원적외성 복사기 도장재의 조성물
98%이상의 원적외선 효과를 나타낼 수 있는 무기질 코팅 조성물의 제조기술98%이상의 원적외선 효과를 나타낼 수 있는 코팅조성물
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- 2000-11-22
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검색 결과 571건
12 / 29 페이지온수통 표면과 연도내벽에 내산내열 코팅재가 피막된 내부시성 온수보일러
일산화탄소와 이산화탄소 가스에 대한 재부식성 및 내열성이 우수한 법랑코팅유약의 개발 및 이를 코팅한 요수보일러의 특성 및 개발내식성이 우수한 금속재 코팅용 법랑유약
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- 2000-11-22
전계 발광 소자용 플로렌계 교대 공중합체 및 이를 발광재료로 사용한 전계 발광 소자
본 발명에 따라 전계 발광 소자의 발광재료로서 사용되는 다음 일반식(I)의 플로렌계 교대공중합체가 제공된다. 또한 본발명에 따라 상기 플로렌계 교대공중합체를 발광층의 발광재료로서 사용한 양극/발광층/음극, 또는 필요시 여기에 전달층및/또는 반사층이 포함되도록 구성된 전계 발광 소자도 제공된다.
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- 2000-11-22
우선 배향성 강유전 박막의 제조방법
백금/티탄/산화규소/구소(Pt/Ti/SiO2/Si)가 순차적으로 적충된 기판 위에 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물(SrBi2Ta2O9)을박막원료로 하고 알 에프 마그네스트론 스퍼터링법(R. F. magnetron sputtering)을 이용하여 강유전 스트론튬 비스무스탄탈륨 산화물(SrBi2Ta2O9) 박막을 제조함에 있어서 일정한 비율로 아르곤과 산소 존재하에 증착시켜 우선 배향성의 불휘발성 강유전 스트론튬 비스무스탄탈륨 산화물(SrBi2Ta2O9) 박막의 제조방법에 관한 것임.)본 발명의 사용 기판 위에 알에프 마그네트론 스퍼터링법으로 본 발명 사용산화물을 증착하여 박막을 형성하는데, 박막을 중착할때의 압력을 조절함으로써 우선 배향성을 가지는 불휘발성 강유전박막을 제조하는 것을 특징으로 하고 있다. 이렇게 함으로써 공정 단순화 와 함께 이로 인한 생산 효율 증대 및 공정 최적화 효과를 얻을 수 있게 된다.
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- 2000-11-22
내화단열피복 조성물과 그 제조방법
O 내화단열피복 조성물과 그 제조방법 - 본 기술은 대형 및 고층건물에서의 화재발생시 화염 및 고열에 의해 철 구조물의 강도가 저하되는 것을 방지하기 위하여 철구조로 된 건축물 및 각종 구조물의 표면에 코팅하는 퍼라이트 및 질석을 주재로 한 내화단열 조성물과 그 제조방법에 관한 것임. - 최근 건축물의 고층화 대형화 추세에 따라 건축물의 구조물도 기존의 콘크리트 에서 점차 철근구조물로 대체되었다. 이에따라 대형건축물에서의 화재발생시 대형의 인명사고와 연계될 가능성이 높아짐에 따라 건축당시 이러한 기술을 현장에 적용 구조물의 붕괴를 사전에 차단하므로서 화재 발생시 건축물의 붕괴를 막을수 있을것으로 기대된다. O 종래 건축물에 사용한 내화물로는 석면 및 암면을 주로사용하였으나 이러한 물질은 발암 물질로 밝혀짐에 따라 최근에는 무기질 섬유상의 암면계에 주점결제로 시멘트를 사용하고 첨가제로서 수산화칼슘, 유산반토등을 혼합하여 사용하고 있다. 그러나 이러한 암면계 내화피복재는 비중이 작고 내화성능이 우수한 장점을 가지고 있으나 시공시 많은분진이 발생하여 주변환경을 오염시킴은 물론 시간이 경과함에 따라 피복재의 박리 및 무기섬유인 암면의 비산현상이 발생하여 인체의 호흡기 및 피부질환을 일으키는 단점을 가지고 있다. O 따라서 본 연구에서 고안된 기술은 기공이 많이 함유되어 있어 비중이 경량이고 분진등의 오염발생을 일으키지 않으면서 급결성을 갖추고 있어 피복물의 처짐현상이 나타나지 않아 1회의 시공으로 충분한 내화피복두께를 형성함과 동시에 표면경도 및 강도가 초기뿐만 아니라 장기간 경과시에도 우수한 무기질 불연재료인 퍼라이트 또는 질석을 주재로 한 내화 피복단열물인 것이 특징이다.
