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재료 > 기타 고분자재료
본기술은 내구성을 가지는 수성나노 복합난연제 및 그 제조방법에 관한 것으로 신규의 함질소 인산에스테르계 및 나노점토의 나노복합형 수성난연제로서 섬유,제지,필름,목재등의 재료에 표면처리하여 내구성 및 난연성을 발휘하는 조성물에 관한 것으로 함질소 인산에스테르계 화합물에 대하여 scp법( SOLUTION COMPOUNDING PROCESS)으로 처리하여 박리된 나노입자화된 기능성 나노점토를 포함하며 상기 함질소 인산에스테르계 화합물이 기능성 점토의 카드집 구조에 삽입되어 있는 내구성의 수성나노복합 난연제인것을 주요특징으로 함새로운 나노복합 난연제 조성물은 수용액상으로 만들어져 있고 환경친화성이 있으며 함질소 인산에스테르계 난연제와 기능성 나노점토에 의한 난연성의 상승효과가 매우크게 나타났고 더불어 가공조제와 상용성이 매우 우수하여 적용할 수 있는 가공방식과 피착물의 종류가 아주 다양해 지며 적용후에도 안정된 물성이 지속적으로 유지되어 내구성 또한 매우 우수하게 된다 뿐만아니라 동 물성의 제조방법은 종래의 제조기술에 비하여 매우 간단하고 편리해 지는 장점이 있음.
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원리 및 구성본 기술은 각종 간질환 관련연구 및 인공간을 얻기 위한 간세포 지지체의 제조방법에 관한 것이다. 개발배경종래에는 VLA(N-ρ-vinylbenzyl-O-β-D-galactopyranosyl -(1→4)-D-gluconamide)를 고분자화하여 물에 녹인 후 기반재표면에 물리적인 결합방법인 코팅을 하여 얻도록 하므로서 고농도의 VLA를 필요로 하고 또 1회시험후 세척과정에서코팅층이 벗겨져 재사용이 불가능함에 따라 비싼 VLA의 과다소요로 연구활동이 위축될 수 밖에 없었다.중요성 및 독창성본 기술은 폴리스티렌과 같은 고분자 기반재를 플라즈마 글로우 방전처리하여 그 표면에 과산화물이 생성되게 한 다음VLA가 상기 기반재 표면의 과산화물과 화학적으로 결합되게 하므로서 저밀도의 VLA로 지지체를 얻을 수가 있고 또 세척후 재사용 가능하므로 아주 저렴한 경비로 지지체를 얻을수가 있어 경비에 구애받지 않는 활발한 연구활동을 기대할 수 있다.응용분야간세포의 증식 또는 인공간 제조등에 적용될 수 있다. 또한 간세포 연구에도 중요한 재료를 제공할수있다. 특징 및 장점본 기술은 통상 실험용으로 널리 이용되고 있는 폴리스티렌(polystyrene)제 배양용기를 기반재로 이용하며, 상기기반재를 주어진 조건하에서 플라즈마 글로우 방전 (plasma glow discharge)처리하여 기반재 표면에 과산화물이 생성되도록 한다. 또한 플라즈마 글로우 방전처리에 의한 과산화물의 생성은 저진공상태로서 약 13.56MHz의 라디오 주파수를 이용하는것으로서, 방전에 의해 생성되는 플라즈마 에너지는 약10eV(230Kcal)정도까지 달하므로 기반재를 구성하는 탄소의 화학적 결합을 깨게 된다.
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*원리 및 구성본 기술은 간세포의 배양후 간 보조장치의 모듈 내에 투입하여 인공간으로서의 기능을 갖도록 하는 매트릭스에 관한 것이다. 본 기술은 폴리스티렌(polystylene)과 소금을 약 0.5∼2 : 8∼9.5의 부피비율로 믹서기(Torgue-Rheometer)에 투입하여 고온에 의한 폴리스티렌의 용융상태에서 충분히 혼합되게 한다. 폴리스티렌은 용융점에 의한 용융상태에서 소금과 혼합되므로 무방하나, 소금은 얻고자 하는 매트릭스(Matrix)의 두께와 상기 매트릭스가 갖는 셀의 크기에 의해 크기가 결정되며, 얻고자하는 매트릭스의 두께를 1mm로 기준할때 소금은 약 0.2∼0.6mm 크기가 적당하다. 또한 폴리스티렌과 혼합되는 소금은 성형후 염분을 제거하게 되면 소금이 차지하고 있던 만큼의 공극율과 적정크기로서 다공질의 오픈셀(open cell)을 얻을 수 있다.*개발배경현재 상품화 되어 있는 간 보조장치용 매트릭스는 대표적으로 폴리우레탄폼과 중공사를 예로 들수가 있다.환자1명당 필요로 하는 최소 약100억개 이상의 간세포를 배양하는 데에는 수십만가닥 이상의 중공사를 필요로 하므로 가격부담이 매우 크다. 또 부피가 커 컴팩트화는 기대할 수가 없으며, 이러한 많은 량의 중공사를 적시는 데에만 다량의 혈액또는 혈장을 필요로 한다. 본 기술은 저렴한 경비로 제작할 수가 있고, 높은 공극율 및 지지력에 의한 간세포의 분포도 증가로 컴팩트화할 수 있으면서도 간세포의 높은 생존율과 활성화를 기대할 수가 있고 면역거절반응 또한 없애줄수가 있는 매트릭스(Matrix)를 제공한다*중요성 및 독창성다량의 염분이 차지하고 있던 만큼의 오픈셀(open cell)을 갖는 다공성 매트릭스를 얻되, 매트릭스에 간세포(hepatocytes)의 접착을 유도하는 PVLA(poly(N-P-vinybenzyl-O-β-D-galactopyranosyl-(1→4)-D-gluconamide)) 수용액을 적정농도로 코팅하여 구성하므로써, 간세포의 배양시 다량의 간세포가 전면에 골고루 접착하여 분포될 수가 있게 되는 것이다.*응용분야의료용 간 보조용 메트릭스에 적용할 수 있다.*특징 및 장점폴리스티렌과 소금을 적정비율로 혼합성형한 다음 염분을 녹여 없애주므로서 최대의 공극율로서 원하는 크기와 형태의 오픈셀을 갖게 되므로 저렴한 경비로 제작할 수가 있고, 또 높은 공극율로서 PVLA를 코팅하여 간세포가 접착되게 할 경우 강한 접착력으로 촘촘히 접착되므로 간 보조장치(Bio Artificial Liver)의 모듈(Modul)을 보다 컴팩트화 할 수가 있으며, 접착된 간세포 는 알지닉 에시드캡슐이 면역거절반응을 없애주게 되므로 간 보조장치의 모듈을 구성하는 최적의 매트릭스를 제공할 수가 있다.
