일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 방사선 조사에 의한 일정한 분포를 갖은 나노미터(㎚) 크기의 은 콜로이드(silver particle) 제조방법 및 그 나노미터 크기의 은 콜로이드에 관한 것이다.본 발명에 의해 제조된 나노미터 크기의 은 콜로이드는 표면 증강 라만 산란(Surface Enhanced Raman Scattering Spectroscopy : SERS)용 증강제로, 잉크의 활성부분 첨가제, 항균 항생제, 다양한 전기제품에 들어가는 전도성 접착제(adhesives), 전자파 차단제로 사용 할 수 있는 특성이 있으며, 또한 비누 제조 시에도 첨가할 수 있다.본 발명은 은염(Silver Salt : 銀鹽)의 일종인 질산 은(AgNO 3 ) , 과염소산 은(AgClO 4 ) 혹은 염소산 은(AgClO 3)을 3차 증류수에 녹인 후, 중간 생성물 제거제로 유기용매(또는 알코올)를 첨가하고, 콜로이드 안정제로 소디윰도데실술페이트(sodium dodecyl sulfate, SDS), 폴리비닐알콜(polyvinyl alcohol, PVA), 폴리비닐피로리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP) 등을 넣고, 질소 치환 후, 적당량의 방사선을 조사하여 일정한 분포를 가진 나노미터 크기의 은 콜로이드를 쉽게 제조할 수 있게 한 것이다. 이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 좀 더 구체적으로 설명한다.본 발명에서 실시 예에서 설명의 편리성을 위하여 다음과 같이 정의한다.하나, '은염'은 질산 은(AgNO 3 ), 과염소산 은(AgClO 4 ), 염소산 은(AgClO 3 ) 중 하나를 말하며, 적정량(적정혼합량)은 AgNO 3 의 경우 25.3g, AgClO 4 의 경우 30.9g, AgClO 3 의 경우 28.5g을 말한다.둘, '유기용매(또는 알코올류)'는 아세톤, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 노르말프로판올, 부탄올 중 하나를 말하며, 적정량(적정혼합량)이란 모두 50㎖를 말한다.셋, '콜로이드 안정제'는 폴리비닐피로리돈(PVP)ㆍ폴리비닐알콜(PVA)ㆍ소디윰도데실술페이트(SDS) 중 하나를 말하며, 적정량(적정혼합량)이란 PVP의 경우 8g, PVA의 경우 8g, SDS의 경우 8g을 말한다. 한편, 상기 은염들은 물에녹으면 모두 은이온(Ag + )을 생성하게된다. 상기 은염에 감마선(9γ-ray)을 쪼여주면 물에서 전자 하나를 빼앗아 은이온에 주어서 은(Ag0)으로 환원되며, 수용액 속에서 이들 은이 여러 개 모여 수 나노미터의 크기를 형성하여 콜로이드 용액이 되며, 중간 생성물 및 반응식은 아래와 같다. Ag + + H 2 O → Ag 0 + H + + ㆍOH n(Ag 0 ) →(Ag0 )n, Ag M 그리고, 본 발명에서 유기용매(또는 알코올류)의 역할은 위 반응에서 생긴 하이드록시라디칼(hydroxyl radical)을 잡아먹는(없애는) 역할을 하며, 반응식은 다음과 같다. Ag + + RCH 2 OH →Ag + H + + RㆍCHOH RㆍCHOH + Ag + →Ag + H + + RCHO RCH 2 OH + ㆍOH →RㆍCHOH + H 2 O 또한, 본 발명에서 콜로이드 안정제(PVP, PVA, SDS)는 수용성 고분자로서 위에서 생긴 작은 나노미터 크기의 은이 일정한 크기를 유지하도록 돕고 서로 엉겨서 커지는 것을 방지하는 역할을 하게된다. 이하, 본 발명의 실시 예들을 설명한다.
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- 대구기술이전센터
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- 2006-02-21
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
제 1 도는 본 발명에 따른 가속도센서 및 진동센서의 질량제조 공정도.제 2 도는 질량패들(mass paddle)로서 Cr을 사용한 경우 C1위에 솔더 페이스트(Solder Paste)가 올라간 모양의 SEM사진이다.* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명1 : 실리콘 웨이퍼 2 : 압전저항3 : Ni박막 3' : Ni실리사이드4 : 메탈페이스트(metal paste) AG : 에어갭[발명의 상세한 설명]본 발명은 가속도센서 및 진동센서의 질량을 제조하는 질량제조방법에 관한 것으로서, 특히 집적회로공정이나 미세구조공정과는 독립적인 공정으로 수행하여 공정이 간편하고 양산적용에 이상적이면서도 정확한 질량을 원하는 부분에 선택적으로 다량 오릴 수 있는 메탈페이스트 디스펜싱(metal paste dispensing)방법을 이용한 가속도센서 및 진동센서의 질량제조방법에 관한 것이다.일반적으로 가속도센서의 감도와 응답특성을 향상시키기 위해서는 사이즈믹 프루매스(seismic proof-mass)가 필요하다. 이러한 가속도센서나 진동센서의 사이즈믹 프루프매스(seismic proof-mass)를 제조하는 방법으로는 기판자체를 3차원적으로 식각하여 자체 매스(mass)를 만드는 방법이나, Au, Pt등과 같이 무거운 금속을 진공증착하는 방법, 금속판을 가공하여 융착하는 방법등이 알려져 있다.그런데 자체 매스(mass)를 만드는데 방법은 여러단계의 식각공정을 필요로 하여 공정이 복잡할 뿐만 아니라 균일한 측면식각의 어려움으로 매스의 불균일성이 심각하여 양산시에 질량의 균일성을 확보하기 어렵다고 하는 결점이 있다.또 금속을 진공증착하여 질량을 제조하는 방법을 무거운 진동질량을 제조하기 어렵고 두꺼운 금속의 식각에도 문제가 있다.또한 금속판을 가공하여 융착하는 질량 제조방법은 정밀도와 양산에 문제가 있다.본 발명은 상기한 종래 질량의 제조방법이 갖는 결점 및 문제점들을 해결하고자 발명한 것으로, 메탈 페이스트 디스펜싱(metal paste dispensing)방법을 이용하여 정확한 질량을 원하는 부분에 선택적으로 다량 올릴수 있고, 형성된 질량의 미세편차는 하이브리드 집적회로(hybrid IC)출력단의 저항크기를 트리밍(trmming)할때 완전히 보정되며, 또 집적회로공정이나 미세구조공정과는 독립적으로 수행될 수 있기 때문에 공정이 간편하고 양산적용에 이상적이며 다량의 질량을 형성할 수 있고 하나의 칩위에 서로 다른 질량을 가지는 여러가지 센서를 함께 제조하기 쉬운 가속도센서 및 진동센서의 질량제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명 메탈페이스트 디스펜싱방법을 이용한 가속도센서 및 진동센서의 질량제조방법은 실리콘웨이퍼를 초기세척한 후 진공증착법으로 Ni박막을 증착하고, Ni박막을 사진식각법과 습식식각으로 패턴을 형성한 후 열처리하여 Ni실리사이드를 형성하며, NH4OH로 Ni산화막을 제거한 다음 Ni박막에 디스펜서(dispenser)를 사용하여 메탈페이스트(metal paste)를 정량 올리고 난후 180∼200℃의 온도로 열처리하여 메탈페이스트를 경화시키는 것을 특징으로 한다.