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- 2000-11-22
PB(ZR1-XTIX)O3(PZT) 강유전 박막 제조방법
본 발명에 의한 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타겟 성분의 Pb량(또는 PbO량)을, 증착된박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 PbO 성분이 함유되도록 조절하거나, 혹은 그 증착압력을 5-100mTorr로 조절하여, 상기 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 저온증착하도록 이루어져, 1) 씨앗층을 도입하지 않고서도 기존의 경우보다 낮은 온도에서 우수한 결정성을 갖는 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 제조할 수 있고, 2) 고온증착시 발생되는 박막 조성 조절의 어려움이나 상기 박막을 사용하여 제조한 강유전 기억소자의 스위칭 특성 저하 등과 같은 현상을 제거할 수 있으며, 3) Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막의 피로 특성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.)본 발명에 의한 PZT 강유전 박막의 제2 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr1-xTix)O3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타겟 성분의 PbO량을, 증착되는 박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 Pbo 성분이 함유되도록 조절하므로써, 저온에서 PZT 강유전박막이 형성되도록 이루어진 것을 특징으로 한다.
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- 2000-11-22
발광성 티탄산 바륨의 제조 방법
본 발명은 바륨과 티탄을 포함하는 유기 전구체를 사용하여 열처리함으로써 발광 특성을 갖는 티탄산 바륨을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 따라, 종래의 제조 방법에 의해서는 전기적 재료로서만 사용가능했던 티탄산 바륨에 발광 특성을 부여하여 전기, 발광 등의 복합 기능을 갖는 재료를 제조할 수 있다.본 발명 발광성 티탄산 바륨의 제조 방법은 공기중에서 400 내지 600℃에서 24시간 미만으로 열처리함으로써 티탄산 바륨에 발광성을 부여하여 전기, 발광 등의 복합 기능을 갖는 티탄산 바륨을 제공하며, 또한 이 제조 방법에 의해 자발적으로유도되는 분위기에 의한 특정 조건하에서 티탄산 바륨중 티타늄 원자의 화학적 상태가 변경되므로 종래 전자 재료로의 응용 뿐만 아니라 발광재료로서도 사용가능한 티탄산 바륨을 제조할 수 있다. 특정 분위기의 형성을 위한 외부로부터의 가스 도입이 필요치 않아 제조 공정이 간단하며, 제조 단가가 낮고, 산업적 규모의 제조에 적합하다. 게다가, 이러한 유기전구체를 스핀 코팅 및 딥 코팅에 응용함으로써 전기 발광 재료로서의 응용이 가능한 고기능성 박막 재료를 제조할 수 있다.
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- 2000-11-22
액상 화학 반응법을 이용한 미세 기공 무기막의 제조 방법
본 발명은 액상 화학 반응법을 이용한, 한외여과 또는 기체 분리 등에 사용 가능한 미세 기공 무기막의 제조 방법에 관한것으로서, 본 발명에 의한 방법은 다 공성 지지체의 벽을 사이에 두고 한 쪽 면으로는 금속염 용액을, 반대 쪽 면으로는알칼리 유체를 각각 흘려 보냄으로써, 상기 지지체의 표면이나 기공 내부에 이와 같이 생성된 무기층을 건조시킨 후에,고온 소결시켜 금속 산화물층을 형성시키는 것으로 이루어진다.본 발명에 의한 제조 방법은 단 한 번의 반응을 통해서 종래의 솔-젤법에 의한 미세 기공 무기막보다 안정한 박막을 제조할 수 있으므로, 제조 효율성을 증가시켰을 뿐만 아니라, 제조 비용 또한 절감할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조 방법에의해서는 기공 크기의 제어가 가능하고, 박막의 두께 및 박막 형성 위치 조절이 용이한 특징을 가짐으로써, 박막 제조에있어서 재현성을 확보할 수 있다.박막의 두께 및 박막 형성 위치 조절이 용이
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- 2000-11-22
실리콘 촉매의 제조방법
본 발명은 고리형 3차 아민의 결합된 유기 트리알콕시실란을 적당한 유기 규소 화합물과 함께 중합시켜서 고체상의 실리콘 수지를 합성하고 이를 압출하여서 국수와 같은 가락형태로 성형하여 고정형 반응조에서 염화실란들을 불균등화시켜 실란을 제조할때에 사용하는 촉매의 제조방법에 관한 것이다.
