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본 기술은 중공 캐소드 방전건(HOLLOW CATHODE DISCHARGE GUN)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 장시간 동안 방전 유지가 가능한 중공 캐소드 방전건에 관한 것이다. 본 기술은 방전 공간을 포함하는 중공을 구비하고, 일단에 중공으로 가스를 유입하기 위한 제1 개구부와 타단에 중공으로부터 가스를 유출하기 위한 제2 개구부를 갖는 튜브, 튜브에 길이 방향으로 삽입되는 필라멘트 및 금속 튜브내의 필라멘트 주위에 장착되며, 필라멘트의 가열에 의해 2차 전자를 발생하며, 소정 간격으로 이격되는 최소한 둘 이상의 전자 방사 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건을 제공한다. 본 기술에 따르면, 안정적인 방전 유지 특성을 갖는 중공 캐소드 방전건을 제공할 수 있다.본 기술은 장시간 동안 안정적으로 방전을 유지하는 중공 캐소드 방전건을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 중공 캐소드 방전건을 방전 가스 발생원으로 채용함으로써 종래에 비해 높은 생산성을 갖는 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.이를 위해 방전 공간을 포함하는 중공을 구비하고, 일단에 상기 중공으로 가스를 유입하기 위한 제1 개구부와 타단에 상기 중공으로부터 가스를 유출하기 위한 제2 개구부를 갖는 튜브, 튜브에 길이 방향으로 삽입되는 필라멘트 및 금속 튜브내의 필라멘트 주위에 장착되며, 필라멘트의 가열에 의해 2차 전자를발생하며, 소정 간격으로 이격되는 최소한 둘 이상의 전자 방사 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건을 제공한다.또한 방전 공간을 포함하는 중공을 구비하고, 일단에 중공으로 가스를유입하기 위한 제1 개구부와 타단에 중공으로부터 가스를 유출하기 위한 제2 개구부를 갖는 튜브, 튜브에 길이 방향으로 삽입되는 텅스텐 필라멘트 및 금속 튜브내의 필라멘트 주위에 장착되며, 필라멘트의 가열에 의해 2차 전자를 발생하는 전자 방사 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 중공 캐소드 방전건을 제공한다.또한 중공 캐소드 방전건이 장착되며 기밀 유지 가능하고 내부에 애노드를 구비하는 증착 챔버, 중공 캐소드 방전건에서 발생한 방전 가스를 증착 챔버내의 애노드로 유도하기 위한 제어 시스템 및 상기 중공 캐소드 방전건과 애노드에 바이어스 전압을 인가하기 위한 전원 회로부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치를 제공한다.
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- 동인하이텍
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- 2007-07-31
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본 기술은 풍력, 태양광, 연료전지 등의 에너지원을 이용한 분산전원용 제어장치 및 제어방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 종래의 분산전원용 제어장치에서의 하드웨어나 소프트웨어적 측면에서 공통적인 요소들을 하나로 통합하여 모듈화한 분산전원용 제어장치와 제어방법에 관한 것이다.에너지원의 출력전원을 교류전원으로 바꾸는 정류기와 인버터로 구성된 전력변환부 에너지원의 정보와 전력변환부의 전압 또는 전류 정보를 가지고 연산하여 제어하는 제어부 및 제어부에서 보낸 운전정보를 표시하거나 사용자의 입력을 제어부로 보내주는 사용자 조작부를 구비하는 분산전원용 제어장치의 제어방법에 있어서, 제어부는 에너지원, 에너지원의 출력전압의 종류에 따라서 선택적으로 알고리즘을 구현하여 전력명령을 생성하고 전력명령에 의하여 전력변환부의 전압, 전류 정보를 이용하여 전력변환부의 정류기와 인버터로 PWM(pulse width modulation)출력으로 스위칭 신호를 출력하고, 전력변환부는 스위칭 신호를 의하여 스위칭되며 에너지원으로부터 출력된 직류 또는 교류전원을 원하는 전압, 주파수의 교류전원으로 변환시키는 것을 특징으로 하는 분산전원용 제어장치의 제어방법을 제공하는 데 그 특징이 있다.본 기술은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 에너지원의 종류에 관계없이 제어장치의 하드웨어는 모듈화 설계하고 에너지원의 상이에 따른 기능의 차이는 내부의 소프트웨어적인 기능으로 대체함으로써 하나의 통합된 분산전원용 다목적 제어방법과 제어장치를 제공함에 본 기술의 목적이 있다.본 기술에 따른 분산전원용 제어장치의 제어방법은 에너지원의 출력전원을 교류전원으로 바꾸는 정류기와 인버터로 구성된 전력변환부 에너지원의 정보와 전력변환부의 전압 또는 전류 정보를 가지고 연산하여 제어하는 제어부 및 제어부에서 보낸 운전정보를 표시하거나 사용자의 입력을 제어부로 보내주는 사용자 조작부를 구비하는 분산전원용 제어장치에 있어서, 제어부는 에너지원, 에너지원의 출력전압의 종류에 따라서 선택적으로 알고리즘을 구현하여 전력명령을 생성하고 전력명령에 의하여 전력변환부의 전압 및 전류 정보를 이용하여 전력변환부의 정류기와 인버터로 PWM(pulse width modulation)출력으로 스위칭 신호를 출력하고, 전력변환부는 스위칭 신호에 의하여 스위칭되며 에너지원으로부터 출력된 직류 또는 교류전원을 원하는 전압, 주파수의 교류전원으로 변환시키는 것을 특징으로 한다.