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*원리 및 구성조영제(contrast medium)에 관한 것으로, 마그네타이트 나노입자를 합성하고, 1차 표면개질 물질인 3-아미노 프로필 트리에톡시실란(3-aminopropyltriethoxysilane)으로 1차 표면개질하여 아민기를 가지는 스페이서를 형성하고, 아민기를 가지는 마그네타이트 나노입자를 2차 표면개질하여 β-갈락토오스를 함유한 락토바이오닉 산을 리간드로서 상기 스페이서를 매개로 결합시킴으로써 초상자성 산화철계 나노입자 간조영제를 얻는다.*개발배경초상자성 산화철계 나노입자를 이용하여 간세포를 특이적으로 인식할 수 있는 간세포 조영제 및 그 제조방법을 제공함에 있다.*중요성 및 독창성간 실질세포 주변에 존재하는 쿠퍼(kuffer)세포를 타겟팅(tageting)하는 것이 아니라 간 실질세포를 특이적으로 인식할 수 있는 간세포 특이적 철분 조영제(Iron oxide particles Hepatocyte-specific contrast agent)를 구현하므로 간 경변에 대한 직접적인 진단영상을 얻을 수 있는 장점이 있다.*응용분야간 질환의 검출 및 특성화에 도움이 되는 조직 특이적인 조영제(contrast medium)의 개발로 MRI 촬영시에 응용할 수 있다. 또한 나노입자를 이용하여 간 조영제를 구현하여 간세포를 특이적으로 인식할 수 있어 의료 연구 및 생물학적 임상 연구에 적용 가능하다. *특징 및 장점-본 기술은 나노입자를 이용하여 간 조영제를 구현하여 간세포를 특이적으로 인식할 수 있는 장점이 있다-철분 조영제를 구현할 수 있다- 직접적인 진단영상을 얻을 수 있다..
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1.청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야본 발명은 접착제 등으로 사용되는 로진유도체 및 그의 제조방법에 관한 것이다.2.발명이 해결하려고 하는 기술적 과제본 발명은 접착제 및 자외선 경화 코팅제 등으로 사용되며, 열경화성 또는 광경화성등의 단량체와 공중합 또는 단독중합이 가능한 새로운 로진유도체를 높은 수율로 제조하는 방법을 제공한다.3.발명의 해결방법의 요지로진을 알칼리금속 화합물과 반응시켜 로진염을 제조한 후, 제조한 로진염과 할로겐을 포함하는 비닐단량체 또는 알릴단량체를 반응시켜 구조식(Ⅲ)의 로진유도체를 제조한다.4.발명의 중요한 용도본 발명의 로진유도체의 중합물 또는 공중합물은 접착제, 자외선 경화 코팅제, 페인트, 유화제, 포토레지터 및 상용화제 등으로 사용된다.본 발명은 접착제, 자외선 경화 코팅제, 페인트, 유화제 및 상용화제 등의 제조원료로 사용되며 단독중합은 물론 탄소-탄소 이중결합을 갖는 단량체, 열경화성 및 광경화성 물질의 단량체들과 공중합이 가능한 아래 구조식(m) 의 로진유도체에 관한 것이다구조식 (m ) 에서, R1은 H 또는 CH3 이고, R2는 또는 이고, n은 1∼18의 정수이다. 또한 본 발명은 구조식 ( I ) 의 로진을 알칼리금속 화합물과 반응시켜 로진염을 제조한 후, 제조한 로진염과 구조식 (Ⅲ) 의 할로겐을 포함하는 비닐단량체 또는 알릴단량체를 반응시켜 고수율로 상기 구조식(Ⅲ) 의 로진유도체를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 구조식(Ⅲ) 의 로진유도체를 제조하는 방법을 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 먼저 구조식 ( I ) 의 로진과 10∼30% 수산화나트륨 용액을 가열하에서 반응시켜 로진의 카르복시기를 나트륨으로 치환시킨다.사용 가능한 로진은 검 (GUM) 로진, 우드(WOOD) 로진 및 톨 오일 (TALL OIL) 로진 중 어느 것이라도 무관하며 이성체의 함량과도 무관하다. 이때 수산화나트륨 외에 수산화칼륨을 사용하여도 무방하며 알칼리금속의 수화물을 사용하여도 무방하다. 또한 수산화나트륨의 농도는 10∼30%가 적당하다. 이 범위 미만에서는 수율이 떨어지며, 이 범위를 초과할 경우에는 너무 강알칼리가 되어 일부 분해의 소지가 있으므로 바람직하지는 않다. 그러나 본 발명에서는 수산화나트륨의 농도를 특별히 제한하는 것은 아니다. 이렇게 알칼리금속으로 치환된 생성물에 증류수를 부어 녹인 후 다시 염화나트륨을 과량 넣어 미치환된 로진을 완전히 치환시킨다. 마찬가지로 염화나트륨 외에 염화칼륨도 사용가능하며 알칼리금속의 염화물도 사용가능하다. 이렇게 알칼리금속으로 치환된 생성물을 메탄올로 녹인 후 아세톤으로 침전시켜 분리한다. 침전물은 수산화나트륨과 생성물을 함유하므로 일단 다시 증류수를 넣어 포화상태로 만들어 생성물에 포함되어 있는 수산화나트륨을 제거한 후 생성물과 분리가 가능하도록 염화나트륨을 과량으로 투입하여로진염을 제조한다. 제조된 로진염은 원자흡수분광분석 및 질량분석을 통해 확인할 수 있다.
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*원리 및 구성평면램프용 교류구동형 플라즈마소자 구조에 관한 것으로, 보호막과 백색형광체의 사이에 고정시키어 백색형광체에 손상을 주지 않게 됨으로써 품질이나 수율을 향상시키게 되고, 유리 또는 세라믹재질의 간격재내에 형성되는 방전셀내에서 밀폐상태에서 가스방전이 이루어지기 때문에 불순물의 혼입을 원천적으로 차단하게 되고, 이로써 불순물의 혼입에 따른 휘도저하나 수명감소를 방지할 수 있도록 구성되는 평면램프용 교류구동형 플라즈마소자 구조를 제공한다.*개발배경간격재를상부유리기판과 하부유리기판의 사이, 정확히 말하면 보호막과 백색형광체의 사이에 고정시키어 백색형광체에 손상을 주지 않게 됨으로써 품질이나 수율을 향상시키게 되고, 유리 또는 세라믹재질의 간격재내에 형성되는 방전셀내에서 밀폐상태에서 가스방전이 이루어지기 때문에 불순물의 혼입을 원천적으로 차단하게 되고, 이로써 불순물의 혼입에 따른 휘도저하나 수명감소를 방지할 수 있도록 구성되는 평면램프용 교류구동형 플라즈마소자 구조를 제공함에 있다.*중요성 및 독창성불순물의 혼입에 따른 휘도저하나 수명감소를 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 소자의 구조를 제공할 수 있다.*응용분야플라즈마 디스플레이 소자의 구조에 응용 가능하다.*특징 및 장점-본 기술은 간격재를 상부유리기판과 하부유리기판의 사이에 고정시키어 백색형광체에 손상을 주지않게 됨으로써 품질이나 수율을 향상시키게 된다. - 간격재의 방전셀내에서 밀폐상태에서 가스방전이 이루어지기 때문에 불순물의 혼입을 원천적으로 차단하게 되고, 이로써 불순물의 혼입에 따른 휘도저하나 수명감소를 방지할 수 있는 효과가 있다.