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- 대구기술이전센터
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- 2006-02-21
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 기술은 해수부식 분위기하에서 스테인레스강 부식수명을 예측하는 방법에 관한 것으로, 기존에는 통계적 방법에 의존하므로, 실뢰성이 떨어지는 문제점이 있었다. 본 기술은 수치해석적 모델링 방법으로 스테인리스강의 조성과 부시전류밀도, 틈의 형상, 초기pH농도, Cl 산도 농도, 미리 알려지거나 실험에 의해 구해진 조성물에서 파생되는 화학이온들의 확산계수, 전자가수, 및 각종 상수 등을 입력하여, 시간에 따른 농도 변화량, pH변화, 전위변화를 계산하고, 그 계산된 농도가 임계치를 넘거나 또는 전위가 임계 전위를 넘는 경우에 해당농도까지의 변화에 필요한 시간을 부식개시시간으로 측정하는 해수분위기하에서의 금속 특히 스테인리스강 부식수면 예측방법을 제공한다.본 기술은 여러학자들에 의해 연구된 틈부식(공식)등의 국부부식 기구를 토대로 부시현상을 수학적으로 해석하여, 이 결과식을 수치해석적인 접근을 통해 모델링하는 방법으로 재료의 부식현상에 의한 수명을 평가한다. 하지만 아직 이러한 방법에서는 불가피하게 도입되는 여러 가정에 의해 실제 현장결과와 많은 오차를 나타낼 수 있는 단점이 있다. 이를 시정하기 위해 채취한 재료의 실제 환경에서의 분극실험을 통해 얻은 분극곡선의 데이터를 인용, 이를 프로그램에 반영하도록 함으로써, 계산만으로 얻어낼수 있는 결과에 비해 더 실제에 가까운 수명을 예측할 수 있을 것으로 기대된다.또 하나의 장점은 수명예측 방법을 윈도우 시스템에서 실행시켜 시각적 효과를 강조하여 부식에 별로 지식이 없는 사용자라 하더라도 쉽게 프로그램을 운용, 계산할 수 있으며, 결과 또한 간편하게 처리되어 그래프로 나타나므로 데이터에 대한 분석이 용이하다. 또한 계산 수행 과정은 아직까지 공학용 계산에서는 그 속력과 정밀성에서 우수성을 인정받고 있는 포트란으로 구성되어 있다.
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- 한국전력공사
- 등록일
- 2006-02-21
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 기술은 수소 함유량이 천연 다이아몬드 수준으로 억제되고 sp3 함량이 높은 DLC 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 보호코팅층 재료에 관한 것이다.함량이 높은 X-B-N 박막으로 이루어지는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 보호코팅층 재료 및 이온빔 도움 증착법 및 세슘 이온 건 스퍼터링 증착법을 이용한 재료의 증착 방법을 제공한다. 본 기술은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널 소자용 보호코팅층 재료에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 보호코팅층에 요구되는 내스퍼터링성, 광투과성 및 이차전자 방출계수를 더욱 향상시킨 것이다.수소 함유량이 천연 다이아몬드 수준으로 억제되고 sp3 함량이 높은 DLC 박막과, 수소 함유량이 천연 다이아몬드 수준으로 억제되고, Si, Ge 및 Ti 중 어느 하나인 X가 첨가됨으로써, sp3 함량이 높은 X-DLC 박막과, 수소 함유량이 천연 다이아몬드 수준으로 억제되고, Si, Ge 및 Ti 중 어느 하나인 X가 첨가됨으로써, sp3 함량이 높은 X-C-N 박막과, 수소 함유량이 천연 다이아몬드 수준으로 억제되고, Si, Ge 및 Ti 중 어느 하나인 X가 첨가됨으로써, sp3 함량이 높은 X-B-N 박막으로 이루어지는 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 보호코팅층 재료 및 이온빔 도움 증착법 및 세슘 이온 건 스퍼터링 증착법을 이용한 상기 재료의 증착 방법을 제공한다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
*배경일반적으로 엘씨디(LCD) 백라이트에 사용되는 램프는 직관형 세관 형광 램프이다. LCD에 요구되는 면발광은 전체적이 균일성(85%이상)과 디스플레이에 적합한 휘도(8000cd/m2)가 요구된다. 그로므로 세관 램프를 LCD에 사용하기 위해서는 1차원 광원을 2차원의 광원으로 바꾸어 줄 수 있는 프리즘, 확산판 등이 요구된다. 하지만, 이러한 부대 장치의 사용으로도 면발광의 충분한 균일성과 휘도를 구현할 수 없는 실정이다. *중요성 및 독창성본 기술은 LCD 백라이트용 평판 램프에 관한 것이다. 구체적으로는, 세관형 램프 대신 평판형 램프로 사용하며, 보통 내부 방전 공간을 유지하기 위해 스페이스를 필요로 하는데, 이 기술은 스페이스 없이도 내부 방전 공간을 확보할 수 있도록 해준다.*특징 및 장점1) 세관형 램프의 단점을 개선하기 위하여 평판형 램프가 제시되었고, 현재까지 알려진 평판 램프는 크게 내부전극 타입과 외부전극 타입이 있다. 그러나 평판 램프는 내부 방전 공간을 유지하기 위하여 평판 램프의 상판과 하판 사이에 스페이스를 필요로 하는 실정이다. 따라서, 본 기술은 이 문제점을 보안해줄 있는 특징2) 간단한 제조 공정과 스페이스 없이도 평판 램프의 내부 방전 공간을 확보할 수 있는 엠보싱 형태를 지닌 평판을 제공해주는 특징
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
