 촉진제를 이용하여 하수 소화슬러지를 입상화하여 혐기성 반응조내의 미생물을 고농도로 유지시킴으로써 고농도 유기물 함유 폐수를 처리할 수 있는 공정 및 입상화 촉진제에 관한 것이다. 본 기술을 이용할 경우 다량으로 용이하게 획득할 수 있는 하수 소화슬러지에 입상화 촉진제를 첨가함으로써 단기간(1일 이내)에 입상화 슬러지로 전환시키고 이를 혐기반응조에 연속적 또는 단속적으로 투입하여 고농도의 혐기 입상화 미생물을 유지함으로써 고농도의 유기물 함유 폐수를 안정적으로 처리할 수 있다.
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- 2004-09-30
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본 기술은 유전체 기판의 공진장치에 관한 것으로, 이 공진장치는 유전체 기판위에 형성된 유전체 공진기와, 유전체 공진기 위에 현성된 유동성 유전체막과, 유동성 유전체막에서 공진기와 커플링이 발생하는 위치에 배치된 마이크로 스트립라인과, 유전체 기판위에 형성되고 유전체 공진기와 소정의 갭을 두고 유전체 공진기를 둘러싼 공진기 지지기판으로 구성된다. 그러므로 본 기술은 유전체 기판과 마이크로스트립라인의 거리를 멀게 하여 도전성 손실을 줄이고 유전체 공진기를 고효율의 유전체 기판을 사용하고 유동성 유전체막을 추가하기 때문에 유전율 크기가 높아져서 공진기의 Q값이 크게 증가하게 된다.본 기술에서는 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 유전체 기판과, 유전체 공진기, 유동성 유전체막을 순차 적층하고, 유동성 유전체막내에 공진기와 커플링이 발생하도록 마이크로스트립 라인을 배치하여 공진장치의 구조를 개선함으로써 다층 구조의 회로, MMIC 또는 필터 등의응용회로에 공진기를 적용할 경우 높은 Q값을 확보할 수 있는 유전체 기판의 공진장치를 제공하고자 한다. 유전체 기판위에 마이크로스트립 라인과 유전체 공진기를 갖는 유전체 기판의 공진장치에 있어서, 유전체 기판위에 형성된 유전체 공진기오, 유전체 공진기 위에 형성된 유동성 유전체막과, 유동성 유전체막에서 공진기와 커플링이 발생하는 위치에 배치되어 형성된 마이크로스트립 라인을 구비한다.
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- 2004-09-30
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발효식품 등의 포장용기내에 발생한 이산화탄소를 제거하기 위하여 탄산나트륨을 유효성분으로 하고, 선택적으로, 수산화칼슘 또는 제올라이트를 혼합하여 사용함으로써, 이산화탄소 흡수속도를 제어할 수 있는 이산화탄소 흡수제에 관한 것이다. 탄산나트륨을 유효성분으로 하는 이산화탄소 흡수제를 사용하면, 수분이 많은 발효식품 포장내에 발생한 이산화탄소를 효과적으로 제어하면서, 동시에 적정 수준의 이산화탄소 농도를 유지시킬 수 있어, 발효 식품의 관능적인 품질특성을 향상시켜 발효 식품을 오래도록 신선하게 유지하기 위한 목적에 유용하게 사용될 수 있다.이산화탄소 흡수속도를 제어할 수 있는 이산화탄소 흡수제는 탄산나트륨을 유효성분으로 하고, 선택적으로, 수산화칼슘 또는 제올라이트를 혼합하여 사용할 수 있는데, 이 때 탄산나트륨의 혼합율은 전체 중량의 20 내지 99%로 혼합된다. 이들 탄산나트륨과, 수산화칼슘 또는 제올라이트의 혼합물은 필름형태의 봉지에 담거나, 또는 플라스틱과 혼합하여 성형한 판상의 포장소재 형태로 사용하는데, 이를 담는 봉지의 수분투과도에 따라, 또는 플라스틱과 혼합하여 열 성형한 판상의 이산화탄소 흡수소재의 경우는 플라스틱 자체의 이산화탄소 투과도에 따라서 이산화탄소 흡수속도를 효율적으로 제어할 수 있다.
