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화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 하기 화학식 1의 쿠커비투릴 유도체가 하기 화학식 2의 변형된 고체 기판에 공유결합된 것을 특징으로 하는 쿠커비투릴 유도체가 공유결합된 고체 기판, 이를 채택하여 제조되는 것을 특징으로 하는 단백질칩, 유전자칩, 및 생체분석용 센서를 제공한다.; [화학식 1]; ; [IMAGE 1] ; [화학식 2]; ; [IMAGE 2] ; 상기 화학식에서, R 1 및 R 2 는 명세서에 기재된 바와 같다. 하기 화학식 1의 쿠커비투릴 유도체가 하기 화학식 2의 변형된 고체 기판에 공유결합된 고체 기판. [화학식 1] [IMAGE 28] (상기 화학식 1에서, n은 4 내지 20의 정수이고, R 1 및 R 1 '은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C 1 -C 20 알킬기를 가지며 말단에 불포화 결합을 갖는 알케닐옥시기, 치환 또는 비치환된 C 1 -C 20 알킬기를 갖는 카르복시알킬설피닐옥시기, 치환 또는 비치환된 C 2 -C 8 알킬기를 갖는 카르복시알킬옥시기, 치환 또는 비치환된 C 2 -C 8 알킬기를 갖는 아미노알킬옥시기, 또는 치환 또는 비치환된 C 2 -C 8 알킬기를 갖는 히드록시알킬옥시기이다) [화학식 2] [IMAGE 29] (상기 화학식 2에서, R 2 는 말단에 티올, 아민, 에폭시, 이소시안, 또는 이소티오시안 작용기를 갖는 C 1 -C 10 알킬기이다)
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- 2007-08-10
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화학 > 전이금속화학·착물화학
망간(Mn 2+ ) 이온과 포르메이트 이온(HCO 2 - )이 3차원 골격구조로 이루어진 다공성 결정 물질 및 그 제조방법이 개시된다. 상기 다공성 망간-포르메이트 다공성 결정물질은 골격구조 내부에 부피가 작은 수소, 이산화탄소 등의 기체분자를 선택적으로 흡착할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 금속-포르메이트 다공성 결정물질은 질소, 아르곤, 메탄 등의 기체 혼합물로부터 수소, 이산화탄소를 효율적으로 분리하는데 이용할 수 있다.하기 구조식 1로 표시되는 연결구조와 M(HCO 2 ) 2 의 조성을 갖는 금속-포르메이트 다공성 결정물질: <구조식 1> [IMAGE 9] 상기 구조식 1에서, 각 포르메이트 이온은 3 개의 금속이온 M과 결합하고 있으며, 각 금속이온 M은 여섯 개의 포르메이트 이온과 결합되어 있고, 금속이온 M : 상기 포르메이트 이온의 조성비는 1:2이며, 상기 금속이온 M은 Li + , Be 2+ , Na + , Mg 2+ , Al 3+ , K + , Ca 2+ , Sc 3+ , Ti 2+ , Ti 3+ , Ti 4+ , V 3+ , V 4+ , V 5+ , Cr 2+ , Cr 3+ , Mn 2+ , Mn 3+ , Mn 4+ , Mn 6+ , Mn 7+ , Fe 2+ , Fe 3+ , Co 2+ , Co 3+ , Ni 2+ , Cu + , Cu 2+ , Zn 2+ , Ga 3+ , Ge 4+ , Rb + , Sr 2+ , Y 3+ , Zr 4+ , Nb 4+ , Nb 5+ , Mo 2+ , Mo 3+ , Mo 4+ , Mo 5+ , Mo 6+ , Ru 2+ , Ru 3+ , Ru 4+ , Rh 2+ , Rh 3+ , Rh 4+ , Pd 2+ , Ag + , Cd 2+ , In + , In 3+ , Sn 2+ , Sn 4+ , Sb 3+ , Sb 5+ , Cs + , Ba 2+ , La 3+ , Ln 3+ (Ln = 란탄족 금속), Hf 4+ , Ta 5+ , W 2+ , W 3+ , W 4+ , W 5+ , W 6+ , Re 3+ , Re 4+ , Re 5+ , Re 7+ , Os + , Os 2+ , Os 3+ , Os 4+ , Ir + , Ir 2+ , Ir 3+ , Ir 4+ , Pr 2+ , Pt 4+ , Au + , Au 3+ , Hg + , Hg 2+ , Tl + , Tl 3+ , Pb 2+ , Pb 4+ , Bi 3+ , 또는 Bi 5+ 이다.
