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본 발명은 흑연판과 용매금속판을 교대로 적층하여 고온, 고압하에서 다이아몬드를 합성시키는 방법에 관한 것으로, 특히용매금속판을 중간층의 상하로 중간층과는 다른 금속물질로 이루어지고 판 내부에 구멍이 형성된 바깥층을 적층하여서 이루어진 복합용매금속판으로 구성하여 복합 용매금속판의 바깥층에 형성된 구멍의 크기와 밀도를 변화시킴으로써 다이아몬드의 형성밀도를 인위적으로 조절할 수 있도록 한 다이아몬드 합성방법에 관한 것이다.다이아몬드의 형성밀도를 인위적으로 조절
본 발명의 이방성 영구 자석의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 설명하면, 본 발명은 자성 분말과 유기 결합제를 균일하게 혼합하여 자장 중에서 사출 또는 압출 성형을 한 다음, 성형체 내에 존재하는 결합제를 제거하고, 결합제가제거된 성형체를 소결함으로써 후가공 없이 이방성 영구 자석을 제조하는 새로운 방법에 관한 것이다.기존의 영구 자석은 소결 자석은 레진 본드 자석이 주종을 이루고 있다. 소결 자석의 제조 방법으로서 대표적인 예가 문헌(Intern. Powder Metallurgy Conference, pp. 75-81(1980)]에 기재되어 있다. 이 방법은 제1도의 제조 공정도에 도시된바와 같이, 분말 야금법으로 자성 분말을 자장 중에서 성형하여 소결 처리한다. 이와 같이 제조된 소결 자석은 자성 분말의 고충전율로 인하여 그의 자기 특성이 레진 본드 자석과 비교하여 우수하다는 장점을 갖고 있다. 그러나, 복잡한 형상이나 링형 또는 실린더형 자석으로 만드는 경우 자성 분말의 라디알 및 극 이방화가 관란하여 필요한 형태로 후가공을 해야 하며, 그에 따라 가공비가 비싸진다는 단점을 갖고 있다. 또한, 실린더형 이방성 영구 자석은 절단 가공하여 서로 다른 부분을 접착하여 제조하고 있기 때문에 자기 특성이 균일하지 못하다는 단점을 갖고 있다.따라서, 본 발명의 목적은 후가공 공정을 수행하지 않고서도 레디알 및 극이방성 영구 자석을 경제적으로 대량 생산할 수있는 방법을 제공하는 것이다.본 발명의 다른 목적은 비자성 성분인 고분자 결합제가 제거되어 자기 특성이 높고 내열성과 내후성이 좋은 이방성의 영구 자석을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.본 발명자들은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 예의 연구 검토한 결과, 공지의 영구 자석의 제조 공정에특정의 결합제 제거 공정을 추가하면 레진 본드 자석과 소결 자석의장점을 모두 갖고 있고 자기 특성이 우수한 다양한 형상의 이방화된 영구 자석을 분말 사출 또는 압출 성형에 의하여 제조할 수 있음을 밝혀내었다. 본 발명에 따라서, (a) 자석 분말과 다성분계 유기 결합제를 균일하게 혼합하여 자장 중에서 사출 성형 또는 압출 성형하는 단계; (b) 성형체에 존재하는 결합제를 제거하는 단계; 및 (c) 결합제가 제거된 성형체를 소결하는 단계로 이루어진이방성 영구 자석의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 방법에 사용 가능한 자성 분말은 Sr-페라이트, Ba-페라이트, Al-Ni-Co, Nd-Fe-B 등의 이방성 영구 자석용 분말이다. 결합제는 단일 성분계보다는 다성분계를 사용하는 것이 결합제 제거 공정에 유리하다. 점도가 낮은 저분자량의 왁스류는 성형성을 높이는데 효과적이며, 고분자 결합제는 사출 성형 후 형태 안정성을 유지하는데 필요하다. 따라서, 바람직한 결합제는 다성분계 유기 결합제로서 저분자량의 왁스류와 고분자량의 폴리머를 필수적으로 함유하는 것이다. 