* 원리 와 구성 유도용량형 무전극 램프용 전극(ELECTRODE FOR INDUCTIVE AND CAPACITIVE LECTRODELESSLAMP )은 램프의 양 단부 부근에 각각 형성가능한 한 쌍의 외부전극과, 외부전극 상에 위치되고 일단은 외부전극과 전기적으로 연결되고, 타단은 전원에 연결되어 전원을 외부전극으로 전달하는 한 쌍의 유도전극부재로 이루어지는 것을 특징으로 한다. * 개발배경현재까지 알려진 평판램프는 크게 내부전극형과 외부전극형이 있다. 내부 전극형의 경우, 제조 공정상 어려움이 있고, 플라즈마에 의한 전극 소모로 방전 특성이 저하되는 단점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 외부전극형의 방전이 제시되었다. 그러나, 이 외부전극형의 경우에는 방전관에 의한 전위 감소로 구동전압이 높고, 방전전류가 적어 휘도가 낮은 문제를 지니고 있다.* 중요성및 독창성종래 용량형 무전극 자외선 램프의 효율을 향상시킬 수 있는 유도전극부재를 이용하여 지금까지의 자외선 램프보다 넓은 조사 면적을 갖는 유도용량형 무전극 램프용 전극을 제공한다. 또한, 기존의 용량형 방전보다 고강도, 고효율 특성을 향상시키기 위하여 외부 전극의 구조에서 자기장 효과를 가미시킨 유도용량형 무전극 램프용 전극을 제공한다.* 적용제품 및 관련시장엘씨디 백라이트* 주요적용제품유도용량형 무전극 램프용 전극* 특징및 장점엘씨디 백라이트를 위하여 시간에 따라 변하는 자기장을 생성하는 유도전극부재를 사용하여 램프의 효율을 향상시키는 유도용량형 무전극 램프용 전극에 관한 것으로 유도용량형 무전극 램프용 전극은 램프의 양 단부 부근에 각각 형성가능한 한 쌍의 외부전극과, 외부전극 상에 위치되고 일단은 외부전극과 전기적으로 연결되고, 타단은 전원에 연결되어 전원을 외부전극으로 전달하는 한 쌍의 유도전극부재로 이루어진다. 시간에 따라 변하는 자기장을 생성하는 유도전극부재를 사용하여 램프의 효율을 향상시킨다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
*기술 요약 : 본 기술은 철기 비정질 합금 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액상으로 부터 10 6 K/s 이하의 냉각속도로 유리 천이 온도 이하의 온도까지 냉각하였을 경우 20 K이상의 과냉각 액체 영역을 갖는 비정질이 형성되는 구조재용 칠기 비정질 합금조성물에 관한 것이다.*배경 : 본 기술은 높은 증기압을 갖는 인(P)과 알미늄, 갈륨등의 비금속 원소를 함유하지 않은 철, 니오븀, 보론의 3원계 원소 또는 이트륨이 첨가된 4원계 원소만을 이용하여 벌크 형태 비정질 합금을 제조할 정도로 비정질 형성능이 우수한 구조재용 철기 비정질 합금 조성물을 제공함. 일반식 FEXNBAYYBB(70원자% ≤ X ≤ 76원자%, 5원자% ≤ A ≤ 7원자%, 0원자% < Y < 4원자%, 17원자% ≤ B ≤ 20원자%)로 조성되는 것을 특징으로 하는 비정질 형성능이 우수한 구조재용 철기 비정질 합금조성물을 제공하는 것이다. *원리 및 구성본 기술은 철기 비정질 합금조성물 특히, 철, 니오븀, 보론을 기본 조성으로 하고 여기서 이트륨을 포함하는 4원계로 구성되는 합금조성물에 관한 것으로, 철(FE)-니오븀(NB)-이트륨(Y)-보론(B) 4원계 합금에서의 각 성분의 조성범위는 70원자%≤FE≤76원자%, 5원자%≤NB≤7원자%, 0원자%<Y<4원자%, 17원자%≤B≤20원자%로 이루어진다. 본 발명의 철기 벌크 비정질 합금은 우수한 비정질 형성능을 갖고 있어서 두께 1MM 혹은 그 이상의 크기로 주조법에 의하여 제조될 수 있다. 또한 20∼50˚K 이상의 과냉각 액상 영역을 갖고 있어 이 영역의 온도에서 점성 유동을 이용한 고온 성형이 가능할 뿐 아니라 본 발명의 철기 벌크 비정질 합금은 높은 강도, 내마모성, 내부식성을 지니고 있기 때문에 고강도 내마모 부품, 구조용 재료, 용접 및 코팅 재료 등으로 제조되어 사용될 수 있다.*기대효과 본 기술의 철기 비정질 합금조성물은 높은 강도, 내마모성, 내부식성을 지니고 있기 때문에 고강도 내마모 부품, 구조용 재료, 용접 및 코팅 재료 등에 벌크 형태의 비정질 합금으로 제조되어 사용될 수 있다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
* 원리 와 구성 표면 이온화로 이온빔을 생성하는 이온 건 스퍼터링 증착 시스템용 이온 발생자로서, 이온 발생자 본체, 이온 발생자 본체의 양측에 마운트되도록 구비되며, 복수개의 관통홀이 수평방향으로 형성되어 있는 제1 및 제2지지대 및 제1 및 제2지지대 사이에 구비되고 고융점 금속으로 이루어진 와이어로, 관통홀을 통해 제1 및 제2지지대 사이를 복수 번 오가도록 직렬로 연결된 와이어를 포함하는 것을 특징으로 한다. * 개발배경최근 들어, 보다 정밀하고 고집적화된 반도체 소자, 보다 대용량의 컴퓨터 하드 디스크 등의 저장매체, 보다 얇고 면적이 넓으며 고화질을 구현할 수 있는 디스플레이 장치 등의 차세대 제품이 요구되어짐에 따라, 물리적 기상증착(Physical Vapor Deposition; 이하, 'PVD')방법 또는 화학적 기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하, 'CVD')방법 등의 박막증착 기술이 한계를 드러내고 있다.* 중요성및 독창성대면적의 박막증착 공정 및 대량 생산체제에 IGSD 시스템을 적용할 수 있게 할 뿐만 아니라, 유지 및 보수의 측면에서도 편리성이 제고된 IGSD 시스템용 이온 발생자를 제공한다.* 적용제품 및 관련시장이온 건 스퍼터링 증착 시스템* 주요적용제품이온 발생자* 특징및 장점이온 건 스퍼터링 증착 시스템용 이온 발생자에 대한 것으로 이온 발생자는, 이온 발생자 본체, 이온 발생자의 양측에 마운트되도록 구비되며 복수개의 관통홀이 수평방향으로 형성되어 있는 제1 및 제2지지대 및 제1 및 제2지지대 사이에 구비되고 고융점 금속으로 이루어진 와이어로, 관통홀을 통해 제1 및 제2지지대 사이를 복수 번 오가도록 직렬로 연결된 와이어를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
