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본 발명은 세라믹 공업에서 중요한 재료로 사용되는 질화규소 또는 탄화질화규소와 같은 요업물질의 전구체로써 유용한,규소를 포함하는 고분자 화합물인 일반식(I)의 구조를 갖는 폴리실라잔 및 그것의 제조방법에 관한 것이다.이 방법은 부산물인 염화암모늄의 분리가 쉬우며, 분말 소결방식과 비교하여 가용성 및 가공성,저온 분해 온도 등의 공정상의 장점이 있다. 또한 미세 구조의 세라믹 제품 성형이 가능하고 기존 공정으로 불가능하였던섬유상 또는 박막상의 세라믹 제품의 제조가 가능한다는 점 등 제품상의 다양한 장점도 가지고 있다.
본 발명은 폴리에틸렌 섬유와 비닐 에스테르 수지로 이루어진 복합재의 접착력을 증진시키는 방법에 관한 것이다. 좀더상세히 설명하면, 본 발명은 고 강력 폴리에틸렌 섬유로부터 제조된 직포에 특정한 표면처리를 행한 후, 이것을 비닐 에스테르 수지로 함침시키는 것으로 이루어진 폴리에틸렌 섬유/비닐 에스테르 수지 복합재의 접착력 증진 방법에 관한 것이다.고 강력 폴리에틸렌 섬유는 그 밀도가 케블라 섬유의 2/3, 탄소섬유의 1/2 정도이면서도 높은 강도를 나타낸다[참조 :30th National SAMPE Symposium, P 280,1985]. 이 때문에 고 강력 폴리에틸렌 섬유는 헬리콥터 판넬, 비행기 내장재, 테니스 라켓, 스키, 골프채 및 다양한 구조재 등의 용도로 널리 사용되고 있다[참조 : 32nd International SAMPESymposium, p320, 1987].그러나, 고 강력 폴리에틸렌 섬유를 복합재에 사용할 경우, 섬유와 매트릭스 수지간의 반응성이 적어 섬유와 매트릭스 수지간의 계면에서 층간 분리 현상이 일어나 물성이 저하되는 것이 문제로 지적되어 왔다[참조 : 33rd International SAMPESymposium, P721, 1988].위와 같은 단점을 해소하기 위하여, 고 강력 폴리에틸렌 섬유의 표면을 저온 플라즈마 엣칭 방법에 의해 개질시킴으로써수지와의 반응성을 향상시키는 방법이 제안되었다[참조 : 33rd International SAMPE Symposium, p551, 1988]. 그러나 이방법을 사용할 경우, 개질 표면의 관능기가 시간의 경과에 따라 현저히 변화하여 수지와의 반응성이 저하되는 것이 문제로 지적되었다.또한, 강산화제인 크롬상 용액을 사용하는 화학적 방법에 의해 고 강력 폴리에틸렌 섬유의 표면을 산화시키는 시도도 행하여졌다[참조 : Composite Interfaces, p37, 1986]. 그러나, 이 방법에서는 크롬산과 같은 강산화제 시약을 사용해야 하므로 섬유의 강고가 손상되기 쉽고, 폐액으로 인하여 공해 문제가 야기되는 단점이 있다.본 발명자들은 위와 같은 선행 기술의 단점을 해결하기 위하여 예의 연구를 거듭한 결과, 고 강력 폴리에틸렌 섬유의 표면을 저온 플라즈마 엣칭 방법에 의하여 개질시킨 다음, 실란 커플링제를 도포시킴으로써 섬유 표면을 보호하고 수지와의접착력을 증진시킬 수 있다는 사실을 알아내고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.따라서, 본 발명의 목적은 고 강력 폴리에틸렌 섬유와 비닐 에스테르 수지로 이루어진 복합재의 층간 분리 현상을 방지할수 있는 방법을 제공하는 것이다.