이러한 다성분계 유기 결합제를 구성하는 제1성분은 헵탄, 펜탄, 톨루엔, 메틸 에틸 케톤 용매에 용해 가능한 파라핀 왁스, 아미드 왁스, 비스(bees) 왁스, 미세결정성 왁스와 증류수에 용해 가능한 수용성 왁스, 폴리비닐알콜 등이다. 결합제의 제2성분은 용매에 용해되지 않는 카누바(canauba) 왁스, 폴리에틸렌 왁스 등이다. 결합제의 제3성분은 폴리프로필렌(PP), 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 에틸렌 비닐아세테이트(EVA), 나일론 등의 고분자 결합제이다.자성 분말과 결합제는 혼합기에서 80 내지 92중량%의 자성 분말 충전율로 혼합한다. 자성 분말의 충전율이 80중량% 이하이면, 제거할 결합제의 양이 많은 관계로 결합제 제거 후, 성형체의 강도가 불충분해지고, 소결시 충분한 소결 밀도를 얻기가 어려운 단점이 있다. 한편, 자성 분말의 충전율이 92중량% 이상이면, 점도가 증가하여 균질한 혼합을 이루기가 어렵고, 또한 자장 중에서의 사출 또는 압출 성형시 자성 분말의 배향도가 감소함에 따른 자기 특성이 저하되는 단점을 갖고있다.자성 분말과 결합제를 혼합하여 펠렛화시킨 시료는 이방화가 가능하게 제작된 다이가 설치된 사출기 및 압출기에서 성형시킨다. 성형 조건은 성형 온도, 성형 압력, 금형의 온도를 조절하여 결정한다. 성형 온도는 결합제의 분해 온도 이하이어야 하는데, 결합제의 조성에 따라 150 내지 200℃의 온도 범위이다. 특히 길이가 긴 실린더형의 이방성 영구 자석은 분말 압축 성형으로 제조할 수 있다. 이 방법에서는 연속 압출기 내의 가소화 지역과 용융물 이동 지역에 자장 장치를 설치하여 성형체를 필요한 형태로 이방화시킨 후 압출기의 다이 바깥 부분에 절단(cutting) 장치를 설치하여 성형체를 필요한크기로 연속적으로 절단한다. 이 분말 압출 성형은 길이가 긴 실린더형 영구 자석을 대량 생산할 수 있다.본 발명의 방법 중 결합
본 발명은 낮은 자심 손실과 고주파에서 우수한 자기적 특성을 나타내는 극박형 Fe-AlrP 연자성 합금 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로 말하자면, 본 발명은 각종 전기전자 장치의 부품으로서 사용되는 연자성 재료로서, 고주파 대역에서 우수한 투자율과 낮은 자심 손실을 갖는 극박형Fe-Al계 초미세 결정립 연자성 합금에 관한 것이다.기존의 Fe-Si-B-Cu-Nb계 및 Fe-Zr-B-Cu계에 대응할만한 고포화 자속 밀도 및 고투자율 특성을갖는 새로운 합금에 대해 연구한 결과 Fe-B-M-N-R(여기서, M은 Hf, Zr, Nb 중에서 선택된 한 원소이고, N은 Cu 원소이며,R은 여러 첨가 원소이다)의 합금계에 일정량의 Al을 첨가하면 연자성 특성이 향상되고 결정 자기 이방성이 저하되며 전기저항이 증가하여 고주파 연자기 특성이 향상되는데 주목하여 Al 첨가 Fe계 합금의 극박화를 시도하였다. 그 결과 제조된극박형 Fe-Al계 초미세 결정 연자성 합금이 종래의 극박형 비정질 합금보다는 포화 자속 밀도가 훨씬 높으며, 또한 종래의 초미세 결정 합금에 비해 고주파 특성, 특히 MHz 대역에서 매우 향상된 연자기 특성을 보인다는 사실을 발견하여 본발명을 완성하였다.
본 발명은 100~400℃의 저온영역에서 장시간 노출시에도 단사정 지르코니아(monoclinic zirconia polycrystal)로의 상전이 (phase transition)에 의한 저온열화를 나타내지 않으면서도 고인성을 갖는 정방성 지르코니아(tetragonal zirconiapolycrystal)복합체의 제조방법에 관한 것이다.