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- 2007-07-31
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본 기술은 본 발명은 유ㆍ무기 복합 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 단결정 실리콘 태양전지에 비해 상대적으로 가격이 저렴한 다결정 실리콘 태양전지와, 실리콘 태양전지에서 이용효율이 낮은 단파장광을 이용하여 발전하는 염료감응형 전지를 복합화하여 효율이 높고 셀단가가 낮아 경제성이 있는 유ㆍ무기 복합 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.종래의 태양전지는 장파장과 단파장의 태양광을 효율적으로 활용하여 탠덤 (tandem) 구조를 이용하였는데, 밴드 갭(band gap)이 작은 물질인 GaAs, CdSe, InP 등의 물질을 박막으로 형성하여 실리콘 전지의 뒷면에 위치시키고, 실리콘 전지가 활용하지 못하는 단파장을 최대한 활용하고자 하는 노력을 하였다. 그러나, 이런 물질들의 가격과 박막 형성 공정비용이 비싸 이러한 형태의 탠덤 구조가 경제성을 갖지 못하고 있다. 더군다나 박막 공정 자체가 재현성이 떨어져 품질과 성능이 균질한 셀을 대량으로 생산하는데 적합하지 못하다.본 기술은 실리콘 태양전지와 염료감응형 전지의 각각의 장점을 살린 복합 구조로 구성되어 있으므로, 염료감응형 태양전지 부분을 이용하여 단파장광의 효율을, 그리고 실리콘 태양전지 부분을 이용하여 장파장광의 효율을 각각 증대시킬 수 있다. 그리고, 표면을 다공질 실리콘으로 형성함으로써 이산화티탄(TIO2)과 염료와의 접촉 면적을 증가시켜 염료감응형 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있을 뿐만이 아니라, 실리콘 표면에서의 반사율을 감소시킴으로써 실리콘 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있다. 또한, 빛을 효율적으로 사용하여 태양전지의 온도 상승을 완화시킴으로써 염료감응형 태양전지의 수명을 증대시킬 수 있다.본 기술은 다결정 실리콘 태양전지와 염료감응형 태양전지의 각각의 장점을 살릴 수 있도록 이 두 전지를 복합화하여 효율이 높고 셀단가가 낮아 경제성이 있는 유ㆍ무기 복합 태양전지 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.이를 위해 구조체의 최하층에 마련되는 N-형 실리콘 기판,N-형 실리콘 기판 위에 도핑 형성되며, 그 표면이 다공질 처리된 P-형 실리콘층, P-형 실리콘층 위에 적층 형성되는 금속산화물/광감응제(염료) 층, 적층 구조체의 최상부층에 위치되며, 그 하면부에는 상대전극이 형성되어 있는 유리기판 및 금속산화물/광감응제 층과 유리기판 사이에 충전되는 전해질을 포함하여 구성된다.
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- 2007-07-31
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본 기술은 종래의 리니어 모션 가이드와 선형 유도 전동기의 복잡한 연결 구조를 제거하여 선형 유도 전동기의 고정자를 리니어 모션 가이드의 고정부와 공통으로 사용할 수 있도록 하는 리니어 모션 가이드와 선형 유도 전동기의 결합 시스템을 제공한다. 이를 위해 본 기술은 리니어 모션 가이드의 고정부재와 선형 유도 전동기의 고정부재를 상호 결합한 고정부와, 리니어 모션 가이드의 이동부재와 선형 유도 전동기의 이동부재를 상호 연결한 이동부로 구성된 것을 특징으로 하고, 선형 유도 전동기와 리니어 모션 가이드가 각각 동시에 필요한 기존의 선형 이송장치를 간략화 시킴에 의해, 장치의 설치공간을 적게 차지할 수 있게 되고, 제조비용 및 유지 보수비용의 절감과 더불어, 청정 직선 이송을 구현할 수 있다는 효과를 갖게 된다.본 기술은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 그 목적은 종래의 리니어 모션 가이드와 선형 유도 전동기의 복잡한 연결 구조를 제거하여 선형 유도 전동기의 고정자를 리니어 모션 가이드의 고정부와 공통으로 사용할 수 있도록 하는 리니어 모션 가이드와 선형 유도 전동기의 결합 시스템을 제공하는 것이다.본 기술에 따르면, 고정자 철심과 고정자 도체가 적층된 형태로 결합된 선형 유도 전동기 고정자가, 리니어 모션 가이드 지지대 상에 고정적으로 안착되어 결합되고, 이동자 권선이 이동자 철심의 측면에 형성된 슬롯에 삽입되어 있는 형태로 이루어진 선형 유도 전동기 이동자가, 선형 유도 전동기 지지대를 매개로 리니어 모션 가이드의 이동자와 연결되어 구성된 것을 특징으로 하는 리니어 모션 가이드와 선형 유도 전동기의 결합 시스템을 제공한다.
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- 2007-07-31
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유량 원격검침 시스템의 2차 전지에 전원을 공급하는 충전장치를 구비함으로써 전원 방전에 따른 유지보수 문제를 해결하기 위한 유량 원격검침 시스템이 개시된다. 시스템은, 유량 계량기, 유량 계량기의 측정값을 무선으로 송신하는 원격 검침 장치, 유체가 흐르는 유로관 및 원격검침 장치에 소정의 전원을 공급하는 2차 전지로 구성된 유량 원격검침 시스템에 있어서, A) 유체의 운동 에너지를 전기적 에너지로 변환 시키는 유체이용 임펠러와 발전기 회전자 일체형 발전장치 B) 발전장치에서 발생된 교류전압을 직류전압으로 변환하는 정류용 반도체 소자로 구성된 정류장치 C) 정류된 전압의 리플 성분을 평탄하게 바꾸어 주는 평활 콘덴서 및 D) 정류된 전압을 2차 전지에 충전 시키는 충전장치로 구성된다.종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 기술의 목적은 유량 원격검침 시스템의 2차 전지에 전원을 공급하는 충전장치를 구비함으로써 전원 방전에 따른 유지보수 문제를 해결하기 위한 유량 원격검침 시스템을 제공함에 있다.