본 발명의 또 다른 목적은 고 강력 폴리에틸렌 섬유와 비닐 에스테르 수지와의 반응성을 향상시켜 복합재의 접착력을 증진시키는 방법을 제공하는 것이다.이러한 본 발명의 목적은 고 강력 폴리에틸렌 섬유를 저온 플라즈마 에칭시켜 섬유의 표면을 개질시키고, 이어서 실란 커플링제를 도입시켜 섬유 표면의 관능기를 보호처리한 다음, 이것을 비닐 에스테르 수지로 합침시키는 것으로 이루어진 본발명의 방법에 의하여 성취될 수 있다.고 강력 폴리에틸렌 섬유를 저온 플라즈마 에칭시켜 섬유의 표면을 개질시키고, 이어서 실란 커플링제를 도입시켜 섬유 표면의 관능기를 보호처리
본 발명은 치과용 수복 재료로 사용하기 위한 신규의 고분자 화합물에 관한 것이다. 더 구체적으로 말하자면, 본 발명은인공 치아 및 치아 수복재로서 심미성이 좋고 기계적 물성이 우수한 비스페놀 술폰계 고분자 화합물에 관한 것이다.종래, 치아 수복재로는 은 합금과 수은 아말감이 이용되어 왔지만, 수은이 인체 및 환경에 미치는 위험성 때문에 점차 고분자 복합 재료로 대체되고 있다.손상된 치아는 먼저 손상 부위를 기계적으로 긁어내고, 치아 표면을 인산 등으로 처리한 후, 하도재를 도포하고, 그 위에복합 수지를 도포함으로써 수복한다. 복합 수지는 내수성이 좋고 기계적 강도가 큰 소수성 고분자 복합 재료로서 물성을강화하기 위하여 실리카 등의 무기 충전재를 다량 포함시킨다.최근에는, 인공 치아 재료로도 종래의 세라믹보다 심미성이 우월한 복합재가 주종을 이루고 있으며, 접착제도 종래의 실리케이트보다 고분자 접착제가 보편화되고 있다.이러한 치과용 고분자는 메틸 메타크릴레이트가 시초이었으나, 현재는 중합시 수축이 적고 내수성이 크며 기계적 물성이큰 다관능성 아크릴계 고분자가 사용되고 있다. 가장 대표적인 것은 하기 구조식(a)의 비스페놀 A 디글리시딜 메타크릴레이트(비스-GMA), 하기 구조식(b)의 트리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트(TEGDMA) 및 하기 구조식(c)의 우레탄디메타크릴레이트(UDMA)이다.
본 발명은 바륨과 티탄을 포함하는 유기 전구체를 사용하여 열처리함으로써 발광 특성을 갖는 티탄산 바륨을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 따라, 종래의 제조 방법에 의해서는 전기적 재료로서만 사용가능했던 티탄산 바륨에 발광 특성을 부여하여 전기, 발광 등의 복합 기능을 갖는 재료를 제조할 수 있다.본 발명 발광성 티탄산 바륨의 제조 방법은 공기중에서 400 내지 600℃에서 24시간 미만으로 열처리함으로써 티탄산 바륨에 발광성을 부여하여 전기, 발광 등의 복합 기능을 갖는 티탄산 바륨을 제공하며, 또한 이 제조 방법에 의해 자발적으로유도되는 분위기에 의한 특정 조건하에서 티탄산 바륨중 티타늄 원자의 화학적 상태가 변경되므로 종래 전자 재료로의 응용 뿐만 아니라 발광재료로서도 사용가능한 티탄산 바륨을 제조할 수 있다. 특정 분위기의 형성을 위한 외부로부터의 가스 도입이 필요치 않아 제조 공정이 간단하며, 제조 단가가 낮고, 산업적 규모의 제조에 적합하다. 게다가, 이러한 유기전구체를 스핀 코팅 및 딥 코팅에 응용함으로써 전기 발광 재료로서의 응용이 가능한 고기능성 박막 재료를 제조할 수 있다.