알루미늄 평판의 표층을 악 알카리 수용액을 사용하여 얇은 피막을 형성시켜, 기존의 알루미늄의 물성을 변환시켜, 가볍고 전기전도성이 양호한 알루미늄 소재를 다양하게 이용할수 있는 기술.1. 양도체로서 알루미늄을 전기 절연체로 만들어 전자제품의 PCB 기판 대용으로 사용가능2. 내마모성 및 강도의 증가 모스경도의 약 9도 정도로 다양한 산업분야의 응용력을 갖춤. - 알루미늄을 섬유질화하여 방탄조끼, 차량 표면에 부착하여 방탄차량, 가벼운 소재로서 자동차 구조물의 강도강화, 피스톤 실린더 링으로 사용시 우수한 내마모성.3.골프채 IMPACT 부문에 사용시 비거리 20~30% 증가.4.해수 및 강산성 환경에 적용시 탁월한 내 부식성.5. 기타 산업 전반
알루미늄 기판을 이용한 열전냉온반도체 모듈 제조 기술 - 차세대 가정용 및 산업용등 모든 냉동 기기에 소요될 필수 냉각 장치 - 고유가 시대를 Ю鎌臼차세대 대체 에너지원으로서 온도차를 이용한 반도체 발전기.1. 값싸고 열전달이 우수한 알루미늄을 이용한 차세대 모든 냉각 시스템 적용2. 현재 상용화된 세라믹열전반도체 모듈보다 10배이상 우수한 효율 구현.3. 알루미늄을 절연화 시킨 금속기판과, 반도체 소자의 특수 제조공법등 원천기술 보유.4. 150도 이하의 저온에서의 모든 산업폐열과 태양열을 이용할 수있는 우수한 성능의 발전기기로 이용 가능(Seaback Effect).
전자부품 및 철강공업용 정밀소재로서의 기능소재를 개발하기 위하여 세라믹쉬트 및 분말형태의 여러 신소재와 이의 제조공정을 요소별로 구분 확보하여 각 과제별 핵심소재 개발 기술 및 이의 산업화기술의 국내업체 이전을 적극 도모하여 유망 중소업체의 기술력고도화 및 국제 경쟁력 강화를 목표로 연구를 수행하였다. 정밀소재 핵심기술개발의 2차년도 연구개발의 연구결과를 기술하면 다음과 같다. 한계전류형 희박연소제어 및 산소농도 분석기의 개발에 관한 연구는 크게 산소센서 소자를 제작하기 위한 세라믹스 그린쉬트의 제작과 세라믹스 그린쉬트를 이용한 산소센서 소자의 설계 및 제작 그리고 전시·제어 기능을 수행하는 회로의 설계 및 시작품 구성으로 구분할 수 있다. 우선 세라믹스 그린쉬트를 제조를 위한 실험에서 고체전해질용 지르코니아 및 확산장벽용 지르코니아-코디어라이트 그린쉬트를 제작하기 위한 독자적인 세라믹스 성형기술을 확보 특허를 출원하였으며, 그린쉬트의 적층 및 Burn-out 조건과 Aperture형 및 다기공성 산소센서 소자를 제작하여 고체전해질/전극/확산장벽의 동시 소성기술을 개발 특허화 하였다. 센서소자의 전류-전압 특성에 영향을 미치는 확산홀의 크기, 전극면적, 펌핑셀 두께의 영향, 코디어라이트 함량에 따른 특성변화등 제반 여러가지 변수들을 최적화하였으며, 센서소자의 산소농도 의존성 및 온도 의존성에 대한 측정결과 산소센서 소자의 실제 응용시 최적 작동온도는 600℃로 결정하였고, 검출 가능한 산소함량의 범위는 0%-75%로 결정하였다.
본 발명은 고온에서의 기계적 성질은 우수하나 내산화성이 열악한 몰리브덴 금속에 고온 내산화성을 부여하기 위한 몰리브덴-규소-망간 3원계 합금으로 구성된 피복층 및 몰리브덴 금속 표면에 상기 몰리브덴-규소-망간 3원계 합금으로 구성되는 피복층을 형성시키는 방법에 관한 것이다.1. 망간이 피복층의 총원자량 백분율로 0.2%~40%범위로 함유된 것을 특징으로 하는, 몰리브덴 재료 상에 피복된 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층.2. (Si 1~70 중량%)-(Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 10~97 중랑%)팩으로 망간과 규소를 몰리브덴 재료 상에 동시에 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자량 백분율로 0.2%~4.5%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.3. (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 망간을 먼저 몰리브덴 재료 상에 피복하고, 그위에 (Si 1~70 중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 20~98 중랑%)팩으로 규소를 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자랴야 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.4. (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 망간을 먼저 몰리브덴 재료상에 피복하고, 그위에 화학증착법으로 규소를 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자량 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.5. (Si 1~70 중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성데 1~10중량%)-(Al2O3 20~98 중랑%)팩으로 규소를 먼저 몰리브덴 재료 상에 피복하고, 그 위에 (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 방간을 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자량 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.6. 화학증착법으로 규소를 먼저 몰리브덴 재료 상에 피복하고, 그 위에 (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 망간을 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자랴야 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.7. 제 2항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성제가 NaF인 방법.
