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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

초순도 재료와 촉매작용의 수산화 기술용의 지르코늄, 하프니움과 희귀 토류원소에 기초한 금속간 화합물

1980년에 사염화 지르코늄의 자체 유도 칼슘 열 감쇠에 의하여 Zr/Al, Zr/Mn, Zr/Fe, Zr/C, Zr/Ni, Zr/Cu 등의 시스템용 지르코늄에 기초하여 금속간 화합물(IMC)를 제조하기 위한 기술을 개발하였다. 본 재료는 수소 펌핑과 불순물로부터 불활성 가스와 질소 청소용 게터 (getter)와, 유기 합성물 처리, 석유 가공과 반도체 실리콘 생산 공정 중에 IMC 수산화물에 관한 촉매로서 시험하였다. IMC는 항상 금속 원소의 용해에 의해 얻는 재료보다 더 좋은 성능을 입증하였다. 현재 다음과 같은 활동이 진행 중에 있다. - 3개 이상의 성분을 가진 지르코늄, 하프늄과 RRE에 기초한 IMC의 제작, 그것의 성질 연구와 가장 효율절인 재료의 선정. - IMC 비용을 줄이기 위해 자체유도식 금속 세라믹 감쇠 공정 중에 산화물을 유화물로 그리고 알루미늄을 칼슘으로 부분 또는 완전 교체. - 성능을 개선하기 위해 각종 형태의 IMC 처리(기계/화학적, 열방사, 레이저, 저온 플라즈마, 충격파, 쉬프트에 의한 변형 등)의 적용.열핵 원자로 내의 수소와 그것의 동위원소 펌핑(pumping), 핵열 원소 내의 유리 및 고정 수소의 흡수, 전기 진공장치 내의 고진공 실행, 고순도 재료와 섬유 광학 시스템의 생산에서 불순물로부터 불활성 기체와 질소의 청소, 유기 합성용 촉매의 제조, 석유 가공과, 사염화 규소의 모노시레인(monosilane)으로의 수화용으로 사용할 수 있다.

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2000-04-24
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일반기술 에너지·자원 > 기타 자원 활용 기술

희귀 토류 원소에 기초한 영구 자석 생산용 폐기물 재생기술

1994-1997년에, 사마리움/코발트 자석처리 후에 폴리싱 폐기물로부터 사마리움과 코발트를 회복하기 위해 어떤 연구를 수행하여 기술을 개발하였다. 순도 95% 이상의 산화 사마리움의 시험 배치와 질량 500과 400kg의 순도 99.3-99.8% 금속 코발트의 시험 배치를 준비하였다. 다음과 같은 연구와 개발 작업이 현재 진행 중에 있다. - 더 높은 회복과 순도의 사마리움과 코발트를 얻는 방향으로 수력야금과 야금 공정의 개선. - 네오디미움-철-보론 자석의 마모로부터 네오디미움 추출에 관한 공정 성능의 개선. - 재생 재료로부터 순철과 자성 합금을 제조하기 위한 야금 공정의 개발.- 사마리움-코발트와 네오디미움-철-보론 자석 생산시에 폐기물로 버린 취소 불능 기손실 양의 귀중 재료의 활용 - 러시아 연합과 외국에서 자석 생산 설비에 본 개발을 응용

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특허법인충정
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2000-04-24
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일반기술 기계 > 가공기계 (L54)

절삭 공구의 전기 펄스식 처리(EPT)

- 초기 고속강의 그레인과 구조적 성분의 정제 ; - 후속 열처리에서의 그레인 성장 억제와 고합금 균질 메트릭스의 제조 ; - 강의 고응력-변형 성질과 미세 그레인 구조를 동시에 획득하는 고경도와 내마모성의 획득. 공구 강도는 3-4배가 많으며 재성형 후 저하되지 않는다. 직경 25mm까지의 공구(드릴, 탭, 엔드밀, 리머, 펀치) 강화용 EPT의 기술과 장비를 제공한다.플랫 구체물 강화용 기술 및 장비 EPT

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2000-04-24
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일반기술 기계 > 단위기계 요소부품