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- 2006-01-18
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본 발명은 음용수용 정수처리에 있어서, 황산알루미늄, 폴리염화알루미늄(PAC), 폴리염화알루미늄규산(PACS) 및 폴리황산규산알루미늄(PASS)으로부터 선택되는 1종의 무기응집제 1 내지 100㎎/ℓ에 에피클로로히드린 및 디메틸아민으로 제조되는 폴리아민계 고분자 응집제 0.1 내지 20㎎/ℓ를 혼합한 혼합물을 이용하여 정수하는 것을 특징으로 하는 폴리아민계 고분자 응집제를 이용한 정수처리방법에 관한 것으로, 폴리아민계 고분자 응집제를 소량 사용함으로써 무기 응집제의 사용량을 절반 정도 줄일 수 있어 무기응집제만을 사용하여 정수처리하는 종래의 방법에 비하여 잔존 알루미늄의 양이 적으면서, 탁도 및 총부유물 함량이 낮은 우수한 정수효과를 발현할 수 있다.즉, 본 발명은 정수처리에 있어서, 황산알루미늄, 폴리염화알루미늄(PAC), 폴리염화알루미늄규산(PACS) 및 폴리황산규산알루미늄(PASS)으로부터 선택되는 1종의 무기응집제 1 내지 100㎎/ℓ에 에피클로로히드린 및 디메틸아민으로 제조되는 폴리아민계 고분자응집제 0.1 내지 20㎎/ℓ를 혼합한 혼합물을 이용하는 것을 특징으로 하는 폴리아민계 고분자 응집제를 이용한 정수처리방법에 관한 것이다. 이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다. 본 발명에서 이용되는 무기응집제는 일반적인 정수처리에 사용되는 것으로, 예를 들면 황산알루미늄, 폴리염화알루미늄(PAC), 폴리염화알루미늄규산(PACS) 및 폴리황산규산알루미늄(PASS) 등을 들 수 있고, 이들 중 1종 이상을 선택하여 사용할 수 있다. 일반적으로 상수에 분산되어 있는 고형물의 대부분은 0.1㎛(10-7 mm)내지 100μ(10-1 mm)의 입자크기를 가지는 침전하기 어려운 부유물질로 구성되어 있다. 1㎛(10-6 mm)내지 1μ(10-3 mm)의 입자크기를 가지는 부유입자를 콜로이드라고 하는데, 침전불가능한 대부분의 물질은 바로 콜로이드상 미립자이다. 그런데, 앞서 언급한 상수내의 고형물들은 콜로이드 입자의 범위를 벗어나는 1μ(10-3 mm)내지 100(10-1 mm)의 입자크기를 가짐에도 불구하고 역시 콜로이드 입자처럼 대부분은 침전속도를 무시해도 좋을 만큼 느린 침전특성을 가진다는 것이다. 콜로이드 입자는 일반적으로 콜로이드 입자의 단위체적당 아주 큰 비표면적으로 인해 주위수(surrounding water)에서 물분자와 이온과 같은 물질을 흡착하는 경향이 있고, 콜로이드입자 표면에 있는 기의 이온화와 주위용액으로부터의 이온 흡착 때문에 정전기적 전하를 띠거나, 또는 점토와 같은 콜로이드상 미립자는 미립자 격자내부의 이온 부족으로 정전기적 전하를 띠는 경향이 있다. 따라서, 이와 같은 콜로이드상 용수나 폐수에 응집제(coagulant)가 가해지면 콜로이드 입자가 불안정하게 되고 서로 응집하여 플록(floc)을 형성하게 된다. 이러한 응집의 대표적인 메카니즘으로는 (1)전기 2중층의 감소(double-layer compression), (2) 흡착과 충전 전하중화(adsorption and charge neutralization), (3)체거름 응집(enmeshment in a precipitate), (4)흡착과 입자상호간의 교각형성과 같은 4가지의 형태를 들 수 있다.
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- 2006-01-18
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본 발명은 폴리에스테르이미드 합성용 촉매, Tin P O11 C14 H45(여기서, n은 1내지 3의 정수), 그의 제조방법 및 이를 이용한 폴리에스테르이미드의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 촉매 및 그의 제조방법은 신규한 것이며, 본 발명에 따른 촉매를 이용하여 제조된 폴리에스테르이미드는 고내열성 전기절연 도료 중 마그네트와이어코팅(magnet wire coating)의 기본 수지로서 투명도와 색상이 우수할 뿐만 아니라 내열성, 유연성 및 내마모성이 우수하다.따라서, 본 발명의 목적은 폴리에스테르 혹은 폴리에스테르이미드 기본 수지 합성에 있어서 보다 낮은 온도에서 반응을 진행시키고 반응시간을 단축시키기 위한 유기 Ti-P계 촉매를 제공하는 데 있다.본 발명에 따른 유기 Ti-P계 촉매는 Tin P O11 C14 H45 (여기서 n은 1 내지 3의 정수)으로 나타내진다. 본 발명의 또 다른 목적은 티타늄 클로라이드(titinitum(Ⅳ) chloride)를 유기 포스페이트 인산 또는 인산에스테르를 CCl4 또는 n-헥센의 촉매 중에서 20∼30℃에서 30분간 교반한 후, 다시 30분 동안 에탄올과 반응시킨 다음 에틸렌글리콜을 가함으로써 일반식 Tin P O11 C14 H45 (여기서, n은 1 내지 3의 정수)으로 나타내지는 유기 Ti-P계 촉매를 제조하는 방법을 제공하는데 있다. 유기포스페이트의 바람직한 예로는 트리메틸, 트리에틸 또는 트리페닐 포스페이트가 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 트리멜리트산 무수물과 메틸렌 디아닐린을 m-크레졸 용매중에서 반응시켜 디애시디이미드(diacid diimide)를 합성한 다음 에틸렌글리콜 및 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트와 함께 일반식 Tin P O11 C14 H45 (여기서, n은 1내지 3의 정수)으로 나타내지는 유기 Ti-P계 촉매를 첨가하여 축중합시킴으로써 폴리에스테르이미드를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.본 발명의 유기 Ti-P계 촉매는 티타늄 클로라이드를 트리에틸 포스페이트 및 에탄올과 반응시켜 열안정제의 기능이 있는 포스페이트 기를 리간드로 도입함으로써 내열성이 우수한 촉매가 된다는 점에서 다른 티타늄 계 촉매와 구분이 된다. 실제 트리에틸 포스페이드는 폴리에스테르 혹은 폴리에스테르이미트의 합성에 열안정제로 사용되며 이를 첨가하여 합성한 폴리에스테르 혹은 폴리에스테르이미트는 분해 또는 역반응이 억제되어 백색도가 우수하면서 알려져 있다. 본 발명에 있어서는 이러한 열안정제의 기능이 있는 트리에틸포스페이트를 에탄올과 함께 티타늄클로라이드와 반응시켜 새로운 유기 Ti-P계 화합물을 만듦으로서 촉매작용과 열안정제의 작용을 동시에 할 수 있는 촉매를 합성한 것이 특징이다.