본 발명은 액상 화학 반응법을 이용한, 한외여과 또는 기체 분리 등에 사용 가능한 미세 기공 무기막의 제조 방법에 관한것으로서, 본 발명에 의한 방법은 다 공성 지지체의 벽을 사이에 두고 한 쪽 면으로는 금속염 용액을, 반대 쪽 면으로는알칼리 유체를 각각 흘려 보냄으로써, 상기 지지체의 표면이나 기공 내부에 이와 같이 생성된 무기층을 건조시킨 후에,고온 소결시켜 금속 산화물층을 형성시키는 것으로 이루어진다.본 발명에 의한 제조 방법은 단 한 번의 반응을 통해서 종래의 솔-젤법에 의한 미세 기공 무기막보다 안정한 박막을 제조할 수 있으므로, 제조 효율성을 증가시켰을 뿐만 아니라, 제조 비용 또한 절감할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조 방법에의해서는 기공 크기의 제어가 가능하고, 박막의 두께 및 박막 형성 위치 조절이 용이한 특징을 가짐으로써, 박막 제조에있어서 재현성을 확보할 수 있다.박막의 두께 및 박막 형성 위치 조절이 용이
본 발명은 전계방출소자 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다이오드형 전계방출소자에 있어서, 전계방출부의 끝부분과 양극 표면간의 거리를 1㎛ 이하로부터 수백 ㎛에 이르기까지 수십 Å 수준의 분해능으로 조절 가능토록 한 다이오드형 전계방출소자의 전계방출부와 양극간의 거리조절방법에 관한 것이다.본 발명은 다이오드형 전계방출소자의 전계방출부와 양극간의 거리조절방법에 관한 것으로, 음극 기판과 양극 기판 사이에 절연박막 및 홈을 형성시키는 방법에 의해 전계방출부의 끝부분과 양극 표면간의 거리를 1㎛ 이하로부터 수 백 ㎛에이르기까지 수십 Å 수준의 분해능으로 조절할 수 있도록 하여 전계방출부로 부터의 전계 분포를 정확히 실측할 수 있을뿐 아니라 전계방출 전압 및 방출 전류을 효과적으로 제어할 수 있으며, 아울러 전계방출표시소자는 물론 마이크로 팁을이용한 터널링 세서 제조 등에도 응용 가능한 고신뢰성의 다이오드형 전계방출소자를 구현할 수 있게 된다.
본 발명은 환원 분위기하에서 유기 니켈 화합물을 텅스텐 분말과 접촉시켜 텅스텐 분말 표면에 니켈을 코팅하는 방법에관한 것이다.텅스텐은 융점, 밀도 및 열전도도가 높으면서 열팽창계수와 증기압이 낮은 금속 원자이며, 따라서 전기, 전자 부품 소재로서 널리 활용되고 있다. 일반적으로 텅스텐 제품은 분말야금법을 이용하여 제조하는데, 이는 텅스텐의 융점이 높아 용해법으로 제조할 경우 많은 에너지를 필요로 하며 특히 구리와 같이 비중차가 상대적으로 크면서 서로 용해도가 없는 금속 원소를 첨가하여 복합재료를 제조하고자 할 경우 용해법으로는 상분리가 일어나기 때문이다.그러나 텅스텐은 고융점 (약 3410 ℃)이라는 특성 때문에 분말야금법을 이용한다 하더라도 다른 금속에 비해서 제품의 제조 공정 온도가 높아 많은 에너지를 요구한다. 예를 들어 텅스텐 분말을 성형하여 65% 이상의 비이론밀도 (= 소결체의밀도/이론밀도 X 100)를 갖게 하기 위해서는 1500 ℃이상에서 수시간 내지 수십 시간동안 소결을 실시하여야 한다. 따라서, 니켈, 팔라듐, 코발트 등의 전이금속을 미량의 텅스텐 분말에 도포(코틴)시켜 텅스텐 분말의 소결 온도를 낮추려는, 소위 활성소결법(activated sintering)을 도입하려는 노력이 있어 왔다 (문헌 [V. Vacck, Planseeber. Pulvermetall., 7 (1959) 6]; [G. H. Gessinger 등, J. Less-Common Metals, 27 (1972) 129]; 및 [R. M. German, Science of Sintering, 15 (1983) 27] 참조).