일반기술
기계 > 초소형·극미세 기술
지금까지 불가능한 기술로 알려져 왔던 각종 소재를 성분의 변화없이 건식타입으로 나노규격(50~600나노), 즉 머리카락의 1/1000 ~ 1/100 크기까지 극미세 분쇄할 수 있는 기계장치로서 선진국에서는 미래과학기술의 신영역 창출이나 기존제품의 고도화에 반드시 필요한 기술임.21세기 미래산업혁명을 이끌어 갈 주요핵심분야로 인식하고 국가간의 연구개발경쟁이 치열한 고난도의 기술임(나노 분쇄가 가능한 소재)- 의학, 생명공학 : 의학재료, 화장품재료, 유황, 숯, 소뼈 및 귤껍질 등- 식물/곡물류 : 귤껍질, 녹차잎, 뽕잎, 쌀, 콩, 기타- 전자/반도체용 소재 - 알류미늄, SiC, 지르코니아, 실리카 등- 광물 : 훼라이트, 산화철 등- 비금속광물 : 게르마늄, 옥, 토르마린, 시멘트, 벤토나이트, 운모 등의 수천종의 비금속광물(기술의 특징)- 성분의 변화없이 나노규격의 극미세 분쇄물을 얻을 수 있어 각종업계에 신소재창출, 기존제품의 고도화에 기여- 입자모양을 구상형 또는 침상형으로 선택적으로 분쇄 가능- 소재의 특성에 따라 습식, 건식 겸용으로 분쇄 가능- 분쇄시 가열, 냉각방식 채택 가능- 저동력, 저소음, 저유지비용- 광물, 비금속광물, 식품, 곡물 등 분쇄영역이 광범위(향후 전망)산업계 전반에 걸쳐 기술적 한계를 벗어나 고기능성 부여, 제품의 고급화, 신소재 창출 등 일대 변혁이 예상됨
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- 한국과학기술지주(주)
- 등록일
- 2004-05-14
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일반기술
기계 > 초소형·극미세 기술
현재의 캔티레버 팁은 그 높이가 낮아 캔비레버 자체가 정보저장 미디어에 영향을 줄수 있는 단점이 있다.본 기술은 캔티레버의 팁이 낮을 경우 빔 자체 또는 빔이 갖는 전압이 미디어에 영향을 미치는 것을 막기 위한 고종횡비의 팁을 제조함에 있어서 캔티레버의 팁과 지지부 상부에 응력 보정막을 추가하여 다층의 캔티레버 막을 형성함으로써 캔티레버 자체의 내부 응력을 보정하여 캔티레버가 휘어지는 것을 막을 수 있는 기술로서, 고종횡비 나노팁을 가진 압전 캔비레버를 만드는 기술이다.이러한 고종횡비 나노팁을 가진 압전 캔비레버는 AFM과 같은 표면 정밀도 측정이나, 나노 크기의 정보저장과 같은 나노 저장 매체에 사용가능한 기술이다.본 기술은 캔디레버의 팁과 지지부 상부에 응력 보정막을 추가하여 다층의 캔디레버 막을 형성함으써 캔디레버 막을 자체의 내부 응력을 보정하여 캔디레버가 휘어지는 것을 막을 수 있으며, 우리가 원하는 형태로의 빔의 굽힘을 실현할 수 있다. 또한 광투과 케이스가 지지부에 연결된 접합용 패턴에 접합되어 있기 때문에 양극접합을 이용한 캔디레버의 접합시 상/하부 전극과 케이스가 분리되어 케이스에 인가된 전압이 직접적으로 상/하부 전극과 압전물질에 전달되이 않게 된다. 이로 인해, 상/하부 전극 및 압전물질에 고전압이 걸려 위험을 막을 수 있고 살부 전극의 표면 산화 현상을 방지할 수 있다.
