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일반기술 전기·전자 > 영상·음향기기

FA용고정 및 LINECCD 카메라 화상 입력장치

-본 시스템은 FA용 Linear(선형) CCD카메라 구동 및 이미지 입력 저장부, 입력된 이미지 Display부,PC와 인터페이스부, 보드구동 Driver S/W 및 응용 Program으로 구성되어지는 시스템이다. 이 시스템의 개발은 고해상도의 Image 처리 및 검사에서도 이상적인 조명상태를 얻는데 유리하며 FA에 유용한 Line CCD카메라를 구동하고, PC와 인터페이스하여 이미지처리를 하는 것이 목적이다. Area형 카메라는 수평 해상가 512~800화소정도에 비해 Line CCD카메라는 512~10000화소로 선택의 폭이넓고 고해상도이며, 수직 해상도는 Area형 카메라가 480~512정도에 비해 선형 CCD카메라는 메모리용량이 되는한 무한대의 해상도를 가지고 있으며, 선택의 폭 또한 넓다. 시스템 개발시에 Xilinx FPGA를 사용함으로써 Board Size가 적게되며, 설계시에 유연성이 필요한 회로 부분을 FPGA로 구현함으로써 보다 적응력이 있는 Soft적인 H/W를 구성할 수 있다. 개발환경은 BorandC, Xilinx FPGA Tool, IBM PC, Linear CCD카메라, NTSC방식 모니터, ... 등이다

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 제어·자동화

GPS를 이용한 전송 전류 차동계전기의 샘플링 동기장치

-GPS 수신기를 이용하여, 송전선 양단에 설치되어 있는 전류차동계전기들의 전류샘플링을 동기시키는 장치를 개발하였다. 송전선 양단의 GPS 수신기들에서 만들어내는 서로 동기된 1PPS 신호를 이용하여 60 12 Hz 주기의 pulse를 만들어주고, 이를 이용해서 서로 동기된 전류샘플링이 적당한 계수값 지정과 함께 이루어지도록 A/D 변환기와 메모리 그리고 프로그램형 논리소자를 사용한다. 본 장치는 통신을 이용한 기존의 방식에 비해 계전기의 계산부담을 덜어주고 보다 정확한 샘플링 동기를 얻을 수 있게 한다.

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기시스템

200kw급 가스엔진 열병합시스템용 온수발생장치 개발

- 열병합시스템은 하나의 열원으로 전력과 열을 동시에 발생시키는 종합 에너지 시스템으로 발전에 수반하여 발생하는 배열을 회수하여 이용하므로 에너지의 종합열이용 효율을 높이는 에너지 절약 설비로 기존의 발전방식보다 30-50%의 에너지절약 효과를 거둘 수 있는 고효율 에너지 이용기술이다. 근래에 대표적으로 채용하고 있는 원동기는 청정연료를 사용하는 가수엔진 열병합시스템이다. 가스엔진 열병합시스템은 열병합 시스템은 열효율이 높고, 신뢰성 및 안전성이 뛰어나며, 가스연료를 사용하므로 엔진수명이 길고 메인터넌스가 쉬우며 발전규모가 15kw-2,000kw정도의 용량에 적합하다는 특징때문에 민생용 열병합으로 관심이 고조되고 있다. 또한 가스엔진 열병합시스템은 냉각수로부터 온수를 회수하고, 배가스로부터는 증기 또는 온수를 회수할 수있으므로 종합열효율이 높고, 배열회수의 다양화가 가능하다는 특징이 있다. 열병합시스템용 온수 발생장치는 열병합 시스템이 건물의 지하실등의 제약요건이 많은 장소에 설치되므로 컴팩트하여야 하고, 온수 발생장치에서의 유동특성이 원동기인 가스엔진의 성능저하에 영향을 미치며, 엔진발전기에 비하여 기동이 상당히 늦어져 시스템 전체의 기동특성에 영향을 줄 수 있다. 또한 온수발생장치는 배가스의 조성 및 열역학적 성질에 따라서 설계의 개념이 바뀜은 물론 회수된 열이 냉난방, 급탕등의 열원으로 사용되기 때문에 열부하기의 특성에 따라서도 설계개념이 바뀌어야 한다-에너지절약효과 -환경편익성 -수입대체효과 -기타성과(온수발생장치 설계및 제작기술 확립, 열병합시스템 이외의 기타 폐열회수설비 설계기술에의 응용, 교환기 설계기술 향상 기대, 엔진 열병합시스템의 패키지화를 위한 기반기술확보, 다양한 에너지절약기술 확보)

