산업기술 통합검색
항균제 제조시 유용한 중간체인 벤조옥사진 카르복실산 유도체의 신규한 제조방법, 본 발명의 제조방법은 화합물을 유기 극성 용매 중에서, 염기 존재하에 가열 교반 반응시킨 다음 물을 가하여 반응시키는 것으로 이루어진다.본 발명은 벤즈옥사진 카르복실산 유도체의 진보된 제조방법에 관한 것으로 이들 화합물들은박테리아에 강한 살균효과를 나타내는 항균제인 오플록사신 제조시 유용한 중간체이다
비파괴 검사에서 사용되는 초음파 진단에서 반사파의 감지를 위한 방법의 한가지로서 해밍 거리(Hamming distance) 개념을 도입하여 임의의 송신파 및 반사파를 기준 패턴으로 습득한 후 이를 기준으로 초음파 신호의 각 반사파들의 시작점을측정하는 방법 및 장치가 기재되어 있다.이 시작점 측정은 각 반사파의 시작점부터 일정 구간을 기준 패턴화하여 초음파 신호와 각 기준 패턴을 비교하여 초음파신호 내에서 각 기준 패턴에 가장 유사한 부분의 시작점을 반사가 시작된 부분으로 인식하여 그 각 반사된 시간 간격을측정하도록 하는 방법으로서, 유사성의 감지 방법으로서 해밍 거리 개념을 사용한 것이다.본 발명에 따르면 해밍 거리를 이용하여 초음파 반사파의 시작점을 인식하므로서 반사파 파형이 감쇄가 심하여 파형의 크기가 작거나 왜곡되어도 항상 시작점을 정확히 감지할 수 있으며, 기존의 영상 인식 방법에 비하여 그 구조가 간단하여처리 속도가 매우 빠른 장점이 있다.
본 발명은 일반식(Ⅱ), 또는 일반식(Ⅲ)의 방향족 화합물들과 일반식(Ⅳ)의 알릴실란을 알루미늄 클로라이드와 같은 루이스산 촉매하에서 프리델-크라프트 반응시켜 제조한 일반식(Ⅰ)의 비스(실릴프로필)아렌 및 그들의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 모스 캐패시터용 유전 박막 조성물 및 그 유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 캐피시터용 유전박막은 실리콘 기판과의 계면에서 많은 결함이 존재하여 이로인한 정정용량-전압 특성에서 많은 히스테리시스를 보이고 있어이것을 이용한 응용소자의 경우 실용화하는데 문제점이 있으며, 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 초소형화시에는 고전압(8MV/cm)하에서 발생되는 유전막의 누설전류(leakage current)로 인하여 발생되는 읽기/쓰기 횟수(read/write cycle)의감소 및 데이타 리텐션열화(data reterion degradation)가 해결되어야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 계면이 전기적으로 강하다는 점에 착안하여, TiO2의 음이온인 산소를 질소로 일부치환하여 유전상수가 크고 정전용량-전압 특성에서 쉽게 발생하는 히스테리시스(Hysteresis)가 없고 유전 파괴전압이 우수한 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 평면형 전계발광소자(Electroluminescent disp ay :ELD)의 작동을 위하여 사용되는 산화물 절연막을 비정질(amorphouse)로 하여 증착온도를 낮추어 ITO와 증착 산화물 간의 계면 반응을 억제하고 또한 비정질 막의 고유한 특성인유전강도의 증가와 소자로서 이용되었을 때 투명도의 증가를 도모하는 비정질 강유전성 절연막의 증착과 사용에 관한 것이다.계면층에 의한 빛의 산란이발생하지 않으므로, 광학적 특성의 향상을 기대할 수 있다.
본 발명은 평면형 전계발광소자(Electroluminescent disp ay :ELD)의 작동을 위하여 사용되는 산화물 절연막을 비정질(amorphouse)로 하여 증착온도를 낮추어 ITO와 증착 산화물 간의 계면 반응을 억제하고 또한 비정질 막의 고유한 특성인유전강도의 증가와 소자로서 이용되었을 때 투명도의 증가를 도모하는 비정질 강유전성 절연막의 증착과 사용에 관한 것이다.계면층에 의한 빛의 산란이발생하지 않으므로, 광학적 특성의 향상을 기대할 수 있다.