텅스텐 분말의 활성소결성은 텅스텐 분말 표면에서 니켈의 분포가 균일할수록 보다 더 향상된다고 알려져 있다 (문헌 [I.H. Moon 등, J. Less-Common Met., 102 (1984) 219] 참조). 현재까지 알려진 바에 의하면, 텅스텐 분말 표면을 니켈로균일하게 코팅하는 방법으로, 무기 염인 염화 니켈 (NiCl2·6H2O) 을 알콜이나 물과 같은 극성 용매에 녹인 후 이를 텅스텐 분말과 슬러리 상태로 혼합하여 건조한 후 수소 분위기하에서 열분해하는 방법을 사용하고 있다 (문헌 [I. H. Moon 등, Int. J. Powder Technol., 11 (1975) 27] 참조). 그러나, 상기 무기 염 첨가방법은, 니켈을 텅스텐에 대해 0.06 중량%미만으로 미량 첨가하여 텅스텐 분말의 소결성을 향상시키고자 할 때 그 균질성에서 한계를 나타내어 텅스텐 분말의 소결성 향상을 제한하였다. 이는 니켈 염을 용매에 녹여 텅스텐 분말에 첨가할 경우 그 용매가 증발됨에 따라 니켈 염이 불균일하게 결정으로 석출되고 이로 인해 텅스텐 분말 표면에서 소량의 니켈이 균일하게 코팅되는 것을 어렵게 만들기 때문이다.본 발명은 유기 니켈 화합물을 출발물질로 사용하여 환원 분위기하에서 텅스텐 분말과 접촉시켜 니켈 코팅된 텅스텐 분말을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명은 고리형 3차 아민의 결합된 유기 트리알콕시실란을 적당한 유기 규소 화합물과 함께 중합시켜서 고체상의 실리콘 수지를 합성하고 이를 압출하여서 국수와 같은 가락형태로 성형하여 고정형 반응조에서 염화실란들을 불균등화시켜 실란을 제조할때에 사용하는 촉매의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 전계 방출부로 사용할 수 있는, 선단의 곡률이 큰 다이아몬드 팁 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에, 표면조직이 정사각형의 (100)면과 주위의 (111)면으로 이루어지고 다이아몬드의 성장면인 (100)면과 (111)면 뒤에 각각 형성된다이아몬드의 결함 밀도가 서로 다른, 다이아몬드 주상입자로 이루어지는 다이아몬드 막을 형성하는 단계 및 상기 다이아몬드 막을 산소 함유 기체를 사용한 플라즈마로 식각하는 단계로 이루어진다. 본 발명의 또다른 방법은 기판 위에, 표면조직이 정사각형의 (100)면과 주위의 (111)면으로 이루어지고 다이아몬드의 성장면인 (100)면과 (111)면 뒤에 각각 형성된 다이아몬드의 결함밀도가 서로 다른, 다이아몬드 주상입자로 이루어지는 다이아몬드 막을 형성하는 단계; 상기 다이아몬드막 위에 지지후막을 형성하는 단계 및 상기 기판을 제거하는 단계로 이루어지고, 상기 단계중 어느 한 단계 이후에상기 다이아몬드막을 기체를 사용한 플라즈마로 식각하는 것으로 이루어진다.본 발명은 다이아몬드막의 성장형태인 주상조직의 집합조직(texture)형성기구 및 성장면에 따른 결정결함의 차이에 근거하여 다이아몬드막의 식가의 이방성을 이용한, 선단의 곡률이 큰 다이아몬드 팁 제조 방법을 제공한다.C