용침법으로 제조된 텅스텐-구리 재료를 반복적으로 열처리하는 공정을 통해서 용침된 구리의 양을 변화시키는 한편 미세 조직을 균일하게 변화시키도록 한 텅스텐-구리계 재료의 제조 방법을 제공한다. <구성>용침법으로 제조된 텅스텐-구리계 재료의 미세 조직에서 비저항의 증가를 가져오는 텅스텐 입자간의 직접 접촉을 줄이면서 구리의 함량을 65 내지 85 퍼센트 범위로 조절하는 것과 동시에 용침후에 잔류하는 기공을 제거하기 위해 전해동 혹은 무산소동이 용침된 텅스텐-구리 계 재료를 구리의 용융 온도인 섭씨 1083도 보다 높은 섭씨 1150도까지 빠르게 가열한 후에 5분 이상 유지한 다음, 섭씨 800도까지 빠른 속도로 냉각하는 것을 1회 이상 반복하여 열처리하는 공정으로 구성되며, 용융과 응고시 텅스텐과 구리의 서로 다른 부피 변화를 이용하여 텅스텐 입자 사이에 있던 잔류 기공 속으로 구리가 채워져 들어가도록 해서 잔류 기공의 제거가 이루어지도록 구성된다.1. 용침법으로 제조된 W-Cu 계 재료의 미세조직에서 비저항의 증가를 가져오는 텅스텐 입자간의 직접 접촉을 줄이면서 Cu의 함량을 65-85% 범위로 조절하는 것과 동시에 용침후에 잔류하는 기공을 제거할 목적으로 전해동 혹은 무산소동이 용침된 W-Cu계 재료를 구리의 용융온도(1083℃)보다 높은 1150℃까지 빠르게 가열한 후에 5분 이상 유지한 다음, 800℃까지 빠른 속도로 냉각하는 것을 1회이상 반복하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 텅스텐-구리계 재료의 제조방법.
다음의 조성식, DyxFeBz 이때, x,y,z는 원자%로서 25<=x<=30, 56<=y<=70, 0<=z<=15, (단, x+y+z=100)으로 이루어진 희토류-철계 자기변형 합금.1. 일반식(1)로 표시되는 신규한 유기주석 말로네이트 유도체. 일반식(1)에 있어서 R은 페닐, 시클로헥실, n-부틸, 3-메톡시-3-옥소프로필, 메틸, t-부틸, 염소기등을, x는 2 또는 3을, R`는 비고리치환기가 치환될 때에는 티오메톡시, 메틸기를, 고리치환기가 치환될 때에는 에틸렌디티오, 메틸렌디티오, 아세틸렌디티오기를 표시한다.2. 일반식(2)의 유기주석 할라이드와 일반식(3)의 말로네이트 유도체의 금속염을 할로메탄, 알콜 또는 물등의 용매존재하에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 유기주석 말로네이트 유도체의 제조방법. 일반식(2)에 있어서 R은 페닐, 시클로헥실, n-부틸, 3-메톡시-3-옥소프로필, 메틸, t-부틸, 염소기등을, x는 2 또는 3이어야 한다. 일반식(3)에 있어서 나트륨, 칼륨등을 R`는 비고리치환기가 치환될 때에는 티오메톡시, 메틸기를, 고리치환기가 치환될 때에는 에틸렌디티오, 메틸렌디티오, 아세틸렌디티오기로 구성된다. 3. 제2항에 있어서, 용매로 디클로로메탄, 클로로포름, 에틸알콜, 메틸알콜 또는 물중에서 ㅂ나응시키거나, 이들의 혼합용매중에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 유기주석 말로네이트 유도체의 제조방법.4. 제2항에 있어서, 반응온도를 -25℃~60℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(1)의 유기주석 말로네이트 유도체의 제조방법.
