산업기술 통합검색
본 기술은 전도성 투명 전극 표면에 자기조립 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 유기 화합물을 이용하여 전도성 투명 산화물 표면에 우수한 물성을 가진 자기조립 박막을 균일하게 형성할 수 있다.본 기술에 따르면 아민계, 카르복실산계 또는 황계 유기 화합물을 이용함으로써 전도성 투명 산화물 전극의 표면에 자기조립 박막을 균일하게 형성하여 산화물 표면을 효과적으로 개질할 수 있으며, 더 나아가 이를 이용하여 산화물 표면에 추가의 표면 개질 박막을 용이하게 형성시킬 수 있다.
본 기술은 리튬 원료 분말과 망간 원료 분말의 혼합물을 상온에서 고 에너지 분쇄법 (high energy milling)을 이용하여 기계적으로 고용 (alloying)시키는 것을 특징으로 하는, 리튬 이온 이차 전지의 양극 재료로 사용되는 비정질 리튬 망간 산화물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술의 비정질 리튬 망간 산화물의 제조 방법에서 원료 분말 혼합물 중의 Li/Mn 비는 0.3∼1.3이고, 고 에너지 분쇄시 원료 분말 혼합물에는 반극성 또는 비극성 용매, 예를 들면 알코올 또는 아세톤을 첨가할 수 있고, 아울러 전도성 물질로서, 예를 들면 탄소를 원료 분말 혼합물의 중량을 기준으로 1∼5 중량% 첨가할 수 있다. 본 기술의 방법에 의해 제조된 비정질 리튬 망간 산화물은 전기전도도가 높고, 충·방전 횟수에 따른 용량 저하가 적으며, 수명이 긴 리튬 이온 전지를 저렴하게 제조할 수 있다.
본 기술은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.기판, 기판 상에 형성되는 N형 클래딩층, N형 클래딩층 상에 형성되는 N형 SCH(SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE)층, N형 SCH층 상에 형성되며 사전설정된 파장 대역의 광을 발생시키기 위한 다층양자우물, 다층양자우물 상에 형성되며 광을 구속하기 위한 P형 SCH층, P형 SCH층 상에 형성되며 광의 손실을 방지하기 위한 P형 클래딩층, P형 클래딩층 상에 형성되며 옴접촉을 조절하기 위한 오믹층, 및 광을 발생시키기 위한 전류를 다층양자우물로 주입하기 위한 전극을 포함하며, N형 클래딩층은 광의 손실을 방지하고, N형 SCH층은 광을 구속하며, 다층양자우물은 사전설정된 적층 주기로 교번하여 형성된 다수의 압축 스트레인 우물층 및 다수의 긴장 스트레인 장벽층에 의해 스트레인 보상되는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 기술은 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있는 디지털 합금 다원 화합물 반도체의 분산 브랙 반사경에 관한 것이다.본 기술의 분산 브랙 반사경은 기판 및 기판 상에 다층으로 적층된 단위 분산 브랙 반사경(DBR) 층을 포함하며, 단위 DBR층이 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/다원 반도체층 또는 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층의 다층 적층체로 이루어지고, 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층이 다원 반도체의 제1 층과 제1 층 상의 상이한 다원 반도체의 다층 적층체로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따른 디지털 합금 분산 브랙 반사경은 기존의 일반 분산 브랙 반사경에 비해 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있다.
본 기술은 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어방법에 관한 것으로, 특히 유전체의 덮개층으로 사용되는 실리콘질화막(SiNx) 성장시 암모니아(NH 3 ) 가스의 유량비를 조절함으로써 양자우물 구조의 밴드갭을 제어하는 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따르면, 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어를 위한 양자우물의 무질서화 공정에 있어서, 양자우물 구조를 갖는 기판을 성장시키는 과정과, 기판 상에 유전체 덮개층을 일반적인 반도체 공정인 리소그라피, 식각 및 유전체 도포 등의 과정을 연속적으로 사용하여 국부적으로 증착시키되 소정 가스의 유량비 조절을 통하여 성장한 특성이 다른 유전체 덮개층만을 국부적으로 증착시키는 과정과, 유전체 덮개층을 소정 시간동안 열처리하여 양자우물의 무질서도를 유기시킴으로서 기판을 국부적으로 다른 밴드갭을 갖도록 제어하는 과정을 포함하는 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어방법이 제공된다.