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화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 극초단파를 이용한 글리코루릴 및 이를 이용한 쿠커비투릴의 합성방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 산업적으로 다양한 용도를 지닌 쿠커비투릴의 다양한 유도체를 얻기 위한 축합 및 고리화 반응과 하이드록시쿠커비투릴을 합성하기 위한 산화반응 및 글리코루릴과 파라포름알데히드 또는 포름알데히드 용액의 축합 및 고리화 반응에 있어 극초단파를 이용하여 빠른 시간에 효과적으로 제조할 수 있게 된다. 하기 화학식 2로 표시되는 글리코루릴 화합물과 파라포름알데히드 또는 포름알데히드 용액에 산 촉매하, 극초단파를 조사하여 하기 화학식 1로 표시되는 쿠커비투릴을 얻는 것을 특징으로 하는 화학식 1로 표시되는 쿠커비투릴의 제조방법. [화학식 1] [IMAGE 19] [화학식 2] [IMAGE 20] 상기식중, X는 O이고, R 1 과 R 2 는 서로에 관계없이 수소, 치환된 또는 비치환된 C1-C30의 알킬기 및 치환된 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고, n은 4 내지 20의 수이다.
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화학 > 전이금속화학·착물화학
하기 화학식 1로 표시되는 히드록시쿠커비투릴 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 유기 화합물이 공중합하여 형성된 직경 10 내지 1000 nm 크기의 고분자 캡슐 및 그 제조방법을 제공한다: ; [화학식 1] ; [IMAGE 1] ; [화학식 2] ; (HS) j -Z-(SH) k ; 상기 화학식 1 및 2에서, A 1 , A 2 , X, Z 및 n, j, 및 k는 명세서에서 정의된 바와 같다. 하기 화학식 1로 표시되는 쿠커비투릴 유도체 및 하기 화학식 2로 표시되는 유기 화합물이 공중합하여 형성된 직경 10 내지 1000 nm 크기의 고분자 캡슐: [화학식 1] [IMAGE 7] 상기 화학식 1에서, n개의 A 1 과 n개의 A 2 중의 하나 이상 또는 모두가, 하이드록시기, 메틸옥시기, 부틸옥시기, 도데카부틸옥시기, 프로피닐옥시기, 하이드록시에틸옥시기, C 1 -C 30 알킬옥시카르보닐옥시기, C 1 -C 30 의 알킬카르보닐옥시기, C 1 -C 30 의 아미노알킬옥시기, -OC(=O)CH 3 , -OCH 2 CH 2 CH 2 SCH 2 COOH, -OCH 2 CH 2 CH 2 SCH 2 CH 2 NH 2 , 및 -OC(=O)CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 로 이루어진 군으로부터 선택되거나, -O-A-CH=CH 2 이고, 여기에서 A는 C 1- C 20 알킬렌이되, 그 알킬렌을 구성하는 내부의 탄소-탄소 결합 중간에 산소, 황, 또는 질소가 삽입되어 연결될 수 있으며, X는 O, S 또는 NH이고, n은 4 내지 20의 정수이다, [화학식 2] (HS) j -Z-(SH) k 상기 화학식 2에서, Z는 C 1- C 20 알킬렌이되, 그 알킬렌을 구성하는 내부의 탄소-탄소 결합 중간에 산소, 황, 또는 질소가 삽입되어 연결될 수 있으며, j 및 k는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.
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화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 하기 일반식 (I) 내지 (IV)의 새로운 크라운 에테르형 시클로판 화합물 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.; [IMAGE 1] 하기 일반구조식 (I), (II), (III) 또는 (IV)를 갖는 크라운 에테르형 시클로판 화합물: [IMAGE 49] 여기에서, m은 0 또는 1의 정수를 나타내고; n은 1 내지 5의 정수를 나타내고;양 이소옥사졸린 고리는 벤젠 고리에 있어서 meta- 또는 para- 위치에 치환된다.