목적을 달성하기 위하여, 본 기술에 따른 유량 원격검침 시스템은, 유량 계량기, 유량 계량기의 측정값을 무선으로 송신하는 원격검침 장치, 유체가 흐르는 유로관 및 원격검침 장치에 소정의 전원을 공급하는 2차 전지로 구성된 유량 원격검침 시스템에 있어서, A) 유체의 운동 에너지를 전기적 에너지로 변환 시키는 유체이용 임펠러와 발전기 회전자 일체형 발전장치 B) 발전장치에서 발생된 교류전압을 직류전압으로 변환하는 정류용 반도체 소자로 구성된 정류장 C) 정류된 전압의 리플 성분을 평탄하게 바꾸어 주는 평활 콘덴서 및 D) 정류된 전압을 2차 전지에 충전 시키는 충전장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 Bi계 은피복 고온초전도 복합선재의 제조방법에 관한 것으로서, 하소(calcination)가 끝난 Bi-Sr-Ca-Cu-O 계 고온초전도 산하분말을, 순은 재질의 외층과, 은합금 재질의 내층으로 이루어진 2중막 구조의 피복재용 금속튜브 내에 충진하여 단심(單芯) 복합체를 만든 다음, 인발가공 및 압연가공을 거쳐 사각 테이프 형상의 복합선재로 가공한 후, 테이프 형상의 단심 복합체를 830℃에서 약 150분간 1차 열처리를 하게 되면, 고온초전도 산화 분말의 주성분이었던 Bi2Sr2Ca1Cu3Ox 상이 다른 불순물 상들과 반응하여 판상(板狀)의 Bi2Sr2Ca2Cu3Ox 고온상으로 변화되며, 또한 내층의 은합금의 용질 원자가 열처리 도중 순은 으로만 된 외층쪽으로 확산함에 따라 외층이 순은에서 은합금으로 바뀌게 되어, 도2c에 도시된 바와 같은 고온초전도 복합선재를 얻고, 이어서 다시 압연이나 프레스 등의 가공을 한 후 2차 열처리 과정을 거쳐 단심형 Bi2Sr2Ca2Cu3Ox계 은피복 고온초전도 복합선재를 얻음으로써, 임계전류밀도가 향상되고 소세이징 현상이 나타나지 않으면서도, 가공도중 피복재욤 금속튜브에 크랙으로 인한 찢어짐 현상도 제거되는 효과가 있으며, 아울러 초기 가공시 선재 피복재의 외층이 순은으로 구성되어 있기 때문에 장척의 선재를 제조하는데에도 적합한 효과가 있는 매우 유용한 기술이다.본 기술의 목적은 임계전류밀도가 향상되고 소세이징 현상이 나타나지 않으면서도, 가공도중 피복재용 금속튜브에 크랙으로 인한 찢어짐 현상이 나타나지 않도록 하는 Bi계 은피복 고온초전도 복합선재를 제공하는 것이다.이를 위해 외층이 순은이고, 내층은 은합금인 2중막 구조의 금속튜브안에 Bi계 고온초전도 산화물 분말을 충진하는 제1단계, 분말 충진된 금속튜브를 인발한 후 압연하여 소정 두께의 테이프 형상으로 가공하는 제2단계, 테이프 형상의 금속튜브를 1차 열처리하는 제3단계, 열처리된 금속 튜브를 재압연하는 제4단계 및 재압연된 금속튜브를 2차 열처리하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 것에 특징이다.
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- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 비접촉 전력 전달 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기존의 비접촉 전력 전달 장치에 적용되었던 릿치 와이어 코일(Litz wire Coil)과 페라이트 코어(Ferrite Core)를 각각 시트코일(Sheet Coil)과 아몰포스 코어(Amorphous Core)로 대체하는 시트코일과 아몰포스 코어를 적용한 비접촉 전력 전달 장치에 관한 것이다.목적을 달성하기 위해 본 기술에 따른 시트코일과 아몰포스 코어를 적용한 비접촉 전력 전달 장치는 두 개의 기둥부와 기둥부를 받치는 받침대로 구성되고, 두 개의 기둥부 각각에는 상부측으로 홈이 파여진 구조로 이루어져 길이방향을 따라 설치된 트랙과 얇은 박막의 띠 형상으로 된 절연된 시트코일이 여러 번 감겨져 환형의 폐회로를 구성하여 트랙의 양쪽 기둥부의 상부측 홈에 삽입된 1차 트랙코일과; 얇은 박막의 띠 형상으로 된 절연된 시트코일이 여러 번 감겨져 장방형의 폐회로를 구성하고, 1차 트랙코일의 내부에 비접촉으로 위치하며 길이방향을 따라 운동하는 2차 픽업코일과 중앙과 양 측면에 3개의 기둥이 형성되는 E자형의 구조를 가지고, 중심부가 2차 픽업코일의 내부에 삽입되고, 측면부가 트랙 양쪽 기둥부의 외측에 위치하며 아몰포스로 적층된 픽업코어를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 기술은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 일반적으로 비접촉 전력 전달 장치에 적용하는 고주파용 권선인릿치 와이어 대신에 시트코일로 대체하여, 제작비용이 절감되고 구성이 간단하며 설치가 용이한 시트코일과 아몰포스 코어를 적용한 비접촉 전력 전달 장치를 얻고자 하는 것을 목적으로 한다.또한 고주파용 페라이트 코어(0.5T 이하) 대신에 포화 자속밀도가 높은 아몰포스 코어(1T 이상)를 적용하여, 비접촉 전력전달 장치를 소형화시켜 대용량의 시스템에 적용 가능한 장치를 얻고자 하는 것을 목적으로 한다.
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- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은, 초전도 선재 제조용 튜브 및 이를 이용한 선재의 제조방법에 관한 것으로, 전후가 개구되고, 은 또는 은 합금재질로 형성되며, 내부에 초전도 물질이 수용된 튜브와 튜브의 전면 개구부에 결합되고, 외부로 돌출되며 지그에 물림되는 전면돌출부가 형성된 전면마개와 튜브의 후면 개구부에 결합되며, 내부에 튜브 내부와 연통된 유로가 형성되어 외부의 진공배기용 진공펌프와 연결된 후면마개를 포함하여 구성되는 초전도 선재제조용 튜브 및 이를 이용한 선재의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 인발 가공하여 초전도체 선재로 사용되는 고가의 초전도체 코어 및 튜브의 손실을 최소화 시킴과 동시에 선재가공 시 튜브 내부를 진공배기하여 튜브내부에 존재하는 불순물의 제거가 용이하므로 양질의 선재를 제조할 수 있다는 이점이 있다.본 기술은 인발 가공하여 초전도체 선재로 사용되는 고가의 초전도체 코어 및 튜브의 손실을 최소화 시키는 초전도 선재 제조용 튜브 및 이를 이용한 초전도 선재 제조방법을제공하는 것을 목적으로 한다.또한 선재가공 시 튜브 내부를 진공배기하여 튜브내부에 존재하는 불순물의 제거가 용이한 초전도 선재 제조용 튜브 및 이를 이용한 초전도 선재 제조방법을 제공하는 것을 또한 목적으로 한다.이를 위해 전후가 개구되고, 은 또는 은 합금재질로 형성되며, 내부에 초전도 물질이 수용된 튜브와 튜브의 전면 개구부에 결합되고, 외부로 돌출되며 지그에 물림되는 전면돌출부가 형성된 전면마개와 튜브의 후면 개구부에 결합되며, 내부에 튜브 내부와 연통된 유로가 형성되어 외부의 진공배기용 진공펌프와 연결된 후면마개를 포함하여 구성되는 초전도 선재제조용 튜브를 기술적 요지로 한다.