본 기술은 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법에 관한 것으로, 반도체 기판 위에 접합된 퓨전층을 패터닝하고 패터닝된 특성을 살려 덧성장시키며, 이과정에서 나타나는 측면성장률 및 수직 성장률의 차이를 이용한 양질의 이종박막을 형성시키는 기술이다. 본 기술에 의하여 형성된 이종 반도체기판의 패턴된 퓨전층상에는 격자상수차이를 극복하고 성장된 양질의 양자구조가 형성된다. 본 기술에 의하면 격자상수차이가 큰 반도체 물질 사이에서 접합이 가능하고 양질의 박막 덧성장이 가능하여, 지금까지 구현하지 못했던 신개념의 광전소자를 제조할 수 있는 기반소재를 제공할 수 있게 된다.
본 발명은 임피던스 밸브형 물질 형성 방법 및 그 임피던스 밸브형 물질에 관한 것이다. 임피던스 밸브형 물질을 형성하는 방법은 연자성체로 이루어진 자성박막, 비정질 자성체 리본, 미세 자성 와이어(wire) 및 자성결정물질 등을 열처리시켜 자성체의 표면에 강자성층을 형성시킴으로써 임피던스 밸브형 거대자기임피던스(giant magneto impedance;GMI) 특성을 가지게 한다. GMI는 거대자기저항(giant magneto resistanc e;GMR)에 비하여 낮은 자기장에서 자기이력을 보이지 않고, 자기 감응도가 GMR 보다 100배 이상 높으며, 이 임피던스 밸브형 물질은 판독(read) 헤드, 미세자기장 센서 등으로 사용 가능하다.: ○ 색인어 :임피던스 밸브, 연자성체, 자성박막,GMI, GMR
본 발명은 자기저항 센서에 관한 것으로서, 비등방성 자기저항(AMR)이나 거대 자기저항(GMR) 박막을 사용하여 자기저항을 측정하는 방법을 달리함으로써, 기존의 자기저항 센서가 갖는 자기저항 비율을 향상시켜 단위면적당 저장되는 데이터 용량에 대한 집적도를 높일 수 있고, 선형성이 우수한 센서를 제공하는데 그 목적이 있다.이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 임의의 각으로 양방향 전류를 흘려주고, 전류의 흐름방향과 임의각으로 전압을 측정할 수 있도록 자기저항 센서를 제작하고, 또한 양방향으로 전류의 세기 및 방향, 임의의 각도를 조절할 수 있게 함으로써, 자기저항의 옵셋이 적은 값이 되도록 조절하여 자기저항 비율을 크게 향상시켜 자기저항 센서의 특성을 높일수 있도록 한 것을 특징으로 하는 것이다○ 색인어 :자기저항 센서, 자기저항 비율, 양방향 전류
본 기술은 신경 신호 기반 제어 장치 및 신경 신호 기반 제어 방법에 관한 것이다. 본 기술의 신경 신호 기반 제어 장치는 신경원 선택 장치를 포함하며, 신경원 선택 장치는 신호 추출부, 신호 변환부, 신호 분리부, 신경원 선택부 및 운동 정보 매칭부를 포함한다. 신호 추출부는 하나 이상의 신경 세포로부터 신경 신호를 추출하고, 신호 변환부는 신호 추출부로부터 입력된 하나 이상의 신경신호를 각각 처리 신호로 변환하고, 신호 분리부는 처리 신호간의 상관도를 평가하여, 처리 신호를 상관도 별로 분리하고, 신경원 선택부는 신호 분리부에서 분리된 처리 신호로부터 하나 이상의 처리 신호를 선택하고, 선택된 처리 신호에 대응하는 신경 세포를 신경원으로 하나 이상 선택하고, 운동 정보 매칭부는 신경원 선택부에 의해 선택된 하나 이상의 신경원에 소정의 운동 정보를 각각 대응하도록 매칭시킨다.
본 발명은 단백질 단분자층의 분자인식 확인기술 개발에 관한 것으로, 전기적으로 측정이 가능한 페로센 유도체를 덴드리머에 정량적으로 도입시키는 방법의 개발 및 확인방법을 포함하는 것을 특징으로 한다.