* 원리 와 구성 보론 나이트라이드 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이패널 로써 2개의 기판이 소정 간극을 두고 마주하고, 간극에는 불활성 가스가 봉입되어 있으며, 불활성 기체와 접촉하는 하나 이상의 기판의 표면상에 방전유지 전극, 유전체층 및 보호막이 순차적으로 적층되어 있는 플라즈마 디스플레이 페널에 있어서, 보호막은 보론 나이트라이드(BN)로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.* 개발배경2차 전자 방출 특성이 우수한 MgO도 보호막 형성재료로 널리 사용되고 있다. MgO는 강한 공유결합구조를 갖는물질로서, 광투과특성 및 유전특성이 우수한 것으로 알려져 있다. 그러나, MgO 역시 수분을 쉽게 흡착하여 Mg(OH) 2등을 형성하는데, 이렇게 형성된 물질은 플라즈마 가스 이온의 충격에 의해 보호막 표면에 미세한 크랙(crack)을 형성하므로 보호막 수명이 단축될 뿐만 아니라 방전개시전압을 안정하게 유지시키기 어려워 방전시간이 길어지고 방전유지전압이 변한다* 중요성및 독창성본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 광투과성 및 유전특성이 우수할 뿐만 아니라 높은 강도와 낮은 수분흡착 특성으로 인해 장수명 특성을 갖는 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공* 적용제품 및 관련시장보론 나이트라이드 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이패널* 주요적용제품보론 나이트라이드 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이패널 * 특징및 장점2개의 기판이 소정 간극을 두고 마주하고, 간극에는 불활성 가스가 봉입되어 있으며, 불활성 기체와 접촉하는 하나 이상의 기판의 표면상에 방전유지 전극, 유전체층 및 보호막이 순차적으로 적층되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 보호막이 보론 나이트라이드(BN)로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다. 보론 나이트라이드는 광투과성 및 유전특성이 우수할 뿐만 아니라 높은 강도와 낮은 수분흡착 특성을 가지므로 보호막의 수명이 크게 연장될 수 있다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
* 원리와 구성 방사되는 자외선의 밀도를 증가시키기도록 전자진동을 일으키는 복수의 미세공극(micro hollow)이 선형 형태로 형성되어 있는 미세공음극을 포함하는 미세공 음극판 및 미세공 음극판으로부터 일정 이격거리에 대면 상태로 위치하고 표면에 도포된 형광물질에 의해 형광을 일으키는 양극판을 포함하며, 미세공 음극판 및 양극판 사이에는 플라즈마 가스가 채워진 상태로 밀폐되는 것을 특징으로 한다.* 개발배경종래 일반적인 직관형의 형광등은 직관적 구조로 인해 활용성이 제한되는 문제점도 있다. 즉 형광등은 직관적인 형태뿐만 아니라 평판(평면)적인 형태도 필요하지만 현재의 방전구조로는 평면형태의 형광등의 제작이 힘들 뿐만 아니라,평면형태로 제작한다 하더라도 작동에 문제가 있다.* 중요성및 독창성전자 진동(electron oscillation)을 일으키는 미세공극을 선형 형식으로 다수 형성하여 미세공음극판을 마련하고 형성된 미세공음극에서의 방사를 통하여 형광램프 안의 플라즈마 밀도를 증가시킴으로써 밝기를 향상시킨, 선형 미세공음극의 원리를 채택한 무전극 평판형광램프를 제공한다.* 적용제품 및 관련시장선형 미세공음극 무전극 평판형 광램프* 주요적용제품선형 미세공음극 무전극 평판형 광램프* 특징및 장점선형 미세공음극 평판형광램프는, 전자 진동(electron oscillation)을 일으키는 미세공극을 선형 형식으로 다수 형성하여 미세공음극판을 마련하고 형성된 미세공음극에서 전자 공급이 되는 평판형광램프에 관한 것으로 방사되는 자외선의 밀도를 증가시키기도록 전자진동을 일으키는 미세공극(micro hollow)이 형성되어 있는 복수의 미세공음극을 포함하는 미세공 음극판, 및 미세공 음극판으로부터 일정 이격거리에 대면상태로 위치하고 표면에 도포된 형광물질에 의해 형광을 일으키는 양극판을 포함하며, 미세공 음극판 및 양극판 사이에는 플라즈마 가스가 채워진 상태로 밀폐되게 된다.따라서 종래의 직관형태의 형광램프와 달리, 미세공극이 복수로 형성된 미세공음극 구조에 의한 전극을 채택하고 여기서 발생되는 플라즈마의 밀도와 효율을 높여 보다 향상된 밝기를 제공함으로써, 형광 및 발광에 대한 기술을 한 차원 높일 것으로 예상된다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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재료 > 기타 금속재료
* 원리와 구성 반도체소자를 위한 박막 증착에 있어서 소정의 제1전원이 인가되며 박막증착을 위한 박막재료물질을 구비하고 있는 타게트장치, 소정의 분위기에서 박막재료물질의 이온화를 활성화시키기 위한 세슘을 구비하여 타게트장치로 공급하며 소정의 제2전원이 인가되는 세슘공급장치, 타게트장치로부터 소정거리 이격되고 인가된 소정의 제3전원에 따라 박막재료물질의 활성화를 위한 소정의 활성화물질 입자들의 방출을 제어하며 이온화된 박막재료물질을 통과시키는 메쉬장치 및 메쉬장치로부터 소정거리 이격되고 인가된 소정의 제4전원에 따라 메쉬장치를 통과한 이온화된 박막재료물질을 증착시키기 위한 기판을 지지하는 기판지지장치를 포함하며, 진공의 상태로 박막 증착을 위한 소정 부피의 밀폐 공간상태로 형성되는 것을 특징으로 한다.* 개발배경종래의 스퍼터링장치는 장치내에서 발생된 양이온이 기판에 손상(damage)을 입히기도 하고 일부는 성장시키고자 하는 박막내로 유입되어 중성입자의 형태로 증착됨으로써 박막의 질 및 그 효율성을 떨어뜨리며, 에너지를가지는 입자가 플라즈마를 통과하면서 일부의 에너지를 잃어버리는 문제점이 있다.* 중요성및 독창성세슘(Cs)을 이용하여 박막재료물질을 이온화시킴과 동시에그 에너지를 변화시키고 메쉬 그리드를 이용하여 플라즈마 내의 양이온을 차단시키며, 타게트(target)와 기판(substrate)에 인가된 소정 바이어스를 조절하여 발생된 음이온 박막재료물질의 에너지를 제어함으로써 저온에서 기판상에 고품질의 박막을 증착할 수 있는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버(chamber)에 대한 기술을 제공한다.