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- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술에 따른 원격제어가 가능한 회전형 복합센서를 이용한 전력기기의 부분방전 측정장치는, 임의의 전력기기의 몸체외부의 소정 부분에 설치되며, 전력기기 내부의 이상으로 발생하는 부분방전에 의해 발생되는 전자파와 음파를 검출하기 위한 것으로 전자파 센서와 초음파 센서의 복합센서로 이루어진 복합센서부 전력기기의 몸체의 외부에 설치되어 복합센서부와 기계적으로 결합되며, 복합센서부가 해당 전력기기로부터 발생되는 부분방전을 다양한 각도와 방향에서 검출할 수 있도록 복합센서부를 회전시켜주는 구동장치부 전력기기의 몸체의 외부에 설치되어 복합센서부의 전자파 센서 및 초음파 센서로부터 입력된 신호를 증폭시키는 한편 일정 형태의 펄스로 정형화시켜 처리하며, 그 처리된결과를 원격 감시장치로 전송하는 신호처리부 및 전력기기의 몸체의 외부에 설치되어 신호처리부로부터 전송받은 부분방전 데이터와 위치각 데이터로부터 부분방전을 분석하여 부분방전량, 결함종류, 발생위치 등을 진단하는 원격 감시장치를 포함하여 구성된다.본 기술은 종래 부분방전 측정방식에서의 문제점을 감안하여 창출된 것으로서, 부분방전 측정시 침입하는 잡음을 제거하고 높은 감도로 측정하기 위하여 전자파센서와 음파센서로 구성된 복합센서를 전력기기의 몸체 내부에 설치하고, 이를 외부에서 원격 제어로 회전할 수 있도록 하여 부분방전의 발생에 따른 전자파와 음파의 공간적인 특성을 파악함으로써 부분방전을 측정함에 있어서 한층 더 정밀하게 측정할 수 있음은 물론, 부분방전의 결함의 종류, 발생위치, 위험도 등을 진단할 수 있는 원격제어가 가능한 회전형 복합센서를 이용한 전력기기의 부분방전 측정장치를 제공함에 그 목적이 있다.
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- 등록일
- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 비접촉으로 전원을 공급하는 전원 장치를 풀 디지털 방식으로 구현하여 전원장치의 응답성 향상과 다양한 부하조건에 유연하게 대처하며 설치 조건에 따라 변하는 시스템의 파라미타에 간편하게 대응 가능하게 함에 의해, 그 설치 및 유지 보수가 용이하며 비접촉으로 양질의 안정된 전원을 부하에 공급하는 것이 가능하도록 하는 풀 디지털 제어 방식의 비접촉 전원공급 장치를 제공한다. 이를 위해 본 기술은 목표 전압을 입력하기 위한 키입력수단과, 키입력수단의 목표전압에 따라 원하는 출력 전압을 얻을 수 있도록 하는 전력변환을 수행하는 1차측 전력변환 수단, 1차측 전력변환 수단의 전력변환에 의해 부하에 원하는 출력 전원전압을 공급하는 2차측 전력변환 수단 및, 키입력수단으로부터의 목표전압을 입력받아 2차측 전력변환 수단으로부터 피드백되는 출력전압을 기초로 1차측 전력변환 수단의 전력변환 상태를 제어하는 디지털 제어수단으로 구성된 것을 특징으로 한다.본 기술은 종래의 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은 비접촉으로 전원을 공급하는 전원 장치를 풀 디지털 방식으로 구현하여 전원장치의 응답성 향상과 다양한 부하 조건에 유연하게 대처하며 설치 조건에 따라 변하는 시스템의 파라미타에 간편하게 대응 가능하게 함에 의해, 그 설치 및 유지 보수가 용이하며 비접촉으로 양질의 안정된 전원을 부하에 공급하는 것이 가능하도록 하는 풀 디지털 제어 방식의 비접촉 전원공급 장치를 제공하는 것이다.
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- 등록일
- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 초전도 전력 케이블의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초전도 전력 케이블을 구성하는 각 통전 레이어의 배치에 있어서 정확한 예측을 통하여 최적화된 케이블 구조를 용이하게 구현할 수 있는 초전도 전력 케이블의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.본 기술은 초전도 전력 케이블을 구성하는 각 통전 레이어의 배치에 있어서, 간단한 계산을 통하여 보다 정확한 예측을 가능하게 하고, 이를 통하여 설계 및 생산 현장에서 최적화된 초전도 전력케이블 구조를 정확하고도 용이하게 구현할수 있도록 하는 것이 가능하게 된다. 따라서 본 기술에 의해 제작된 초전도 전력케이블은 균일한 전류분류와 손실의 최소화가 가능하여 보다 효율적이며 경제적인 초전도 전력케이블의 제작이 가능하다.본 기술은 초전도 전력 케이블을 구성하는 각 통전 레이어의 배치에 있어서, 간단한 계산을 통하여 보다 정확한 예측을 가능하게 하고, 이를 통하여 설계 및 생산 현장에서 최적화된 초전도 전력케이블구조를 정확하고도 용이하게 구현할 수 있도록 하기 위한 초전도 전력 케이블의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.이를 위해 케이블을 구성하는 통전 레이어의 개수를 결정하는 단계, 각 통전 레이어 중, I 번째 레이어(LAYER)의 반경(RI)을 결정하는 단계, 케이블의 I 번째 레이어에 적용하기 위한 트위스트 피치(TWIST PITCH, LPI) 값의 범위를 설정하는 단계, 설정된 트위스트 피치 범위 내에서 각 레이어에 대하여, 계산을 수행하여, I 번째 레이어의 인덕턴스(INDUCTANCE) LI를 구하는 단계, 모든 레이어의 인덕턴스 값의 차이가 미리 결정된 소정 범위 이하가 되도록 각 레이어의 최적 트위스트 피치를 선택하는 단계 및 각 레이어의 최적 트위스트 피치 및 반경 값에 따라 고온 초전도 도체를 배치하는 단계를 포함한다.