진공 구멍 열방사 음극 용접용 복합장비

구멍 열방사 음극 용접장비의 사용은 진공에서 높은 품질의 비탈착식 조인트를 제공한다. 제공 시스템의 특징은 높은 용접 안정도, 작은 플라즈마 성형 개스 소비와, 이온화 방사의 부재이다. 본 시스템은 진공 속에서 티타늄, 알루미늄 합금과 스테인레스강의 수동 및 자동 용접, 납땜, 축조와 수리용으로 사용한다. 장비는 수동 용접용 버너, 괴도 파이프라인 버트 용접용 헤드, 전력 공급과 제어 시스템으로 구성되어 있다. 기술자료 : 용접 전류, A 10-100 아크 전압, V 15-25 연속 작동시간, mm 5-6 공급 전압, V 27용접 재료의 최대 두께, mm 티타늄 합금 3-4 알루미늄 합금 4-5 스테인레스강 2-3우리는 세계시장 가격으로 구멍 열방사 음극 용접장비를 납품한다.장비는 수동 용접용 버너, 궤도 파이프라인 버트 용접용 헤드, 전원, 제어장치, 플렛(flat)장치를 포함한다.

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2000-04-24
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일반기술 기계 > 가공기계 (L54)

바이메탈 엔드 밀

절삭 공구 제조에서 매우 희귀한 텅스텐강의 사용을 절약할 수 있다. 우리 밀에서는 다음과 같이 할 수 있다. - 고속도강은 고품질 압연강의 작은 부분으로서 절삭면에만 사용할 수 있다. - 고속도강 소비는 3-5배 만큼 감소된다. - 경화 잔여 응력은 상당히 감소된다. - 공구 작업 용량은 2-4배 만큼 증가된다. 절삭 공구의 제조 공정은 소성 변형과 고온 납땜 방식을 사용한다 기술 자료 : 직경, mm 20-60절삭 부분 길이, mm 20-200 잇수 3 모든 파라미터용 카바이드 불균질 등급 1-2

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2000-04-24
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일반기술 기계 > 단위기계 요소부품

전자빔 용접 건(gun)과 진공 챔버 벽의 차폐장치

기화 침전물로부터 용접 건 표면과 챔버의 차폐용 장치를 사용하면 전자 빔 용접장치의 조작 효율과 안전성을 증가시킬 수 있다. 주요 근원이 용접 배스(bath)인 증기 침전 재료에 대항한 차폐에 사용하는 현재의 방식은 용접 건, 진공 챔버 벽과 기타 부품의 안전 차폐에 대비하지 못한다. 우리 장치는 증기와 기체 흐름을 형성하고, 흐름을 제어하며, 이것은 벽에 응결을 초래하여 45배 만큼 진공 챔버 벽에 살포 침전물을 감소시키며 3배 만큼 건 열이온 음극 작동수명을 연장시킨다. 당사는 다음과 같은 항목에 관한 계약을 체결할 준비가 되어 있다. - 면허 - 엔지니어링 지원을 부가하는 완성장치의 납품

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

알루미늄 합금의 액체 금속 취성화

저용해 금속은 금속 기질과 상호작용하여 여러가지 방식으로 조속한 파쇄 또는 표면 퇴화를 가져온다. 액체 금속에 의해 유도된 취성(LME)의 가장 극적이고 널리 연구된(그러나 아직 빈약하게 이해된) 징후는 분명한 상호확산 또는 화학적 상호작용이 거의 없는 응력 하의 급격한 파쇄이다. 이러한 현상은 이론 및 실제 관점(재료 처리와 가공, LME 방지와 특수 군사용) 양쪽으로부터 구소련에서 널리 연구되었다. 대부분의 소련 과학자들은 약간의 대체 기구도 제안하였지만 표면 에너지 감소에 기초한 접근방식을 자주 성공적으로 개발하였다. 불행하게도, 소련 내의 아이디어 교환 뿐만 아니라 외국 과학 사회와의 토론도 군사적 이해 관계가 없는 재료에 관해서만 허용되었고 Al 합금, 어떤 형태의 강과 기타 전략적 재료의 경우에는 절대적으로 불가능하였다.본 프로젝트는 실패율을 줄이고 가공성을 높일 목적으로(공구 재료를 최적화함으로써) 물리화학 및 기계적 요인의 함수로서 어느정도까지 각종 Al 합금이 LME에 민감한지를 확인하기 위해 체계적인 데이터베이스를 구축하게 할 것이다.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