본 발명은 영상데이타 네이버후드(Neighborhood)연산의 벡터 내적 승산형 국부동작을 효율적으로 처리하기 위한 영상신호처리 시스템에 관한 것으로, 특히 입력영상의 특정 영역으로 이루어지는 입력화소 커널(Kernel)의 값에 대하여 변환함수에 의해 결정되는 가중치 값들을 곱하여 누적하는 연산을 모든 입력데이타의 화소수에 대해 병렬로 처리하여 출력화면의한 출력화소를 구하기 위한 메모리 지향적 실시간 영상신호 처리 시스테에 관한 것이다.입력 영상의 특징 영역으로 주어진 커널(kernel)에 대응되는 화소입력과커널 변환함수에 의한 변환값들을 곱하고 누적한 후 병렬처리하여 출력화면의 한 출력화소를 구하도록 창안한 것
본 발명은 유기 니켈 화합물을 출발물질로 사용하여 환원 분위기하에서 텅스텐 분말과 접촉시켜 니켈 코팅된 텅스텐 분말을 제조하는 방법을 제공한다.발명의 목적은 이러한 무기염 첨가법의 문제점을 해결하여 텅스텐 분말의 표면을 균일하게 니켈로 코팅하면서 동시에니켈 코팅된 텅스텐 분말을 대량으로 생산할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.程
본 발명은 일반식(I)로 표시되는 신규한 (2-아미노티아졸-4-일)아세트산 유도체 및 이의 제조방법에 관한 것으로 이들 유도체는 세팔로스포린 화합물을 제조할때에 유용한 중간체로 사용할 수 있다.세팔로스포린 화합물을 제조할때에 유용한 중간체로 사용
본 발명은 기지상인 질화규소 분말에 고분자 및 규소 화합물을 첨가시켜 혼합한 후, 혼합물 중의 고분자를 탄화시켜 생성된 탄소 (C)를 질화규소의 산화막 또는 첨가한 규소 화합물과 반응시킴으로써, 초미립인 탄화규소가 고르게 분산된 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법으로 종래 방법에 비해 제조 단가가 저렴하고 탄화규소의 분산 특성이 우수한 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료를 제조할 수 있다.본 발명에 따른 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료용 분말의 제조 방법은 질화규소 분말에 고분자 및 규소 화합물을 첨가하고, 고분자를 탄화시켜 생성되는 탄소와 질화규소 표면의 산화막과 규소 화합물을 반응시키는 것을 특징으로한다.
본 발명은 흑연판과 용매금속판을 교대로 적층하여 고온, 고압하에서 다이아몬드를 합성시키는 방법에 관한 것으로, 특히용매금속판을 중간층의 상하로 중간층과는 다른 금속물질로 이루어지고 판 내부에 구멍이 형성된 바깥층을 적층하여서 이루어진 복합용매금속판으로 구성하여 복합 용매금속판의 바깥층에 형성된 구멍의 크기와 밀도를 변화시킴으로써 다이아몬드의 형성밀도를 인위적으로 조절할 수 있도록 한 다이아몬드 합성방법에 관한 것이다.다이아몬드의 형성밀도를 인위적으로 조절
페로센과 알릴디메틸클로로실란을 질소가스하에 반응하여 일반식(1)의 신규한 실킬알킬화 페로센 유도체를 제조할 때에프리델-크라프트 촉매인 알루미늄 클로라이드를 알리디메틸클로로실란에 대하여 5∼10몰% 첨가하여 금속 유기화합물인 일반식(1)의 신규한 실릴알킬화페로센 유도체 및 그들의 제조 방법에 관한 것으로 이 화합물은 유기금속화합물인 페로센을함유하고 있어 실리콘 폴리머의 내열성 향상에 기대되는 화합물 임.본 발명은 페로센과 알릴디메틸클로실란을 루이스 산 촉매하에 프리델-크라프트 반응으로 일반식 (1)로 표시되는 신규한실릴알킬화 페로센 유도체 및 그들의 제조방법에 관한 것이다. 이 화합물은 유기금속화합물인 페로센을 함유하고 있어 실리콘 폴리머의 내열성 향상에 기대되는 화합물이다.
