산업기술 통합검색
첨단 기술로서 뜨거운 혼합 아스팔트를 사용하여 진공상태에서 틈이나 커다란 홀을 메꾸는 기술도로상에 나타나는 Pot Hole (도로가 중간중간 파인곳)을 보수하는데 있어 진공상태를 이용해 아스팔트나 시멘트를 적용함으로서 저비용과 고효과를 나타내며 거의 완벽한 시공처리가 가능하고 견고성 또한 뛰어난 것으로 알려짐. 보수비용이 기존에 비해 상당히 절감되며 보수후 승차감 또한 전혀 감소가 없음.
철골조 시멘트 구조물에서 부식상태및 구조물의 안전도를 측정하고 분석하는 센서에 의한 시스템센서에 의해 부식상태및 안전도를 감지하고 모니터링을 함으로서 보수시기의 적기 산정이 가능하고 사고를 미연에 방지할 수 있음. 센서는 영구적이며 콘크리트의 모든 부식정도를 감지할 수 있음.
최첨단의 액체로 되어진 화학물질을 사용하여 교각및 도로의 제빙을 가능케하는 시스템. 눈이 올 경우 적당량의 화학물질이 분사되어 빠른 시간내에 교통을 정상으로 돌릴 수 있음.눈이 많거나 낮은 온도로 인하여 교각이나 도로가 자주 빙판이 되는 지역을 위한 시스템으로서 기존의 제빙시스템과는 달리 도로의 부식을 최소화하고 안전운행이 가능케하는 시스템. 또한 보수유지비를 절감하며 교통을 원활하게 소통.
제설작업시 작업자, 운전자가 도로표지판을 감지할 수 있도록 만들어진 설치도구로서 차선에 따라 문제없이 제설작업을 진행할 수 있게 하는 도구.가로등 유무, 우천시나 적설량과 상관없이 차선파악 가능하며 저가인 관계로 잦은 설치를 필요로 하는 곳에 유용.
자동적으로 차량의 위치는 추적하여 찾아내는 시스템으로서 GIS와 Cell phone의 네트워크에 의해 자동 차량 소통량및 속도를 측정케 한다.일반 평균 소통량, 속도와 비교하여 도로선상의 사고를 자동감지하고 비상차량등을 빠른 시간내에 파견할 수 있는 시스템. 기존의 시스템보다 거짓정보의 양을 줄이게 되고 고층빌딩이 많은 도심에서 사용이 가능한 시스템.
보행자 횡단보를 안전하게 하는 시스템으로서 횡단보도에 새로운 ITS를 설치하여 보행자나 운전자가 횡단보도에서 이상징후를 감지할 수 있게하고 안전한 횡단을 가능케 하는 시스템.운전자가 보행자를 미처 확인하지 못한 상태에서도 자동차에 시그날을 보내 자동으로 차량을 정지시킬수 있는 장치.
도로상에서 대형트럭의 전복을 미연에 방지하는 시스템트럭에 장착하여 운전자가 미리 전복을 감지하지 못하여도 트럭의 무게나 균형을 감지하여 자동으로 전복을 방지하고 운전자에게 알리는 시스
최첨단 도로포장재료와 설치를 효율적으로 하게 하는 기술대형트럭, 과적차량등에 의한도로의 마모 손실과 고열에서도 잘 견뎌 원형을 유지케하는 슈퍼 도로포장 재료이므로 유지비가 절감됨.
이 기술은 광학에서 사용되는 정밀하게 정렬되고 조정되어지는 슬릿에 관한 기술이다. 이 광학 슬릿은 X-ray 광학과 X-ray 빔라인 그리고 높은 파장의 해상도에 중요한 입사 슬릿이 포함된 광학 시스템 등에 유용하다. 이 기술은 특별히 초 고진공 시스템 즉 윤활제가 사용되기 어렵고 초고진공 시스템의 고 파장 해상도를 위한 monochrometer 같은 금속부분이 서로에 대해서 움직이지 않게 하는 설계에 유용하다. 이 기술은 더 나아가 슬릿 소재의 열적 특성이 중요한 광학 시스템과도 관련이 있다. 본 기술은 정밀 슬릿과도 관련이 있는데 정밀 슬릿 안에서는 서로 마주보는 슬릿의 가장자리부분들이 반드시 평행한 상태에서 중심라인에 대해서 정밀하게 움직여야 한다.- 극한 상황에서도 sub-micron 급의 내구력의 유지가 고 전압 싱크로트론 방사선 소스에서 발견된다.- 비용이 적게 들고 서로 합치고 배열하는데 노력이 적게 든다..