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- 2004-09-30
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21세기의 물 문제를 해결하기 위하여서는 새로운 형태의 수질정화 처리기술이 요구되고 있다. 본 기술에서 개발된 이산화티탄이 나노구조로 함유된 제올라이트 광촉매를 수질 중에 넣고 과산화수소 분위기 하에서 자외선을 조사하여 암모니아를 나이트리트(nitrite)와 나이트레이트(nitrate)로 산화시키는 기술은 생물학적 암모니아성 질소 제거방법뿐만 아니라 물리화학적인 암모니아성 질소 제거방법에 비하여, 반응장치가 간편한 기술로, 특히 수중의 암모니아성 질소를 제거하는데 걸리는 시간과 비용을 절감할 수 있다.종래의 졸-겔 코팅법에 의해 본 기술은 테트라에틸오르소실리케이트, 테트라프로필암모늄하이드록사이드와 물을 일정한 비로 혼합한 후 티타늄 전구체를 넣어 투명한 용액을 만든다. 이 혼합용액을 마이크로파 조사 또는 수열처리로 촉매를 제조하는 기술로서, 공정의 단순화 및 에너지 절약의 측면이 띄어난 기술이다. 따라서 이산화티탄이 나노크기로 함유된 촉매는 UV-DRS 스펙트럼을 관찰하면 흡수파장이 벌크 크기의 이산화티탄에 비하여 100nm 이상 단파장 쪽으로 이동하는 특징을 갖는다.
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- 2004-09-30
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본 기술은 산업현장에서 발생하는 저농도 휘발성 유기화합물(VOC) 제거를 위한 촉매 제조기술에 관한 것이다.- 일반적으로 사용되는 촉매연소 온도 보다 약 50℃ 이상 낮은 온도에서 연소가 가능하며, 용도의 다양화를 위하여 소재의 형태를 과립형, 허니컴형 및 화이버 형태로 만들기 위하여 담체(honeycomb, fiber, mat 등)의 표면처리기술, 촉매성분을 표면에 고착시키기 위한 유기-무기-금속 결합기술, 활성을 최적화하기 위한 나노화학기술 , 물리적 강도 최적화 기술 등이 개발되어야 한다.본 기술은 기존의 직접 연소법에 비하여 경제적이며, 흡착/회수법에 비하여 안전하다. VOC 농도: 50 ～ 200ppm 제거능 : 80% , 재생기술 추가 연구필요 제거온도 : 80 ～ 250℃ 가격 : 수입가의 60% 수준
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- 2004-09-30
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제강공정에서 발생한 슬래그를 이용해 건축용자재를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 슬래그의 평균입도를 11㎛보다 작게 분쇄하는 단계와 분쇄된 제강슬래그에 CaO/SiO2의 배합비를 (35~45)중량% :(55~65)중량%로 조절하기 위해 추가되는 규석분말과 수화반응 촉진재인 소석회(Ca(OH)2) 분말을 함께 섞어 혼합물을 만드는 단계와 혼합물을 가압성형하여 판 형태의 성형체로 가압성형하는 단계와 성형체를 오토클레이브 내에서 수열합성하는 단계를 포함한다..수경성을 가진 제강슬래그를 미립자로 분쇄한 후 환원처리하지 않고 수열합성하여 건축용자재를 제조하므로, 환원처리에 따른 비용을 절감할 뿐 아니라, 수열합성반응이 비교적 저온에서 이루어지므로 침상형의 토버모라이트 결정을 성장시켜 고강도의 건축용자재를 얻을 수 있는 효과를 갖는다
- 등록일
- 2004-09-30