* 적용제품 및 관련시장반도체 소자* 주요적용제품반도체 소자* 특징및 장점세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버(chamber)는, 세슘(Cs)을 이용하여 박막재료물질의 이온화를 활성화시키고 활성화에 관여한 물질을 차단시키며, 타게트(target)와 기판(substrate)에 인가된 소정 바이어스를 조절하여 발생된 음이온 박막재료물질의 에너지를 제어하는 챔버에 관한 것으로 제1전원이 인가되며 박막재료물질을 구비하고 있는 타게트장치, 소정의 분위기에서 박막재료물질의 이온화를 활성화시키기 위한 세슘을 구비하여 타게트장치로 공급하며 제2전원이 인가되는 세슘공급장치, 제3전원에 따라 박막재료물질의 활성화를 위한 소정의 활성화물질 입자들의 방출을 제어하며 이온화된 박막재료물질을 통과시키는 메쉬장치, 및 제4전원에 따라 메쉬장치를 통과한 이온화된 박막재료물질을 증착시키기 위한 기판을 지지하는 기판지지장치를 포함한다. 따라서 타겟물질을 음이온화 시키는 세슘(Cs)을 이용하여, 소정 바이어스를 조절하여 발생된 음이온의 박막재료물질의 에너지를 제어함으로써 저온에서 기판상에 고품질의 박막을 증착함은 물론, 반도체소자를 위한 거의 모든 박막의 형성에 사용할 수 있다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
* 원리 와 구성 유기전기발광소자에 있어서, 발광된 빛을 통과시키도록 투명성이 있는 기판, 외부의 양전위에 연결되고 기판 상부에 산소화합물계 물질에 의해 증착되는 양전극층, 기판 및 양전극에 포함될 수 있는 산소계 입자와의 반응을 방지하기 위해 소정의 확산방지물질에 의해 양전극층의 상부에 증착되는 확산방지막, 유기성물질로 확산방지막 상부에 증착되고 유기전기발광소자에 형성된 양전극층 및 음전극층으로부터 주입된 전자 및 정공에 의해 발광되는 발광층, 외부의 음전위에 연결되고 발광층의 상부에 증착되는 음전극층 및 유기전기발광소자를 구성하는 각 구성층들의 외부를 감싸도록 증착되는 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 산화방지구조의 유기전기발광소자.* 개발배경유기전기발광소자로 침투하거나 유기전기발광소자 내부에서 확산된 수분이나 산소는 구성물 질과의 반응을 촉진하여 유기전기발광소자의 발광효율을 떨어뜨리며, 반응이 과도할 경우 유기전기발광소자를 동작할수 없게 하는 치명적인 문제점을 남기게 된다.* 중요성및 독창성유기물로 형성되는 발광층에 양전극층이나 기판으로부터 확산되거나, 외부 대기로부터 유기전기발광소자에 유입될 수 있는 산소나 수분의 침투를 방지하기 위해, 특정한 산소화합 물질로 상기 유기전기발광소자의 외부를 감싸도록 봉지(encapsulation)하거나 양전극(anode)의 상부에 증착하여 형성하는, 산화방지구조의 유기전기발광소자에 대한 기술을 제공하기 위한 것이다.* 적용제품 및 관련시장산화방지구조의 유기전기발광소자* 주요적용제품산화방지구조의 유기전기발광소자* 특징및 장점특정한 산소화합물질로 유기전기발광소자의 외부를 감싸도록 봉지(encapsulation)하거나 양전극(anode)의 상부에 증착하여 형성한 유기전기발광소자에 관한 것으로 순차적인 구조의 기판, 양전극층, 발광층, 및 음전극층을 주요 동작구성층으로 하는 유기전기발광소자에서, 소정의 확산방지물질에 의해 양전극층의 상부에 증착되는 확산방지막을 포함하도록 형성되는 구조와, 외부의 산소나 수분의 흡수를 차단하기 위해 유기전기발광소자의 각 구성층들의 외부를 감싸도록 소정의 확산방지물질에 의해 각 구성층들의 외부를 감싸도록 증착되는 확산방지봉지층을 포함하는 다른 구조와, 확산방지막과 확산방지봉지층을 동시에 포함하고 있는 또 다른 구조로 형성되는 것을 특징으로 하고 있다. 따라서 종래 유기전기발광소자에서 문제시되었던 산소나 수분의 확산 및 침투를 방지함으로써 보다 효율적으로 유기전기발광소자가 동작할 수 있도록 하며 유기전기발광소자의 기술수준을 높일 것으로 예상된다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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재료 > 기타 금속재료
*원리 및 구성본 발명은 비정질 합금 분말을 흑연 또는 탄소 몰드에 장입 및 압축시켜 압분체를 형성하고, 압분체가 충진된몰드를 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버에 장착하며, 챔버 내부를 진공화시키고, 압분체를 제1 승온 및 가압 처리하여 제1 승온 및 가압 처리된 압분체를 제2 승온 및 가압 처리한다. 이후 제2 승온 및 가압 처리된 압분체의 온도 및 압력으로 등온 및 등압을 유지하며 압축성형된 압분체를 급속 냉각하여 벌크 비정질 합금을 제조한다.*개발배경방전 플라즈마 소결법에 의하면 최대 분당 400℃의 승온 속도와 분당 50℃의 냉각 속도를 얻을 수 있어, 일반 VHP보다 압분체의 승온, 유지 및 냉각면에서 유리하다. 특히 비정질 합금과 같이, Tg와 Tx 사이의 성형온도에서 벗어나거나 유지시간이 길어지는 경우 쉽게 결정상이 생성되는 재료의 경우, 방전 플라즈마 소결법을 이용하면 성형 공정을 빨리 진행함으로써 결정상의 생성을 방지할 수 있어 VHP 방법보다 훨씬 유리하다. 이와 같은 장점을 갖는 방전 플라즈마 소결법을 보다 효과적으로 이용하여, 각종 산업 분야에서 실질적으로 상용화될 수 있는 우수한 물성의 벌크 비정질 합금 또는 비정질 복합재료를 저렴한 생산 비용으로 제조하는 새로운 방법을 개발할 필요가 있다.*중요성 및 독창성본 기술은 방전 플라즈마 소결법(Spark Plasma Sintering:SPS)을 이용하여 매우 높은 치밀도를 갖는 벌크 비정질 합금을 제조하는 방법 및 벌크 비정질 복합재료를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 제1 승온 및 가압 처리와 제2 승온 및 가압 처리 하여 방전 플라즈마 소결법을 이용한 벌크 비정질 합금의 제조 방법 및 벌크 비정질 복합재료를 제조한다.*응용분야본 방전 플라즈마 소결법(SPS)을 이용한 벌크 비정질 합금 및 비정질 복합재료의 제조 방법에 따르면 종래의 비정질 합금 또는 복합재료의 제조 방법에 비하여 간편하고도 저렴하게 우수한 물성의 비정질 합금 또는 비정질 복합재료를 제조할 수 있다. 특히, 결정질 분말의 복합화로 형성된 본 발명의 비정질 복합재료는 향상된 파괴인성 및 연성도 가질 수 있다. 이러한 본 발명의 벌크 비정질 합금 및 비정질 복합재료는 각종 산업 분야에서 상용화가능한 형상 및 크기를 갖는다. 따라서, 상기 벌크 비정질 합금 및 비정질 복합재료는 우수한 기계적 성질을 요구하는 자동차 및 항공산업, 화학제품 및 소재, 경량 우주선, 극소형 로봇 시스템, 군수 산업 분야 등에서 유용하게 사용될 수 있다.*특징 및 장점본 기술에 따르면, 특정 승온 및 가압 조건을 갖는 방전 플라즈마 소결법을 이용하여 저렴하고 간편하게 벌크 비정질 합금 또는 복합재료를 제조할 수 있으며, 이로부터 제조된 벌크 비정질 합금 또는 복합재료는 산업상 이용 가능한 형태 및 크기와 우수한 물성을 가진다.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