*원리 및 구성본 기술의 단전자 소자 제조방법은 다음의 9단계 공정으로 구성된다. ①SOI 기판의 산화막 상에 반도체층을 형성하는 단계, ②반도체층을 식각하여 액티브 영역을 형성하는 단계, ③액티브 영역의 중간 부분을 식각하여 전도채널층을 형성하는 단계, ④액티브 영역을 감싸도록 산화막 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계, ⑤전도채널층의 양쪽으로 불순물 이온을 주입하여 액티브 영역에 드레인과 소스를 형성하는 단계, ⑥전도채널층과 직교하도록 게이트 산화막을 식각하여 트랜치를 형성하는 단계, ⑦게이트 산화막 위에 중간산화막을 형성하여, 트랜치와 전도채널층의 접합부에 터널링 접합 및 양자점을 형성하는 단계, ⑧게이트산화막 및 중간산화막을 드레인과 소스의 윗면이 각각 드러날 때까지 식각하여 제1 및 제2컨택홀을 형성하는 단계, ⑨중간산화막 위로 금속막을 증착하여 제1 및 제2컨택홀를 통해 드레인과 소스에 각각 접하는 드레인 패드와 소스패드 및 트랜치 상부에 게이트 패드를 각각 형성하는 단계.*기술적 배경기존 형태의 단전자 소자에서는 쿨롱차폐 현상을 일으키기 위해 게이트를 이중으로 형성해야 하기 때문에 전력소비가 증가하여 집적 회로 등에 적용이 불투명하고 또한 적층 공정이 매우 복잡하여 불안정하므로 제조비용이 높아지는 단점이 있다. *중요성 및 독창성본 기술에서는 디플레이션 게이트 없이 열산화 및 전자빔 식각을 통해 채널층에 직교하는 트랜치를 형성함으로써, 양자점 및 터널링 접합을 동시에 형성하기 때문에 저소비전력 및 공정의 단순화에 따른 제조비용을 줄일 수 있다는 점에서 그 중요성 및 독창성이 있다.*적용제품 및 경쟁제품본 기술의 단전자 소자 제조기술은 차세대 논리 직접 소자 회로 또는 개인용 디지털단말기(PDA)등에 적용될 수 있는 구성소자로서 활용될 수 있다.*특징 및 장점첫째, 게이트를 이중 게이트로 형성하거나 고가의 전자빔 식각 장치를 이용하지 않고서 채널층에 직교하는 트랜치를 형성하고 열산화를 이용함으로써 전도 채널 상에 원하는 크기의 양자점 및 터널링 접합을 용이하게 형성할 수 있다.둘째, 소비전력이 감소하고 기존의 이중 게이트 형성을 위한 금속막 증착 및 패터닝 공정이 생략됨으로 공정이 단순화되어 제조비용이 감소된다.셋째, 채널과 직교하는 트랜치 폭을 조절하면 양자점의 크기를 임의로 바꿀 수 있으므로 동작 온도의 향상으로 인한 소자기능을 향상시킬 수 있다.