본 기술로 만들어진 플라즈마 집중 이온 이식 장치는 진공 체임버와 그안에 위치한 플라즈마 소스로 이루어져 있다. 플라즈마 소스를 켰다 껏다 하면서 진동을 주는 수단이 되고 전압 소스 또는 전원 공급기가 전압을 타겟 또는 이식될 물체에 인가할 때 사용된다. 이 장치의 중요한 특징은 플라즈마 소스가 온·오프로 스위칭 된다는 것이다. 이는 펄스를 가진다라고도 할 수 있는데 이는 이온이 타겟에 이식될 동안 일어난다. 이온 이식 장치는 과열을 피할 수 있게 만들어졌고 예측할 수 있거나 또는 우리가 바라는 깊이로 이온의 대부분을 이식할 수 있다. 이때 높은 파워 스위치가 필요가 없고 2차 전자를 최소로 발생시킨다. 이 타겟은 플라즈마 발생기의 진공 체임버 안에 위치하고 있다. 그래서 어떤 이온빔도 확장되거나 초점으로 모아지거나 조작될 필요가 없다. 이 플라즈마 소스는 타겟의 과열과 2차 전자의 발생을 제한하기 위해 펄스 모드로 작동되고 일정한 바이어스 전압이 타겟 이온에 인가된다. 이는 이온을 바람직한 수준에서 타겟에 이식하기 위해서이다. 이때 높은 파워 전기 스위치가 필요가 없고. 우선적으로 RF 안테나를 이용해 가스 볼륨과 파워를 결합시켜 플라즈마 이온을 발생시킨다. 이 이온 발생은 다른 이온 발생법이 사용되고 있다 할지라도(즉, 예를 들어 마이크로파와 진공 아크 방전 이온화 방법을 사용할지라도 일어난다.) RF 구동 플라즈마는 쉽게 펄스 모드로 작동될 수 있다. 이 기술은 펄스 플라즈마 소스를 사용하여 플라즈마와 타겟 사이의 항복(breakdown) 전위 보다 높은 에너지에도 이온 이식이 가능하게 한다. 플라즈마 소스와 타겟 포텐셜 사이의 동조된 펄싱은 이온 이식 전압을 항복(breakdown) 전압과 같거나 더 크게 하는 결과를 가져온다.- 불규칙한 물체도 다룰 수 있다. - 고도로 제어가능한 프로세스이다.- RF 발생 플라즈마는 다른 시스템보다 더 깨끗하다.
이온 소스는 선택된 이온이 더 높은 이온화 포텐셜을 가지는 원치 않는 이온 종류까지 확장 될 수 있다. 물론 PH3에서부터 나오는 P+같은 혼합물에서 선택된 이온을 생산하는 방법이기는 하다. 이 기술은 플라즈마 체임버, 전자 소스로부터 나오는 전자에 의해 이온화시키기 위하여 개스를 주입하는 방법, 전자 소스에서 나오는 전자 에너지 값을 선택 이온종의 이온화 에너지와 더 큰 원치 않는 이온종의 이온화 에너지 사이에서 제한하는 방법 그리고 플라즈마 체임버로부터 타겟 이온종을 확장하는 방법 등으로 이루어져 있다. 전자는 플라즈마 체임버와 이웃한 플라즈마 캐소드(cathode) 체임버에서 즉시 발생된다. 작은 확장기(extractor)는 플라즈마 캐소드 체임버에서 각각의 양의 플라즈마 체임버로 끌어 들인다. 이런 방법으로 확장된 전자의 에너지는 쉽게 제어된다. 이 기술은 특별히 실리콘을 P+, AS+ 그리고 B+로 수소, 헬륨, 물 또는 탄소산화물 이온 등이 없이 도핑 하는데 유용하다. 도핑된 실리콘은 반도체나 반도체 디바이스의 제작에 중요하게 이용된다.원치 않는 불순물이 없이 빔을 발생시킨다.