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

산화텅스텐 박/후막을 이용한 NOx센서 개발

최근 대도시 대기오염의 주범은 과거의 공장매연과 난방연료에서 자동차 배기가스로 바뀌었다. 자동차 배기가스의 주성분은 주로 미연소 탄화수소(CHx), 질소산화물(NOx), 일산화탄소(CO) 등의 유독가스와 이산화탄소(CO2), 수증기 및 분진이다. 그 중에서도 NOx는 그 자체로도 인체에 매우 유독하며, 광화학반응올 오존을 생성시켜 여름철 스모그현상, 지구의 온난화 및 산성비의 원인을 제공하기도 한다.본 과제는 n형 반도성 산화물인 WO3를 주요 소재로 이용하여 저농도의 NOx 가스를 감지하는 센서의 개발에 관한 것으로서, KIST의 김태송 박사팀 및 (주)우영의 성기숙 박사팀과 산학연 협력연구(G7과제) 결과이다. WO3 박막센서는 1 ppm이하의 NO2를 수초내에 감지해낼 수 있으며, 높은 감도(Rgas/Rair= 50)를 가지고, 센서 크기를 최소화해 소비전력을 낮추고 제조원가를 낮춘 것이 특징이다.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 기타 전자제품

전자파 차단용 바지 및 치마

본 고안은 전자파 차단용 바지 및 치마에 관한 것으로, 남성용 또는 여성용 바지 및 치마의 안쪽에 사용되는 안감 라이닝 섬유를 전자파 차단 섬유로 대체하고 본 전자파 차단용 바지 및 치마를 착용함으로써 남성의 경우에는 생식기 부분을 완전히 보호받고 여성의 경우에는 생식기 보호로 유산과 기형아 출산을 예방할 수 있음.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 영상·음향기기

신호등

본 고안은 신호등에 관한 것으로, 특히 커버의 통공에 신호판을 설치하고 신호판의 전면에 일정형상으로 천공된 통공에 표식판을 고정설치하여서 신호등의 제작비용을 줄일 수 있도록 함은 물론 신호등의 점멸시 색맹, 색약자들도 보고 색깔을 인식할 수 있도록 한 것임.

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

플라즈마(Plasma Enhanced) MOCVD에 의한 금속질화물(Nitride)의 증착

Pulsed D.C. 플라즈마는 D.C. 플라즈마에 비해 정확한 이온 및 전자전류를 가지며 방전시 기판상에 존재하는 공간전하가 제거되는 장점을 가지고 있다. 또한 Pulsed D.C. 플라즈마는 Duty의 조절이 가능하여 RF 플라즈마에 비해 기판으로 이온을 가해주는 시간비율의 조절이 자유롭다. 이러한 Pulsed D.C. 플라즈마를 사용하여 금속질화물의 한 예로 HfN 박막을 증착하였다. HfN 박막은 Plasma Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PEMOCVD)에 의해 증착되었다. Tetrakis diethyl amido Hafnium (TDEAHf)가 Hf precursor로 사용되었다. carrier gas와 reactive gas 로는 각각 Ar 과 N2를 사용하였다. 열 에너지와 플라즈마 에너지에 의해 증착된 HfN 박막의 증착률은 열 에너지에 의해서만 증착된 HfN 박막의 증착률에 비해 매우 높았다. Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS)의 분석결과 열 에너지와 플라즈마 에너지에 의해 증착된 HfN 박막은 낮은 산소 농도와 높은 탄소 농도를 갖고 있었으며, 반면에 열 에너지에 의해서만 증착된 HfN 박막은 높은 산소 농도와 낮은 탄소 농도를 갖고 있었다. 열 에너지와 플라즈마 에너지에 의해 증착된 HfN 박막이 낮은 산소 농도를 나타내는 것은 증착된 박막의 조직이 치밀하여 증착후 공기중에 노출되어도 산소가 박막내로 많이 유입되지 않기 때문으로 추정된다.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