자속 밀도가 높고 열적 안정성이 우수하며 자기 변형이 작아 고주파수 영역에서 사용 가능한 고투자율 저보자력의 Fe-Hf-B 3원계 비정질 합금 특히 자심 재료로 사용하기에 적합한 Fe계 비정질 합금을 제공한다. Fe 78-85 원자%, Hf 6-9 원자%, B 9-13 원자%를 주성분으로 모합금을 진공 아크 용해법 또는 고주파 유도 가열법을 이용하여 용해시키고, 이 모합금을 석영관에 넣고 진공 및 불활성 기체 분위기를 유지할 수 있는 단롤형 용탕 급냉 장치를 이용하여 약 1-1.5 kg/cm2 압력의 아르곤 기체를 분사하고, 노즐을 통하여 약 37.5+-5 m/초의 선속도로 회전하는 구리제 냉각 롤의 표면에 용탕을 분사시켜 두께 20 마이크로미터의 비정질 합금 리본을 제조한 후, 이 비정질 합금 리본을 10^-4 torr이하의 진공중에서 퀴리 온도 이상 결정화 온도이하의 적정 온도에서 열처리시킨 후, 수냉시켜 비정질의 합금을 제조한다.1. Fe 78 내지 85원자%, Hf 6 내지 9원자% 및 B 9 내지 13원자%로 이루어진 모합금을 마련하고, 이 모합금을 용해시킨 용탕을 급냉시켜 비정질화시키고, 이것을 열처리한 후 냉각시키는 것을 특징으로 하는 Fe-Hf-B 3원계 비정질 연자성 합금의 제조 방법.2. Fe 78 내지 85원자%, Hf 5 내지 9원자% 및 B 9 내지 13원자%를 주성분으로 하는 Fe-Hf-B 3원자계 비정질 연자성 합금.
<목적>고집적 반도체 소자의 제조 공정중 금속 배선의 형성에 관한 것으로 특히 플라즈마 화학 증착법을 이용하여 맞은 저항의 텅스텐 박막을 증착시키기 위한 것이다. <구성>반응 기체인 WF6-H2 반응계의 H2:WF6 의 분압비를 15:1 이상으로 유지하고 0.1-1 torr의 증착 압력으로 250-500 도의 증착 온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 한다. <효과>텅스텐 박박을 제조할 때 급속 열처리 등의 번거러운 공정을 배제한 채 사용되는 반응 기체의 분압비를 분압비를 일정 범위내로 유지하여 증착이 이루어져 낮은 비저항값을 나타내는 텅스텐 박막을 얻을 수 있다.1. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착함에 있어서, 반응기체인 WF4-H2반응계의 H2:WF6의 분압비를 15:1이상으로 유지하고 0.1~1Torr의 증착압력으로 250-500℃의 증착온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법.2. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착함에 있어서, 반응기체인 WF6-SiH4-H2반응계의 SiH4:WF6의 분압비를 0.5~1.5:1로 유지하고 0.1~1Torr의 증착압력으로 250~500℃의 증착온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법.