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- 2006-01-18
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*원리 및 구성마이크로 캡슐형 전기영동 디스플레이(electrophoretic display)의 패널을 제조하는 방법에 관한 것으로, 결합공의 경사면에 상기 경사면을 따라 저장홈을 형성하고, 상기 저장홈의 하단부는 유입로를 통하여 요입홈 즉 윤활유 저장실과 연통되게 하므로서 스핀들의 회전시 저장홈의 윤활유가 원심력에 의해 점차 상부로 배출되게 하고, 배출된 윤활유는 윤활유 저장실을 연통하는 유입로를 통하여 재공급되게 한 순환작용이 이루어지도록 한다.*개발배경스핀들로부터 가장 큰 하중을 받는 부싱의 경사면에도 윤활유가 지속적으로 공급되게 하여 마찰계수의 극소화로 부싱의 사용수명을 연장하고 또 구동부하 및 소음을 감소시켜 주도록 함에 있다.*중요성 및 독창성스핀들로부터 가장 큰 하중을 받는 부싱의 경사면에도 순환작용으로 윤활유가 지속적으로 공급되게 하므로서 마찰계수의 극소화로 부싱의 사용수명이 연장되고 구동부하의 감소로 전력소비량이 줄어들게 되므로 유지관리비를 훨씬 줄일수 있게 되며 또한 소음억제로 작업환경을 개선하는 장점이 있다.*응용분야디스플레이의 미세 화소로 작용하는 마이크로 캡슐들을 직선상 격벽 형태의 반복된 구조물의 격벽 홈통 내에 균일하게 충진 배열된 패널 제조에 응용 가능하다.*특징 및 장점-본 기술에 의해 형성된 격벽 구조물 내에 적, 청, 녹색을 나타내는 마이크로 캡슐들을 각 격벽 홈통에 차례로 질서정연하게 위치시킴으로써, 풀 칼라(Full color)화가 가능한 마이크로 캡슐형 전기영동 디스플레이의 패널의 제조가 가능하다. -제조 공정이 단순화되어 대량 생산 및 저가격화를 실현할 수 있는 효과가 있다.
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- 2006-01-18
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP) 제조 기술에 관한 것이며, 특히 PDP의 격벽(barrier rib) 형성용 소프트 몰드(soft mold) 제작을 위한 기본 몰드틀(base mold frame) 제작 기술에 관한 것이다. 본 발명은 소프트 몰드 제작을 위한 기본 몰드틀의 내구성 및 고정세화를 확보할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 소프트 몰드 제작을 위한 기본 몰드틀 제작 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명에서는 감광성 유리를 사용하여 격벽 형성용 소프트 몰드 제작을 위한 기본 몰드틀을 제작한다. 즉, 본 발명에서는 격벽 마스크(예컨대, 격벽 패턴과는 반대 극성의 패턴이 그려진 포토 마스크)를 사용하여 감광성 유리를 노광하여 열처리하고, 노광된 부분을 일정 깊이 만큼 식각함으로써 기본 몰드틀을 제작한다. 이와 같이 제작된 기본 몰드틀은 기존의 포토레지스트 및 금속을 사용한 기본 몰드틀에 비해 내구성 확보 및 고정세화에 유리할 뿐만 아니라, 제작 공정이 비교적 단순하다는 장점이 있다.상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 감광성 유리를 준비하는 단계; 격벽 마스크를 사용하여 상기 감광성 유리를 일정 깊이만큼 노광하는 단계; 상기 감광성 유리를 열처리하는 단계; 및 상기 열처리에 의해 미세 구조가 달라진 노광 영역과 비노광 영역의 식각 특성 차이를 이용하여 상기 감광성 유리의 노광 영역을 제거하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 소프트 몰드 제작을 위한 기본 몰드틀 제작방법이 제공된다. 또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기의 제작방법에 따라 제작된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 소프트 몰드 제작을 위한 기본 몰드틀을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 소프트 몰드 제작방법에 있어서,상기 기본 몰드틀에 이형제를 도포하는 단계; 상기 기본 몰드틀에 액상의 고무 원료를 주입하는 단계; 상기 고무 원료를 경화시키는 단계; 및 상기 경화된 고무 원료를 상기 기본 몰드틀로부터 분리시키는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 소프트 몰드 제작방법이 제공된다. 또한, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기의 제작방법에 따라 제작된 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 소프트 몰드를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성방법에 있어서, 기판 상에 격벽 페이스트를 도포하는 단계; 상기 소프트 몰드로 상기 격벽 페이스트를 가압 성형하는 단계; 및 상기 소프트 몰드를 상기 기판으로부터 분리시키는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 소프트 몰드 제작방법이 제공된다. 본 발명에서는 격벽 마스크(예컨대, 격벽 패턴과는 반대 극성의 패턴이 그려진 포토 마스크)를 사용하여 감광성 유리를 노광하여 열처리하고, 노광된 부분을 일정 깊이 만큼 식각함으로써 기본 몰드틀을 제작한다. 이와 같이 제작된 기본 몰드틀은 기존의 포토레지스트 및 금속을 사용한 기본 몰드틀에 비해 내구성 확보 및 고정세화에 유리할 뿐만 아니라, 제작 공정이 비교적 단순하다는 장점이 있다.