- 보유기관
- 영남대학교
- 등록일
- 2004-05-20
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일반기술
기계 > 초소형·극미세 기술
제철소 용광로에서 대량으로 발생하는 부산물인 고로 서냉 슬래그를 재활용하여 산업용으로 활용하므로써 높은 부가가치를 창출할 수 있는 기술임본 기술을 적용하여 다음과 같은 제품을 생산할 수 있으며, 각 제품의 특징은 다음과 같다.1. 서냉 슬래그 모래- 천연모래도바 시멘트를 약 10~15% 절약할 수 있는 획기적 상품- 특히 초기 강도가 높아 거푸집 제거가 빠름- 방수효과가 큼- 고온, 냉각 등 환경 변화에 잘 견딤- 강도, 압축강도가 높아 옹벽, 고층건물, 지하공사에도 좋음- 해수 저항력이 크므로 해양 구조물 공사에 좋음- 내열, 내산, 내화학성, 내부식성 등이 천연모래보다 우수- 산성토양에 영양을 풍부하게 공급하고 산성토양을 중화시킴으로 규산질(토양 개량제) 비료로 겸용해 사용 가능- 유해물질, 중금속이 전혀 없고 게르마늄 성분과 유사하여 인체에 좋음- 색상이 미려해 벽체나 표면에 활용하면 좋음2. Ready Mix 제품- 균열이 전혀 발생되지 않는 우수한 제품으로서 아파트 바닥 시공에 적절함3. 서냉 슬래그 고미분말 - 특수 가공 처리하여 내화물용, 페인트 원료용, 고무제조용, 벤토나이트 등 각종 제조업체의 첨가제, 혼화제, 대체품목으로 이용 가능4. 입상 규산질 비료- 물 속에서 분해속도가 가장 적절한 세계 최우수 제품으로 개발- 포장된 상태에서 수분 침투, 장기 보관하여도 서로 엉킴이 없는 획기적 제품- 분말이 거의 없음- 첨가제가 화학성분이 아닌 퇴비성분으로 토양을 근본적으로 개량시킴- 1개 라인에서 모래, Ready mix, 고미분말과 함께 동시에 생산되어 원가가 저렴하므로 가격경쟁력이 우수
- 보유기관
- 한국과학기술지주(주)
- 등록일
- 2004-06-25
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기계 > 초소형·극미세 기술
본 기술은 반도체 가공에 사용되는 연마기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공기압을 이용하여 수직방향으로 일정압력을 고르게 웨이퍼에 가하면서 고속회전이 가능한 연마헤드를 구비한 웨이퍼 연마기에 관한 것이다. 본 기술은 반도체 가공에 사용되는 연마기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공기압을 이용하여 수직방향으로 일정압력을 고르게 웨이퍼에 가하면서 고속회전이 가능한 연마헤드를 구비한 웨이퍼 연마기에 관한 것이다.반도체 제조에 있어서 웨이퍼는 집적도가 높은 반도체 장치를 얻기 위하여 웨이퍼 연마기를 사용하여 웨이퍼 표면 평탄화 작업을 수행한다.웨이퍼 연마기는 가공대상물의 요철을 제거하기 위해서 연마입자를 압력과 속도를 가해서 이동시키는 구조를 가지고 있다. 따라서, 웨이퍼 연마기는 웨이퍼와 연마패드를 마찰시키며 상대 운동하는 구조로서 다양한 형태가 존재하나 상대운동 과정 중에 웨이퍼와 연마패드가 지속적으로 밀착되는 것이 매우 중요하다본 기술에 따른 웨이퍼 연마기는 연마헤드를 누르면서 이송운동하는 퀼과 모터 회전축에 연결되어 상기 연마헤드를 강제회전 시키는 회전축을 포함하는 웨이퍼 연마기에 있어서, 상기 연마헤드는 금속재의 커버 플레이트와 상기 커버 플레이트와 결합하며 하부에 얇은 판으로 이루어진 자이로 플레이트와 상기 커버 플레이트와 상기 자이로 플레이트 사이에 삽입되는 고무판과 상기 고무판과 상기 자이로 플레이트 사이에 삽입 접촉되어 상기 고무판과 상기 얇은 판의 상호 힘 전달이 가능한 매개체를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 커버 플레이트와 상기 고무판 사이에는 공기를 주입할 수 있도록 상기 커버 플레이트에 공기주입구가 더 구비된 것을 특징으로 한다.