화합물 반도체 광소자 에피웨이퍼 생산기술

현 산업 사회의 정보화 사회로의 성숙에 따라 현재 전세계의 각 선진국에서는 광대역 디지털 종합 네트워크(Broadband Integrated Services Digital Network: B-ISDN) 구축사업을 활발히 전개하고 있다. B-ISDN에서는 네트워크의 정보 전송 능력을 극대화하기 위하여 광통신 시스템을 주축으로 통신 시스템을 구축하고 있으며 국내에서도 2015년까지 각 가정을 광통신 시스템으로 연결하고자 계획하고 있다. 이러한 B-ISDN 구축 사업에 의하여 고속 광소자 및 전자소자에 대한 수요가 급격히 늘고 있는데 이러한 용도에 사용되는 소자는 대부분 화합물 반도체 이종접합을 이용하는 구조를 가지고 있다. 한편, 화합물 반도체 이종접합은 서로 다른 여러 종류의 화합물 반도체를 다층 구조 형태로 결함없이 에피성장하여야 하는 요구에 의하여 고도의 에피성장기술이 요구된다. 이러한 화합물 반도체 이종접합 소자 제작을 위하여 다수의 에피성장법이 사용되고 있으나 이중 MOCVD 에피성장법은 다양한 구조를 에피성장시킬 수 있는 장점과 CVD 방법이 갖는 대면적 에피성장의 용이성에 의하여 대량생산용으로 가장 널리 사용되는 에피성장법이다. 현재 국내의 삼성, LG, 현대, 삼미, 국제, 광전자 등 화합물 반도체 소자 제작사에서는 자체적인 에피 웨이퍼 제작과 함께 외국에서 에피 웨이퍼를 수입하여 소자를 제작하고 있는 실정이다. 특히, 국내에서의 에피성장 기술이 아직 안정화되어 있지 않은 이유로 많은 물량을 일본, 미국, 유럽 등으로부터 수입하고 있는 실정이다. 본 연구진은 지난 10년 이상의 MOCVD 에피성장 관련 연구를 기반으로 현재 1.3 m 및 1.55 m 통신용 InGaAsP/InP 레이저, 파장 필터, 파장 변환기 웨이퍼를 에피성장시키고 있으며 GaAs계 반도체 레이저 웨이퍼 에피성장도 함께 수행하고 있다. 본 연구진의 에피성장 기술을 국내의 중소기업에 접목하여 전용 에피 웨이퍼 생산사를 설립하면 국내의 수요를 충족시키고 나아가 외국으로의 수출도 기대할 수 있어 수익성있는 사업을 전개할 수 있을 것으로 기대한다.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

ECR 플라즈마 화학증기증착(CVD)를 이용한 저응력.고투광성 박막제조기술

ECR plasma CVD는 기존의 plasma source에 비해 낮은 작업 압력, 높은 ion 밀도, 낮은 plasma potential, 그리고 ion energy 와 ion flux의 독립적 조절 가능성 등으로 인하여 최근 single wafer process에의 적용이 활발히 연구되고 있다. 한편 실리콘 질화막은 오랫동안 반도체공정에 이용되어 왔으며, 최근에는 특히 X-ray lithography용 마스크 재료로서 많은 연구가 되고 있는데, 이 경우는 적정 막응력, 화학양론적 조성, 불순물 함량, 표면 평활도, 가시광 투과도 등에서의 엄격한 막질의 조절이 요구된다. 그러나 각각의 막질간에 서로 상관관계가 있기 때문에 기존의 LPCVD 혹은 PECVD process로는 최적의 막질을 얻기 힘들다. 본 연구는 넓은 process margin과 gas source 선택의 장점을 지니고 있는 ECR plasma CVD 방법을 이용한 실리콘 질화막의 증착과 물성분석에 촛점을 맞추고 있다. Source gas의 종류와 혼합비 (SiH4/N2 혹은 SiH4/NH3), 증착압력, 증착온도 등의 변화에 따른 실리콘 질화막의 성질을 분석한 결과, 적정 잔류인장응력조건 (1x109dyne/cm2 이하)에서 N2를 이용한 막이 NH3를 이용한 막에 비해 Si/N ratio는 약간 증가하였으며, 표면 평활도도 0.64nm(rms)로 매우 우수했다. 또한 가시광 투과도와 optical band gap도 상당히 증가함을 알 수 있었다. 이는 LPCVD 혹은 PECVD로 증착한 실리콘 질화막에 비해 월등히 우수한 결과로, 저응력·고투광성 박막재료의 개발에 ECR plasma CVD의 응용가능성을 확인할 수 있었다.