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화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 덴드론티올 혹은 덴드론티올 유도체로 표면이 안정화된 금속 나노 입자 및 그 제조 방법을 제공한다.; 본 발명에서는 금속 나노 입자를 안정화하기 위해 표면에 도입하는 화합물로서 입체적 장애효과를 효율적으로 나타낼 수 있는 덴드론이라고 하는 나무가지 모양의 유기화합물을 사용함으로써, 금속 나노 입자의 크기를 용이하게 조절할 수 있을 뿐 아니라, 덴드론의 입체적 장애 효과에 의해 금속 나노 입자의 표면에 촉매로서 이용할 있는 비어 있는 금속 표면을 효과적으로 제공하여 균일상 촉매로 금속 나노 입자를 사용하는 것을 가능케 한다. 화학식 1의 덴드론티올 혹은 덴드론티올 유도체로 표면이 안정화된 금속 나노 입자. [화학식 1] [IMAGE 4] 상기 화학식 중, R은 메틸기이고, n은 1 내지 5의 정수이다.
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화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 쿠커비투릴이 결합된 실리카 겔에 관한 것으로, 구체적으로는 대기나 수질오염물질을 제거하는데 유용하며, 생물학적 물질, 유기물질, 무기물질, 이온성 물질 등을 분리 및 정제하는데 이용할 수 있는 물질인 쿠커비투릴을 실리카 겔에 공유결합시킨 실리카 겔 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 하기 화학식 1의 쿠커비투릴과 하기 화학식 2의 변형된 실리카 겔이 공유결합된 것을 특징으로 하는 쿠커비투릴이 공유결합된 실리카 겔. <화학식 1> [IMAGE 19] (식중, n=4 내지 20의 정수이며, R 1 은 각각 독립적으로 C1-C20의 말단이 불포화결합인 알케닐옥시기, C1-C20의 알킬기를 갖는 카르복시알킬설파닐옥시기, C2-C8의 알킬기를 갖는 카르복시알킬옥시기, C2-C8의 알킬기를 갖는 아미노알킬옥시기, 또는 C2-C8의 알킬기를 갖는 히드록시알킬옥시기를 나타낸다) <화학식 2> [IMAGE 20] (식중 R 2 는 C3-C8의 알킬기를 갖는 알킬티올, C3-C8의 알킬기를 갖는 알킬아민, 또는 C3-C8의 알킬기를 갖는 에폭시알킬옥시알킬, C3-C8의 알킬기를 갖는 이소시안염, C3-C8의 알킬기를 갖는 이소티오시안염을 나타낸다)
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화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 하기 화학식 1의 쿠커비투릴 유도체가 응집되어 형성된 직경 1 내지 1000nm 크기의 나노 입자, 그 나노 입자에 약리활성물질이 담지된 약제학적 조성물, 및 그들의 제조방법을 제공한다:; [화학식 1]; ; [IMAGE 1] ; 상기 화학식 1에서, X, A 1 , A 2 및, n은 명세서에서 기재된 바와 같다. 하기 화학식 1의 쿠커비투릴 유도체가 응집되어 형성된 직경 1 내지 1000nm 크기의 나노 입자: [화학식 1] [IMAGE 6] 상기 화학식 1에서, n개의 A 1 과 n개의 A 2 중의 하나 이상 또는 모두가, 히드록시기, C 1 -C 30 알콕시기, C 1 -C 30 알칸티오알킬옥시기, 알릴옥시기, 하이드록시에틸옥시기, C 1 -C 30 알킬옥시카르보닐옥시기, C 1 -C 30 알킬카르보닐옥시기, C 1 -C 30 아미노알킬옥시기, -OCH 2 CH 2 CH 2 SCH 2 COOH, 및 -OCH 2 CH 2 CH 2 SCH 2 CH 2 NH 2 로 이루어진 군으로부터 선택되고, 나머지의 A 1 과 A 2 는 수소(H)이고, X는 O, S 또는 NH이고, n은 4 내지 20의 정수이다.