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- 2007-07-31
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본 기술은 분말의 소결공정 또는 주조공정의 조합에 의해 연자성체/자기저항체/연자성체의 복합형상체인 고감도 자기 저항 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 연자성체의 투자율에 의해 자기저항체의 외부자계에 대한 자기저항감도(Δρ/ρ/ΔH)를 개선하고, 연자성체의 투자율(μ)과 함께 복합형상체의 전체길이, 연자성체들간의 간격 또는 자기저항체의 두께, 연자성체의 단면적, 자기저항체의 단면적, 단위길이 당 두께 또는 직경에 따른 반자계등과 같은 외부형상들을 조절하여 복합형상체의 자기저항감도의 예측과 임의 조절이 가능케 함으로서, 단일 자기저항체에 비해 낮은 외부자계에서도 높은 자기저항감도를 가지고, 자기저항감도의 예측과 제어가 가능함과 동시에 정밀가공이 가능하여 위치, 회전, 각도 또는 모타의 전류감지 센서로 사용할 수 있으며, 높은 재현성과 우수한 내식성, 내열성, 내피로특성을 가지는 것과 동시에 산업적 요구에 필요한 센스 형상의 정밀가공이 가능케하는 효과를 가진다.본 기술의 목적은 기존이 박막 제조 공정이 아닌 분말의 소결 공정 또는 주조 공정으로 제조한 연자성체/자기저항체/연자성체의 복합 형상체를 제조하고, 그 복합 형상체의 형상과 치수 변화에 따른 자기 저항 감도의 예측과 제어를 가능케하도록함과 아울러, 산업적 요구에 필요한 각종 센서 형상으로의 정밀 가공이 가능하게 함과 동시에 높은 물성의 재현성, 우수한 내식성, 내열성 및 내피로 특성을 겸비하도록 된 복합 형상체로서의 고감도 자기 저항체 및 그 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.이를 위해 소결 또는 주조 공정에 의해 제조된 임의 형상의 연자성체 간에 자기저항체가 삽입되어 복합형상체로 구성된 것을 특징하며, 그 복합 형상체는 봉 또는 링 형상인 것을 특징으로 한다.또한 소결 또는 주조 공정으로 임의 형상의 연자성체 및 자기저항체를 제조하고, 그 제조된 연자성체 간에 자기저항체를 삽입 형성함을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 동인하이텍
- 등록일
- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 본 발명은 전기접점용 합금에 관한 것으로서, 특히 Ag-CdO계 합금에서 반환경물질인 카드뮴(Cd)의 첨가량을 감소시켜도 높은 카드뮴 함량을 지닌 종래의 Ag-CdO계 합금의 강도와 내아크성 및 내융착성과 동일하거나 그 이상의 성능을 나타낼 수 있는 전기접점용 합금에 관한 것이다.본 기술을 이용한 합금은 중량비로 카드뮴(CD):20% 이하, 주석(SN):2.0% 이하, 니켈(NI):1.0% 이하, 그리고 나머지는 은(AG)이며, 기타 불가피한 불순물로 구성된다. 여기서, 바람직하게는 상기 조성물에 0.1% 미만의 희토류 금속이 더 포함된다. 그리고, 이 희토류 금속은 희토류 금속으로 이루어진 미쉬메탈(MISCH METAL)이다. 또한, 이와 같은 미쉬메탈은 스칸듐(SC), 란타늄(LA), 세륨(CE), 하프늄(HF), 팔라듐(PD) 이트륨(Y), 네오디뮴(ND)으로 구성된 그룹에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물이다. 본 기술을 사용하면 카드뮴의 함유량을 감소시키고 대신에 미쉬메탈을 첨가함으로써, AD-CD계 합금 제조 시에 주조성을 향상시키고 산화과정 중에 생성되는 CDO 산화물을 미세화하며, 결정립 미세화를 촉진할 수 있다. 이에 따라 AG-CDO계 합금에서 반환경물질인 카드뮴(CD)의 첨가량을 감소시켜도 높은 카드뮴 함량을 지닌 종래의 AG-CDO계 합금의 강도와 내아크성 및 내융착성과 동일하거나 그 이상의 성능을 나타낼 수 있는 AG-CDO계 전기접점의 제조가 가능해 진다.본 기술은 Ag-CdO계 합금에서 반환경물질인 카드뮴(Cd)의 첨가량을 감소시켜도 높은 카드뮴 함량을 지닌 종래의 Ag-CdO계 합금의 강도와 내아크성 및 내융착성과 동일하거나 그 이상의 성능을 나타낼 수 있는 전기접점용 합금을 제공함에 그 목적이 있다.이를 위해 중량비로 카드뮴(Cd):20% 이하, 주석(Sn):2.0% 이하, 니켈(Ni):1.0% 이하, 그리고 나머지는 은(Ag)이며, 기타 불가피한 불순물로 구성된 전기접점용 합금에 있어서,조성물에 0.1% 미만의 희토류 금속이 더 포함되되, 희토류 금속은 희토류 금속으로 이루어진 미쉬 메탈(mischmetal)이며, 미쉬 메탈은 스칸듐(Sc), 란타늄(La), 세륨(Ce), 하프늄(Hf), 팔라듐(Pd) 이트륨(Y), 네오디뮴(Nd)으로 구성된 그룹에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 점에 그 특징이 있다.