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본 기술은 아세틸렌기를 하나 이상 포함하는 유기화합물을 진공에서 기질 위에 증착시킴과 동시에 또는 증착 후에 열처리 및/또는 자외선 조사에 의하여 중합시켜 유기박막을 제조하는 증착중합법, 그 방법에 의하여 제조된 증착중합 박막, 및 그 박막을 한 층 이상 사용한 전기 발광소자에 관한 것이다. 본 기술에서는 진공증착기를 이용한 유기박막 제조시, 고온에서의 라디칼 형성공정 및 불필요한 부산물의 발생을 피하고자, 비교적 저온의 열처리 또는 자외선 조사에 의하여 용이하게 중합반응을 일으키는 아세틸렌기를 하나 이상 포함하는 유기화합물을 합성한 후, 이를 전구물질로 사용하여 증착중합 박막을 제조한다. 본 기술의 방법에 의하여 제조된 증착중합 박막은 두께가 균일하고 우수한 열안정성을 가지며 필요에 따라 패턴을 형성할 수 있어, 반도체의 층간 절연박막, 전기 발광소자, 태양전지, 복사기와 레이져 프린터 등 다양한 분야에 응용이 가능하다. 본 기술의 아세틸렌기를 하나 이상 포함하는 유기화합물을 증착중합 박막 제조에 이용하면 고온에서의 열 중합 공정을 거치지 않고, 다만 진공 조건에서 증착과 동시에 또는 증착 후에 열처리 또는 자외선 조사를 행하여 고분자 박막을 용이하게 얻을 수 있으며, 불필요한 부산물이 발생하지도 않는다. 이와 같이 제조된 증착중합 박막은 두께가 균일하고 우수한 열안정성을 가지며 필요에 따라 패턴을 형성할 수 있어, 반도체의 층간 절연박막, 전기 발광소자, 태양전지, 복사기와 레이저 프린터 등 다양한 분야에 응용이 가능하다. 최대 해상도는 약 10㎛ 정도까지 가능하다.
- 등록일
- 2004-09-30
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본 기술은 기재 표면에 친수성 코팅층을 형성하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기재를 양이온 고분자 수용액에 침지시켜 기재의 표면에 양이온 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하고, 표면에 양이온 코팅층이 형성된 기재를 음이온 고분자 수용액에 침지시켜 양이온 코팅층위에 음이온 코팅층을 형성한 후 수세 및 건조하는 것을 포함한다. 본 기술의 재료표면의 친수화 코팅방법에 따르면, 기재의 크기와 형태에 대한 제약없이 무기 재료 뿐만 아니라 플라스틱, 고무 등의 고분자 재료의 기재에도 친수성 코팅층을 형성할 수 있다.본 기술에 따른 양이온 고분자 수용액 및 음이온 고분자 수용액에 침지시킴으로써 기재의 표면에 양이온 고분자층 및 음이온 고분자층을 교대로 형성하는 것을 포함하는 친수성 코팅층의 제조방법은 기재의 크기 및 형태의 제한이 없고 코팅층이 투명하여 기재의 원색 및 투명도를 그대로 유지시킬 수 있으며, 또한 수용액상에서의 침지법을 이용하므로 환경 친화적이며, 기재로서 유리, 세라믹, 금속 등의 무기재료, 및 플라스틱, 고무 등의 범용 고분자재료가 모두 사용될 수 있으므로 광범위한 산업분야에 유용하게 적용될 수 있다. 금속이나 세라믹 재료 뿐만 아니라 고무를 포함한 고분자 재료에까지 친수성 코팅을 가능하게 하는 기술이다.
- 등록일
- 2004-09-30
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본 기술은 항균이 우수한 필터의 제조방법에 관한 것으로, 키토산을 산 수용액에 용해시켜 키토산 용액을 제조하고, 키토산 용액에 필터를 침지시켜 키토산을 흡착시키고, 키토산 처리된 필터를 알칼리 수용액 중에 침지시켜 중화시킨 다음 건조시킨다.본 기술에 따라 키토산 처리된 항균 필터는 필터의 공기 투과도, 항균성, 내구성 등이 높아 자동차용 에어컨 필터 등의 용도에 적합하다. 제조한 항균 필터는 항균성, 공기 투과도 및 내구성 등이 우수하다.