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP) 제조 기술에 관한 것이며, 특히 퓸드 실리카 입자로 표면 처리된 격벽 분말을 포함하는 감광성 격벽 페이스트 조성물 및 그의 제조방법, 그리고 그를 사용한 PDP의 격벽 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 사진식각법으로 PDP의 격벽 패턴을 형성함에 있어서, 페이스트 소성 온도를 높이지 않으면서 노광 효율을 증대시킬 수 있는 감광성 격벽 페이스트 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명의 감광성 격벽 페이스트 조성물은 무기 격벽 분말에 대해 나노 크기(평균입경 5∼500㎚)의 퓸드 실리카(fumed silica) 입자를 표면 처리하였다. 퓸드 실리카 입자는 무결정성이며 일반 실리카(SiO2)에 비해 순도가 높기 때문에 투명하며 빛의 굴절률이 낮고 광 진행 손실이 적다. 이러한 퓸드 실리카 입자를 평균입경 2∼5㎛ 크기의 불투명한 무기 격벽 분말과 함께 볼밀(ball mill) 등을 사용하여 혼합 및 분쇄한 다음 100∼150℃의 온도로 열처리하고 재분쇄하면 퓸드 실리카 입자가 표면에 결합된 무기 격벽 분말을 얻을 수 있다. 이와 같이 실리카 나노 입자로 표면 처리된 격벽 분말을 이용하여 감광성 격벽 페이스트를 제조한 다음 사진식각법으로 격벽 패턴을 형성하면 격벽 분말의 표면에 결합된 실리카 나노 입자들이 자외선 광이 침투할 수 있는 채널을 형성해 줌으로써 감광성 격벽 페이스트의 노광 효율을 높일 수 있다.상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 다관능성 단량체, 다관능성 소중합체 중 선택된 적어도 하나의 물질 8∼20중량%와, 바인더 고분자 5∼20중량%와, 용제 10∼23중량%와, 광개시제 1∼2중량%와, 퓸드 실리카 입자로 표면 처리된 무기 격벽 분말 60∼80중량%를 포함하는 감광성 격벽 페이스트 조성물이 제공된다.또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 감광성 격벽 페이스트 조성물 제조방법에 있어서, 글래스 프리트와 세라믹 파우더를 포함하며, 퓸드 실리카 입자가 표면 처리된 무기 격벽 분말을 형성하는 단계; 다관능성 단량체, 다관능성 소중합체 중 선택된 적어도 하나의 물질과, 광개시제와, 첨가제와, 바인더 고분자와, 용매를 포함하는 감광성 용액을 형성하는 단계; 및 상기 퓸드 실리카 입자가 표면 처리된 상기 무기 격벽 분말과 상기 감광성 용액을 혼합 및 분산하는 단계를 포함하는 감광성 격벽 페이스트 조성물 제조방법이 제공된다.또한, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상기의 감광성 격벽 페이스트 조성물을 사용한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성방법에 있어서, 유전체가 도포된 배면기판 상에 상기 감광성 격벽 페이스트 조성물을 150∼250㎛의 두께로 도포하는 단계; 상기 감광성 격벽 페이스트 조성물을 50∼130℃의 온도에서 5∼30분 동안 건조하는 단계; 격벽 형성용 포토마스크를 사용하여 상기 감광성 격벽 페이스트 조성물을 노광하는 단계; 상기 감광성 격벽 페이스트 조성물을 현상하여 격벽패턴을 형성하는 단계; 및 상기 격벽 패턴을 450∼600℃의 온도에서 20∼30분 동안 등온 소성하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성방법이 제공된다.
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
*원리 및 구성잉크젯 방식에 의한 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)의 전극형성 방법 및 잉크조성물에 관한 것으로서, 먼저 사용되어질 유리기판 위에 압전(Piezo)타입 잉크젯의 노즐(nozzle)을 통해 분사되는 전극 잉크가 유리기판위에서 번지지 않게 하고 전극 패턴이 일정한 선폭과 균일한 패턴을 가지도록 흡수층을 유리기판위에 높이 0.1 ~3㎛ 가 되도록 전면 도포 하고 건조한다. 전극 패턴이 형성된 유리기판은 소성하는 공정을 통하여 전극 패턴 내에 포함된 바인더 고분자와 기타 첨가제 및 흡수층을 열 분해하여 제거함으로서 은과 글래스프릿트 만으로 구성된 전극 패턴을 얻는다. *개발배경압전(Piezo)타입의 잉크젯 방식으로 PDP의 미세 전극 패턴을 형성함에 있어서 수용성 아민계 고분자 바인더, 분산제, 용매, 은(Ag)분말 글래스 프릿트(Glass frit)등을 포함하는 전극 잉크를 개발하여 기존의 감광성 전극 페이스트로 PDP의 전극 패턴을 형성할 때 발생되는 인쇄 공정의 기포 발생, 접착력 감소로 인한 전극 패턴의 손상 등이 없이 균일한 폭과 너비를 유지하고, 간단하게 전극 패턴을 형성할 수 있고, 전극 재료의 손실이 적은 고해상도 PDP용 전극 형성 재료 및 방법을 제공함에 있다.*중요성 및 독창성바인더 고분자, 용제 및 금속전극재료, 글래스 프릿트, 분산제등을 적정한 비율로 혼합하여 전극 잉크를 제조하였으며, 흡수층이 전면 도포된 유리기판위에 압전(Piezo)타입의 잉크젯 방식으로 전극 잉크를 도포함으로서 공정이 간단하고 재료의 손실이 적은 장점이 있다.*응용분야플라즈마 디스플레이 패널(Plasma display panel ; 이하 ‘PDP'라 한다)의 하판 전극(어드레스 전극) 미세 패턴을 형성하는 공정에 응용가능하다.*특징 및 장점-바인더 고분자, 용제 및 금속전극재료, 글래스 프릿트, 분산제등을 적정한 비율로 혼합하여 전극 잉크를 제조하였으며, 흡수층이 전면 도포된 유리기판위에 압전(Piezo)타입의 잉크젯 방식으로 전극 잉크를 도포함으로서 공정이 간단하고 재료의 손실이 적으며, 고정세화에 적합한 미세패턴의 전극을 형성시키는데 효과가 있다. - 소성후 순수한 금속 전극 재료인 은(Ag)분말, 글래스 프릿트 만으로 이루어진 전극 패턴을 얻을수 있기때문에 전극 패턴의 저항 또한 현저히 감소시키는데도 효과가 있다.
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 니켈기 비정질 합금조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 비정질 합금조성물은 일반식 NiαZrχTiуNbzSiβSnγ(Aa, Bb)로 나타낼 수 있는 니켈기 다원소 비정질 합금조성을 제공하는 것으로, 여기서 α, x, y, z, β, γ, a, b는 각각 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 주석(Sn), 첨가 원소 A(구리(Cu), 코발트(Co)), 첨가원소 B(알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo))의 원자%를 의미하며(a 또는 b 원자 %는 첨가 원소 A 또는 B그룹에서 1가지 또는 2가지 이상 동시에 첨가 했을 때 원자 %의 의미도 포함하고 있다), 45 원자%≤α≤61 원자%, 30 원자%≤x+y+z≤40 원자%, 1 원자%≤β≤ 5 원자%, 1 원자%≤γ≤5 원자%, 0.1 원자%≤a+b≤12 원자%인 것을 특징으로 한다상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 일반식 NiαZrχTiуNbz SiβSnγ(Aa, Bb) 로 나타낼 수 있는 니켈기 다원소 비정질 합금조성을 제공하는 것으로, 여기서 α, x, y, z, β, γ, a, b는 각각 니켈(Ni), 지르코늄(Zr), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 주석(Sn), 첨가 원소 A(구리(Cu), 코발트(Co)), 첨가원소 B(알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo))의 원자%를 의미하며(a 또는 b 원자 %는 첨가 원소 A 또는 B그룹에서 1가지 또는 2가지 이상 동시에 첨가 했을 때 원자 %의의미도 포함하고 있다), 45 원자%≤α≤61 원자%, 30 원자%≤x+y+z≤40 원자%, 1 원자%≤β≤ 5 원자%, 1 원자%≤γ≤5원자%, 0.1 원자%≤a+b≤12 원자%인 것을 특징으로 한다.본 발명은 기존에 개발된 NiαZrχTiуNbzSiβSn γ비정질 합금에 첨가원소 B로 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo)을 각각 또는 함께 첨가하였고 니켈(Ni)과 전율고용체를 형성하는 구리(Cu)와 코발트(Co)를 첨가원소 A로 일정한원자%로 첨가 또는 치환하거나 구리(Cu)와 코발트(Co)를 같이 첨가하여 비정질 형성능을 향상시켜 벌크비정질 합금 형성을 이루고자 하였다. 상기 알루미늄(Al, 0.14317㎚), 하프늄(Hf, 0.15775㎚), 텅스텐(W, 0.136㎚), 몰리브덴(Mo, 0.136㎚)은 기존 비정질 합금조성의 주원소인 니켈(Ni, 0.12459㎚), 지르코늄(Zr, 0.16025㎚)과 원자반경이 차이가 나고 음의 혼합열이 커서 비정질 형성능이 향상될 수 있다. 그러나, 상기 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo)이 3원자%이상 첨가된면 비정질 제조시 결정상들이 석출되므로 3원자%이상 첨가되지 않는 것이 바람직하다.본 발명에서 상기 구리(Cu)와 코발트(Co)는 니켈(Ni)과 전율고용체를 이루는 금속으로 비정질 형성시 나타나는 제2상의 형성을 방해하고 니켈(Ni)과 고용되어 기발명된 비정질 합금의 용융 온도를 낮출 수 있다. 또한, 상기의 구리(Cu)와 코발트(Co)는 10원자%를 초과하지 않는 것이 바람직하다.