메릴랜드 대학 연구진들은 공면 웨이브가이드(CPW) 와 마이크로스트립 사이 또는 도전체가 배킹(backing)된 공면 웨이브가이드와 마이크로스트립 사이의 스무드 트랜짓션(Smooth Transition)을 주는 장치를 개발하였다. 이러한 천이(transition)는 CPW 밀리미터와 마이크로웨이브 집중회로(MMCI)를 출력 커넥터들로 패키징하는데 매우 유용하다. 이러한 천이는 50W의 임피던스를 광대역에 대하여 가지며, 자기장 및 전기장에서의 서서한 변화를 일으킨다. 또한, 이러한 변화는 도전체가 배킹(backing)된 기본모드에 기초하기 때문에, 리턴 손실(return loss)은 1GHz에서 25GHz에서 –15dB를 갖는다.스무드 트랜짓션(Smooth Transition)을 얻는 장치
포터블(portable)과 같은 좁은 공간을 갖는 밀폐함 내에서 사용되는 최근의 냉각기술은 열을 확산시키는 금속 판을 이용한다. 매우 효과적인 열 전도계수가 액체-기체 상의 변화를 이용함으로써, 증발기로부터의 열을 응축기로 전달하여 얻게 된다. 이러한 기술은 이상 유동을 이용한 얇은 열 확산 판을 사용하여 더욱 촉진되었다. 특히, 열사이펀 및 열파이프들은 상-변화 메커니즘을 이용하여 열전달에 사용되고, 전자장치들의 열처리를 위해 내부에 설치되었다. 열사이펀은 액체로 채워져 있는 밀폐 회로 장치로써, 내부에서 서로 연결된(interconnected) 증발기 및 응축기를 내부에 포함하고 있다. 수동 열사이펀의 동작은 응축기가 증발기 위에 설치되어 있을 것을 요구하는데, 이는 전자장치의 냉각에 있어 바람직하거나 실용적이지 못한 배치가 되는 수가 있다. 열파이프들은 중공 실링된 장치로써 내부에 작동유 및 심지구조(wick structure)를 가지고 있다. 열은 열 파이프의 한쪽 끝에서 전자장치 패키지들로부터 작동유로 전달되고, 작동유를 통해 파이프의 다른 쪽으로 전달되어 이곳에서 외부(환경)으로 배출된다. 전자장치 및 반도체 장치에 있어서 열 파이프의 사용이 일반적이기는 하지만, 종래의 열파이프 설계의 작동한계를 뛰어넘을 것이 종종 요구된다. 본 기술은 열확산 장치에 사용되는 새로운 냉각장치에 관한것으로, 특히 이것들은 전자장치의 냉각에 상변화 열사이펀 시스템을 사용하여 중력장내에서 어떤 방향으로도 작동이 되도록 하였다. 본 기술이 갖는 방향 독립적인 성질은 응축기가 반드시 증발기 위에 위치해야 하는 열사이펀의 적용 한계점 및 상 변화 메커니즘을 열전달에 사용함으로써 기존의 열파이프의 한계를 뛰어넘는 성능 향상을 가져온다. 본 기술은 마이크로머신화된 다공성 표면을 사용하여 성능 향상된 증발기를 제시하여 공간의 제약이 있는 장치에 있어서 전자공학 부품들의 냉각에 기능 향상을 가져왔다. 열사이펀 설계를 통해 얻어진 컴팩트한 구조 및 높은 열전달 성능은 공간의 제약을 갖는 고밀도 전자장치들의 응용에 있어서 매력적이다.열사이펀을 이용하는 것을 특징으로 하는 본 기술의 열확산기는, 중력장 내에서 어떤 방향으로도 작동이 되며, 크기의 제약을 갖는 전자장치 구성에 있어서 소형화된 크기 및 보다 높아진 열전달능력을 제공한다.