고주파 영역에서 실효 투자율이 높고 낮은 자심 손실을 갖는 저렴한 Fe계 비정질 합금을 제공한다. 고투자율 및 저자심 손실의 FeE계 비정질 연자성 합금은 조성식 Fe(x)Zr(y)B(z)M(w) (식 중, M은 Ni, Nb, Co, Cr, Cu 또는 Mo이고, x,y,z 및 w는 각각 원자%로 76.5<=x<=82.5, 7<=y<=9, 10<=z<=13, 0.5<=w<=1.5이며, 단 x+y+z+w=100임)으로 나타내고; 76.5-82.5 원자%의 Fe, 7-9원자%의 Zr, 10-13 원자%의 B, 0.5-1.5원자% Ni, Nb, Co, Cr, Cu 또는 Mo을 주성분으로 하는 모합금을 마련하고, 이 모 합금을 용해시킨 용탕을 급냉시켜 비정질화시키고 이것을 용해합금의 퀴리 온도에서 결정화 온도 사이의 온도 범위로 열처리 한 후 냉각시켜 제조한다1. 다음 조성식, FexZryBxMw (식 중, M은 Ni, Nb, Co, Cr, Cu 조는 Mo이고 x,y,z 및 w는 각각 원자%로 76.5≤x≤82.5, 7≤y≤9, 10≤z≤13, 0.5≤w≤1.5이며, 단 x+y+z+w=100임)으로 나타내는 고투자율 및 저자심 손실의 Fe계 비정질 연자성 합금.2. 76.5~82.5원자%의 Fe, 7~9원자%의 Zr, 10~13원자%의 B, 0.5~1.5원자%의 Ni, Nb, Co, Cr, Cu 또는 Mo을 주성분으로 하는 모합금을 마련하고, 이 모합금을 용해시킨 용탕을 급냉시켜 비정질화시키고, 이것을 열처리한 후 냉각시키는 것을 특징으로 하는 Fe계 비정질 연자성 합금의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 열처리를 용해 합금의 퀴리 온도에서 결정화 온도 사이의 온도 범위에서 행하는 것인 Fe계 비정질 연자성 합금의 제조방법.
본 발명은, 액상 소결시 생길 수 있는 성형체의 불균일한 수축을 없애고, 저비용으로 단순히 텅스텐 분말만을 사출 성형함으로써, 텅스텐 골격 구조 및 상기 골격 구조를 포함하는 텅스텐-구리 복합 재료를 제공하기 위하여, 크기가 2 내지 5㎛이고 중량 퍼센트로 99.9 이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로 0.06(600ppm) 미만인 Ni로 도포하여 원료 분말을 형성하는 단계와; 상기 원료 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와; 상기 피드스톡을 분말 사출 성형하는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계;로 이루어지는텅스텐 골격 구조의 제조 방법 및 상기 텅스텐 골격 구조를 이용한 텅스텐-구리 복합재료의 제조 방법을 제공한다.1.크기가 2내지 5㎛이고 중량 퍼센트로 99.9%이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로 0.06(600ppm)%미만인 Ni로 도포하여 원료 분말을 형성하는 단계와;상기 원료 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와;상기 피드스톡을 분말 사출 성형하는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 텅스텐 골격 구조의 제조방법.2.크기가 2내지 5㎛이고 중량 퍼센트로 99.9%이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로0.06(600ppm)%미만인 Ni로 도포하여 원료 분말을 형성하는 단계와;상기 원료 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와;상기 피드스톡을 분말 사출 성형하는 단계와; 얻어진 사출 텅스텐 골격 구조를 1000~1500℃의 온도범위에서 0.5내지 5시간 동안 소결하여 15~40%기공도를 가지는 텅스텐 골격 구조를 제조하는 단계와; 얻어진 상기 텅스텐 골격 구조의 밑면위에 동판애를 올려놓고 1150~1250℃에서 2시간 이하 동안 수소 분위기에서 구리 용침을 수행하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 텅스텐-구리 복합재료의 제조방법.
합금을 구성하는 원소 중에서 가장 중요한 원소 중의 하나인 Cr의 함량을 21-25%로 높임으로써 1000도C, 2Kg/mm2 응력하에서 크립 파단 수명을 3배이상 향상시킴과 동시에 단조 및 압연가공성이 우수하여 봉재 및 판재로의 가공이 용이하고 기계가공성도 우수한 니켈기 초내면 합금을 제공하는 것이다. <구성>중량비로 Cr 21-25%, w 20-25%, Ti 0.5-2.0%, Al 1-5%, C 0.025-05%, B 0.2%이하 Zr 0.3% 이하 Ta 0.3-3.0%, 나머지 Ni로 구성한다.1. 중량비로 Cr 21~25%, W 20~25%, Ri0.5~2.0%, Al 1~5%, C 0.025~0.5%, B0.2% 이하, Zr0.3%이하, Ta 0.3~3.0%, 나머지 Ni로 이루어짐을 특징으로 하는 니켈기 초내열 단조합금.