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- 2006-01-24
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
*원리 및 구성전도성 고분자 합성방법 및 그 장치에 관한 것으로서, 다양한 특성을 갖는 전도성 고분자 피막을 제조할 수 있을 뿐만 아니라 공정의 제어가 용이하고 또 제조공정의 재현성이 있음은 물론 도펀트의 사용이 용이하여 특성이 서로 다른 여러가지의 전도성 고분자를 제조할 수 있도록 한다. 한편, 미세 분무가 가능토록 하여 전도성 고분자의 피막층을 갖는 샘플의 대량생산이 용이하도록 한 중합법 및 그 장치를 얻을 수 있도록 한다.*개발배경특성이 서로 다른 여러가지의 전도성 고분자를 신속하게 합성할 수 있도록 하는 방법과, 또 그 방법에 따른 장치에 의거하여 어떠한 제품(이하 "샘플"이라 함) 표면에 고분자 피막을 보다 얇게 형성할 수 있도록 함과 동시에 그 피막의 두께도 간편하게 조절할 수 있는 장치를 얻을 수 있도록 함이다.*중요성 및 독창성미세 분무가 가능하여 전도성 고분자의 피막층을 갖는 샘플의 대량생산이 용이하고, 특히 초음파 중합법으로 제조된 가스센스 경우에는 감도가 우수하여 휘발성 유기화합물 측정용 센서로 사용이 가능하다.*응용분야전기 전도성 고분자라 함은 고분자에 전기 전도성을 부여한 것으로, 위 전도성 고분자는 표면장력 제어, 전자파 차폐, 연료전지, 가스센스, 폴리머전지, 반도체소자, 디스플레이소자, 인공망막등에 응용할 수 있다.*특징 및 장점-챔버 내에 산화제 용액과 고분자 모노머 용액의 중합반응을 초음파 진동을 이용함으로써 중합반응 시간이 짧고, 또 합성고분자 막을 보다 얇고 다양하게 형성할 수 있는 장점이 있으므로 증기 중합법과 화학 중합법을 장점을 결합시킨 초음파 중합법이라 할 수 있다. -이러한 중합법은 다양한 특성을 갖는 전도성 고분자 피막을 제조할 수 있을 뿐만 아니라 공정의 제어가 용이하고 또 제조공정의 재현성이 있음은 물론 도펀트의 사용이 용이하여 특성이 서로 다른 여러가지의 전도성 고분자를 제조할 수 있는 장점이 있다.
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- 등록일
- 2006-01-24
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 기술은 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용한 텅스텐카바이드 박막의 제조에 관한 것으로, 종래 스퍼터링법인 마그네트론 스퍼터링법 및 반응성 스퍼터링법을 결합한 것이다. 마그네트론 스퍼터링법은 마그네트론 음극 상에 타게트를 장착하여 스퍼터링하는 것이며, 반응성 스퍼터링법은 스퍼터링가스 외에 반응성 스퍼터링 존재하에 스퍼터링하는 것으로, 이를 결합하여 마그네트론 음극 상에 단일 텅스텐 타게트를 장착하고, 방전가스로서 Ar/CH4 혼합가스를 사용하여 스퍼터링을 수행한다. 이때 기질로는 탄소 기질을 사용하여 텅스텐카바이드 박막을 증착되게 한다. 또한, 마그네트론 반응성 스퍼터링법을 이용한 높은 증착율을 갖는 텅스텐카바이드(WC)의 제조하기 위한 최적의 조건을 제공한다.스퍼터링은 기본적으로 공정압력에 영향을 크게 받는다. 공정압력은 진공과 내에 잔류하는 방전가스의 양과 비례하는데, 이 가스의 양이 너무 적으면 이온화되는 원자의 양이 감소하며, 너무 많으면 스퍼터링된 원자들이 방전가스에 의해 산란되어 기질까지 도달하는 양이 줄어들기 때문에 증착율이 감소하게 된다. 본 기술에서는 박막 증착 전의 초기진공도를 5 ×10-5 torr를 유지하고, 공정압력을 40～60 mTorr, 바람직하게는 50 mTorr로 일정하게 유지하여 스퍼터링을 수행한다. 또한, 탄소 기질은 최적의 증착율을 얻기 위해 일정한 온도를 유지하여야 하는데, 본 기술에서는 300～400℃의 온도로 유지한다. 특히, 본 기술은 반응성 스퍼터링법을 포함하는 것으로, 방전가스로서 Ar/CH4 혼합가스를 사용한다. 이때, Ar/CH4 혼합가스의 CH4 가스 비율이 10～30 %이다.또한, 일정한 rf-파워에서 수행하여 우수한 증착율, 표면거칠기, 조성 및 경도를 얻을 수 있으며, 200～500 W의 rf-파워에서 수행하는 것이 바람직하다. 본 기술은 텅스텐카바이드 박막의 제조에 있어서, 진공관 내부에 스퍼티링 소스로서, 마그네트론 음극 상에 단일 텅스텐 타게트(W target)를 장착하고, 기질로서 탄소 기질을 사용하고, 방전가스로 Ar/CH4 혼합가스를 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 기술은 종래 스퍼터링법으로 제조시 낮은 증착율의 문제를 극복하였고, 높은 증착율을 가진 텅스텐카바이드(WC) 박막을 제조함으로써, 독성 때문에 문제가 있지만, 현재 상용되는 있는 크로도금을 대체하여 사용하는 것을 기대할 수 있다. 본 기술은 현재 대표적인 고기능성 박막인 크롬도금을 대체할 수 있는 텅스텐 카바이드 박막 제조방법으로서 자동차, 항공기, 선박부품, 섬유/인쇄/화공용 산업기계부품, 공구 및 금형 등에 광범위하게 사용될 수 있으며, 이 분야의 시장은 꾸준한 성장성과 시장규모가 있는 분야로서, 향후 시장성이 있을 것으로 판단된다. 본 기술은 항공기, 자동차 등에 사용되는 박막이지만, 본 기술이 반도체 공정 및 장비기술의 특정이 있으므로 반도체 박막 장비 기술을 보유하고 있는 반도체 장비업체와의 기술협력을 통하여 사업화 진행을 검토하는 것도 필요할 것으로 판단된다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-01-26
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일반기술
재료 > 기타 재료