- 보유기관
- 동인하이텍
- 등록일
- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 전력변환용 사각칩 사이리스터 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 사각칩 사이리스터 소자에 있어서의 증폭 게이트 금속층을 절연보호막 밑에 매몰시킴으로써 캐소드 인출단자의 모양을 단순화시켜 솔더링에 의한 모듈 제작 공정을 간단하게 하고, 모듈의 장기 신뢰성을 향상시킬 수 있는 전력변환용 사각칩 사이리스터 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.이를 위해 특정 전도도를 가진 저농도의 N형 실리콘 기판의 상,하면에 P형 불순물층을 각각 확산 형성하는 단계, 기판의 상면에 형성된 상부 P형 불순물층의 일부 영역에 캐소드 영역 형성을 위해 N형 불순물층을 확산 형성하는 단계, N형 불순물층과 상부 P형 불순물층으로 이루어지는 NPNP 구조의 사각칩 사이리스터 소자 상면의 소정 부위에 증폭 게이트 금속층을 형성하는 단계, 증폭 게이트 금속층 위에 절연보호막 형성을 위해 제1산화막, 질화막 및 제2산화막을 차례로 적층 형성하는 단계, 제1산화막-질화막-제2산화막의 적층 절연보호막과 N형 불순물층 및 증폭 게이트 금속층의 일부위에 걸쳐 캐소드 금속층을 형성하는 단계, 캐소드 금속층과 소정 간격 이격하여 상부 P형 불순물층 위에 게이트 금속층을 형성하는 단계 및 기판의 하면에 형성된 하부 P형 불순물층의 하면에 애노드 금속층을형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 기술에 의하면, 증폭 게이트 금속층이 산화막-질화막-산화막의 절연보호막 밑으로 매몰되고, 표면에 캐소드 전극을 형성함으로써 모듈의 조립성을 향상시킬수 있다. 또한, 캐소드 전극 및 게이트 전극 인출단자를 솔더링에 의해서 형성시킴으로써 장기적으로 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.본 기술은 사각칩 사이리스터 소자에 있어서의 증폭 게이트 금속층을 절연 보호막 밑에 매몰시킴으로써 캐소드 인출단자의 모양을 단순화시켜 솔더링에 의한 모듈 제작 공정을 간단하게 하고, 모듈의 장기 신뢰성을 향상시킬 수 있는 전력변환용 사각칩 사이리스터 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.이를 위해 특정 전도도를 가진 저농도의 N형 실리콘 기판, 기판의 상,하면에 각각 형성되는 상,하부 P형 불순물층, 기판의 상면에 형성된 상부 P형 불순물층의 일부 영역에 캐소드 영역 형성을 위해 확산 형성되는 N형 불순물층, N형 불순물층과 상부 P형 불순물층으로 이루어지는 NPNP 구조의 사각칩 사이리스터 소자 상면의 소정 부위에 형성되는 증폭 게이트 금속층, 증폭 게이트 금속층 위에 절연보호막 형성을 위해 형성되는 제1산화막, 제1산화막 위에 절연보호막 형성을 위해 형성되는 질화막, 질화막 위에 절연보호막 형성을 위해 형성되는 제2산화막, 제1산화막-질화막-제2산화막의 적층 구조체와 N형 불순물층 및 증폭 게이트 금속층의 일부위에 걸쳐 형성되는 캐소드 금속층, 캐소드 금속층과 소정 간격 이격되어 상부 P형 불순물층 위에 형성되는 게이트 금속층 및 기판의 하면에 형성된 하부 P형 불순물층의 하면에 형성되는 애노드 금속층을 포함하여 구성된다.
- 보유기관
- 동인하이텍
- 등록일
- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 지하철에 의한 누설전류나 전력선으로부터의 누설전류를 측정하는 측정 센서에 매미클립 형태의 체결수단을 적용하여 지하철 레일의 급전선에 신속하게 설치 및 수거가 가능하도록 하는 지하철의 누설전류 측정 센서를 제공한다.이를 위해 본 기술은 지하철과 전력선에 의한 누설전류를 측정하는 측정 센서에 있어서, 지하철의 급전선이나 전력선을 수용하여 상호 결합되는 상부 블록 및 하부 블록과, 상부 블록과 하부 블록을 원터치로 체결 및 탈거시키기 위한 클립 조립체로 구성된 것을 특징으로 한다.본 기술의 목적은 지하철에 의한 누설전류나 전력선으로부터의 누설전류를 측정하는 측정 센서에 매미클립 형태의 체결수단을 적용하여 지하철 레일의 급전선에 신속하게 설치 및 수거가 가능하도록 하는 지하철의 누설전류 측정 센서를 제공하는 것이다.이를 위해 지하철과 전력선에 의한 누설전류를 측정하는 측정 센서에 있어서, 지하철의 급전선이나 전력선을 수용하여 상호 결합되는 상부 블록 및 하부 블록과, 상부 블록과 하부 블록을 원터치로 체결 및 탈거시키기 위한 클립 조립체로 구성된 것을 특징으로 하는 지하철의 누설전류 측정 센서를 제공한다.
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- 동인하이텍
- 등록일
- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 아크 결함 보호기기의 유해 아크 신호 검출장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 특히 아크 발생시에 수반되는 전류 크기 변동 및 고주파 특성 등에 기반을 둔 기존의 유해 아크 검출방식과는 달리 아크 발생의 확률적 특성으로 나타나는 전류 불연속 특성, 아크전류 펄스 수 및 펄스 폭 변화 등을 이용하여 보다 신뢰성 있게 유해 아크 신호를 검출할 수 있는 아크 결함 보호기기의 유해 아크 신호 검출장치 및 그 방법에 관한 것이다.이에 따른 아크 결함 보호기기의 유해 아크 신호 검출방법은, A) 전기선로에서 검출된 전류 신호(아날로그 신호)를 디지털 데이터로 변환B) 변환된 디지털 데이터로부터 전류신호의 기울기가 급격히 변하는 현상을 감지C) 전류 신호의 급격한 변화로부터 전류의 불연속성이 존재하는지의 여부를 판별D) 판별에서, 불연속성이 존재하지 않으면 단계 A)로 회귀하여, 불연속성이 존재하면 불연속성의 감지 후 첫 번째로 나타나는 전류 영점을 검출E) 전류 영점이 검출되면 아크 전류 펄스의 발생개수를 연산F) 전류 펄스 시작시점과 전류 영점 사이의 시간차이로부터 아크 전류펄스폭 변화 감지G) 아크 전류 펄스의 최초 발생시점으로부터 경과된 시간인 식별시간을 연산H) 식별시간 연산과정을 통해 얻은 경과된 시간이 아크발생여부의 판단을 위해 설정된 식별시간보다 큰 지를 판별I) 경과된 시간이 설정된 식별시간보다 작으면 단계 A)로 회귀하고, 경과된 시간이 설정된 식별시간보다 크면 검출된 전류의 유해 아크 여부를 감지J) 검출된 전류 펄스폭들의 변화가 일정 이상의 값을 가지거나 전류펄스의 발생개수가 설정된 값 이외의 값으로 검출되는 경우 유해 아크로 판정하는 단계로 구성되어 있다.본 발명은 이상과 같은 사항을 감안하여 창출된 것으로서, 아크 발생시에 수반되는 전류크기 변동 및 고주파 특성 등에 기반을 둔 기존의 유해 아크 검출방식과는 달리 아크 발생의 확률적 특성으로 나타나는 전류 불연속 특성, 아크전류 펄스 수 및 펄스 폭 변화 등을 이용하여 보다 신뢰성 있게 유해 아크 신호를 검출할 수 있는 아크 결함 보호기기의 유해 아크 신호검출장치 및 그 방법을 제공함에 그 목적이 있다.이를 위해 전원부와 부하를 연결하는 전기선로에서 측정되는 전류신호를 통하여 아크사고를 예방하는 보호용 기기에 사용되는 유해 아크 신호 검출장치에 있어서, 전기선로에서 검출된 전류 신호로부터 아크 전류의 특성으로 발생하는 전류불연속 지점을 찾는 전류 불연속 감지부와 전기선로에서 검출된 전류 신호로부터 전류 불연속성의 감지 후 첫 번째로 나타나는 전류 영점을 찾는 전류영점 검출부와 전류 불연속 감지부에서 출력되는 반주기 아크 전류의 신호 폭을 연산하고 전류폭 변화상태를 감지하는 전류폭 변화 감지부와 전류 불연속 감지부에서 출력되는 반주기의 아크 전류 발생회수를 일정 기간동안 감지하여 그 개수를 연산하는 발생개수 연산부와 전류 불연속 감지부에서 검출된 첫 번째 전류 불연속 시점으로부터 현 샘플링 시점까지의 경과시간을 연산하는 식별시간 연산부와 발생개수 연산부 및 전류폭 변화 감지부에서 출력되는 반주기 아크 전류 발생개수 및 전류폭 변화상태로부터 검출된 아크 신호의 유해성을 감지하는 유해 아크 감지부 및 유해 아크 감지부에서 출력되는 유해 아크의 시간축 상의 발생빈도 특성으로부터 보호기기의 동작지령을 출력하는 트립명령 출력부를 포함하여 구성된다.