*원리 및 구성단전자 소자의 양자점에 양자점의 전위를 조절할 수 있는 게이트를 붙여 듀얼 게이트 단전자 소자를 제작하는 기술로서, ①반도체 층과 기본 기판 사이에 절연층을 가지는 기판 상에 반도체 층을 형성하고, ②반도체 층을 식각하여 나노선이 형성될 채널 영역을 정의한 후, ③채널 영역에 무기물인 음성 감광막과 양성 감광막을 이용하여 나노선을 정의하며, ④나노선의 실리콘 측면에 열산화 공정을 통하여 산화막 층을 형성하면서 동시에 양자점을 형성하고, ⑤나노선 위에 남아 있는 음성 감광막의 너비와 높이 차이를 이용하여 이후 감광막을 회전 코팅시 음성 감광막 위쪽 영역에 감광막의 두께는 상대적으로 얇게 하며, ⑥감광막의 두께 차이를 이용하여 음성 감광막 위쪽 영역에서 먼저 식각이 이루어지게 하여 게이트를 분리하는 과정으로 이루어진다. *기술적 배경단전자 소자는 채널에 양자점이 존재하여 전자가 양자점으로 터널링(tunneling)하여 들어가면 쿨롱진동의 특성을 보이는 소자로 전자 한 개만을 조절하기 때문 적은 전력소모의 장점을 가진 소자이지만, 하나의 게이트만을 가지고는 쿨롱진동의 위상을 조절할 수가 없다. 따라서 양자점의 전위를 조절할 수 있는 다른 하나의 게이트가 요구되며, 기존에는 양자점과 같은 평면에 측면 게이트를 설치하여 조절하거나 양자점 바로 위에 게이트를 설치하여 조절하는 방법이 대표적인 방법이었다. 그러나 각각 전력소모가 크다는 단점과, 양자점의 게이트를 정렬시키기가 어렵다는 단점을 가지고 있다*중요성 및 독창성양자점의 측면에 게이트 산화막의 두께, 즉 수 nm 거리에 측면 게이트를 위치시켜 전기적 결합을 높여 작은 전압으로도 양자점의 전위를 조절 가능하게 함으로써 전력소비를 줄이고, 또한 감광막 두께 차이를 이용하여 선택적 식각이 이루어지게 함으로써 양자점 바로 위에 게이트를 정렬시킬 경우 생기는 공정상의 어려움을 극복할 수 있다는 점에서 그 중요성과 독창성이 있다고 할 수 있다.*적용제품 및 경쟁제품본 기술은 단전자 소자 개발분야에 적용될 수 있으며, 이러한 단전자 소자는 저전력·고집적 테라비트급 반도체 논리회로의 핵심기술로 활용될 수 있는데, 향후 단전자 소자 논리회로의 상용화시에는 휴대폰·노트북을 비롯한 모바일 기기는 물론, 인공지능칩, 나노·바이오칩, 양자컴퓨터까지도 적용이 가능하다.*특징 및 장점첫째, 듀얼게이트 단전자 소자는 작은 전압으로도 쿨롱 진동의 위상을 조절할 수 있어 전력소비를 줄일 수 있으며, 기존의 CMOS 공정을 이용하므로 새로운 공정개발에 필요한 시간과 비용을 절약할 수 있다. 둘째, 한 개의 소자만으로도 논리 소자의 구현이 가능하므로 높은 집적도를 얻을 수 있다.
*원리 및 구성본 기술의 나노소자 제작공정은 ①SOI 웨이퍼의 상층실리콘층에 소스, 드레인, 그리고 소스와 드레인을 연결하는 채널을 형성하고 이온주입하는 단계, ②전자빔 리소그래피를 통해 채널을 수십 나노미터의 선폭을 갖도록 패터닝하고 식각하여 미세채널을 형성하는 단계, ③열산화공정을 통해 상층 실리콘에 산화막을 형성하여 상층실리콘을 전기적으로 절연시키는 단계, ④1차로 폴리실리콘층을 상층실리콘보다 두껍게 증착하고 전자빔 리소그래피를 이용해 미세채널에 수직인 미세라인을 패터닝하고 현상을 통해 미세라인 형태의 ER만을 남긴 후 식각공정을 적용해 ER과 동일한 선폭을 갖는 폴리실리콘 미세패턴을 형성하는 단계, ⑤미세패턴에 산화막을 형성하여 전기적으로 절연하는 단계, ⑥2차로 폴리실리콘층을 증착하여 폴리실리콘 미세패턴과 미세패턴 사이의 공간을 메우는 단계, ⑦SOI 웨이퍼의 상층실리콘층 또는 상층실리콘층 바로 위의 산화막이 드러날 때까지 평탄화공정을 적용하는 단계, ⑧산화막을 형성하여 소자를 전기적으로 절연하고 보호하는 