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화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 이치환 쿠커비투릴이 결합된 실리카겔 및 그 용도를 제공하며, 대기나 수질오염물질을 제거하는데 유용하며, 생물학적 물질, 유기물질, 무기물질, 이온성 물질 등을 분리 및 정제하는데 이용할 수 있는 물질인 이치환 쿠커비투릴을 실리카 겔에 공유결합시킨 실리카 겔 및 그 용도를 제공한다.(i) 하기 화학식 1로 표시되는 이치환 쿠커비투릴과 하기 화학식 2로 표시되는 변형된 실리카겔이 결합되거나 또는 (ii) 하기 화학식 1의 이치환 쿠커비투릴과 하기 화학식 3으로 표시되는 실란 화합물이 결합된 후, 이를 하기 화학식 2a에서 R 2 가 OH인 변형되지 않은 실리카겔과 결합시킨 것을 특징으로 하는 이치환 쿠커비투릴이 결합된 실리카 겔: <화학식 1> [IMAGE 28] 상기식중, n은 4-7의 정수이며, R은 서로 동일하게 또는 상이하며, 말단에 카르복실기, 아미노기, 하이드록시기 또는 알릴기가 치환된 C2-C30의 알케닐기; 말단에 카르복실기, 아미노기, 하이드록시기 또는 알릴기가 치환된 C2-C30의 알키닐기; 말단에 카르복실기, 아미노기, 하이드록시기 또는 알릴기가 치환된 C1-C30의 알킬카르복실기; C1-C30의 하이드록시알킬기; 말단에 카르복실기, 아미노기, 하이드록시기 또는 알릴기가 치환된 C1-C30의 알콕시기; C1-C30의 아미노알킬기; 말단에 카르복실기, 아미노기, 하이드록시기 또는 알릴기가 치환된 C6-C30의 아릴기; 및 말단에 카르복실기, 아미노기, 하이드록시기 또는 알릴기가 치환된 C2-C30의 헤테로아릴기;로 이루어진 군으로부터 선택되고, <화학식 2> [IMAGE 29] 상기식중, R 2 는 C1-C10의 할로겐화된 알킬기, C1-C10의 메르캅토알킬기, C1-C10의 아미노알킬기, C2-C10의 에폭시알킬옥시알킬기, C2-C10의 이소시아네이토알킬기, 또는 C2-C10의 이소티오시아네이토알킬기를 나타내고, <화학식 2a> [IMAGE 30] 상기식중, R 2 는 하이드록시기이고, [화학식 3] [IMAGE 31] 상기식중, X는 C1-C10의 할로겐화된 알킬기, C1-C10의 아미노알킬기, C2-C10의 에폭시알킬옥시알킬기, C2-C10의 이소시아네이토알킬기, C2-C10의 이소티오시아네이토알킬기를 나타내고, R'은 서로 동일하게 또는 상이하며, 할로겐 원자 또는 C1-C20 알킬옥시기이다.
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- 2007-08-10
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화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 쿠커비투릴 유도체가 중합 및 공중합하여 형성된 고분자 초박막 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 고분자 초박막은 그 두께 10 nm 이하이며, 기질 표면에서 박리해낸 후, 필름 형태를 유지할 수 있다. 하기 화학식 1의 쿠커비투릴 유도체의 중합으로 얻어진 고분자 초박막; [화학식 1] [IMAGE 8] 상기식중 X는 O, S 또는 NH이고; A 1 및 A 2 는 서로 독립적으로 OR, SR, 또는 NHR이며, R은 알릴기, 아크릴기 또는 C1-C20의 알켄기이며, n은 4 내지 20의 정수이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 티탄 산화물 박막의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 티탄 산화물 또는 티탄 산화물 관련 물질 분말의 표면을 산도가 높은 친수성 산화물인 WO3 , MoO3 , Nb2 O5 또는 이들의 전구체로 코팅한 후 이것의 분산액을 사용하여 고체 표면에 티탄 산화물 박막을 형성하는 것으로, 산도가 높은 친수성 산화물인 WO3 , MoO3 또는 Nb2 O5 를 사용하여 티탄 산화물 분말 또는 티탄 산화물 관련 물질의 표면을 코팅함으로써 티탄 산화물의 표면 산도 및 분산성이 향상되어 입자 크기가 감소되므로 이를 이용하여 제조한 티탄 산화물 박막의 투명도를 증진시킬 수 있으며 티탄 산화물의 광촉매 효율도 증진시킬 수 있다.