고온 산화로부터 내화재료 보호용의 규정 성질을 가진 내열 다기능 피복제의 개발

내화재료 상의 공동형태 결함을 초고속으로 자체 해제하는 능력을 가진 고온 보호 피복제를 제조하기 위해 개념적 모델을 개발하였다. 특정 피복제용 제안모델을 실행하면 1800-1900℃까지 높은 열 및 질량 교환계수를 가진 고온 고속 산화 기체 흐름에서 동시 가력 조건에서 매우 열적으로 로딩된 구조 원소(날카로운 모서리를 가진 원소를 포함하여)의 작용을 고려하게 될 것이다. 기본 피복제 화합물은 Si-Ti-Mo계를 사용하여 개발하였다. 이들 합금(피복재료로 사용하는) 구조의 특징은 내화 성질에 더불어 넓은 범위의 특수 성질(부식 안정도, 내촉매성, 방사용량 등) 이내에서 추가 합금화를 고려하게 된다. 유명 내화재료의 개발과 보호 피복제 제조 절차는 일반적으로 비정지 고엔탈피 고속 공기 흐름과 추진 연소제품의 극단 조건에서의 성질을 포함하여 조작성질의 더 높은 특성을 갖는다.내화재료로부터 고온 기술의 열적으로 로딩된 부품의 고온 기체 부식과 침식에 대한 보호와, 산소 가스의 고온 고속 흐름 하의 조작(항공기술, 핵 전력 엔지니어링, 기계 및 자동차 제조 등).

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

고강도 알루미늄 합금의 개발과 내식성 촉매 피복제의 강화

1991-1996년에 Moscow Aviation Institute(chairs #902 903)에서 다음과 같은 복잡하고 상호 연관된 연구를 수행하였다.- 금속 용해물 결정화에 관한 충격파 영향 ; - 각종 재료로 만들어진 기질에 대한 초음속 상 흐름 누출 모드 ; - 처리 중의 표면에 전해질의 증기 방출 에너지. 연구 결과를 사용하여 고강도의 알루미늄 합금을 개발하였다(σb=820 Mpa). 합금강과 주철에 비하여 3-40배 만큼 합금의 내마모성과 내식성을 증가시키는 구조 재료의 경화 촉매 활성 피복제도 개발하였다.- 터빈 블레이드, 연료 탱크, 연료 시스템, 표피 원소 등을 포함하여 항공/우주기술의 일부분 ; - 내연기관과 디젤엔진에서 실린더, 피스톤과 연결봉 ‘; - 유정에서 마멸성 입자 부유물을 함유한 광물유를 양수하기 위한 펌프 부품.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

신 기계활성 재료의 제조 : 형상기억합금 원소와 전기탄성적 성분을 가진 복합물

현재, 형상기억합금(SMA)의 필라멘트, SMA의 외부 플라이를 가진 3겹 스트립과 연성 내층으로 균일하게 보강된 단일 방향성 복합물과 같은 형상기억합금의 성분을 가진 두 종류의 기계적 활성복합물(AC)을 개발하기 위한 기본을 개발하고 있다. 알려진 애너로그와 비교할 때 AC의 거동에 관한 설명은 SMA용의 모든 고유 기계적 성질을 정성적과 정량적으로 설명하는 SMA용의 신방정식에 기초하고 있다. 작용 응력의 영향은 상변화 중에 SMA의 열탄성적 파라미터의 변동과 매트릭스 활성 원소의 작용 견인력과 함께 고려된다. 결과적으로, AC 내의 닫힌 구조적으로 2방향 형상기억 효과 조건은 완전히 통제된 AC 조건(적절한 온도 변화와 능동 및 수동 성분의 최적 강도치) 하에서 함께 해석적인 형태로 도출되었다.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