- 등록일
- 2004-09-30
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본 기술은 테라헤르츠파 전송을 위한 플라스틱 광결정 섬유 및 그 제조방법에 관한 것으로, 테라헤르츠 대역의 전자파를 전송할 수 있는 도파로로 사용하기 위하여 제조가 용이하며, 광결정 구조를 채용함으로써 저손실의 특성을 가지는 새로운 구조의 플라스틱 광결정섬유 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. 본 기술에 의하여 제공되는 플라스틱 광결정 섬유는, 길이 방향의 축을 갖는 결정결함부 및 결정결함부를 둘러싸는 광결정부를 포함하며 여기서 광결정부는 축방향에 수직한 단면이 소정의 격자상수를 가지는 2차원 광결정 구조를 이루며 길이 방향의 축을 가지는 다수의 플라스틱 요소들을 배열로 이루어진 플라스틱 광결정 섬유이다. 여기서 제공되는 플라스틱 광결정 섬유는 광통신용 플라스틱 광결정 섬유의 제작을 위한 플라스틱 프리폼으로 사용가능하다.본 기술에 의하여 제공되는 플라스틱 광결정 섬유는 길이 방향의 축을 갖는 결정결함부 및 결정결함부를 둘러싸는 광결정부를 포함하며, 여기서 광결정부는 축방향에 수직한 단면이 소정의 격자상수를 가지는 2차원 광결정 구조를 이루며, 길이 방향의 축을 가지는 다수의 플라스틱 요소들의 배열로 이루어진 플라스틱 광결정 섬유이다. 또한 본 기술에 의하여 제공되는 플라스틱 광결정 섬유는 광통신용 플라스틱 광결정 섬유의 제작을 위한 플라스틱 프리폼으로 사용될 수 있다.
- 등록일
- 2004-09-30
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본 기술은 1,5-헥사디엔을 cyclopolymerization하여 poly(methyl-1,3-cyclopentane)을 중합하고 이를 형상기억수지로 이용하는 방법에 관한 것이다. Poly(methyl-1,3-cyclopentane)은 중합시 사용하는 촉매에 따라 입체 규칙성이 다른 다양한 것이 얻어진다. 입체규칙성이 작아 결정성이 작은 poly(methyl-1,3-cyclopentane)은 이 고분자의 유리전이온도를 형상회복온도로, 이 고분자의 녹는점 혹은 연이어 중합하여 부착된 비닐계 고분자 블록의 전이온도(결정성 블록의 경우는 녹는점이며 비결정성 블록의 경우는 유리전이온도임)를 고정상의 전이온도로 이용한다. 입체규칙성이 커 결정성이 큰 poly(methyl-1,3-cyclopentane)은 이 고분자의 녹는점을 형상회복온도로, 연이어 중합하여 부착된 비닐계 고분자 블록의 전이온도를 고정상의 전이온도로 이용한다. 본 기술은 고정상의 전이온도 이상에서 성형하여 제 1 형상의 성형체를 얻고, 이 성형체를 가역상의 전이온도(유리전이온도 혹은 녹는점)와 고정상의 전이온도 사이 (이 온도 범위에서 rubbery 함)에서 변형을 준 후, 외력을 유지한 채, 가역상의 전이온도 이하로 급냉하면(이 온도에서 glassy 함) 변형된 제 2의 형상이 고정되며, 이를 다시 가역상의 전이온도 이상으로 가열하면 저절로 애초의 제 1 형상이 회복되게 된다.가역상의 녹는점을 형상회복온도로 이용하는 경우, 이 온도가 중합된 poly(methyl-1,3-cyclopentane)의 입체규칙성에 따라 자유자재로 조절될 수 있으므로, 재료의 용도에 적절한 형상회복온도의 설계가 자유로운 장점이 있다.