자연 산화막이 형성되지 않도록 에폭시 수지와 도료를 일정비율로 배합하여 철근에 도포처리를 실시하여 부식을 방지할 수 있는 철근부식방지막의 도포방법이다.철근에 부식방지막을 도포하는 방법에 있어서, 적어도 수십개의 철근을 배열한 후 이를 중성제로 세척하는 세척공정과, 세척된 철근에 부착된 수분을 풍압 및 열에 의해서 탈수하는 탈수공정과, 탈수 후 철근에 부착된 잔류 수분을 열선을 내장한 일정 체적내의 가열장치에 의해 완전 건조하는 건조공정과, 완전 건조된 철근에 투시 검출 및 환풍 가능하도록한 밀폐체적 내에서 90중량%의 에폭시 수지와 10중량%의 도료를 배합하여 0.3~0.5mm두께로 노즐에 의해 분출시켜 도포처리하는 피막형성공정과, 피막형성중 철근의 피막에 맺혀있는 불균형한 도포 잔류물을 송풍압에 의해 제거하는 잔류물제거공정과, 도포잔류물이 제거된 철근의 도포막을 열선이 내장된 전기로에서 250℃~260℃로 3~5분간 열처리하는 공정에 의해 이루어진다.자연 산화막이 형성되지 않도록 에폭시 수지와 도료를 일정비율로 배합하여 철근에 도포처리를 실시하여 부식을 방지할 수 있는 철근부식방지막의 도포방법이다.철근에 부식방지막을 도포하는 방법에 있어서, 적어도 수십개의 철근을 배열한 후 이를 중성제로 세척하는 세척공정과, 세척된 철근에 부착된 수분을 풍압 및 열에 의해서 탈수하는 탈수공정과, 탈수 후 철근에 부착된 잔류 수분을 열선을 내장한 일정 체적내의 가열장치에 의해 완전 건조하는 건조공정과, 완전 건조된 철근에 투시 검출 및 환풍 가능하도록한 밀폐체적 내에서 90중량%의 에폭시 수지와 10중량%의 도료를 배합하여 0.3~0.5mm두께로 노즐에 의해 분출시켜 도포처리하는 피막형성공정과, 피막형성중 철근의 피막에 맺혀있는 불균형한 도포 잔류물을 송풍압에 의해 제거하는 잔류물제거공정과, 도포잔류물이 제거된 철근의 도포막을 열선이 내장된 전기로에서 250℃~260℃로 3~5분간 열처리하는 공정에 의해 이루어진다.
- 보유기관
- 한국산업기술평가원
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 티타늄과 알루미늄으로 구성된 금속 분말을 바인더와 혼합하여 분말혼합체를 형성하는 공정; 상기 분말혼합체를 사출성형하여 사출성형체를 형성하는 공정; 상기 사출성형체를 용매 내에 침지하고 교반하여 상기 바인더를 추출하는 용매 추출 단계 및 상기 사출성형체 내에 잔존하는 바인더를 열분해 방식으로 제거하는 열분해 단계를 수행하는 탈지 공정; 상기 탈지 공정을 거친 사출성형체를 예비소결하는 공정; 및 상기 예비소결된 사출성형체를 본소결하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 티타늄 알루미나이드 금속간화합물 물품의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 티타늄 알루미나이드 금속간화합물 물품의 제조 방법은 물품의 기공을 최소화하여 치밀도를 증가시킴으로써우주 항공 분야의 극초음속 항공기와 우주선의 엔진 구조제, 핵융합 원자력 발전의 노벽재, 고효율 가스 터어빈 구조재, 자동차용 엔진 밸브 등의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.본 발명의 티타늄 알루미나이드 금속간화합물 물품의 제조 방법은 제조 공정 및 공정 변수의 최적화를 통하여 금속간화합물 물품의 기공을 최소화하여 치밀도를 증가시킴으로써 연속적으로 티타늄 알루미나이드 금속간화합물 물품을 제조할 수 있다. 본 발명을 이용하여 제조된 티타늄 알루미나이드 금속간화합물은 우주 항공 분야의 극초음속 항공기와 우주선의 엔진 구조제, 핵융합 원자력 발전의 노벽재, 고효율 가스 터어빈 구조재, 자동차용 엔진 밸브 등의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
*원리 및 구성본 기술은 Cu-Al 합금 분말과 Cu 분말에 Al2O3 입자가 균일하게 혼합되어 있는 산화제 분말을 혼합하고, 혼합 분말을 진공 분위기에서 내부 산화시켜 Cu-Al2O3 합금 분말을 형성시키며, 내부 산화된 Cu-Al2O3 합금 분말을 환원시켜 CuAl2O4 또는 CuAlO2의 형태로 이루어진 복합 산화물을 제거하여 Cu-Al2O3 합금 빌렛을 제조하고, 복합 산화물이 제거된 Cu-Al2O3 합금 빌렛을 진공 분위기에서 가열하여 합금 빌렛 중에 포함되어 있는 가스 물질을 제거하며, 탈가스 처리된 Cu-Al2O3 합금 빌렛을 고온 압출하여 만든 합금 제조 기술에 관한 것이다.*개발배경구리 합금은 열처리 시 구리 기지 내에 미세한 상을 석출시켜 높은 강도를 얻는 합금이며, 대표적인 합금으로는 Cu-Be, Cu-Ti, Cu-Cr 합금이 있다. 이 중 Cu-Be와 Cu-Ti 합금은 강도는 높지만 전기 전도도가 나빠, Cu-Cr 합금이 접점 및 전극 재료로 주로 사용되고 있다. 그러나, 이 Cu-Cr 합금은 200℃ 이상의 온도에서 석출물이 조대화되어 강도, 경도, 내마모성이 급격히 감소되어, 전극재로 쓰일 경우 용접 tip이 쉽게 마모되어 생산성이 크게 나빠진다. 또한, 점 용접(spot welding) 중 피용접재와의 합금화가 일어나 용착성이 나빠질 수 있다.*중요성 및 독창성본 기술에 따른 Cu-Al2O3 합금은 높은 전기 전도도 및 고온 물성, 용접성, 용착성 및 생산성 등이 우수한 Al2O3 분산상이 균일하게 분포된 분산 강화형 Cu-Al2O3 합금의 제조 기술이다.*응용분야본 기술에 따른 합금은 전도성이 뛰어나고 고온에서의 물성 또한 변화가 적어 용접용 접점이나 전극 재료에 사용될 수 있다.*특징 및 장점본 기술에 따른 Cu-Al2O3 합금은 구리 합금 분말의 조성과 크기, 산화제의 양, 내부 산화 및 압출 조건 등을 충분히 고려하여 물성을 저해하는 잔류 구리 분말까지도 Al2O3 분산상이 석출되어 분포될 수 있도록 함으로써 상온및 고온 물성을 향상시킨 Cu-Al2O3 합금을 제조할 수 있다. 