발명은 투명열절연 다층박막에 관한 것으로, 특히 금속층을 사이에 두고 내외측으로 산화물층이 형성된 다층구조의 열절연박막에서 금속층과 산화물층의 사이에 중간층을 개재시켜 내시효특성을 향상시킨 투명열절연 다층박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.일반적으로 건물이나 자동차의 유리창이나 투명한 플라스틱에 코팅되어 사용되고 있는 투명열절연 박막은 가시광선 영역의 입사광에 대해서는 높은 투광성을 나타냄으로 투명한 상태를 나타내는 한편 적외선 영역의 입사광선에 대해서는 높은반사율을 나타내어 열의 흐름을 차단하므로써 이러한 특성을 지닌 투명열절연 박막이 형성된 유리창등은 유리창 본래의투명성을 간직한채 열차단에 의한 실내의 냉, 온방 효율을 증대시키는 효과를 발휘하게 된다.이러한 투명열절연 다층박막의 기본적인 구조는 내,외산화물층의 사이에 금속층이 개재된 산화물층/금속층/산화물층과 같은 샌드위치 구조로 이루어지며, 통상적으로 폴리에칠렌 테레프타레이트, 폴리프로필렌 또는 폴리카보네이트 필름등의 투명고분자 플라스틱 필름위에 진공증착법, 화학기상증착법 또는 스퍼터링 방법으로 산화물층→금속층→산화물층 순으로 순차적으로 형성시켜 다층박막을 제조한 후 유리창에 부착하여 사용하거나 혹은 유리표면에 직접 다층박막을 형성하여 사용하고 있다.투명열절연 다층박막에서 산화물층은 높은 투광도를 갖기 위해 굴절율이 높아야 하며 내부의 금속층을 외부환경으로부터보호하기 위하여 화학적으로 안정하고 기공율이 낮아야 할 뿐만 아니라 금속막의 핵생성이 용이하여야 하고 금속층과의확산이 적어야 한다.그리고 금속층은 가시광선 영역의 광선에 대해서는 투광율이 높으면서 적외선 영역의 광선에 대해서는 반사율이 높고, 또한 화학적으로 안정하면서 미관상 무색을 띠어야 한다.위에서 열거한 바의 다층박막에서 요구되는 여러 특성이 구비된 다층박막의 제조기술로는 다음과 같은 대략 세가지 형태가 알려져 있다.(1) 미국 특허 제4,462,883호 및 제4,716,086호 ; 산화물층/은층/산화물층형(2) 미국 특허 제4,834,857호 및 제4,806,220호 ; 산화물층/산화물층/금속층/산화물층/산화물층형(3) 미국 특허 제4,898,789호 ; 산화물층/금속층/은층/산화물층/금속층/은층/산화물층형그런데. 상기 세가지 형태의 종래 투명열절연 다층박막 제조기술에 있어서, (1)과 (2)의 방법에 의해 제조된 투명열절연다층박막은 사용기간이 경과됨에 따라 적외선 반사율이 점차적으로 낮아지게 되는 시효특성(時效特性)을 나타내는 단점이있으며, (3)의 방법에 의해 제조된 투명열절연 다층박막의 경우에는 내시효특성은 우수한 반면에 제조공정이 복잡하여 제조비용이 높다는 단점이 있다.따라서, 본 발명은 종래의 투명열절연 다층박막의 제조방법에서 문제점으로 지적되고 있는 시효특성과 제조공정의 복잡화를 해결하기 위한 방편으로 산화물층/금속층/산화물층의 구조를 띠는 투명열절연 다층박막의 제조시 금속층과 산화물층의사이에 중간층을 형성하여 비교적 간단한 제조공정으로 우수한 내시효특성을 갖는 투명열절연 다층박막을 제공하는데 목적이 있다.본 발명은 양 산화물층 사이에 위치하는 금속층으로서의 은층의 한쪽 또는 양측 표면에 크롬, 게르마늄, 실리콘, 바나디움, 티타늄, 지르코늄 또는 그 합금으로 구성된 중간층을 5~50Å의 두께로 형성시킨 데에 기술적 특징이 있다.우수한 내시효특성을 갖는 투명열절연 다층박막을 제공