발명은 새로 고안한 흡수체 장착 장치를 사용하여 부직상 흡수체의 흡수성능을 측정할 수 있는 새로운 방법에 관한 것이다. 본 발명에 다르면, 상용 부직상 흡수체를 원 상태로 장착 장치에 고정하여 액체 흡수 성능을 X선 컴퓨터 단층 촬영기로 영상화함으로써 그 흡수 형태를 즉시 시각화할 수 있고, 그 영상 자료를 수치화하여 흡수체 내에 흡수된 총 흡수 부피(또는 무게)를 계산하고 그 때의 액체 분포를 3차원 그래프에 정량적으로 나타낼 수 있다.
상분리 및 과냉각 현상이 없는 냉난방용 잠열 축열재가 제공된다. 이 축열재는 난방용의 경우 이미 가교 반응이 완료되어다량의 수분늘 흡수할 수 있는 고흡수성 고분자를 조핵제와 함께 망초에 직접 혼합시키고, 냉방용의 경우 상기의 난방용축열재에 추가로 상전이 온도를 망초의 상전이 온도 이하로 낮추어줄 수 있는 빙점 강하제를 첨가시킨 것이다.좇,
본 발명은 이산화탄소와 수소가스를 포함하는 혼합가스로부터 메탄올을 합성하는 방법에 있어서, 시프트 전환반응의 역반응을 이용하는 전처리 공정에 의해 혼합 가스중에 함유된 이산화탄소의 일부를 일산화탄소 가스로 전환시켜 메탄올 합성루프에 공급함으로써, 환경문제를 야기하는 이산화탄소를 원료로 사용하여 환경의 보전 및 부존자원의 절약을 꾀함과 동시에 보다 저렴한 제조비용으로 메탄올을 합성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 괴상의 폴리에스테르 수지를 온도에 따라 비용매 또는 용매 특성을 나타내는 상분리용 용매를 사용하여 크기분포가 균일한 단구정상의 폴리에스테르 분말을 얻는 결정성 폴리에스테르 구형 분말의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 종래의 방법으로 제조 불가능한 단구정상의 균일한 크기 분포를 가지는 결정성 폴리에스테르 수지 구형 분말의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 비스(디클로로오르게노실릴)알칸 및 이들 화합물을 합성하는 새롭고도 진보된 제조방법에 관한것이다.
본 발명은 선박이나 항공기용 정밀주조 터빈블레이드(Turbin Bade)등과 같은 정밀주조제품의 정밀주조시 사용하는 접종재에 관한 것으로, 특히 정밀주조품의 조직을 제어함으로써 생산된 제품의 결정립을 미세하고 균일하게 하여 기계적 특성이우수한 정밀주조제품을 생상하기에 적합하도록 한 정밀주조용 세라믹스 접종재에 관한 것이다.
본 발명은 일반식(Ⅱ), 또는 일반식(Ⅲ)의 방향족 화합물들과 일반식(Ⅳ)의 알릴실란을 알루미늄 클로라이드와 같은 루이스산 촉매하에서 프리델-크라프트 반응시켜 제조한 일반식(Ⅰ)의 비스(실릴프로필)아렌 및 그들의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 오염화 안티몬과 사염화 주석 또는 사염화 티탄의 혼합 촉매하에 디클로로메탄과 무수불화수소산을 연속적으로 액상반응시키는 것으로 이루어진 디플루오로메탄의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 디플루오로메탄을 높은 수율로 얻을 수 있으며 또한 반응계 밖으로 유출되는 미반응 무수불화수소산의양을 최소화 시킬 수 있다.
본 발명은 괴상의 결정성 폴리아미드 수지를 고온에서 상분리용 용매 중에 완전히 용해시켜 투명한 균일 용액을 형성한후, 저온으로 냉각시켜 용매와 폴리아미드 간의 상분리를 유도하여 폴리아미드가 독립된 단구정 상으로 상분리된 불투명한 분균일 용액을 형성한 후, 세척용 용매를 사용하여 상분리용 용매만을 단순히 용해, 세척하여 제거함으로써 폴리아미드를 상분리된 상태 그대로 분리, 침전시키고, 이 침전물을 여과, 건조시켜 크기 분포가 균일한 독립된 단구정 상의 폴리아키드 분말을 얻는 것으로 이루어진, 온도에 따른 용액의 상분리 거동을 이용하는 결정성 폴리아미드 구형 분말의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 폴리아미드 구형 분말의 제조 방법은 종래의 방법으로는 제조 불가능한 단구정 상의균일한 크기 분포를가지는 결정성 폴리아미드 수지 구형 분말을 제공하며, 제조 방법의 단순화를 통해 생산성을 향상시키고, 제조 원가를 절감시킬 수 있다..