또한, 높은 전기전도도, 고온 물성, 우수한 용접성 및 용착성 등이 요구되는 접점 및 전극 재료로 쓰일 수 있으며, 전자 제품이나 자동차 생산 라인의 용접 자동화에 필수적인 접점 및 전극 재료가 될 수 있다.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 기술은 수소 내의 불순물에 의한 수소 저장 합금의 성능 저하를 방지하기 위하여 수소 분자, 원자 또는 이온만을 선택적으로 투과시킬 수 있는 수소 분리막이 수소 저장 합금 표면에 씌워진 수소 저장 합금을 제공하기 위한 것이다.본 기술에 따른 수소 분리막을 갖는 수소 저장 합금은 수소, 산소, 일산화탄소 등 혼합 기체나 H + , O2- , OH- , S2- 등의 혼합 이온 중에서 수소 기체와 수소 이온(H+ )만을 수소 분리막이 선택적으로 투과시키게 되므로 수소 기체 내에 있는 불순 기체의 영향을 배제하게 되며, 수소 저장 합금 표면에 불순 기체에 의한 화합물의 생성도 일어나지 않게 됨과 동시에 수소 저장 합금에 고순도의 수소만 저장할 수 있게 하므로 수소 저장 합금의 성능을 향상시킬 수 있고, 수명도 증가시킬 수 있는 효과가 있다.수소 저장 합금 분말, 소결체 또는 박막으로 이루어진 수소 저장 합금과 수소 원자, 분자 또는 이온만을 선택적으로 투과할 수 있는 불소함유고분자물질 또는 폴리에틸렌옥사이드의 고분자 물질로 이루어진 수소 분리막을 박막 형태로 적층되어서 이루어진 것을 특징으로 하는 수소 분리막을 갖는 수소 저장 합금.상기 분리막은 수소 저장 합금의 분말 또는 박막 위에 직접 입히거나, 수소 저장 합금의 소결체 또는 수소 저장 합금의 박막을 그 위에 입힐 수 있는 것을 특징으로 하는 수소 분리막을 갖는 수소 저장 합금.상기 분리막의 코팅은 글래스 캐스팅, 탁터 블래이드 또는 분무 등에 의해서 실시하는 것을 특징으로 하는 수소 분리막을 갖는 수소 저장 합금.
- 보유기관
- 창원상공회의소
- 등록일
- 2006-05-11
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 기술의 희토류 금속 함유 티탄산 비스무스 강유전 물질인 Bi4-xRxTi3O12 (단, R은 Nd, Gd, Pr, Sm 또는 이들의 혼합물이며, x는 0.25 내지 1.25의 수임)는 700 ℃ 이하의 낮은 상 생성온도 및 15 μC/cm2 이상의 높은 잔류 분극값(2Pr)을 가지며, 반복적인 장기간의 분극 반전후의 비휘발성 분극 감소량이 20% 이하로서 피로 현상에 대한 내구성이 우수한 특성을 갖는다. 하기 화학식 1의 조성을 가진 강유전 물질: Bi 4-x R x Ti 3 O 12 상기 식에서, R은 Nd, Gd, Pr, Sm 및 이들의 혼합물로 이루어진 군 중에서 선택된 희토류 금속이고, x는 0.25 내지 1.25 범위의 수이다.티탄산 비스무스는 강유전체로 알려져 있으며, 융점이 낮고 휘발성이 강한 물질이다. 이러한 강유전 현상의 근원은 티탄산 비스무스 결정격자내의 페로브스카이트(perovskite) 단위격자로서, 이는 비스무스에 인접해 있으며 비교적 안정성이 낮다. 따라서, 티탄산 비스무스 강유전 물질에 전기장을 반복적으로 인가하여 분극 반전시킬 경우 페로브스카이트를 구성하는 산소원자가 소실될 가능성이 높고 이는 분극 반전의 피로현상을 발생시켜 잔류분극의 감소가 유발되고 이에 따라 재료의 신뢰성이 저하된다. 페로브스카이트의 안정성을 증가시키기 위하여 페로브스카이트 단위격자를 유지하면서 티탄산 비스무스 결정격자내의 비스무스를 대체할 수 있는 원소들을 검토하였다. 그 결과, 원자가가 비스무스와 동일한 +3이면서 이온반경도 비스무스와 유사하여 결정격자내의 비스무스를 용이하게 대체할 수 있을 뿐 아니라 높은 상전이 온도를 유발할 수 있는, 희토류 금속, 예를 들어 Nd, Gd, Pr 및 Sm을 도출해내었다. 상기 희토류 금속 함유 티탄산 비스무스 강유전물질인 Bi4-x Rx Ti3 O12 는 도 1에 도시한 바와 같은 결정구조를 갖는다. 본 기술의 희토류 금속 함유 티탄산 비스무스 강유전 물질은 박막, 세라믹과 같은 벌크(bulk) 등의 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 높은 잔류 분극값 및 반복적인 분극 반전시 발생하는 피로 현상에 대한 내구성이 요구되는 각종 강유전물질의 응용분야, 예를 들면 강유전 메모리, 센서, 전자광학 분야 등에 효과적으로 이용될 수 있다.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
*원리 및 개요본 기술은 음파유속계 고정장치에 관한 것으로, 음파유속계를 소형선박에 탈부착시킴으로써 음파유속계를 보다 효율적으로 사용함과 더불어 유속의 측정을 편리하게 할 수 있도록 된 음파유속계 고정장치에 관한 것이다. *중요성 및 독창성1) 고정장치가 음파유속계를 간편하게 고정한 상태로 선박에 탈부착이 가능하기 때문에 사용시 편리함을 줄 수 있다.2) 적은 비용으로 우리 나라와 같이 수심이 얕거나 섬이 많은 협소한 장소에서도 어선 등 소형선박에 간편하게 부착하여 해양의 유속을 관측할 수 있다.*특징 및 장점1) 해수에도 부식되지 않는 주로 Stainless로 ADCP((Advanced Display Core Processor)를 내장하는 수중부분과 관측 수심의 높낮이를 조정할 수 있는 파이프로 제작하였다.2) 고정장치를 선박의 현에 고정하는 죄는 기구가 있다. 3) 수중부분은 유선형이며 앞뒤로 파이프의 휨과 분실을 방지하기 위하여 로프를 연결할 수 있도록 하였다. 4) 기존의 음파유속계는 선박의 기초가 되는 부분을 뚫고 장비를 장착하거나 배의 꼬리쪽에서 끌어당기는 형태로서 대형 선박에서만 운용이 가능했다. 그러나 본 기술은 중.대형 해양조사선 운용이 어려운 해안근처에서 소형선박을 활용하여 해수유통의 공간분포를 파악하기 위한 적절한 장비로, ADCP외에 수질센서등의 부착도 가능하여 향후 해안선 근처 해양환경 조사에 있어 광범위하게 활용될 수 있다.5) 고정몸체의 좌우측에 각각 체결홀이 형성된 연결부재가 설치되고, 연결부재의 각 체결홀에 로우프를 연결하여 선박의 현에 로우프를 고정함으로써 고정몸체를 고정할 수 있도록 되어있다.