일반적으로 PDP 투명유전체 재료는 저온소성 유리를 이용하며, 이 유리는 주로 PbO가 포함된 납유리가 주로 이용되어져왔다. 환경규제가 강화됨에 따라 Pb-less 유리에 대한 관심이 높아지고 있다.본 발명은 납을 포함하지 않은 PDP 투명유전체의 유리조성으로 BaO-B2O3-ZnO계 가 알려진 바가 있으나 이들은 열처리 도중에 결정화가 일어나는 결정화 유리이므로, 투명유전체로의 응용이 불가능하다. 본 발명의 조성으로는 BaO30mol%, B2O3 40mol%, ZnO 30mol%을 기본조성으로 Al2O3를 첨가함으로써 결정을 제어하여, 열처리 후에도 유리상태의 재료를 얻을 수 있었다.도 1은 PDP의 단면도로서 본 연구에서는 3의 투명유전체 유리 조성물에 대하여 상세히 다루고자 한다. PDP용 투명유전체 유리의 조성물로 기존에 Pb-less 재료로 특허 공개번호 특2002-0033006에 의하여 보고된 바가 있는 BaO-B2O3-ZnO계 유리에 Al2O3를 1∼7mol%를 첨가하는 유리조성물을 특징으로 한다.따라서 Pb-less계로 사용이 가능할 뿐 아니라 소결 시 일어나는 결정을 억제함으로써 투명도를 높여 투명유전체로 사용가능하다. 하기의 실시 예를 통하여 각 성분에서의 결정 성장 여부를 알아보았다.(실시예)당해 기술분야에 공지되어 있는 원료를 혼합하고 당해 기술분야의 숙련인들에게 공지되어 있는 방법을 사용하여 저융점 유리 프릿 조성물을 제조한다. 잘 혼합된 미처리 배치 조성물을 백금도가니에 넣은 후 1200℃에서 용융시킨 후에 steelplate위에서 급랭을 시켜 유리를 만들었다. 이들 유리는 분쇄 후, 이를 이용하여 소결을 실시한 결과 최적 소결이 진행된 소결시편의 XRD측정을 하여 결정화 여부를 확인 하였다. 실시 예는 대표적인 BaO-B2O3-ZnO계 조성에 5mol%의 Al2O3를 첨가하여 실시하였다.<실시예 1>30mol% BaO, 40mol% B2O3, 30mol% ZnO에 Al2O3 5mol%를 원료로 하는 혼합물을 이용하여 유리분말을 준비하고 이를 소결한 후 XRD측정을 통하여 결정화 여부를 관찰 하였다.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-01-26
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일반기술
재료 > 기타 재료
은나노 제올라이트 섬유는 제올라이트가 가지고 있는 탈취, 흡수, 보온기능과 은나노 입자가 가지는 항균기능을 섬유에 부여함으로써 기존의 섬유가 가지는 취약점을 보강하고 보다 많은 기능을 가진 신소재 섬유를 제조하는 것을 목적으로 개발되었고, 기존에 알려진 제조방법과는 차별적으로 초음파 방법을 사용함으로써 짧은 생산공정과 상품의 대량생산을 가능하게 하고 있다.여러 가지 기능성 물질이 내포된 제올라이트 나노입자와 섬유가 결합된 멀티 기능성 나노제올라이트-섬유 복합체는 공유결합을 통해 섬유에 견고하게 부착되어 있기 때문에 세탁과정에서 쉽게 분리되지 않으므로 기능성 섬유로서의 응용에 적합하고, 초음파법의 사용으로 상품의 대량생산 및 공정설계가 용이한 특징을 가진다.
- 보유기관
- 서강대학교
- 등록일
- 2006-01-19
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
*원리 및 구성본 기술은 원자층 증착과 후열처리에 의한 ZnO 박막의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 후열처리과정을 통해서 UV 영역에서의 발광특성이 우수한 ZnO 박막의 제조방법을 제공하는 기술이다. 1) 단계 1 : ALE법을 이용하여 ZnO 박막(얇은막)을 증착시킨다. ZnO 박막을 위한 기판(전기회로가 편성되어 있는 판)으로는 사파이어 단결정 또는 실리콘 기판을 모두 사용할 수 있다. 증착시 기판의 온도는 ALE 공정온도 범위에서 수행하는 것이 바람직하며, 130˜170℃에서 수행한다. 기판의 온도를 ALE법과 유사한 CVD 공정온도 범위(약 400℃)에서 수행할 경우, 이후 최종 ZnO 박막이 화학양론적인 성장이 제대로 이루어지지 않아 UV 영역 뿐만 아니라 가시광선 영역에서의 빛을 내는점이 크게 증가하는 문제점이 발생한다. ZnO 박막을 증착시키기 위한 ALE는 Zn 소스, 산소 소스와 질소를 시분할로 주입함으로써 소스간의 기체상태 반응을 제거하고, 표면에서 제한된 반응을 유도함으로, 기체상태반응으로 인한 입자의 발생이 억제되고 소스 양과는 무관하게 원자층 단위로 증착된다.2) 단계 2 : 상기 ZnO 박막이 증착된 기판을 열처리한다. 열처리는 화학양론적 성장을 유도하여 고품위의 ZnO 박막을 얻기 위한 것으로, 산소분위기 하 600˜1,000℃에서 수행하는 것이 바람직하다. 후열처리 온도가 범위 미만인 경우, ZnO 박막의 완전한 화학양론적 성장이 이루어지지 못하며, 범위를 초과하는 경우에는 ZnO 박막의 표면 형상학(morphology)이 크게 나빠지는 문제점이 발생한다.*특징 및 장점1) 사파이어 기판 위에 Zn 소스를 챔버내부에 유입시켜 반응시킨는 단계2) 질소 가스 퍼지를 수행하는 단계3) 그 후 산소 소스를 챔버내부에 유입시켜 반응시킨 후 다시 질소 가스 퍼지를 수행하여 ZnO 박막을 증착하는 단계4) ZnO 박막이 증착된 기판을 산소분위기 하에서 열처리하여 ZnO 박막을 제조하는 단계 *효과1) ALE 공정온도에서 ZnO 박막을 증착시키고, 이후 고온에서 후열처리를 수행함으로써, ZnO 박막의 화학양론적인성장을 이루어 가시광선 영역에서의 발광이 전혀 없고, UV 영역에서의 발광(near band edge emission) 강도가 큰 ZnO 박막을 얻을 수 있는 효과2) ZnO 박막의 제조방법은 ZnO 박막의 강한 UV 영역에서의 발광특성으로부터 ALE를 이용한 ZnO 박막의 UV LED(Light Emitting Diode) 제조에 유용하게 이용할 수 있는 효과*적용제품 및 경쟁제품 본 기술은 발광소자 칩 개발 및 생산능력을 가지고 있는 삼성전기, LG이노텍, 나리지온 등의 업체와의 협력을 통하여 사업화를 진행하거나, 본 기술이 장비기술인 점을 생각하여 반도체 박막 장비 기술을 보유하고 있는 반도체 장비업체에 대한 기술이전을 통하여 사업화 진행이 필요할 것으로 판단된다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-02-21
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