본 발명은 스트레인 측정 장치에 관한 것으로 특히, 온도에 대한 민감성은 동일하고 스트레인(strain)에 대한 민감성은서로 다른 두 개의 광섬유 격자와 마하-젠더(Mach-Zehnder) 간섭계를 접속하여 간섭계 출력의 크기 변화를 측정함에 의해센서에 가해진 온도의 변화와는 무관하게 스트레인만을 정밀하게 측정할 수 있도록 함에 목적이 있다. 이러한 목적의 본발명은 특정 파장의 광을 주사하는 광 주사기(210)와, 이 광 주사기(210)에서의 광을 센서(200)에 입사시키고 그 센서(200)에서의 반사광을 결합하는 광 간섭계(220)와, 이 광 간섭계(220)에서 결합한 광을 검출하여 간섭 신호를 출력하는광 검출기(230)와, 이 광 검출기(230)의 출력 신호를 디지털 변환하는 아날로그/디지털 변환기(240)와, 이 아날로그/디지털 변환기(240)의 출력 신호를 연산하여 간섭 신호의 크기 변화를 판별함에 의해 상기 센서(200)에 가해진 스테레인의 크기를 산출하는 물리량 산출부(250)와, 상기 광 검출기(230)의 출력 신호의 파형을 표시하는 오실로스코프(260)로 구성한다.광섬유 격자란 광섬유의 코어에 주기적으로 영구적인 굴절률 변화를 가하여 제작하는 광통신 관련 소자로서, 격자부위를통과하는 광신호중에서 브래그 조건을 만족하는 파장의 빛만을 선택적으로 반사시키는 특성을 가지고 있다.
본 발명은 규소를 포함하는 오각형 육각형 해테로고리화합물에 트리아졸이 치환된, 일반식(I)로 표시되는 새로운 유기규소화합물 1-아릴-1-[α-(트리아졸릴)알킬]-1-실라시클로알칸, 그것의 제조방법 및 식물의 진균성 질병에 대한 그것의 용도에 관한 것이다.본 발명에서 제조된 일반식(I)의 1-아릴-1-[α-(트리아졸)아킬]-1-실라시클로알칸의 살균력 실험 결과는 표 9에서 제시되어 있다. 이 표에서 볼 수 있듯이 200ppm 농도에서 살균력은 일반적으로 우수하게 나타나고 있으며 50ppm에서도 상당히많은 화합물들이 좋은 살균력을 보이고 있다.
본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.연본 발명에서는 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속공정없이 직접 형성시키는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 새로운 Fe-Hf-B 3원계 비정질 연자성 합금에 관한 것이다. 더욱 구체적으로 말하자면, 본 발명 투자율 및 자속밀도가 높고, 열적 안정성이 우수하며, 자기 변형 및 보자력이 작아 고주파수 영역에서 사용 가능한 Fe-Hf-B 3원계 비정질 연자성 합금 및 그의 제조방법에 관한 것이다.일반적으로, 각종 자심 재료로 이용되는 합금으로는 투자율이 크고 자기 이력 손실이 작으며 보자력이 작은 재료가 적합하다. 또한 자심 재료는 일반적으로 교류 자장에서 사용되기 때문에 와전류 손실이 작아야 하는데, 이러한 목적으로는 전기 저항이 크고 두께가 얇은 것이 좋다.자심 재료로 사용되고 있는 Fe계 합금은 일반적으로 결정질 합금과 비정질 합금으로 나누어진다.Fe계 결정질 합금 재료로는 8kG 이상의 자속 밀도를 가지는 고투자율의 연자심용 Fe-Si 합금, Fe-Ni 합금, Fe-Ni-Mo 합금등이 있으며, 이들은 각각의 특성에 따라 여러 분야에서 이용되고 있다. 그러나, 이들 금속 재료는 제조 및 사용시 각각아래와 같은 많은 문제점을 가지고 있다.Fe-Si 합금은 변압기 및 모타의 철심으로 사용되지만, 제조 공정이 복잡하고 주용도가 상용 주파수 영역에 국한되므로1kHz 이상 대역이 고주파 용도로는 사용하기가 어려운 문제점이 있다. Fe-Ni 합금 및 Fe-Ni-Mo 합금 등은 퍼말로이로 불리어지며, 주로 자기 증폭기, 리액터, 펄스 변성기 등의 재료로 이용되고 있다. 