- 등록일
- 2004-09-30
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일반인들의 환경에 대한 관심이 늘어남에 따라 환경산업은 21세기 국가 기반산업의 하나로 인식되고 있다. 이러한 추세에 발맞추어 최근 선진 제철소들은 신소재인 이산화티탄(TiO2)광촉매를 코팅한 강판 개발에 관한 연구를 진행하고 있다. 이산화티탄 코팅강판은 기존소재인 지올라이트계의 항균도장재나 항균 스테인레스보다 우수한 항균특성과 아울러 폐수처리 및 대기환경오염 제거능력도 보유한 것으로 밝혀져 미래의 광범위한 수요가 예상된다. 본 기술은 항균도장강판의 코팅제 및 여타 환경정화용으로 사용가능한 이산화티탄 분말을 저원가로 제조하는 것에 관한 내용이다.혼합용매의 조성 비, 금속, 염의 농도, 첨가제 및 가열속도 등을 변화시켜 구형 비정질 이산화티탄 크기를 0.1 ~ 5 미크론 범위에서 다양하게 제어 가능하고, 침출수의 정화실험을 통해 제조된 이산화티탄분말의 광촉매 특성이 상요분말 대비 우수하다. 광촉매 sol을 사용한 연속 코팅강판 생산에 적합한 공정으로 dip coating법과 roll coating법 개발하였다. 광촉매가 coating된 강판을 이용하여 대장균의 살균효과와 조류의 분해능 및 악취유발물질 MIB Geosmin의 제거능 확인, 이를 통해 항균용 건축재료 및 급수탱크, 수질 정화장치 등에 활용 가능성이 높을 것이다.
- 등록일
- 2004-09-30
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본 기술은 poly(1-alkene) 블록을 가역상으로 이용하고, 비닐계 단량체 블록을 고정상으로 이용하는 형상기억 수지에 관한 것으로 poly(1-alkene) 블록의 side chain의 녹는점을 가역상의 전이온도, 즉 형상회복온도로 이용한다. Poly(1-alkene)의 side chain의 녹는점은 1-alkene의 탄소수가 많을수록 높아지므로, 적절한 1-alkene을 선정함에 따라 형상회복온도를 10～100℃ 범위에서 다양하게 설계할 수 있다. 고정상으로 이용하는 비닐계 단량체 블록은 유리전이온도가 100℃ 이상 되는 비결정성 블록 혹은 녹는점이 100℃ 이상되는 결정성 블록을 가공온도의 필요성에 따라 적절히 선정할 수 있다. 이 재료는 고정상의 전이온도(녹는점 혹은 유리전이온도) 이상에서 성형하여 제 1 형상의 성형체를 얻고, 이 성형체를 가역상의 녹는점과 고정상의 전이온도 사이 (이 온도 범위에서 rubbery 함)에서 변형을 준 후, 외력을 유지한 채, 가역상의 녹는점 이하로 급냉하면(이 온도에서 glassy 함) 변형된 제 2의 형상이 고정되며, 이를 다시 가역상의 녹는점 이상으로 가열하면 저절로 애초의 제 1 형상이 회복되게 된다.가역상의 녹는점을 형상회복온도로 이용하는데, 이 온도가 선택한 1-alkene의 길이에 따라 자유자재로 조절할 수 있으므로, 재료의 용도에 적절한 형상회복온도의 설계가 자유로운 장점이 있다.