희귀 토류 금속 {Gd-Tm} {Sc-Cu, Ru, Rh} {Si, Ge, Sn}을 가진 신 3원 화합물의 합성과, 그것의 자기적 성질 연구

{Gd-Tm}-{Sc-Cu, Ru, Rh}-{Si, Ge, Sn} 3원계의 체계적인 연구로 인해 약간의 신 3원 화합물을 발견할 수 있다. 자기적 성질, 전기적 성질과 수착(sorption) 성질과 같은 신 3원 화합물의 성질 연구와 이들 성질에 관한 용량, 수소와 질소의 수착, 기계적 밀링, 기계적 합금화와 합금화 원소의 연구로 인해 약간의 신 자성물질과 그것의 생산에 관한 약간의 노하우를 얻을 수 있다.신자성 재료의 개발.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

Al 기반과 Ni 기반 합금 내의 미세결정, 준결정과 비결정 상

기계적 합금화로 합성한 고안정 구조는 급속 고화, 플라즈마 빔 커버 또는 증기 침전과 같은 기타 비평형 가공법과 유사할 수 있다. 기계적 합금화의 경우에 고안정 상의 형성은 상기 대비에서 초고체를 실현한다. 따라서, 초안정 상 형성을 지배하는 열역학과 동력학 요인은 다를 수 있다. 기계적 합금화 방식은 Al 합금의 고온 강도 개선용의 신속 고화보다 더 긴 범위의 모드로 찾을 수 있다. 2성분과 다성에서 기계적 합금화에 의해 합성할 수 있는 새로운 상의 구조와 성질은 충분히 잘 연구되어 있지 않다. 많은 다양한 초안정 상을 Ni-TM(TM-전이 금속)계에서 기계적 합금화로 합성할 수 있다. 그러나, 다양한 밀링 조건은 다양한 상형성을 초래한다. 이 문제는 아직 연구되지 않았다.비결정 및 미세결정 Al 기반 합금은 재래식 Al 기반 결정 합금의 최고치보다 2 내지 3만큼 더 높은 인장 강도를 보인다. MA 합금의 강화 가능성을 아직 이들 특정 금속에 대해 입증되어야 한다. 최종 성질(강도, 연성, 계수와 밀도)을 가진 최고 성능 조합을 얻기 위해 조성 개발과 처리에 관해 많은 해야할 작업이 남아있다.

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특허법인충정
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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

신속 고화 납땜 충전재 금속박판과 고열유동 구조 금속의 납땜 기술 개발.

본 프로젝트의 목적은 금속 고화 기술로 가공한 비결정 및 미세결정 납땜 박판을 사용하여 2금속 고열유동 구조용 제조기술을 개발하는 것이다. 우리 팀은 비결정 금속합금과 급속고화(RS) 납땜 박판의 연구와 생산에 10년간의 경험이 있다. 기술적인 가능성과 자원은 이제 우리로 하여금 상업적 수량으로 RS 납땜 박판을 제조할 수 있게 한다. 현재, 흑연을 가진 금속, 세라믹을 가진 금속과, 도성합금(cermet)을 가진 강을 포함하여 각종 재료 조합의 납땜용 Cu, Ni, Al, Ti와 Zr에 기초한 30개 이상의 조성이 있다. 현재, 구리 조인트(MEPhI 팀이 제작한)에 베릴리움의 납땜에 관한 시험이 수행되고 있다. 우리 팀은 다양한 상업적 응용을 위해 전통적으로 준비한 충전재 금속에 대비한 RS 납땜 박판의 이점을 입증하였다본 프로젝트는 일반적으로 이중 구조의 납땜용 신기술의 생산과 특히 융해 응용 기술의 생산을 초래할 것이다. 구리 기질에 베릴리움(또는 텅스텐) 합금의 직접 납땜용의 신뢰성이 있는 방법의 개발은 융해 분야에 현저한 비용 이점을 제공할 것이다. 본 작업은 기타 분야에 관해 중요한 영향도 미칠 것이다.