이와 같은 구성에 따라 본 기술에 따른 웨이퍼 연마기는 연마패드의 수직축과 연마헤드의 수직축이 일치하지 않거나 연마 시 진동이나 불규칙한 운동이 발생하는 경우에도 지속적으로 연마패드와 웨이퍼가 밀착되며 웨이퍼의 이탈을 방지하게 된다. 또한, 수직방향으로는 일정압력으로 웨이퍼를 누르면서도 연마헤드가 회전할 수 있는 것이다.반도체 웨이퍼의 CMP 장비는 국내시장만 2,000억원을 형성하는 큰 시장이다. 이러한 CMP 장비를 대부분 수입하고 있는 실정인데 본 기술을 도입할 경우에 연마의 효과가 크므로 경쟁력 있는 CMP 장비를 생산할 수 있다. 또한 DVD 픽업이나 카메라폰 등에 사용되는 비구면 렌즈를 연마하는 여나장비로 개발할 경우에도 사업성이 유망하다고 판단된다.
- 보유기관
- 한국기계연구원
- 등록일
- 2006-10-10
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일반기술
기계 > 초소형·극미세 기술
본 발명의 목적은 마이크로 사이즈로 제작이 가능하고, 동시에 유체의 혼합 효율을 높일 수 있으며, 에너지 소모가 적고, 제작이 용이한 마이크로 믹서를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 간단한 구조를 가지며 마이크로 사이즈로 제작이 가능하여 LOC(Lan-On-a-Chip)로 구현할 수 있는 마이크로 믹서를 제공하는 것이다. 이를 위하여 본 발명에서는, 극성 유체 시료가 놓이는 기판; 상기 기판에 형성된 복수 개의 전극들; 상기 복수 개의 전극에 전압을 인가하여 전기장이 형성되도록 하는 전원 및 상기 복수개의 전극이 형성하는 전기장의 방향에 교차하는 방향으로 자기장을 형성하는 자기장 형성부를 포함하는 마이크로 믹서를 제공한다.
- 보유기관
- 서강대학교
- 등록일
- 2007-10-01
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기계 > 초소형·극미세 기술
본 기술은 광학적 나노장치에 이용될 수 있는 광발광 특성을 갖는 산화마그네슘 나노입자를 제공하는 것이다.ㅇ 기술 요약 및 특징: 본 기술은 광발광(photoluminescence) 특성을 갖는 산화마그네슘 나노입자에 관한 것으로, 본 기술에 따라 망간 성분 함유 마그네슘 금속을 공기 중에서 연소시켜 제조되는 산화마그네슘 나노입자는 소량의 Mn2+ 이온을 함유한 정육면체 결정구조로, 2개의 매우 예리한 발광피크가 발생하며, 여기상태(excited state)가 장시간 지속되는 광발광 특성을 나타내어 나노 레이저와 같은 새로운 광학적 나노장치에 응용될 수 있다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2008-01-31
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일반기술
기계 > 초소형·극미세 기술