단계, ⑨산화막 위에 3차 폴리실리콘층을 적층하는 단계, ⑩폴리실리콘층을 패터닝하여 추가적인 양자점을 제작하는 단계 등으로 이루어진다. *기술적 배경실리콘 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는 방법 중 패턴의 개수, 모양, 선폭에 있어 가장 큰 활용도를 보이는 것은 전자빔 리소그래피이지만 이 역시 패턴과 패턴의 폭이 줄어들수록 근접효과(proximity effect)가 나타나고 그 결과 패턴과 패턴의 폭이 줄어드는 만큼 패턴의 결과를 보장하기 힘든 단점이 있다.*중요성 및 독창성패턴의 모양이나 개수, 선폭의 제약이 가장 작은 전자빔 리소그래피의 장점을 그대로 활용하되 단점으로 지적되는 근접효과를 패턴과 패턴 사이의 공간에 새로운 전도층을 형성하여 또 다른 패턴으로 활용함으로써 극복하였다는 점에서 그 독창성을 인정할 수 있다.*적용제품 및 경쟁제품본 기술은 다양한 반도체 공정에 적용될 수 있으며, 이러한 반도체 공정은 디램이나 플래시 램과 같은 메모리 소자, 각종 논리회로소자, 마이크로프로세서와 같은 집적회로소자 등의 제조공정이 될 수 있다.*특징 및 장점첫째, 본 기술을 적용할 경우 패턴과 패턴 사이의 공간 자체가 하나의 또 다른 패턴이 되므로 굳이 근접효과의 위험을 무릅쓰고 전자빔 리소그래피로 패턴과 패턴을 가까이 붙이지 않아도 되므로 전자빔 리소그래피의 가장 취약한 점을 극복할 수 있다.둘째, 평탄화 공정을 적용함으로써 패턴과 패턴을 끊어낼 뿐 아니라 완성된 전체 구조가 평면을 이루므로 산화막 형성 후 추가로 폴리실리콘층을 증착하여 다층구조를 얻을 수 있게 된다.
*원리 및 구성본 기술의 저전력 듀얼 레벨 차동신호 전송회로는 송신기와 수신기로 구성되며, 송신기는 출력단의 종단저항 양단에 흐르는 전류의 방향을 조절하는 제1입력신호 및 종단저항 양단에 흐르는 전류의 양을 변화시키는 제2입력신호를 제어하여 두개의 차동 출력신호를 생성하고, 수신기는 송신기에서 출력된 차동 출력 신호의 전압차를 전송로를 통하여 입력받아 이를 연산하여 제1수신신호를 출력하고, 또한 차동 출력신호의 전압차의 절대값과 입력되는 기준 전압들의 전압차의 절대값을 비교하여 제2수신신호를 출력하게 된다.*기술적 배경LCD 패널 인터페이스회로 등에 사용되는 저전압 차동신호 전송의 단점인 두 배의 입출력 핀과 전송선 수를 줄이기 위한 기술로서 전송선 공유기법과 DLVDS(Dual-Level low voltage differential signaling)기법이 있다. 그러나 전송선 공유 기법과 DLVDS는 단극(unipolar)구조를 사용하기 때문에 차동 출력에 동일한 전압차를 발생하기 위해 기존의 LVDS와 같은 양극(bipolar)구조보다 두 배의 전류를 필요로 한다. 그러므로 배터리를 사용하는 휴대용 기기를 위한 저전력 요구에 부응하기 어려운 문제점이 있다.*중요성 및 독창성DLVDS의 장점을 유지하면서 양극(bipolar)구조와 송신기의 신호생성 기법을 개선하여 전송선 감소의 장점을 유지하면서도 전력소모를 현저히 감소시킬 수 있다는 점에서 그 중요성과 독창성이 있다고 할 것이다. *적용제품 및 경쟁제품본 기술은 LCD 패널의 입출력 데이터 인터페이스와 같은 고속 데이터 전송을 위한 장치에 적용될 수 있으며, 이러한 LCD 패널은 노트북, 휴대폰이나 PDA, PMP와 같은 개인휴대단말 등에 폭넓게 사용되고 있다.*특징 및 장점첫째, 두 개의 데이터를 두 개의 전송선으로 동시에 전송하는 기존 DLVDS의 장점을 유지하면서 송신기의 구조를 변경하여 전력소모를 감소시킨다. 둘째, 송신기의 전류원 스위칭을 통한 데이터 생성방법의 변경을 통하여 추가적인 전력소모를 감소시키는 효과가 있다.