발명은 저압화학증착법, 플라즈마화학증착법 또는 스퍼터링으로 금속, 반도체, 유전체의 비정질(amorphous) 또는 미세구조(micro crystalline) 박막을 저온에서 증착한 후 동일 증착장치내에서 바로 열처리를 수행하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 금속, 반도체 또는 유전체 박막의 증착과 열처리를 반복하면서 다층구조(multilayer)의 박막을 제조하거나, 비정질 혹은 미세구조의 박막을 다결정(polycrystalline)이나 단결정(single crystalline) 박막으로 변환시켜결정성(crystallinity)을 향상시킨 램프가열 및 회전식 기판을 이용한 박막제조방법 및 이에 적합한 장치에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘 반도체 기억소자 및 갈륨비소화합물 반도체 소자의 고유전체 커패시터 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 사용하거나 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 사용하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 600~700℃에서 1~2시간 동안 BaTiO3, PbTiO3 및 Zr, Ln, Mg, Nb등이 첨가된 BaTiO3, PbTiO3을 증착하여 고유전체박막을 형성하는 과정으로 이루어진다.본 발명은 종래의 고유전체 캐피시터의 구조에서 기판전극의 재료와 구성을 변화시킴으로서 고유전체 커패시터 물리·전기적 특성을 향상시킨 효과가 있다.
본 발명은 레이저를 이용한 유체 회전체, 이동체 등의 속도 측정 방법으로서, 특히 LDV(Laser Doppler Velocimeter) 방식과 시차(Time of Flight) 방식을 결합 이용한 유체 속도 측정 장치 및 방법에 관한 것이다.종래의 레이저를 이용한 속도 측정 방법에는, LDV를 이용한 측정 방법, 시차 방식에 의한 측정 방법, 홀로그래피 방법 및스페클을 이용한 측정 방법이 있다.이 중에서 홀로그래피 방법은 순간적인 두번의 노출 촬영에 의해 물체의 움직임을 측정하는 방법으로서, 비교적 측정 물체의 크기가 크고 느린 속도로 움직이는 경우에 적합하다. 스페클을 이용한 속도 측정 방법은 레이저 광이 난반사 표면에서 반사되었을때 생기는 스페클 현상을 이용하는 방법으로서, 상당히 거친 표면을 가진 고체의 속도를 측정하는데 적합하다. 홀로그래피 방법과 스페클을 이용한 속도 측정 방법은 주로 크기가 큰 물체의 진동이나 변형 등을 측정하는데 적합하며 본 발명에 따른 LDV 방식과 시차 방식을 결합 이용한 속도 측정 방법과는 측정 대상 및 응용 분야가 다르다.이에 비하여 LDV 방식과 시차 방식은 먼지나 연소 가스의 입자와 같이 크기가 매우 작은 입자의 속도를 측정하는데 사용된다. LDV 방식이나 시차 방식을 이용한 유체 속도 측정의 경우는 유체 내에 주입된 입자를 이용하고, 회전체나 이동체의속도 측정의 경우는 회전체나 이동체의 몸체에 부착된 탐침자를 사용하여 감지 영역을 스캐닝하며, 이때 생기는 산란광을광 검출기로 검출하여 결차로 나타나는 파의 주기나 파형의 폭을 측정함에 의해 속도를 측정한다.LDV 방식은 도플러 효과를 시용한 속도 측정 방법으로서, 즉 움직이고 있는 물체에 의해 산란된 파가 그 물체의 움직임에대한 정보를 가지고 있다는 것을 응용한 것이다.
주그리아 라미제라를 최적배양한 후 배양액 1리터당 10그램의 소디움메타실리케이트를 넣고 40℃에서 1시간 동안 격렬하게 교반한 다음 이 액에 2% 소디움알지네이트 용액을 1 : 1의 비로 혼합하여 10분간 격렬하게 교반하고 여기에 칼슘클로라이드 포화용액을 적하하면서 교반하는 미생물 배양액으로 중금속 흡착제를 제조하는 방법.본 발명에 의한 고정화방법을 이용하여 주그리아 라미제라의 배양액과 생물고분자를 고정화시키면 기존의 일반적인 고정화방법인 소디움알지네이트만으로 고정화시킨 것에 비하여 경도가 강한 안정된 물진을 얻게 되어 장기간의 운전 및 연속적인 중금속 흡착과 탈착 및 재흡착실험을 수행하여도 형태가 변하지 않고 안정된 흡착성능을 갖는 흡착제로서의 기능을수행할 수 있다.
이류체 분사기를 이용하여 폐액을 수직하향분사하며 연소기내경에 접선방향으로 고속의 연소용공기를 분사하여 강선회 유동에서 급속 소각을 할 수 있는 장치수직형 cyclone 연소방식의 액상폐기물 분사/소각 장치