본 기술은 광통신에 사용되는 광섬유 모재를 제조함에 있어서, 원관내부에서 기체상으로부터 입자를 발생시켜 원관내벽에 부착시키는 고증착률과 고균일도를 나타내는 화학증착방법에 관한 것이다.현재 광섬유 제조에 광범위하게 사용되는 MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition)에서는 실리카 원관의 중심에서 가스의 속도가 최대가 되므로 외부 가열효과가 충분히 중심축까지 전달되기 어렵고 중심부근에서 입자가 생성되더라도 축방향으로 상당한 거리를 이동하기 때문에 입자부착율이 낮아지고 불균일 입자부착구간이 길어진다. 이러한 점들을 해결하기 위해 출원되는 본 발명은 기존의 MCVD방법과 유사하나 기존의 MCVD는 하나의 실리카 원관을 사용하여 그 원관내에서 화학반응을 이용하여 미세입자를 생성, 부착시키는 반면 본 발명에 따른 방법은 입자가 부착되는 실리카 원관내부에 고온의 가스가 분사될 수 있는 원관을 그 원관의 배기구로부터 추가로 주입하는 것을 특징으로 한다.내부에서 고온의 기체가 분사되면 분사되는 가스제트는 막(A)을 형성하여 생성된 입자를 외부원관의 벽쪽으로 이동시키고 분사된 제트의 온도가 고온이므로 높은 온도구배의 효과를 얻을 수 있어서 입자부착율이 높아지고 입자의 부착구간은 훨씬 줄어든다. 또한 분사된 제트의 유량과 온도를 조절함으로서 막의 두께를 조절할 수 있는데 이것은 온도구배와 연관이 있으므로 이 유량과 온도의 조절로 단위시간당의 입자부착량과 입자부착 구간의 제어를 할 수 있을 것이다. 내부원관은 토치의 이송속도와 동일하게 이송시켜 토치위치근방에서 제트를 분사할 수 있도록 한다. 내부원관의 가열에는 전열선에 의한 가열, 유도전류에 의한 가열, 연료의 연소에 의한 가열의 방법 등을 포함한다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2008-01-31
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일반기술
기계 > 초소형·극미세 기술
본 기술은 금속분말의 산화를 억제하고, 금속분말이 응집되는 것을 방지하여 미세한 금속분말이 형성되도록 할 수 있으며, 2성분계 이상의 금속분말을 나노탄소와 혼합 가능한 나노탄소-금속 복합분말의 제조방법을 제공함.두 개의 성분 이상의 금속분말이 나노탄소와 혼합될 수 있는 본 기술의 극미세 나노탄소-금속 복합분말의 제조방법은 아래와 같음. 1. 슬러리 제조단계 나노탄소와 유체를 혼합하여 슬러리를 제조함. 혼합 과정 중, 나노탄소의 분산력을 높이기 위하여 고분자로 이루어진 분산제 및 금속분말과 나노탄소의 결합력을 높이기 위하여 저융점 유기화합물로 이루어진 결합제를 첨가함. 2. 전기폭발단계 슬러리 내에 코발트와 철, 구리를 포함한 하나 이상의 금속선이나 합금 금속선을 배치하고, 금속선에 전력을 공급함. 금속선은 저항 발열에 의하여 용융, 방전, 기화 고장을 통한 폭발이 일어나게 되고, 이에 따라 금속분말이 방출되어 나노탄소와 균일하게 결합하게 됨. 3. 건조단계 및 회수단계 슬러리제조단계에서 사용된 유체를 기화하도록 유체의 증발온도 이상에서 가열하여 건조시킴. 이 후, 남아있는 나노탄소-금속 복합분말을 회수함.<기술의 특징>- 유체 내에서 금속선을 폭발시킴으로써 금속분말의 산화를 원천적으로 억제할 수 있으며, 응집을 방지하여 나노미터 수준의 금속분말이 형성됨.- 두 개의 성분 이상으로 이루어진 합금 금속선을 이용하여도 균일한 나노탄소-금속 복합분말 및 이들 유체의 제조가 가능하여 매우 경제적임.- 제조된 분말은 고강도 소재, 코팅 소재 및 고촉매 소재 등의 에너지소재 원료로 유용하게 이용될 수 있음.- 완전 건조를 거치지 않고, 반건조 슬러리 상태에서 테이프케스팅과 같은 코팅공정에 응용이 가능함.
- 보유기관
- (재)울산테크노파크
- 등록일
- 2008-12-30
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