- 보유기관
- 한국해양과학기술원
- 등록일
- 2006-04-13
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재료 > 기타 금속재료
본 발명은 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 산소/아르곤 유량비 조절을 통한 금속이 도핑된 ZnO 박막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 금속을 도핑시켜 ZnO 박막을 제조하는 공정에 있어서, 혼합기체로 흘려주는 산소/아르곤의 유량비를 조절함으로써 ZnO:Al 박막의 결정성, 광학적 특성, 전기적 특성, 투과도 등이 향상된 ZnO 박막의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의하면 결정성 및 표면 형상이 우수하고, 전기 전도성과 같은 전기적 특성이 향상된 ZnO 박막을 제조할 수 있다. 그 결과, 다양한 응용성으로 주목받고 있는 ZnO 박막의 응용 분야에서 그 적용 가능성을 높일 것으로 기대된다. 특히, 디스플레이 장치 분야에서 투명전극으로 사용되고 있는 종래의 ITO를 대체함으로써, 고가의 디스플레이 장치 등의 가격을 하락시킬 수 있을 것으로 기대된다.최근, Ⅲ 내지 Ⅴ족 또는 Ⅱ 내지 Ⅳ족의 화합물 반도체에 대하여 광소재로 활용하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다. Ⅲ 내지 Ⅴ족 화합물 반도체 가운데 특히 질화갈륨 계열의 연구가 많이 이루어져 있고, Ⅱ 내지 Ⅳ족 화합물 반도체에서는 GaN과 유사한 특성을 갖는 산화아연에 관한 연구가 많이 이루어져 왔다. 즉, ZnO는 GaN과 동일한 우르짜이트 결정 구조를 가질 뿐만 아니라, 격자 부정합도가 2.2% 정도에 불과하다는 특성을 이용하여 GaN 박막 성장과정에서 사파이어 기판과의 큰 격자 부정합도(16.7%)로 인한 계면에서의 결함 밀도를 줄이려는 목적으로 ZnO를 버퍼층으로 사용하는 연구가 주로 진행되어 왔다. 그러나, ZnO는 상온에서 3.3 eV의 넓은 밴드 갭의 직접 천이형 에너지 밴드갭을 가지고 있어 기존의 자외선/청색 발광 다이오드(LDE) 및 레이저 다이오드(LD) 소자의 재료인 GaN과 유사한 광학적 특성을 가지고 있다. 특히, 상온에서 GaN의 3배나 되는 여기 구속 에너지를 갖는 바, 고효율의 발광이 가능하고, 레이저 펌핑에 의한 자발적 발광시 문턱에너지가 매우 낮다는 좋은 특성을 가지고 있는 것으로 보고되어 있다. 이외에도 ZnO는 음향 광학 소자, 강유전체 메모리, 태양전지, 평면 패널 표시창의 투명 전극, 광(廣)밴드갭 고출력 소자, 가스 센서 등 다양한 응용 분야에 적용될 수 있어 큰 주목을 받고 있다.디스플레이 장치의 발전으로 인해 ZnO 박막의 다양한 응용분야 가운데 최근 주목을 받고 있는 분야는 종래의 인듐-주석 산화물로 이루어진 투명전극을 대체하기 위한 투명 전도성 박막으로서의 응용 분야이다. 투명 전도성 박막은 현재 매우 빠른 속도로 발전하고 있는 디스플레이 장치, 예를 들면, 액정디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널, 유기 ELD 등과 태양전지, 전자파 차폐막 등 그 용도가 매우 다양하다. ZnO계 박막은 적외선 및 가시광선 영역에서의 투과성 및 전기 전도성과 플라즈마에 대한 내구성이 우수하며, 낮은 온도에서 공정이 가능하고 원료 가격이 저렴하여 ITO 투명 전도성 박막을 대체할 수 있는 물질로서 각광을 받아왔다. 이러한 ZnO 박막을 성장시키는 방법들 가운데 스퍼터링법이 쉽게 고품위의 박막을 얻을 수 있기 때문에 많이 사용된다. 스퍼터링법은 웨이퍼에 금속 박막과 절연체를 적층하는 방법이다. 스퍼터링의 원리는 강철공을 콘크리트벽에 던지는 것과 같은 물리적인 공정이다. 마그네트론 스퍼터링은 반도체를 적층하는 방법으로서, 상기 장비는 타겟 후방 또는 측면에 자석을 설치하여 반응실 내에서 방사를 일으키는 전자 및 타겟을 가열하는 전자들을 제거한다. 상기 자석은 배회하는 전자를 포획하여 타겟 근처에 가두어 놓는다. 이때 이온 전류는 보통 다이오드 스퍼터 장치보다 열 배 정도 높기 때문에, 더 낮은 압력에서 더 빠르게 금속 막을 적층할 수 있다. 투명 전도성 박막으로서 ZnO계 박막은 불순물이 첨가되지 않은 ZnO계 박막의 경우 대기 중에 장시간 노출되는 경우 산소의 영향으로 Zn과 O의 정량비가 변함에 따라 전기적 성질의 변화가 발생하고, 고온 분위기에서 안정하지 못한 단점이 있었다. 따라서, 이의 문제점을 보완하기 위해 연구자들은 Al을 도핑함으로써 투명 전도성 박막으로서의 필수 요건인 전기 전도도 및 투과도를 향상시키는 데 성공하였다. 다만, ZnO:Al 박막을 제조함에 있어서, 그 최적의 제조 조건에 대한 체계적인 보고가 없는 실정이다. 이에, 본 발명은 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 금속이 도핑된 ZnO 박막을 제조함에 있어서, 상기 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성이 산소/아르곤의 유량비에 의존하는 것을 발견하여 구조적, 전기적, 광학적 특성이 우수한 ZnO계 투명 전도성 박막의 제조를 위한 최적 조건을 완성하였다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-11
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