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- 인하대학교
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- 2007-10-04
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화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 Nb 또는 Ta의 산화물 박막 제조용 전구체에 관한 것으로서, 구체적으로는 한자리 리간드 3개와 세자리 리간드 1개를 가지는 것을 특징으로 하는, 중심 금속이 Nb 또는 Ta인 Nb 또는 Ta 산화물 박막 제조용 전구체에 관한 것이며, 이 전구체는 높은 휘발성, 우수한 화학적·열적 안정성, 열분해의 용이함 및 낮은 점도를 갖고 부반응이 적으며 상대적으로 낮은 온도에서도 박막의 증착 속도가 빠른 장점이 있다.화학증착 (Chemical Vapor Deposition, CVD)은 다양한 기질 (substrate) 위에 여러 가지 종류의 박막을 생성하기위해 널리 사용되고 있다. 화학증착에서는 하나 또는 그 이상의 휘발성 무기 또는 유기 금속 전구체를 이송기체 (carrier gas)와 함께 기상 (vapor phase)으로 반응 용기 (reactor chamber)에 도입하고, 가열하여 반응 용기에 있는 기질 위에서 전구체는 분해되고 휘발성 부생성물 (byproducts)은 제거되면서 고체 박막이 생성된다. 이 방법으로는 박막을 쉽게 대량생산할 수 있고 박막의 조성 및 두께를 용이하게 조절할 수 있다. 또한 기질이 확산되는 경우는 몇몇 기질에만 해당하는 것으로 드믄 일이며 스텝 커버리지 (step coverage; 각종 박막이 입혀질 때 평평한 부분에 대한 경사진단차 (step) 부분에 입혀진 박막의 비율)가 우수하여, 반도체를 비롯한 전자산업 등에서 박막을 제조하기 위한 차세대공정으로 주목받고 있다.한편 화학증착에 의해 박막을 제조하기 위해서는 먼저 우수한 특성을 갖는 전구체 (precusor)가 제공되어야 한다. 우수한 전구체의 조건으로는 높은 휘발성, 녹는점과 분해 온도의 큰 격차, 낮은 독성, 화학적 안정성, 열적 안정성 및 전구체 합성과 열분해의 용이함을 들 수 있다. 이러한 특성을 갖는 전구체는 기화시키기 쉬운 장점이 있다. 또한 열분해가 일어나기 전까지 기화하는 과정 및 기체상으로 이송하는 과정에서 자발적으로 분해되거나 다른 물질과 반응하는 등의 부반응이 일어나지 않으므로, 휘발성이 감소하거나 제조된 박막의 조성이 변하는 일이 없다. 따라서 화학증착에 의해 박막을 제조하는 기술에 있어, 먼저 우수한 특성의 전구체를 개발하기 위한 노력이 전세계적으로 진행되고 있다.산화 니오븀 (Nb2 O5 ) 또는 산화 탄탈륨 (Ta2 O5 )은 유전율 (dielectric constant)이 크며, 층상구조를 갖는 SrBi 2 Ta2 O9 와 같은 강유전체 물질의 구성성분일 뿐만 아니라 고집적 비휘발성 메모리를 구성하는 핵심소재로 사용되고 있다.따라서 우수한 품질의 Nb 산화물 또는 Ta 산화물 박막을 제조하는 것은 산업상 매우 중요하다.현재 이러한 박막을 제조하기 위한 전구체로서 일반적으로 사용되고 있는 것은 M(OR)5 (M은 Nb 또는 Ta, R은 알킬)형태의 물질이다. 그러나 이 전구체는 점도가 높고 가수분해가 일어나기 쉬운 단점이 있다. 또한 알콕사이드 리간드가 쉽게 해리되기 때문에 버블러 (bubbler)에서 열에 의해 올리고머가 되거나 폴리머가 되는 등의 부반응 (oligomerization 또는 polymerization)이 일어나고 이로 인해 리간드가 다른 물질로 치환될 가능성이 높다. 따라서 기화되어 박막이 형성될 때 조성이 변하고 휘발성이 감소되어 박막 생성 속도가 느려지는 단점이 있었다. 예를 들어, SBT (strontium bismuth tantalate, SrBi 2 Ta2 O9 ) 박막은 Sr(thd) 2 (thd = 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate), Ta(OEt)5 및 BiPh3 (Ph=페닐기)를 포함하는 용액을 가열하여 증기화시켜 제조한다. 그러나 Ta의 리간드인 에톡사이드는 교환반응 (exchange reaction)을 통해 Sr 화합물의 리간드와 자리바꿈을 하게 되고, 이로 인해 스트론튬 알콕사이드화합물이 생성될 뿐만 아니라 전구체의 휘발성이 감소된다. 이러한 부반응은 버블러 하나에 세 화합물을 모두 놓고 동시에 기화시킬 때만 발생하는 것이 아니라, 각기 다른 버블러에 화합물을 놓고 기화시켜 기체상태에서 혼합하는 경우에도 발생하는 것으로 알려져 있다. 금속 산화물의 박막을 제조하기 위한 또 다른 전구체로서 Ti(OR) 4 (R은 알킬) 형태의 물질도 널리 사용되고 있으나, 이러한 부반응에 의한 문제점을 여전히 내포하고 있다.