- 보유기관
- 동인하이텍
- 등록일
- 2007-07-31
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일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
콘덴서는 전하를 저장할 수 있는 부품으로서 전자부품(휴대폰, 디지털 카메라, 컴퓨터, 디지털 TV 등)에서 필요로 하는 전류가 흐를 수 있도록 정류를 하거나 불규칙한 전압을 안정화시키는 역할을 한다. 콘덴서 재료 중 세라믹콘덴서는 BaTiO3를 기본으로 하며 그 조성물(X7R, X5R, Y5V, C0G)은 MLCC의 핵심 세라믹소재이다. 각조성은 다음과같다. oX7R = 98%BaTiO3 + 2%X(첨가제 10종류이상) oX5R = 98%BaTiO3 + 2%X(첨가제 10종류이상) oY5V = 80%BaTiO3 + 20%Y(첨가제 10종류이상) oC0G = 50%BaTiO3 + 50%Z(첨가제 10종류이상) 산업화가 진전됨에 따라 전자기기의 초소형화,고용량화및 경량화가 필수적이므로 상기소재들의 나노화및 고순도화가 이루어져야 한다. 현재 우리나라에서 사용되는 분말은 0.4㎛이상 이지만 차후 0.3㎛이하로 되어야만 고적층의 초고용량 쎄라믹콘덴서를 만들수있다.대표적인 수동부품인 캐패시터는 전기를 일시적으로 축적하는 부품으로 유전체의 재료에 따라 여러 가지 종류가 있으며 예로 전해 캐패시터, 탄탈 캐패시터, 적층 세라믹 캐패시터(MLCC: Multi Layered Ceramic Capacitor)등이 있다. MLCC는 고주파 특성이 좋고 열에 강하며 각종 온도 특성을 비교적 쉽게 구현하고 극성이 없으므로 기판장착에도 유리하다. 또한 최근에는 이동통신기기, 디지털 가전 등 세트 제품의 디지털화, 고주파화 및 소형화에 따라 그 사용이 급속히 확대되어가고 있다.본 내용은 제조원가가 고가인 국내외 일반적 제조기술(습식법)을 탈피하여 제조원가가 1/3이고, 공정이 간단하며, 공해문제가 없는 건식법으로 제조하여 경쟁력을 높인 기술이다. 즉, 건식법으로 상기소재들의 기본이 되는 0.3㎛이하의 균일한 나노고순도BaTiO3분말과 grade별 그 조성물에 대한 배합 및 조합기술로서 이들 기술들은 선진국들의 보호기술로 극비에 부쳐져있다.
- 보유기관
- 충남대학교
- 등록일
- 2007-07-31
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
(1) 개요WDM-PON용 반사형 광증폭기 칩 기술이전 (2) 목적 및 필요성WDM-PON용 반사형 광증폭기 기술은 정보통신부 선도기반기술개발 사업으로 2001년 11월 1일부터 현재까지 수행되고 있는 “반도체 기반 완전광 3R 재생기 모듈”과제에서 추진중인 반도체 광증폭기 과제의 결과물로 기술 개발의 결과를 기술이전을 통한 상용화 시도를 통해 침체된 국내 광통신 산업 활성화에 기여하고 다가올 시장 활성기에 대비 국제적 기술우위를 점하는데 목적이 있다.(1) 활용방안 및 기대성과침체된 광통신 시장의 활로를 열어줄 것으로 예상되는 광가입자망 구축에 선진 각국에서 많은 관심과 투자가 이루어 지고 있는 시점에서 광가입자망 구축의 핵심 기술인 PON 방식중 KT등 국내업체에서 WDM-PON방식 FTTH구축에 많은 연구를 수행하고 있는 있다. 본 기술이전 기술인 반사형 반도체 광증폭기는 WDM-PON방식에서 loop-back 형태로 활용 가능하여 많은 기술적 장점을 가지고 있다. 본 기술이전에 적용된 반사형 광증폭기 모듈을 FTTH구축에 활용한다면 브로드밴드 영역에서 선두위치를 점하고 있는 한국의 지위를 더욱 확실하게 하는 것은 물론이고 관련 시장에서 기술적 차별성 및 조기에 시장을 선점 할 수 있어 경제적 파급효과가 매우 클 것으로 예상되고 향후 관련 기술 개발에 선도적인 역할을 기대할 수 있다. (2) 기술이전범위① 반사형 광증폭기 공정 기술 및 칩 제공 - 반사형 광증폭기 칩 제작을 위한 공정 흐름도 - 반사형 광증폭기 설계서 - 반사형 광증폭기 칩 제공(30개) ② 반사형 광증폭기 측정 및 특성 평가 기술 - 반사형 광증폭기 특성 평가를 위한 측정 항목 및 평가 방법 - 특성평가 작업 지침서 제공
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2007-07-31
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
(1) 개요OLED 및 OLED 디스플레이의 휘도 및 수명 분석 기술과 광학 시스템을 이용하여 OLED의 광 이미지(photography)를 관찰하고, 휘도 데이타로부터 화소의 휘도 (Luminance; L), 평균휘도(Luminance RMS; dL) 등의 파라메트를 분석하는 기법과 비주얼 수명 분석 장치 (Visual Life-time Analyzer) 를 기술이전하고자 한다. (2) 필요성OLED 디스플레이는 양극과 음극사이에 100 nm 내외의 유기박막으로 구성된 간단한 구조의 표시 소자이다. 소자를 구성하는 소재 및 박막 두께 등의 구조에 따라 소자의 발광특성은 크게 차이가 난다. OLED 소자의 특성 평가에 가장 중요한 인자들은 EL 스펙트럼, 색좌표, 인가전류 및 전압에 따른 휘도 그리고 수명이라 할 수 있다. 이러한 인자 중에서 수명 특성은 OLED 제품의 상용화를 위한 신뢰성 측면에서 매우 중요한 평가 항목이다. 현재, 상용화되고 있는 수명 평가 시스템은 실온조건 혹은 가혹조건(습도, 온도 등)에서 일정한 전류 혹은 전압을 인가하여 휘도의 상대적 감소를 측정한다. 