본 발명은 우선배향된 금속박막의 산화특성 측정방법에 관한 것으로, 종래에는 금속박막의 산화특성 측정시 측정시간이 많이 소요되는 문제가 있었다.본 발명은 측정대상 금속박막의 우선배향된 방향의 X선 피크가 반가폭을 측정하여 금속박막의 산화특성을 경험적으로 예측할 수 있도록 함으로써 측정방법이 간단하고, 측정이 신속하게 이루어지도록 한 것이다.이러한 본 발명의 이론적 배경은 진공증착법, 스파터링법, 화학기상성장법 등으로 성막된 금속박막이 금속조직학적으로 특정방향으로 우선배향된 미세조직을 갖게 되고, 이는 박막의 표면에너지를 낮추려는 경향에 기인한 것으로 통상의 금속박막에서 용이하게 관찰되며, 한편으로 금속박막의 부식은 입계면에서부터 시작되는데 이는 입계면이 다른 결정방향을 갖는 단결정의 계면으로 간주할 수 있어 이에 따라 입계면의 자유에너지가 높아지므로 입계면의 자유에너지가 이웃한 결정의 결정방향의 차가 클수록 커지기 때문에 금속박막 입계면의 결정방향 차를 X선 회절법으로 측정한다면 금속박막의 산화특성을 예측할 수 있다는 것에 근거한 것이다.1. 측정대상인 우선배향된 금속박막에 대한 X선 회절파 반가폭을 측정함으로써, 상기 금속박막의 산화특성을예측하는 것을 특징으로 하는 금속박막 산화특성 측정방법.2. 제1항에 있어서, 상기 측정대상 금속박막이 아연증착 플라스틱 필름 콘덴서에 사용되는 아연증착 플라스틱필름인 것을 특징으로 하는 금속박막 산화특성 측정방법.3. 제1항에 있어서, 상기 측정대상 금속박막이 자기기록용, 자기소자용 부품 내의 진공증착법, 스퍼터링법 및화학기상 성장법에서 선택되는 하나의 방법에 의하여 성장된 금속박막인 것을 특징으로 하는 금속박막 산화특성 측정방법
공업용 다이아몬드 공구의 제조시 공업용 다이아몬드 입자와 결합하여 공구의 절삭성 및 내구성을 동시에 크게 향상시키는 결합금속을 제공한다. [구성]공업용 다이아몬드의 결합 금속은 텅스텐 또는 몰리브데늄, 니켈, 철, 구리, 주석으로 이루어진다. 이같은 조성으로 제조시, 우선 결합 금속을 구성하는 각각의 분말을 조성에 맞게 혼합하여 결합 금속을 기지를 만든 다음, 다이아몬드 지립을 혼합한다. 이렇게 혼합된 분말을 성형프레스에 넣어 성형한 다음, 성형체를 분위기 가압 소결로 혹은 진공 가압 소결로에 장입하고, 60분동안 소결한다. 다음 소결체를 강으로 된 회전판의 원주부에 접합하여 공업용 다이아몬드 휠을 제조한다. 이와 같이 제조된 공업용 다이아몬드의 결합 금속은 몰리브데늄-니켈-구리-주석계합금을 사용함으로써 공업용 다이아몬드 공구의 절삭성을 향상시키고, 철의 양이 니켈의 양을 초과하지 않는 범위 내에서 니켈을 첨가함으로써 취성이 강한 금속간 화합물 또는 철탄화물의 생성을 방지하여 소결체에 인성을 증가시킨다.1. 공업용 다이아몬드의 결합 금속에 있어서, 텅스텐 25.0 내지 55.0중량%, 니켈 20.0 내지 50.0중량%, 철10.0 내지 40.0중량%, 구리 11.5 내지 41.5중량%, 주석 3.5 내지 33.5중량%로 이루어져 있고, 철의 양이 니켈의 양을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 결합 금속.2. 공업용 다이아몬드의 결합 금속에 있어서, 몰리브데늄 25.0 내지 50.0중량%, 니켈 20.0 내지 50.0중량%,철 10.0 내지 40.0중량%, 구리 11.5 내지 41.5중량%, 주석 3.5 내지 33.5중량%로 이루어져 있고, 철의 양이 니켈의 양을초과하지 않는 것을 특징으로 하는 결합 금속.3. 공업용 다이아몬드의 결합 금속에 있어서, 텅스텐 25.0 내지 50.0중량%, 니켈 20.0 내지 50.0중량%, 철10.0 내지 40.0중량%, 구리 11.5 내지 41.5중량%, 주석 3.5 내지 33.5중량%, 잔부는 코발트, 은, 아연 및 인으로 이루어진 그룹으로부터 한 가지 이상 선택된 것으로 이루어져 있고, 철의 양이 니켈의 양을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는결합 금속.4. 