- 등록일
- 2004-09-30
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본 기술은 aliphatic polyester-polyamide 블록 공중합체와 aliphatic polyester와 상용성을 갖는 제 2의 고분자 (폴리염화비닐, phenoxy resin 등)와의 블렌드물을 구성 소재로 하는 형상기억 고분자 재료에 관한 것이다. 즉, aliphatic polyester-polyamide 블록공중합체를 제 1성분으로 3～90 중량%, 제 2의 고분자를 97～10 중량% 혼합하여 만든 조성물로서, 폴리아미드 블록의 영역을 고정상으로, aliphatic polyester와 제 2 성분 고분자의 균일 혼합상을 가역상으로 이용하는 형상기억수지이다. 가역상의 유리전이온도를 형상회복온도로 이용하며, 이 온도는 aliphatic polyester 블록/제 2의 고분자 조성비가 변함에 따라 -100℃ ～ 130℃ 범위에서 자유롭게 설계할 수 있다. 폴리아미드 블록의 녹는점 이상에서 조성물을 성형하여 제 1 형상의 성형체를 얻고, 이 성형체를 가역상의 유리전이온도와 고정상의 녹는점 사이(이 온도 범위에서는 rubbery 함)에서 변형을 준 후, 외력을 유지한채 가역상의 유리전이온도 이하로 급냉하면(이 온도에서는 glassy 함) 변형된 제 2의 형상이 고정되며, 이를 다시 가역상의 유리전이온도 이상으로 가열하면 저절로 애초의 제 1 형상이 회복되게 된다가역상의 유리전이온도를 형상회복온도로 이용하는데, 이 온도가 aliphatic polyester블록/제 2의 고분자 조성비에 따라 자유자재로 조절할 수 있으므로, 재료의 용도에 적절한 형상회복온도의 설계가 새로운 고분자의 합성없이 배합비로 용이하게 조절할 수 있는 장점이 있다.
- 등록일
- 2004-09-30
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산화마그네슘 단결정은 고온 초전도 물질, 페로브스카이트형 산화물 (강유전성 물질) 등을 박막으로 제조하기 위해 흔히 기질로 이용된다. 그러나 단결정은 크기에 한계가 있고 그 자체로는 실리콘 반도체와 혼성 소자를 만들 수 없기 때문에 실리콘 기질 위에 산화마그네슘을 박막으로 제조하려는 연구가 오랫동안 이루어졌다. 펄스 레이저 침착법 (pulsed laser deposition, PLD)으로는 질이 좋은 산화마그네슘 박막을 제조할 수 있으나 이 또한 값비싼 장비를 써야 하고 기질의 크기에 제한을 받는 점에서 불리하다. 경제적으로 유리한 화학 증착법으로 실리콘 기질 위에 산화마그네슘을 적층 성장시키는 방법은 오래도록 개발되지 못하였으나 본 기술에서는 입방형 탄화규소를 실리콘 (001) 기질 위에 완충층으로 입히고 그 위에 티부틸산메틸마그네슘 (MeMgOtBu, MMTB)을 단일 선구 물질로 사용하여 산화마그네슘 박막을 적층 성장시켰다. 본 기술로 제조한 산화마그네슘 적층 박막은 지금까지 CVD로 제조한 어떠한 박막보다도 질이 좋으며 PLD로 만든 박막과 비교해도 거의 대등하다. 본 기술은 산화마그네슘과 격자 상수가 비슷하고 실리콘 기질 위에 적층 성장시킬 수 있는 입방형 탄화규소를 완충층으로 사용하여 그 위에 산화마그네슘을 적층 성장시키는 점에서 다른 어떠한 산화마그네슘 CVD 방법보다 더 우수하다. 단지 산화마그네슘의 단일 선구 물질로 쓴 MMTB의 물성이 그리 좋지 않기 때문에 다루기에 더 편리한 선구 물질이 필요하다. 다른 선구 물질로 마그네슘의 β-디케톤산염이나 시클로펜타디에닐 화합물을 쓸 수 있으나 이들 화합물로는 산소를 반드시 함께 써야 산화마그네슘을 만들 수 있으므로 공정이 더 복잡해진다. 따라서 새로운 선구 물질이 나와야 하는데 현재 본 기술에서는 마그네슘의 새로운 화합물들을 여러 가지 합성하여 시험해 보고 있으므로 앞으로 더 좋은 선구 물질이 나올 것으로 기대한다. 이 문제만 해결하면 실리콘 (001) 기질 위에 입방형 탄화규소를, 그 위에 산화마그네슘을, 그 위에 페로브스카이트 물질을 계속 적층 성장시킴으로써 실리콘 기질 위에 페로브스카이트 소자를 제조할 수 있을 것이다.
- 등록일
- 2004-09-30
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