이러한 수명 평가 시스템은 기본적으로 휘도계 또는 포토 다이오드와 같은 광계측기를 사용하여 디스플레이의 일부분을 측정하기 때문에 디스플레이의 전면을 대상으로하는 발광 특성 변화를 자세히 조사하는 것이 불가능하다. 그리고, 대면적 디스플레이의 특성을 관찰하기 위해서는 광계측기를 X축 또는 Y축 방향으로 스캔하면서 한 스텝씩 측정해야 하므로 짧은 시간 내에 분석하기 힘든 단점이 있다. 또한, OLED 소자 내부에서 생성되고 자라는 흑점들(dark spots), 발광면의 테두리 축소 현상(edge shrinkage), 전력의 변화에 따른 균질도의 변화 등 소자 수명을 좌우하는 원인들을 상세하계 구분하여 분석할 수 없으므로 소자 수명을 개선하는 방법을 밝혀낼 수 없는 문제점이 있다. 따라서 소자의 수명 측정과 함께 실시간으로 흑점 및 발광부의 균일도를 분석할 수 있는 기술의 개발이 요구된다.(1) 목적본 기술은 OLED 및 OLED 디스플레이의 수명 측정 장치와 S/W 그리고 분석 기법 등을 포함한 시스템을 제공하며, OLED 소자를 구동하는 과정에 나타나는 밝기의 감소 현상과 발광 소자의 수명과 관련된 다양한 특성을 평가하는 기술이다. 본 시스템은 항온 상태의 측정 장치 내에 카메라를 포함한 광학계를 설치하여 대면적 디스플레이부터 OLED 소자의 화소까지 수명 특성을 정밀하게 측정하는 장치이다. 이 장치와 본 연구팀이 제공하는 기술을 통해, 실제로 측정된 물리 파라메타들, 즉, 광도 평균값(Average luminance, L), 광도 RMS 거칠기(Luminance RMS roughness, dL), 측정된 전압(Voltage, V), 어둡고 밝은 부분의 영역비(Ratio of darkness/brightness areas, R과 RN), 밝은 부분의 가장자리 축소에 따른 테두리 축소의 깊이(Depth of edge shrinkage, D), 흑점의 개수(Number of isolated dark spots, N)를 분석하는 알고리즘을 제공할 수 있고, OLED 소자의 최적화 및 신뢰성을 높이는데 기여할 수 있다 (2) 활용방안 및 기대성과본 기술의 목적은 OLED 및 OLED 디스플레이의 수명을 평가하는 장치 및 기술을 제공하는 것으로 OLED디스플레이의 사용에 따른 수명감소 측정의 원인을 분석할 수 있는 기법을 제공한다. 따라서 장수명 OLED 디스플레이 개발을 위해서는 필수적인 기술이다. 특히 패널 제작에 있어서 흑점의 발생이나, 화소 축소(pixel shrinkage)를 실시간으로 관찰함으로써 OLED 패널의 신뢰성 향상에 크게 기여할 수 있을 것으로 기대된다. 본 기술은 디스플레이 관련 R&D를 주로 하는 학교, 연구소 뿐만 아니라 실제 산업체의 현장에서 직접 활용할 수 있는 기술이다. 따라서 본 기술을 통하여 R&D 기관에서는 최적의 OLED 소자를 제작할 수 있고, 생산업체에서는 수율(yield)을 크게 향상시킬 수 있을 것으로 기대된다. (3) 기술이전범위① OLED 디스플레이의 비주얼 수명 분석 장치 (Visual Life-time Analyzer) ② OLED 디스플레이의 비주얼 수명 분석 장치 (Visual Life-time Analyzer) 활용 소프트 웨어 ③ OLED 디스플레이의 비주얼 수명 분석 장치 (Visual Life-time Analyzer) 결과 분석 기법
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2007-07-31
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
유기 EL용 투명전극(Transparent conducting oxide, TCO)의 평가 기술을 제공유기전기발광소자의 제작에 있어서 투명전극(TCO)은 정공 또는 전자의 주입역할로 투명도, 저항, 평탄도, 일함수 등의 고기능을 요구하므로 차세대 디스플레이의 핵심기술 분야 중의 한 기술이다. 따라서 투명전극은 유기EL 소자 제작에 직접적인 영향을 주는 여러 인자들과 함께 디스플레이의 핵심기술분야이며, 제작된 투명전극의 표준화된 평가 기술은 고성능 유기 전기 발광 소자의 실용화를 향한 필수불가결의 기반 기술이다.본 기술의 목적은 투명전도막 개발 로서 유기 전기 발광 소자의 제작에 있어서 효율향상, 수명연장, 저소비전력 등을 얻기 위한 필수 불가결의 기술이다. 특히 투명전도막에 사용되는 기판의 특성에 따라 저분자/고분자 소재 뿐만이 아니라 소자개발의 기초가 되는 점을 고려한다면 본 기술은 실제 산업체의 현장에서 활용할 수 있을 것으로 기대된다. 또한, 표준화된 유기 전기 발광 소자의 제작을 통하여 TCO를 평가할수 있는 본 기술은 국내 유기 전기 발광 소재/소자 또는 디스플레이 제조업체에 도움을 줄 수 있는 핵심 기반 기술로 활용할 수 있을 것으로 기대된다. TCO의 특성평가 기술이전 내용(상세내용): 저항측정(투명전도막의 저항측정), 표면평탄도측정(100um의 평탄도 R pv, Rav), 투명도측정(Visible영역(350-800 nm)), 두께측정,패터닝특성(a-step 또는 Ellipsometer), 단위소자제작을 이용한 TCO평가기술(유기EL기본소자제작을 통한 TCO평가),기타(상호협의에 의한 추가 기술)
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2007-07-31
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