공업용 다이아몬드의 결합 금속에 있어서, 몰리브데늄 25.0 내지 50.0중량%, 니켈 20.0 내지 50.0중량%,철 10.0 내지 40.0중량%, 구리 11.5 내지 41.5중량%, 주석 3.5 내지 33.5중량%, 잔부는 코발트, 은, 아연 및 인으로 이루어진 그룹으로부터 한 가지 이상 선택된 것으로 이루어져 있고, 철의 양이 니켈의 양을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 결합 금속
접촉 저항을 줄이기위해 실리콘 표면상에 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 질화박막을 증착시킨후 그 위에 알루미늄을 증착시키는 공정으로 이루어진 텅스텐 질화박막을 베리어 메탈로 이용한 실리콘 반도체 소자의 알루미늄 금속배선 형성방법을 제공하는 데 있다. <구성>반응기체인 WF6-NH3-H2 반응계의 NH3 : WF3 분압비를 1:2 이상으로 유지하고 증착 압력을 0.1 내지 1 Torr의 범위에서 섭씨 250 내지 500 도의 증착 온도로 베리어 메탈로서 텅스텐 질화박막을 증착시키고 이어서 알루미늄 박막을 증착시킨다. 그리고 나서 알루미늄 박막과 실리콘과의 접촉저항을 낮추기 위한 열처리를 섭씨 450 도 이상의 온도에서 수행하는 공정으로 이루어 진다. <효과>저저항의 텅스텐 질화박막을 베리어메탈로 형성함으로서 이후의 알루미늄과 실리콘의 접촉저항 감소를 위한 열처리시에 발생되는 알루미늄의 실리콘 내부로의 침투에 의한 스파이크 결함의 발생이 억제된다.1. 실리콘 기판위에 알루미늄 박막을 증착하여 실리콘 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 상기 알루미늄 박막의 증착 전단계 공정으로 WF6-NH3-H2 반응계의 NH3:WF6의 분압비를 1:2이상으로 유지한 상태에서 증착압력 0.1-1Torr, 증착온도 250-500℃로 저압화학증착법이나 플라즈마 화학증착법으로 텅스텐질화박막을 형성시킨 다음, 텅스텐질화박막위에 알루미늄박막을 증착시킨 후 450-600℃의 온도에서 30분간 열처리함을 특징으로 하는 텅스텐질화박막을 베리어메탈로 이용한 실리콘 반도체소자의 알루미늄금속배선 형성방법.
철-알루미늄-탄소계 제진합금을 일정 온도의 이슬점을 갖는 수증기와 수소, 질소의 혼합가스를 사용하여 반응로 중에서 열처리하여 합금 중의 탄소를 제거함을 특징으로 하는 철-알루미늄 강자성형 제진 합금의 제조방법.철-알루미늄-탄소계 제진합금을 질소와 수소 혼합비(용량)가 1 : 3이며, 이슬점이 0∼20℃인 포화 수증기혼합가스를 사용하여 반응로 중에서 675∼725℃로 1시간 동안 열처리하여 합금 중의 탄소를 제거함을 특징으로 하는 철-알루미늄 강자성형 제진합금 제조방법
본 발명은 주조된 A3003 알루미늄 합금 빌렛을 420 내지 520℃의 온도 범위로 2 내지 8 시간 열처리하여 수냉시키는 것을 특징으로 하는 감광 드럼용 A3003알루미늄 합금의 열처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 열처리 방법에 따르면, 조대한 금속간 화합물의 부피 분율이 최소화되고 미세한 고온 석출상들의 부피 분율이 최대로 되어 개선된 경면 가공 특성을 갖는, 열처리 후 합금 내부의 조대한 금속간 화합물의 부피 분율이 1.5 ~ 3.5%이고 압출 가공 후 내부 금속간 화합물의 크기가 3 ~ 20㎛인 감광 드럼용 A3003알루미늄 합금이 제공된다.레이저 프린터 드럼에 적합한 초정밀 소재 열처리법, 결함이 없고 미려한 표면을 내는 합금의 열처리에 관한 기술이다.