본 기술은 각 가정에 지역정보를 원활히 제공하여 각 가정에서 원하는 업종별과 업체별을 선별하여 필요시 정보를 활용할 수 있도록 한 지역정보를 제공하는 방법에 관한 것이다.본 기술은 지역정보를 손쉽게 취득할 수 있고 또한 원하는 업체를 마음대로 고를 수가 있으며 지역정보 전달에 따른 비용을 절감할 수 있는 실내 모니터 폰을 이용한 지역정보 제공방법을 제공하는 것이 목적으로, 가정에 설치되어 잇는 실내 모니터 폰을 이용하여 지역정보를 제공하는 방법에 있어서 각종 지역정보가 내장되어 있는 칩과 칩과 연결되어진 회로도를 제어하는 제어부를 실내 모니터 폰에 설치하는 단계, 실내 모니터 폰에 장착되어 있는 "#"버튼을 두번 누르면 모니터에 번호가 기재된 업종별 메뉴가 나타나는 단계, 업종별 메뉴에 나타난 번호를 실내 모니터 폰에 장착되어 있는 번호를 누르면 업체별 메뉴에 관한 상세정보가 모니터에 나타나는 단계, 상세정보에 의하여 원하는 정보가 획득되어진 후 실내 모니터 폰에 장착되어 잇는'*'버튼을 두번 누르면 실내 모니터 폰으로 회복되어지는 단계, 각종 지역정보가 정정되어지는 시점을 정하여 정정되어진 지역정보가 내장된 칩을 교환하는 단계를 포함하는 실내 모니터 폰을 이용한 지역정보 제공방법을 제공한다.본 기술인 실내 모니터 폰을 이용한 지역정보 제공방법은 지역정보를 손쉽게 취득할 수 있고 또한 원하는 업체를 마음대로 고를 수가 있으며 지역정보 전달에 따른 비용을 절감할 수 있는 유용한 기술이다.
본 발명은 전선작업용 수공구에 관한 것으로, 더욱 상세하게는전선 피복 벗기는 작업과 절단작업을 용이하게 하고,전기가 살아있는 활선 상태를 육안으로 확인 할수 있게하여 작업자의 안전사고를줄일 수 있도록 하는 전선 작업용 공구에 관한 것으로 전선의 활선 여부를 확인하기 위해서는 별도의 검전기를 필요로 하게 되는데, 이는 전선작업용 공구와 함께 별도의 검전기를 필요로 하고, 이는 전선작업용 공구와 함께 별도의 검전기를 구비해야 하는 것이어서 작업능률이 떨어지고, 검전기 구입비용이 추가되는 등 비경제적인 폐단을 갖는 것이다.상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안 된 것으로 전선작업용 공구에 있어서, 상기힌지부의 일측면에 돌기부를 형성함으로써전선피복작업시상기돌기부를지렛대로활용하여전선의피복을벗기는데매우유용하도록하는전선작업용 공구를 제공하기 위한 것이고, 다양한 전선을 안전하고 쉽게 작업을 할수 있다.또한, 상기 돌기부에 절연피복을 하거나, 상기 돌기 부를 부도체로 제작함으로써 작업자의 안전을 도모할 수 있도록 하는 전선작업용 공구를 제공하기 위한 것이다.또 본 발명은 돌기부에 발광전구를 내장하고 상기 절단부의 끝단에는 감지부를 형성하여 작업하고자 하는 전선의 활선 여부를 직접 눈으로 확인 할 수 있는 공구를 제공하기 위한 것이다.
본 기술은 가스터빈 내부부품의 내시경검사시 터빈축을 회전하기 위한 것으로 특히 터닝기어모터(Turning Gear Motor)를 이용하여 검사자가 가스터빈축의 구동을 직접 조작할 수 있도록하는 가스터빈 점검용 회전장치에 관한 것이다.종래에는 가스터빈과 발전기를 결합하는 커플링에 래칫기어를 장착하고 래칫기어를 회전구동시켜주는 유압장치를 설치하였는데 유압장치를 설치하기 위하여 번거로운 작업과 인력이 많이 소요되며, 안전사고 위험의 염려가 있었다. 또한 유압장치는 별도의 운전원이 스위치를 조작하고 있어서, 터빈의 회전각 위치선정에 혼선이 있을 뿐만아니라 인력이 낭비되는 등 문제점이 많았다.본 기술은 공기압축기 및 가스터빈, 발전기, 토크 컨버터 및 터닝기어모터, 스타팅모터가 커플링으로 결합되어 구동되는 가스터빈장치에 있어서, 터닝기어모터를 구동모터 및 동력전달수단에 의하여 회동되도록하고, 구동모터의 구동을 조작하기 위한 스위치 및 전원차단기로 이루어지는 조작수단를 포함하여 구성된 구동장치로 이루어짐을 특징으로 한다.