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

Flip chip 반도체 패키지 공정기술

반도체 패키지는 소자가 집적된 chip을 module에 연결하여 반도체제품을 최종구성하는 공정이다. 이러한 과정중 chip을 module에 연결하는 부분은 반도체패키지기술 중 가장 관건이 되는 공정으로써 이에 대한 많은 연구가 진행되어 왔다. 지금까지의 방법은 chip주위에 pad를 구성하여 wire로 연결하는 형태가 주로 채택되고 있다. 그러나 소자 집적도의 향상과 더불어 입출력 단자수의 급격한 증가는 새로운 형태의 연결방법으로써 chip과 module을 solder로 연결하는 flip chip 공정의 필요성을 제기하게 되었다. Flip chip 기술은 chip전면에 solder bump를 형성시켜 pad간 간격을 넓힐 수 있게 설계하여 가능한 pad의 수를 늘리는 것이다. 그러나 이 경우 solder와 Al metal pad사이의 degradation이 발생하므로 이를 개선하기 위하여 Al 층위에 Ni/Au의 bump층을 형성시킨다. 이 공정은 무전해도금기술로 이루어지며 특히 wafer전면에 균일한 Ni도금면이 형성될 수 있도록 Ni-P와 Ni-B 도금액을 통한 연구가 필요하다. 이를 위하여 도금액의 교반기능을 포함한 제반특성을 분석하여 최적의 조건을 설정한다. 이 연구는 집적도와 입출력단자수가 증가하는 반도체패키지 연구에 있어서 필수적인 공정으로 이를 통한 산업적 응용은 컴퓨터를 포함하여 자동차, 시계, 군수, 항공산업 전반에 걸쳐 개발, 이용될 수 있다.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

MOS소자를 이용한 가스감지센서

-현대사회가 점차 산업화 고도화 되어감으로 인해 가정용이나 공업용으로 많은 위험가스와 공해가스들을 사용하게 된다. 그러나 인간의 후각으로써는 위험 가스의 종류 판별이 힘들고 그 농도를 정량화 한다는 것은 불가능하다. 또 사람의 후각이 미치지 못하는 구석진 부분이나 고온, 고압, 저온, 저압 등의 사람의 출입이 불가능한 곳에서의 가스의 종류와 정량화도 위험 가스에 의한 사고를 예방하는 데에 있어서 매우 중요한 부분이다. 따라서 이러한 곳에 반드시 가스 센서가 사용되어야 하며 한가지의 가스를 감지해야 하는 경우보다는 여러 가지가 섞여 있는 복합 가스를 검지 해야 할 경우가 대부분이므로 멀티 가스 센서의 개발은 필수적이라 하겠다. 본 연구에서는 비교적 낮은온도에서 사용가능하고 감도와 선택성이 상당히 우수하며, 이미 반도체 제작공정에서 많이 사용된바 있는 MOSFET을 이용한 멀티가스센서를 개발하고자 한다. 이를 위해 Pd-base 물질을 gate로 하는 MOSFET 센서소자를 제작하고 이를 바탕으로 게이트 물질, 게이트의 다공성, 산화막의 두께, 전체 센서의 크기등의 변수를 조절하면서 가장 선택성과 감지성이 우수한 개별 MOSFET단위소자를 개발한다. 온도에 따른 감지특성도 아울러 조사하여 최적 작동온도를 밝혀낸다. 이렇게 개발된 단위소자들을 하나의 기판위에 집적 시키고 여러가스에 대한 실험을 통해서 가장 뛰어난 출력신호가 나타나는 구조의 집적회로를 구성한다. 출력신호를 각각의 가스 신호로 바꾸어주는 패턴인식기술과 신호처리 기술을 개발하고 그 회로를 센서가 들어가는 칩안에 같이 제작하여 하나의 칩으로써 완벽한 멀티센서를 제작하고자 한다.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