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특허법인충정
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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

피복제용 신방식과 다이아몬드 유사 재료의 합성

이것은 피복제용 신방식이며 고체 반응을 사용한 다이아몬드 유사재료의 합성에 관한 것이다. 재료의 기계적 및 화학적 처리 중에 금속의 연결과 피복제 형성의 현상에 관한 연구는 순금속 Al, Cu, Ni, Cr 등과 Fe와 강을 가진 그것의 합금의 형성에 관한 주요한 새로운 결과를 도출하였다[1]. 이 상호작용은 기계적 에너지만을 사용하여 해당 물질의 열적 영향없이 고체 상태에서 일어난다. 이 방법을 사용하여 순금속의 피복과, 다양한 조성을 가진 합금을 얻었다[2]. 약간의 고체계에 관하여, 기계적 처리의 영향 하에서 기계적 에너지를 축적하게 되었다[3]. 이 조건 하에서 어떤 화학적 고체 반응은 폭발과 함께 발생한다[4]. 폭발 에너지를 사용하여, 단단한 다이아몬드 유사 재료의 합성 신기술을 개발하였다.- 강성 재료의 고체 합성에 관한 과학적인 원리의 개발과 피복제의 성형.- 피복제용 편리한 재료의 개발(우리는 각종 재료에 관한 다양한 형태의 피복제를 개발할 계획이다). - 피복제의 물리, 기계 및 화학적 연구와, 분체 유사 재료의 합성(강성, 성질, 마모 및 부식 안정도 등의 연구).

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

금속 클러스터(clusder)의 주문식 체계의 기본에 관한 미소 전자 구조

금속 클라스터 주문식 체계의 기반에 관한 미소 전자 구조를 얻는 방법을 연구한다. 금속 클러스터 체계의 주문 배열은 예비 미소 구조의 기질을 사용하여 얻는다. 규소 기반에 관한 미소 구조 기질을 얻는데 두 가지 방법을 사용하는데, 그것은 초고진공에서 아주 깨끗한 규소의 산화와, 특별한 전기 화학적 표면 폴리싱이 그것이다.금속 클러스터 주문식 체계의 기반에 관한 미소전자 원소의 개발.

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2000-04-24
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일반기술 전기·전자 > 계측기기

방사능 탐지기 이온화용 카드늄-아연-텔루르 화합물

우리는 방사능 탐지기 응용 이온화용 단일 Cd1-xZnxTe(CZT) 결정 육성 기술을 권장한다. CZT는 상기 적용을 위한 유력한 재료이며 그것의 물리적 성질의 고유함으로 인해 반도체 탐지기용 기존 재료를 교체할 수 있다. 우리는 고압 Bridgeman 기법을 사용하여 CZT 육성의 실험실적 기법을 개발하였다. 생산된 결정은 균일한 조성과 높은 저항성을 가지며 알파와 감마선의 등록용으로 사용할 수 있다.기존 알려진 재료를 능가하는 특성을 가진 방사능 이온화의 실온의 대용적 반도체 탐지기용 재료의 개발.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

순수 내화 금속 규화물의 스퍼터링(sputtering) 목표의 제조

내화금속 규화물은 저저항 접점, 게이트 전극과, 마이크로 전자장치 내의 상호연결부에 매우 유망한 재료이다. 내화금속 규화물의 비전기 저항도는 VLSI 기술용 선택 재료로 권장할만큼 가장 중요한 기준이 된다. 현재, 얇은 교화물 필름을 생산하기 위한 두 가지 주요 기술을 사용한다. 첫 번째 기술은 고온 아닐링과 최종 MeSi-층 형성이 뒤따르는 얇은 금속과 실리콘 층의 침전물로 구성되어 있다. 두 번째 개술은 마그네트론 스퍼터링 동안에 내화 금속 교화물로부터 목표물의 사용으로 구성된다. 보통, 분체 야금술 방식은 그러한 교화물 목표물을 준비하는데 사용한다. 그러나, 이 기술은 원하는 순도를 제공하지 못하여 낮은 품질의 교화물 필름을 도출한다. 더구나, 그러한 분체 규화물 목표물은 낮은 열전도도 지수를 가진다. 이것은 필름 오염의 확률을 증가시키는 제한된 침전율을 초래한다.규화물 목표물은 다음과 같이 하는데 사용할 수 있다. -- 마이크로 전자공학의 얇은 필름 생산 ; - 포장 기술용 얇은 필름 생산.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

