기술검색

일반기술 화학공정 > 분자자기조립 공정 기술

유기 금속착물 및 이의 제조방법

본 발명은 하기 화학식 1의 유기금속 착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기금속 화학증착법에 관한 것으로, 본 발명의 유기금속 착물은 상온에서 고상으로 존재하며 기존의 유기금속 착물에 비해 휘발성이 우수하여 화학증착법에 의해 란타나이드 또는 산화수가 3인 금속을 포함하는 산화물 박막을 효율적으로 제조할 수 있다.; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, M은 란타나이드 금속 및 산화수가 3인 금속원소 중에서 선택되는 원소이고; R은 C 1 -C 4 알킬이며; m은 2 내지 5 범위의 정수이다. 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 착물: 화학식 1 [IMAGE 3] 상기 식에서, M은 란타나이드 금속 및 산화수가 3인 금속원소 중에서 선택되는 원소이고; R은 C 1 -C 4 알킬이며; m은 2 내지 5 범위의 정수이다.

보유기관

포항공과대학교

등록일

2007-08-10

상세보기

일반기술 화학공정 > 분자자기조립 공정 기술

저전압 구동의 플렉서블 유기 박막 트랜지스터의 제조방법

본 기술은 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 경제적인 롤투롤 방식으로 게이트전극을 형성하는 유기 박막 트렌지스터의 제조방법에 관한 것이다. 본 기술에 따른 유기 박막 트렌지스터는 플레서블 기판위에 라미네이션(lamination) 공정과 전해연마(electro-polishing) 공정을 이용하여 게이트 전극을 형성시킨 후, 게이트 절연층, 유기 활성층 그리고 소스/드레인 전극을 형성되어 제조된다. 본 기술에서는 상업적으로 값싸게 생산되는 알루미늄 호일을 프렉서블 기판위에 롤투롤(roll-to-roll)방식의 라미네이터(laminator)을 이용하여 게이트전극의 밑바탕을 형성시킨 후 표면의 거칠기(roughness)를 줄이는 전해연마처리를 수행하는 것을 특징으로 한다. 그리고 저전압에서 구동하기 위해 게이트 절연층의 높은 전기용량(capacitance)을 확보하는 방법을 포함한다.

보유기관

포항공과대학교

등록일

2008-10-31

상세보기