상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, β-디케토네이트 (β-diketonate)와 같은 두자리 리간드 (didentate ligand)로 알콕사이드 리간드의 일부를 치환시킨 Ti(OR)2 (β-디케토네이트)2 형태의 전구체가 보고된 바 있다 (Bulletin of the Korean Chemical Society, 1996, 17(7), 637). 이렇게 리간드를 치환함으로써 고리화 효과 (chelate effect)를 유도하고 비어있는 배위자리 (vacant coordination site)를 채워주어 가수분해 및 열에 대한 안정성 등의 특성이 향상되었다. 또한 승화가 용이한 고체 M(OR)4 (β-디케토네이트)2 (M은 Nb 또는 Ta, R은 알킬기) 형태의 전구체에도 상기와 같은 리간드가 적용되었다 (미국 특허 제5,840,897호, Advanced Techonology Materials, Inc., Danbury, Conn.). 이 경우 전구체의 열 안정성 및 화학적 안정성이 향상되어 열분해 전에 부반응이 나타날 가능성은 상당 부분 감소시킬 수 있으나 아직도 가수분해에 대한 안정성이 작고, 고체이므로 상대적으로 휘발성 감소가 문제가 되고 있다.또 다른 방법으로는 박막 제조에 사용되는 전구체들이 모두 같은 리간드를 갖도록 하는 것이 있다. 이 경우 리간드 교환반응에 의한 부반응을 없앨 수는 있으나, 모든 금속에 대하여 동일한 리간드를 갖도록 제조하는 것은 어렵기 때문에 사용에 제한을 받는 단점이 있다 (J. Electrochem. Soc., 1987, 134(2), 430).또한 M(NMe2 )5 (M은 Nb 또는 Ta) 형태의 전구체도 개발되었는데, 이 물질은 승화성은 비교적 우수하지만 고체이므로 액체 전구체에 비하여 휘발성이 저하되는 단점이 있고 150 ℃에서는 쉽게 분해되는 등 열 안정성이 나쁘며 가수분해도 쉽게 일어나는 문제점이 있다.이에 본 발명자들은 상기 문제점을 해결하고 우수한 특성을 가진 Nb 또는 Ta 산화물의 박막 제조용 전구체를 개발하기위해 노력한 결과, 한자리 리간드 3개와 세자리 리간드 1개를 가지고 중심 금속이 Nb 또는 Ta인 착화합물 (complex)이 높은 휘발성, 우수한 화학적·열적 안정성, 열분해의 용이함 및 낮은 점도를 가지며 부반응이 적고 상대적으로 낮은 온도에서도 박막의 증착 속도가 빠르다는 것을 알아내어 본 발명을 완성하였다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2007-10-04
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화학 > 전이금속화학·착물화학
본 발명은 고수지형 폴리이미드를 첨가한 에폭시 수지 혼합조성물 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 에폭시 수지 80 내지 99.5 중량% 및 고수지형 폴리이미드 0.5 내지 20 중량%로 구성되어 열적 및 기계적 특성이 우수한 에폭시 수지 혼합조성물 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 혼합조성물은 종래의 에폭시수지보다 열 안정성 및 기계적 물성이 월등히 향상되어 경제적 측면뿐만 아니라 에폭시 수지를 대체하는 고기능성 구조용 매트릭스 수지 등으로 널리 사용될 수 있어 유용하다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2008-08-27
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일반기술
화학 > 전이금속화학·착물화학
해당 기술은 이산화티탄 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 상온에서 결정성이 우수할 뿐만 아나라 미립자이면서 비표면적이 높아 광촉매로서 유용하게 사용될 수 있도록 하는데 그 목적이 있으며, 상기한 목적을 달성하기 위하여 해당 기술은 사염화티탄(TiCl4)을 염산용액에 적하한 후 증류수를 첨가하여 사염화티탄에 대한 염산의 농도비가 1:2.5몰비 내지 1: 3.5몰비가 되도록한 다음, 여기에 침전제로 중탄산암모늄(NH4HCO3)을 pH6 내지 pH7이 될때까지 적하하면서 교반하여 침전물을 형성시키고, 상기 침전물을 충분히 세척한 후 110℃로 유지된 건조기에서 48시간 건조한 다음 400∼700℃에서 열처리함을 특징으로 하는 침전제 적하법을 이용한 이산화티탄 분말의 제조방법을 제공한다.
- 보유기관
- 강원대학교
- 등록일
- 2009-01-15
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