초전도체와 자성재료 내의 자장 분포 관찰용 자기광학적 인디케이터 필름 기법

초전도체와 자성재료 내의 자장 분포 관찰력의 신기법을 개발하였다. 자장은 필름을 통과하는 분광의 분극화 평명의 파리데이 회전으로 인하여 자기광학적 인디케이터 필름을 사용하여 가시화 한다. 기타 유사방식(유러퓸 첼코제나이드(europium chalcogenide) 피복과 자기광학적 유리의 적용)에 비유할 때, 이 방식은 더 넓은 온도 범위(~400K까지)에서 더 높은 감도와 기능을 가진다. 이외에도, 우리 방식은 매우 간단하고 즉석적이어서 비파괴 표본의 검사용으로 사용할 수 있게 한다. 우리는 이제 0.5mm 공간 해상도와, 0.1Oe만큼 높은 자장에 관하여 감도를 가진 자장 분포를 관찰할 수 있다. 우리 인디케이터의 조작 범위는 0 내지 ~2000Oe 이다.더 높은 감도를 가질 신규 자기광학적 필름의 개발. 감도와 공간 해상도를 추가로 증가시키기 위한 영상 처리 기법의 적용. 더 넓은 온도범위와 더 높은 자장에서 작업할 수 있는 신규 인디케이터 재료의 개발.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

초전도 자석의 전도 냉각식 권선

MRTI는 고유 열전도도를 가진 초전도(SC) 자석 권선의 생산기술을 개발하였다. 이 효과는 권선으로부터 액체 헬륨 배스로 열을 비우는 얇은 금속 도체로 만들어진 배수 시스템을 단일 SC 권선으로 통합하여 얻어진다. 외측 권선 표면의 저온 유지장치의 저온 부분과의 적극적인 접촉을 통하여 직접 냉각을 유지하는 한, 개발된 기술은 헬륨 배스가 아니라 저온 유지장치의 진공 공간 내에 SC 권선을 장치한 새로운 SC 자석 설계의 적용을 위한 기본을 제공한다. SC 자석에 간단히 접근하기 때문에 이러한 해결책은 명백한 자산이 되며, 자석과 저온유지장치의 조립 및 시험은 서로 다른 것에 관해 독립적으로 수행할 수 있다. 이러한 접근 방식은 19993년 한 미국 우주항공 회사를 위해 MRTI가 개발한 가속기 빔라인 프로젝트에서 구체화되었다.더 좋은 간접냉각 효율 방식의 개발. 새로운 접근방식에 따라 설계하고 축조한 SC 자석의 개량.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

초전도 공동을 가진 선형가속장치용 이온 광선 물리학

효율상승의 문제는 약 1 GeV 출력 에너지와 30mA 광선전류를 가진 고전류 이온 선형 가속장치에 관해 매우 중요하다. 이러한 문제를 해결하기 위한 한 가지 방법은 초전도 가속 공동을 사용하는 것이다. 50MeV 까지의 초기 선형 가속장치 부분은 재래식 “온식” 선형 가속장치로 설계되어 있다. 이것은 RFQ와 DTL 부분으로 구성되어 있다. 가속기의 주 부분에 관해서는 초전도 공동을 사용한다. 이것은 고가속율을 가진 CW 모드를 제공하고 RF 전력을 감소시키고 가속기의 총효율을 증가시키는 것을 가능하게 한다. 영구자석 4배를 공동 사이에 놓는다. 해당 초점렌즈와의 두개 공동 전체를 헬륨 저온유지장치 속에 넣는다. 첫 번째와 주 가속기 부분용의 작동 주파수의 홀수 비율은 H+와 H- 이온의 동시 가속을 가능하게 한다.이러한 유망한 연구 적요 하에서 제출하는 R&D 프로그램의 목표는 핵 폐기물 변형과 차세대 고에너지 고전류 이온광선 설비에 연결할 매매 프로젝트의 설계와 비용 양쪽 모두의 최적화에 필요한 지식을 얻는 것이다. 1994년에, MRTI는 가속기 구동 변형기술과 응용을 위한 초전도 공동을 가진 CW 이온 선형 가속장치(1GeV와 30mA)를 제안하였다. 선형 가속장치는 높은 가속율을 얻어서 총 RF 전력과 선형 가속장치 길이를 줄일 수 있게 한다.

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2000-04-24
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