본 기술은 발전기 냉각장치 및 그 냉각방법에 관한 것으로, 특히 발전기의 출력과 냉각매체의 온도를 고려하여 발전기 전체의 손실을 최소화시키기 위한 발전기 냉각장치 및 그 냉각방법에 관한 것이다. 본 기술은 냉각팬이나 냉각펌프 등을 구동시켜 발전기를 냉각시키는 냉각용 전동기, 발전기의 온도에 관계되는 각종 신호를 입력받아 냉각용 전동기의 속도를 결정하는 전동기 속도 제어신호를 출력하는 발전기 온도 제어장치 및 발전기 온도 제어장치로부터 전동기 속도 제어신호를 입력받아 소정의 속도로 냉각용 전동기를 구동시키는 전동기 속도 제어장치를 포함하는 것을 특징으로 하여 발전기 냉각을 위한 전력 사용을 감소시킬수 있는 효과가 있다.
본 기술은 대단위 화석연료 등을 사용하는 대규모 공장이나 화력발전소의 연돌내부에 부착되는 그을음 등을 제거하여 원활한 배연기능을 하도록 하는 연돌내부 그을음 청소장치에 관한 것으로 통상적으로 연돌은 매우 고공으로 설치되어 연료를 연소시킬때 발생,배출되는 연기를 공중으로 날려보내기 위한 장치로서 장시간 사용함에 따라 연돌 내부에 연기입자가 연돌 내부에 응집 부착되게 되어 관로를 막아 배연기능을 저해하는 현상이 발생하게 된다.연돌의 청소시 고소작업을 수행하여야 하므로 작업자의 안전상의 문제점이 있으며, 그을음에 포함된 성분중 강산성을 띤 위해요소가 포함되어 있어 작업자에 의한 실제작업에 어려움이 있었다.본 기술에서는 인력이 직접연돌내부로 들어가지 않고 외부에서 작업이 가능하도록 하며, 짧은 단시간의 청소에 의해서도 최초 건설당시와 같은 깨끗한 연돌청소를 하되 청소작업중 공기오염이 거의 없도록 하는 것으로서 연돌의 상부출구에 설치되는 지지부재의 상부고정대와 연돌 하부에 고정된 하부고정대의 사이에 고정되어 연돌의 중심에 팽팽하게 연직방향으로 설치되는 가이드와이어를 따라 연돌 내부를 상.하 왕복운동하면서 가압펌프로 부터 공급되는 고압의 물을 분사하여 연돌 내부를 세척하는 세척수단과, 세척수단을 상.하 작동하도록 지지부재 및 연돌의 저면 하부에 고정 설치된 다수의 도르레와 다수의 도르레를 경유하여 일측은 세척수단에 고정되고, 타측은 인양수단에 연결되어 세척수단을 상하 작동하도록 하는 작동수단으로 구성됨을 특징으로 한다.
본 기술은 열성층이 발생되는 배관부재를 가열수단으로 가열하여 저온과 고온의 유체 온도차를 감소시킴으로써 열성층 완화에 따른 배관부재의 열적특성을 안정화시켜 열응력과 굽힘 현상을 감소시킬 수 있도록 하는 열성층이 형성되는 배관부재에서의 열성층 완화 방법을 제공하기 위한 것이다. 주급수 계통의 배관부재 및 원자로 냉각재 계통과 연결된 수평 배관부재에서 고온 유체와 저온 유체가 함께 흐를 때 유체 밀도에 의해 형성되는 열성층을 완화시키는 것에 있어서, 저온 유체가 흐르는 배관부재의 바깥 아래 부분을 가열수단으로 가열하여 성층화된 저온 유체를 가열함으로서 고온 유체와의 온도차가 줄어 성층화 현상을 완화시키는 것을 특징으로 한다.