첨단 반도체 센서 국산화

최근 국내 시장에서는 일반 산업용은 물론 자동차 가전제품 의료 군사용 등으로 사용되는 각종 센서의 대부분을 수입에 의존하고 있어 이에 대한 국산화가 시급한 실정이다. 현재 센서들은 소형화 다기능화의 비용화 대량 생산화 등을 위해 반도체형으로 변모하고 있다. 이런 고부가가치의 반도체형 센서는 선진 외국에서 기술이전을 기피하는 것이다. 기술을 전수받기도 어렵고 비용이 많이 소모된다. 반도체 센서는 기종의 반도체 기술에 마이크로머시닝 기술을 합한 것을 기본으로 한다. 그러나 기존의 반도체 집적회로나 IC제조시만큼 정밀하거나 고가의 시설을 맞출 필요는 없기 때문에 국내 중소기업에서도 많은 투자없이 시도할 수 있는 분야이다. 실제로 반도체 센서의 세계적인 기업이 대부분 다품종 소량생산 방식을 취하고 있어 중소기업 참여가 바람직하다.현재 세계 센서시장의 대부분을 차지하고 있는 압력센서 가속도 센서 온도습도 센서 유속 유량센서 등의 설계 및 제조기술을 보유하고 있는 본 연구실은 국산 시제품 개발단계에 있다. 이번에 개발된 반도체 센서의 주요 기술은 설계기술 제조기술 시험기술 등으로 대별할 수 있다. 여기에는 기계적 구조에 대한 이론적 시뮬레이터 개발과 같은 설계기술은 물론 미세 신호를 증폭 변환하는 회로 설계, 이론적 분석에 근거한 마스크 설계 등이 증폭된다. 현재 마이크로 머시닝, 박막 도포, 식각, 접합, 패키징 기술 등의 제조기술과 개발된 센서의 감도, 온도 특성, 장기 안정성, 기계적 강도 등을 시험하고 평가하는 기술도 이미 개발된 상태다.

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한국생산기술연구원
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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

가전.범용기기용 고조파 전류 저감을 위한 PWM 컨버터 개발

콘덴서 입력형 단상정류회로의 교류측 고조파전류 저감 기술 - 고효율.고역율 PWM 제어기술(효율 95%이상) - 회로구성의 간소화, 경량화 기술 - 무효전력.고조파 억제를 위한 전력변화기술 장점 - 기존의 SMPS에 비하여 고속응답특성 - 회로부품수를 최적화 함으로서 소형.경량화와 저가화 - 고역율과 고효율, 출력전압의 안정화에 의한 부하기기의 운전효율 향상(기존 제어방식에 비교하여 10% 효율향상 기대) - 계통전력 품질의 양질화에 기여 (전원 고조파 각차 왜율 3%, 총합 왜율 5%) - 세계각국의 고조파 규제에 대한 대책강구의 일환으로 본기술의 활용에너지 절약효과 - 전력계통 전력품질 향상에 기여 - 세계각국의 고조파 규제에 대한 대책 해결 기대 - 기술 수입 대체효과

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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

강유전체 박막(PZT,스트론튬-타이타늄산화물,리튬-나이오븀산화물)을 이용한 반도체 소자 응용

DRAM(Dynamic Random Acess Memory)이 간단한 정보저장용 기억단위 소자로서 반도체 메모리 시장을 개척한 이래로 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 기억소자는 초미세화 및 초고집적화의 엄청난 개발속도를 가속화하는데 기여하게 되었다. 반도체 메모리의 고집적화가 가속됨에 따라 DRAM과 FRAM의 Cell capacitor에서 높은 축적량을 보이는 물질인 PZT, 스트로늄-타이타늄 산화물 리튬-나이오뷰 산화물을 비롯한 강유전체 박막을 이용한 정보 저장방법이 연구되고 있다. 본 연구는 유전체 박막 커패시터를 RF magnetron sputtering을 이용하여 유전상수가 높은 강유전체 박막을 235nm 에서 275nm두께로 RuO2전극위에 증착하여 그 전기적 특성을 개선하였다. 저온에서 비정질 BTO층을 증착하였으며 600℃이상의 높은 온도에서 다결정 BTO층을 증착하였다. 미세결정위의 다결정 이중구조를 갖는 커패시터의 용량은 단위면적당 (2.5±0.1)×105 pF/cm2이었으며, 누설 전류는 전계 2×105v/cm에서 10-10A/cm2이었다. DC전도도는 2×105V/cm에서 10-13/cm이하로 나타났다.