본 기술은 박막의 형상 메모리 물질과 기판 박막으로 구성된 소형, 형상 메모리 합성 콤포짓에 관한 것이다. 기판 박막은 더 이상의 공정을 필요로 하지 않기 때문에 SMA가 부착되어 있는 기판위의 어떠한 부분도 제거하지 않고 콤포짓은 스위치로서 사용될 수 있다. 응력 보정 박막을 사용함으로써 더욱 효율적인 스위치들을 콤포짓의 구성부품으로써 생산할 수 있다.기판의 일부를 제거하지 않고도 스위치로 사용되는 컴포짓
1. 유리를 내벽 및 외벽의 이중으로 구성하고, 적어도 한쪽의 유리에 다양한 크기의 투과구멍을 형성하여 유리의 이동에 의하여 외부와의 소통 상태를 조절 가능.2. 투과율이 서로 다른 유리를 이중으로 형성하여,유리의 겹치는 면적에 따라 태양광 차단 효과를 얻는다.1. 우천시에도 빗물의 유입없이 외부와의 공기 소통이 가능2. 컬러 코팅지를 사용하지 않고도 외부의 햇빛을 차단할 수 있다.
노드들의 무선 네트웍의 3차원 공간 레이아웃을 결정에 있어서 효율적이고, 경량화 기술 개발은 어렵다고 알려져 왔다. 지구를 도는 위치 위성 시스템, 음향, 적외선 및 라디오 기술들은 정확도와 범위에 있어서 좋지 못한 성능을 보이거나 매우 비싸게 되고 정교한 하부구조를 필요로 한다. 본 기술은 3차원 공간에서조차 노드들을 찾는(컴퓨터 또는 센서) 정확하고, 빠르고 값싼 솔루션을 개발하였다. 본 기술은 각 노드들로 하여금 다른 노드들의 상대 클럭 잔류편차(offset)와 드리프트(drift)값을 결정하여, 모든 노드들이 정확한 동기화된 작동 수행이 가능토록 하였다. 시범 결과 수백 야드에 대해 센티미터 정도의 정확도를 보였으며 나노초의 클럭 차이를 보였다. 이 모든 것은 공칭 하드웨어를 사용하여 얻어졌다.향상된 정확도 및 클럭 차이를 보이는 위치 추적 및 동기화 기술
근래에 이르러 자성 나노 입자들은 고밀도 정보 저장 장치의 성능 향상에 사용될 수 있으며, 의학용 장치 및 자성 센서에 있어서 강자성 유체로 사용될 수 있다.본 기술은 상온에서 자동결합 자성 금속 산화물 Co3O4 나노입자를 중합체 구조물 내에 만들어 내었다. 이러한 나노구조물 중합체-Co3O4는 중합체 구조물 내에 임베딩된 5nm Co3O4 나노입자들로 구성되었다. 입자들간의 평균 분리간격은 5nm이며 새로운 물질은 광학적으로 투명하다. 나노입자들의 강자성 성질 덕분에 110 GB/cm의 용량을 갖는 초 고밀도 자성 기록 매체 제작이 가능하게 되었다. 기존의 자성 기록 매체와 달리, 합성과정중에 금속들이 중합체에 달려붙으며 자성 배열이 박막 형성 시에 생기게 된다. 이러한 이점들은 제작 기술을 아주 단순화하게 만든다. 광학적으로 투명한 자성 박막은 또한 보안 종이위의 보이지 않는 수표(watermark)로써 사용될 수도 있다. 재료의 유연성덕분에, 얇은 패턴 층이 쉽게 보안지 위에 흡착될 수 있다.- 초고밀도 자성 기록 매체(저장장치) 제작 가능- 보안 종이 위에 쓰이는 수표(watermark)로 사용가능