그러나, Fe-Ni-Mo 합금(Ni 79% ; Mo 5% ; 나머지 Fe)은 보자력이 6mOe이고, 최대 투자율이 500,000∼600,000이며, Fe-Ni 합금(Ni 45%)은 포화 자속 밀도가 15kG이고, 보자력이 약 100mOe이며, 각 형비가 약 50%이고, 최대 투자율이25,000∼60,000으로 정자기록성을 나타내지만, Ni을 45 내지 85% 함유하므로 원료 값이 비싸다. 또한, 이들은 와전류 손실이 커서 고주파수 영역에서는 사용될 수 있으며 제조 공정이 복잡하다.한편, Fe계 비정질 합금으로서는 Fe-Ni-P-B계, Fe-B계, Fe-Si-B계 등이 있으며, 그 조성에 따라 상기 각종 결정질 고투자율 금속 재료에 비견될 정도로 보자력이 작고, 투자율이 크며, 자심 손실이 작은 우수한 자기 특성이 얻어지는 것으로 알려져 있다. 그러나, Fe-Ni-P-B계 비정질 합금은 내식성 및 열적 안정성이 부족하며, 포화 자속 밀도가 7kG 이하로 작은결점이 있고, Fe-B계, Fe-Si-B계 비정질 합금은 포화 자속 밀도가 15kG 이상으로 크고, 자심 재료로 유망한 비정질 합금이지만, 포화 자기 변형이 30×10-6 이상으로 크기 때문에 고주파용으로서의 사용상에 큰 문제가 있다.이와 같은 Fe계 비정질 합금의 문제점을 해결하기 위해서는 자기 변형을 감소시키고, 고주파 영역에서의 저자심 손실 및고투자율을 실현시킬 수 있어야 한다. 이러한 조건을 만족시키는 Fe계 비정질 합금으로는 Fe-Mo-Si-B계 합금[일본국 공개특허 (평) 1-123050호] 및 고자속 밀도 저자기 변형 Fe계 비정질 합금[일본국 공개 특허 (소) 56-33453호]이 발표되어 있다. 그러나, 전자는 결정화 온도가 450℃∼500℃ 정도로 낮고 고주파 영역에서의 자심 손실값이 크다는 단점이 있고, 후자는 보자력이 크고 실효 투자율 값이 작다는 단점이 있다.본 발명자들은 종래의 Fe계 비정질 합금이 갖는 상기 문제점들을 해결하기위하여 예의 검토한 결과, Hf를 주요 비정질 형성 원소로 함유하는 Fe-Hf-B계 합금이 상기 문제점을 해결할 뿐만 아니라, 우수한 자기 특성을 가져서 자심 재료로 이용하기에 적합하다는 사실을 발견함으로써 본 발명을 완성하기에 이르렀다.따라서, 본 발명은 목적은 종래의 Fe계 비정질 합금의 문제점을 해결한 자속 밀도가 높고 열적 안정성이 우수하며 자기변형이 작아 고주파수 영역에서 사용가능한 고투자율 저보자력의 Fe-Hf-B 3원계 비정질 합금, 특히 자심 재료로 사용하기에 적합한 Fe계 비정질 합금을 제공하기 위한 것이다.본 발명의 다른 목적은 자속 밀도가 높고 열적 안정성이 우수하며 자기 변형이 작아 고주파수 영역에서 사용가능한 고투자율 저보자력의 Fe-Hf-B 3원계 비정질 합금의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.상기 본 발명의 목적은 조성이 Fe 78 내지 85원자%, Hf 6 내지 9원자% 및 B 내지 13원자%를 주성분으로 하는 합금을 용해시킨 다음, 이를 초급냉시켜 비정질화시키고, 이어서 퀴리 온도 이상 결정화 온도 이하의 적정 온도에서 소정의 열처리를행함으로써 얻어지는 Fe-Hf-B 3원계 비정질 연자성 합금에 의해 달성된다.본 발명의 다른 목적은 자속 밀도가 높고 열적 안정성이 우수하며 자기 변형이 작아 고주파수 영역에서 사용가능한 고투자율 저보자력의 Fe-Hf-B 3원계 비정질 합금의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.