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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

저전력 고효율 전장 발광(EL)비상등 개발

전장발광램프는 형광체에 교류전계가 인가될때 빛이 발하는 것으로 나란한 두평행전극에 ZnS계의 형광층이 삽입된 형태가 기본이다. 형광체는 일정한 크기를 갖는 입자의 형태를 유지하고 있으므로 이를 두 편형전극사이에 고정시키기 위해서는 적당한 바인더(결합제)가 필요하다 일반적으로 사용되는 형광체의 입자직경은 10-50ym이고, 사용되는 바인더는 고유전율의 유기물이다. 전계발광이 이루어지기 위해서는 형광층을 가로질러 흐르는 전류의 흐름이 없어야 한다. 이를 위해서 별도의 BaTio3등을 사용한 절연층이 형광층과 전극사이에 설치된다 절연층의 삽입으로 인한 형광층에의 전계강도 약화를 최소화시켜주기 위해서는 고유전율을 갖는 절연체를 사용해야 한다. 형광층에서 발생한 빛이 외부로 방출되기 위해서는 한쪽의 전극은 고유전율을 갖는 절연체를 투명해야한다. 그리고 동작중인 형광체에 수분이 침투하면 형광체가 열화하여 휘도가 저하되는 문제가 발생하므로 이를 방지하기 위해 방습충이 별도로 설치된다. -도광판유니트는 CCFL을 이용한 고급형 LCD BACKLIGHT이다. 광도파 및 산란의 특성을 이용해서 도광판의 측면에 형광램프를 설치하여 대단히 얇은 두께 및 고효율의 BACKLIGHT를 가능하게 되는 기술이다

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2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 제어·자동화

고속전철 전기·제어시스템 기술 개발(1)

전체적인 추진시스템의 사양에 대해서는 주행 Pattern 및 운전시간 곡선 등이 명확히 정의되지 않았기 때문에 대략적인 수치로 선정하고 4개 세부과제별로 핵심요소기술에 대한 설계 방법 및 분석에 주력하였다. 그 내용은 견인전동기의 정격 선정 및 설계방법, 추진제어 알고리즘 분석, 전력변환 장치의 기본 설계방법, 콘버터의 설계 및 기본 제어기술, 인버터의 유도전동기 구동을 위한 PWM 패턴 발생기술, 신호전송시스템의 설계 및 내고장성 제어 시스템 설계, 차량 네트워크 시스템에 관한 기초 설계 및 CAN 인터페이스 보드 설계 및 네트워크 시스템 프로토타입의 구축 등이다. 지금까지 얻어진 결과들을 바탕으로 각 세부 분야별로 보다 집중적인 연구를 진행한다면 우리 실정에 적합한 전기·제어 시스템을 개발할 수 있을 것이며, 향후 G7 과제 진행시에 큰 도움이 될 것이다.

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

액정표시소자 광학 시뮬레이터

액정표시소자(LCD)는 경량,박형,저소비전력의 장점으로 인하여 최근 notebook computer, monitor를 중심으로 그 수요가 급격히 증가하고 있으며 특히 정보화 사회에서 display소자의 중요성이 부각되면서 새로운 산업의 한 축으로 성장해가고 있다. 우수한 특성을 갖는 LCD를 설계하기 위해서는 각종 물성 및 공정 parameter의 최적화가 요구되는데 이러한 최적설계에는 약간의 검증실험을 포함한 simulation방법이 대단히 유용하다. simulation의 목적은 TN-LCD의 특성에 미치는 각 parameter의 영향을 상세히 분석하고 동시에 공정 parameter의 tolerance를 크게 하여 최적의 특성을 갖는 TN-LCD를 설계하기 위한 parameter의 최적화에 있다. 본 연구에서는 TN-LCD 광학 simulation의 핵심인 액정의 분자배열 해석과 투과율계산에 대한 이론을 구체적으로 기술한다.