자성 나노 입자들은 고밀도 정보 저장 장치의 기능 향상에 사용되며, 의학용 장치 및 자성 센서에 있어서 강자성 유체로 사용될 수 있다. 본 기술은 자동결합 자성 금속 산화물 CoFe2O4 나노입자를 상온에서 이중블록(diblock) 공중합체 구조 내에 만들어 내었다. CoFe2O4 나노구조물질은 중합체 구조 내에 균일하게 퍼진 구형 형태를 가지며 평균 반지름 5nm를 갖는다. 고온 불림 열처리를 하지 않고 혼합 금속 산화물에 대하여 역 스피넬 구조를 완벽하게 얻을 수 있어 실질적으로 많은 이점을 갖게 된다. 상온에서 이 물질은 완전한 초상자기성을 띄며 18.04 emu/g 의 등가 최대 자화값을 갖는다. 5 oK(켈빈온도)에서 나노콤포짓 박막들은 5.3kOe의 보자력 값을 갖는 상자기성, 11.93 emu/g의 등가 잔류자기 및 57.1 emu/g의 등가 최대 자화값을 갖는다. 본 기술은 자성 센서 기술에 사용될 수 있다; 고 데이터 저장 장치들(110 GB/cm의 용량을 갖는 초 고밀도 자성 매체) 또는 자성 박막이 필요한 모든 곳에 사용될 수 있다. 중합체 박막은 보안 용지의 결국 보이지 않는 자성 수표로 사용될 수 있다. 재료의 유연성(flexibility)으로 인해 패턴의 얇은 층은 쉽게 보안지 위에 흡착될 수 있다. 이것은 강자성 또는 초상자기성을 띄게 된다. 초상자성을 갖게 되면, 자기장을 가하여 저장된 정보를 되가져올 수 있다(retrieve). 이러한 성질은 이러한 유형의 초상자기성 수표로 하여금, 기존의 신용 카드 위의 마그네틱 라인이 갖는 다음의 성질에 비하여 이점을 준다. 즉, 신용카드의 경우, 강한 자석을 갖다 대었을 때, 카드 위의 자성라인은 식표(signature)를 잃게 되어 저장된 정보가 사라진다.- 상온에서 혼성중합체 내에 강자성의 나노 입자를 만들어 냄- 저장장치 및 보안이 요구되는 분야에 사용가능(신용카드)
슈퍼헤테로타인 라디오 수신기는 현재의 무선 통신 장치에 폭넓게 사용된다. 이 장치는 원하지 않는 신호들을 필터링하는데 있어 훌륭한 성능을 보인다. 그러나 불행히도, 이러한 필터링은 완전하지 못하기 때문에, 이러한 문제를 해결하기 위하여 다양한 스킴(Scheme)들이 개발되어 왔다. 이들 스킴들 중의 많은 수가 90도 위상 차 또는 직각위상(quadrature) 차를 갖는 주파수를 사용한다. 이러한 위상 시프터들은 정해진 주파수 및 좁은 대역폭에서 사용해야 하는 한계로 인해 광대역에서의 사용을 위해서는 보정들이 필요하다. 본 기술에서는 보정 없이 광대역 사인파 또는 디지털 베이시스에서 작동할 수 있는 위상 시프터의 프로토타입을 개발하였다.보정이 필요 없는 위상 시프터
현대 통신 기술의 실제 요구사항들 중 하나는 전자 제품들의 소형화 및 신뢰성에 대한 요구이다. 특히 RF/마이크로웨이브 장치에 있어서 이러한 요구는 아주 중요하다. 본 기술은 LTCC(Low Temperature Cofired Ceramics)을 사용한 임베디드 리지 웨이브 가이드를 만드는 데 있어서 마이크로웨이브 필터 구조물의 크기를 줄였다. 본 기술은 평면 마이크로 웨이브 회로들을 쉽게 기판 내로 집적화시켜(intergrate) 적은 삽입 손실 및 광대역 스퓨리어스 감도를 갖게 한다. 본 기술은 전위 레이다 수신기 및 무선 통신에 사용되는 임베디드 필터 뱅크에 적용될 수 있다.마이크로웨이브 필터 구조물의 크기를 줄였고, 본 발명의 필터를 사용하면 마이크로웨이브 회로들을 쉽게 기판 내로 집적시켜 삽입 손실을 줄이고 광대역 스퓨리어스 감도를 갖도록 만들 수 있다.