*원리 및 개요본 기술은 사파이어 기판 상에 마그네트론 스퍼터링법에 의해 ZnO 박막을 형성시키는 단계와 상기 ZnO 박막이 형성된 사파이어 기판을 산소분위기 하에서 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 특징이 있는 ZnO 박막의 제조방법이다. *시장성본 기술은 ZnO 에피층 성장에 관련된 기술을 보유하고 있거나, 발광소자 칩 개발 및 생산능력을 보유하고 있는 삼성전기, LG이노텍, 나리지온 등의 업체와의 협력을 통하여 사업화를 진행하거나, 장비기술인 점을 감안하여 반도체 박막 장비 기술을 보유하고 있는 반도체 장비업체에 대한 기술이전을 통하여 사업화 진행이 가능하다.* 특징 및 장점*특징 및 장점1) 1단계 : 마그네트론 스퍼터링법에 의해 ZnO 박막을 형성시키며, ZnO 타겟을 이용한 마그네트론 스퍼터링법으로 단결정 사파이어 기판에 증착시킨다. - 초기 진공도는 로터리와 터보 분자 펌프를 통하여 충분히 낮추며, ZnO 박막 증착은 약 0.05 Torr에서 수행하는 것이 바람직하며, 공정온도는 상온에서 수행한다. 2) 2단계 : 산소분위기 하에서 열처리를 수행한다. - 열처리를 통하여 ZnO 박막이 c 축 성장한 다결정질 박막으로 형성시킬 수 있으며, 결정질을 더욱 향상시킨다. - ZnO 박막에서 전위, 침입원자 및 공공 등의 결정학적 결함 밀도를 낮추는 효과를 나타낸다. - 열처리 온도는 800～1,000℃가 바람직한데, 이때 열처리 온도가 범위 미만인 경우ZnO 박막의 반측(FWHM)이 증가하여, 결정성에 문제를 야기시킨다.*효과1) ZnO 결정의 품위를 두드러지게 향상시킬 수 있는 효과2) 고농도의 질소를 도핑한 ZnO 박막에서의 전자의 농도와 이동도를 급격히 감소시킬 수 있는 효과3) 산소공공과 침입형 ZnO와 같은 진성의 N 형 결함을 없앰으로 N 형 ZnO를 P 형 ZnO 박막으로 제조할 수 있어서 단파장 발광소자의 제조에 유용하게 이용할 수 있는 효과
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-02-21
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일반기술
재료 > 기타 재료
1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야본 발명은 기계펄프류, 고지 및 폐지로부터 고순도 용해용펄프(dissolving pulp)를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제종래의 용해용펄프 제조방법은 많은 경비가 소요될 뿐만아니라 유독성의 화학약품을 사용하기 때문에 공해발생이 심각하고, 많은 에너지가 소비되며, 펄프를 제조한 후 다시 표백 및 정제과정을 거치게 되므로 공정이 복잡한 단점을 가진다.3. 발명의 해결방법의 요지본 발명에서는 쇄목펄프, 열기계펄프, 탈묵펄프와 같은 기계펄프류, 고지 및 폐지를 건식지류해리기를 이용하여 일정의 크기로 해리한 다음, 각각의 온도에서 차아염소산나트륨, 아염소산나트륨, 수산화나트륨, 물과 크레졸 혼합용제를 이용하여 처리한 후 헤미셀룰로오스 및 리그닌을 용출시켜 분리, 여과한 다음 세척 건조하여 고순도 용해용펄프(dissolving pulp)를 제조토록 한 것이다.4. 발명의 중요한 용도 기계펄프류나 폐지를 건식지류해리기를 통하여 해리하고, 해리된 펄프를 여러 가지 약품으로 처리하여 고순도의 용해용펄프를 얻음으로서 경비절감, 공정단순화, 에너지절감과 함께 환경오염을 방지할 수 있는 효과를 가진다.이하 본 발명의 세가지 방법을 바람직한 실시예에 따라 공정별로 상세히 설명하면 다음과 같다. 실시예 1; 해리된 펄프에 차아염소산나트륨용액 또는 아염소산나트륨용액을 처리하여 용해용펄프(dissolving pulp)를 제조하는 방법. 제 1 공정(기계펄프류, 고지 및 폐지의 해리공정) 제지용 원료로 사용되고 있는 기계펄프류(쇄목펄프, 열기계펄프, 탈묵펄프), 고지 및 폐지를 건식지류해리기를 사용하여 해리된 펄프를 얻는다.상기의 건식지류해리기를 통하여 기계펄프류, 고지 및 폐지를 해리할 때 해리속도는 500~5000rpm이고 해리시간은 5분~30분이지만, 반드시 필수적인 것은 아니며 펄프의 종류나 상태에 따라서 조정될 수도 있다.제 2 공정(용해용펄프의 제조공정) 제 1 공정에서 해리된 펄프 4g을 1~3% 치아염소산나트륨용액 또는 아염소산나트륨용액 96㎖를 첨가하여 50℃에서 1~3시간 정도 교반하면서 처리하고 해리된 펄프로부터 헤미셀룰로오스 및 리그닌을 용출시켜 여과기를 이용해 여과한다. 여과가 완료되면 물과 메탄올 또는 아세톤 순으로 세척하고 건조하므로써 고순도의 용해용펄프(dissolving pulp)가 얻어진다.실시예2; 해리된 펄프에 수산화나트륨 및 차아염소산나트륨용액 또는 아염소산나트륨용액을 처리하여 용해용펄프(dissolving pulp)를 제조하는 방법. 제 1 공정(기계펄프류, 고지 및 폐지의 해리공정) 제지용 원료료 사용되고 있는 기계펄프류를 실시예 1과 같은 해리속도와 해리시간으로 건식지류해리기를 사용하여 해리된 펄프를 얻는다. 제 2 공정(용해용펄프의 제조공정) 제 1공정에서 해리된 펄프를 4g을 1~3% 차아염소산나트륨용액 또는 아염소산나트륨용액 96㎖를 첨가하여 50℃에서 1시간~3시간 정도 교반하면서 처리한 다음 여과기에 여과하고 물과 메탄올 또는 아세톤 순으로 충분히 세척한 후 다시 1% 수산화나트륨용액 96㎖를 첨가하여 실온에서 2시간동안 교반하여 처리한 다음 여과기에 이용해 여과한다. 여과가 완료되면 물과 메탄올 또는 아세톤 순으로 세척하고 건조하므로써 고순도의 용해용펄프(dissolving pulp)가 얻어진다. 실시예 3; 해리된 펄프에 크레졸 혼합용제를 이용하여 솔보리시스처리에 의해 용해용펄프(dissolving pulp)를 제조하는 방법.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-02-21
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