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

실리콘 표면 마이크로머시닝 기술과 FET를 이용한 가속도계

표면마이크로머시닝 기술을 이용한 소형가속도계의 개발이 활발히 이루어지고 있는데, 그 이유는 표면 마이크로머시닝을 이용하면 표면 미세구조체를 IC 회로의 제작 공정 후에 비교적 간단하게 형성시킬 수 있고, 몸체 마이크로머시닝을 이용한 경우와 비교하여 면적을 적게 차지하므로 die size를 줄일 수 있으므로 비용절감의 효과도 얻을 수 있기 때문이다. 실리콘 가속도계의 검지방법은 압저항형과 콘덴서를 이용하여 전압형태로 출력을 얻는 것이 주류를 이루어 왔으나, 본 연구에서의 검지방법은 FET(Field Effect Transistor)를 이용하여 전류형태의 출력을 얻어내는 것이다. 이 방법을 채택할 경우 민감도의 향상과 신호처리회로의 단순화가 이루어 질 것으로 예상된다. 기존 가속도계는 저정밀급(해상도: 10-1∼10-2g)도 비교적 고가($10∼100/개)이고 중정밀급(해상도: 10-3g정도)도 수백달러의 고가이다. 특히 군수용으로 사용되는 초고정밀급(해상도: 10-5∼10-6g)의 경우는 가격도 초고가 일뿐만 아니라 기술도 공개 되어 있지 않다. 따라서 저가의 가속도계의 개발은 새로운 시장개척과 방대한 시장의 개발을 의미한다고 할 수 있다. 대표적인 응용분야를 살펴보면 shock detector로써의 airbag release와 vibration detector로써의 비행기 날개의 기계적인 stress monitoring 등을 들 수 있다. 특히 자동차에 응용되는 부분으로써는 airbag release 이외에도, automatic door release, active suspension, 그리고 anti-lock brakes 등이 있고, biomedical application으로는 heart wall motion을 monitoring 하는 센서로서 이용될 수 있다. 미세 가공 기술을 이용한 가속도계는 1980년대 말부터 130만개 정도의 수요가 발생하여 390만 달러의 시장을 형성하였고 대략 28.1%의 높은 시장 성장 비율을 기록하였다. 1998년에는 약 1940만개의 수요가 예상되고, 약 4억 5천만불 이상의 시장을 기록 할 것으로 예상된다.

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 전력설비

전원공급장치 병렬운용 최적시스템 개발

-본 기술은 병렬운전이 가능한 모든 전원공급장치(무정전 전원장치, 전동기구동장치,각종 직/교류 전원장치)의 운전상태를 원격감시하여 최적상태로 유지제어하여 시스템 신뢰도 향상과 전원공급시스템을 구성하는 각 모듈이 가변하는 부하조건에서 항상 최적의 효율을 갖도록 부하분담시켜 최대한의 에너지절감이 가능하도록 구성하는것이다. 지능제어유니트는 전원공급시스템으로부터 시스템 전압, 전류, 온도 및 부하분담비와 같은 시스템운용에 필요한 주용데이터들을 수집하고 이에 필요한 모든 hardware와 Software를 장착하고 있으므로 여러 장소에 널리 산재에 있는 모든 전원공실을 중앙통제살에서 원격조정 가능하여 유지보수비를 절약할 수 있다. 또한 이상상태 발생시 긴급한 정도에 따라 기기실 운영자를 무선호출할 수 있을 뿐만아니라 전화로 음성송출이 가능하므로 전원공급시스템의 신뢰도를 더 한층 배가시킬 수 있다. 현재 미국, 일본, 독일 및 유럽 선진국에서는 하루가 다르게 수요가 증가하고 있는 양질의 전원공급시스템의 안정적인 전원공급에 의한 전체 시스템의 신뢰도를 높일 수 있도록 보다 효율적인 부하분담기법에 의한 에너지절감이 가능하도록 우너격제어가능 최적제어시스템을 개발하여 상용화 단계에 이르고 있다.- 에너지절약효과- 생산성 향상

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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일반기술 전기·전자 > 기타 전기시스템

전철용 고주파 대전력 비정질 Transformer개발

-전기기기의 소형화, 저손실화의 경향에 따라 고주파전원에 대한 관심이 증대되고 이에 따라 전력변환용 고주파변압기의 개발연구도 활발해지고 있다. 그리고 기존의 규소강판 코어를 적용하면 고주파화면 소형화는 가능하나 효율이 80%대로 급격히 떨저지고 코어손실에 의한 발열이 문제가 된다. 따라서 코어손실이 규소강판의 1/4수준인 비정질재료를 이용하는 것이 바람직하다. 비정질코어소재의 수요가 주상변압기의 적용확대에 따라 점차늘고 있고 향후 5년 이내 급격하게 늘것으로 기대됨에 따라 현재 방향성 규소강판 가격의 2배수준에서 머지않은 장래에 거의 같은 수준으로 될것으로 예상된다. 또한 고주파화에 의해 즉 주파수의 정격을 1,500Hz로 높여 코어량을 40%이상 줄일 수 있기 때문에 충분한 경제성이 있다- 에너지절약효과- 환경편익성- 생산성향상

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한국생산기술연구원
등록일
2000-08-29
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