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- 2000-11-22
침상의 다이아몬드 팁 제조방법
본 발명은 전계 방출부로 사용할 수 있는, 선단의 곡률이 큰 다이아몬드 팁 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에, 표면조직이 정사각형의 (100)면과 주위의 (111)면으로 이루어지고 다이아몬드의 성장면인 (100)면과 (111)면 뒤에 각각 형성된다이아몬드의 결함 밀도가 서로 다른, 다이아몬드 주상입자로 이루어지는 다이아몬드 막을 형성하는 단계 및 상기 다이아몬드 막을 산소 함유 기체를 사용한 플라즈마로 식각하는 단계로 이루어진다. 본 발명의 또다른 방법은 기판 위에, 표면조직이 정사각형의 (100)면과 주위의 (111)면으로 이루어지고 다이아몬드의 성장면인 (100)면과 (111)면 뒤에 각각 형성된 다이아몬드의 결함밀도가 서로 다른, 다이아몬드 주상입자로 이루어지는 다이아몬드 막을 형성하는 단계; 상기 다이아몬드막 위에 지지후막을 형성하는 단계 및 상기 기판을 제거하는 단계로 이루어지고, 상기 단계중 어느 한 단계 이후에상기 다이아몬드막을 기체를 사용한 플라즈마로 식각하는 것으로 이루어진다.본 발명은 다이아몬드막의 성장형태인 주상조직의 집합조직(texture)형성기구 및 성장면에 따른 결정결함의 차이에 근거하여 다이아몬드막의 식가의 이방성을 이용한, 선단의 곡률이 큰 다이아몬드 팁 제조 방법을 제공한다.C
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- 2000-11-22
고분자와 규소 화합물을 이용한 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료 제조법
본 발명은 기지상인 질화규소 분말에 고분자 및 규소 화합물을 첨가시켜 혼합한 후, 혼합물 중의 고분자를 탄화시켜 생성된 탄소 (C)를 질화규소의 산화막 또는 첨가한 규소 화합물과 반응시킴으로써, 초미립인 탄화규소가 고르게 분산된 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법으로 종래 방법에 비해 제조 단가가 저렴하고 탄화규소의 분산 특성이 우수한 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료를 제조할 수 있다.본 발명에 따른 질화규소/탄화규소 초미립 복합 재료용 분말의 제조 방법은 질화규소 분말에 고분자 및 규소 화합물을 첨가하고, 고분자를 탄화시켜 생성되는 탄소와 질화규소 표면의 산화막과 규소 화합물을 반응시키는 것을 특징으로한다.
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- 2000-11-22
실릴알킬화 페로센 유도체 및 그들의 제조방법
페로센과 알릴디메틸클로로실란을 질소가스하에 반응하여 일반식(1)의 신규한 실킬알킬화 페로센 유도체를 제조할 때에프리델-크라프트 촉매인 알루미늄 클로라이드를 알리디메틸클로로실란에 대하여 5∼10몰% 첨가하여 금속 유기화합물인 일반식(1)의 신규한 실릴알킬화페로센 유도체 및 그들의 제조 방법에 관한 것으로 이 화합물은 유기금속화합물인 페로센을함유하고 있어 실리콘 폴리머의 내열성 향상에 기대되는 화합물 임.본 발명은 페로센과 알릴디메틸클로실란을 루이스 산 촉매하에 프리델-크라프트 반응으로 일반식 (1)로 표시되는 신규한실릴알킬화 페로센 유도체 및 그들의 제조방법에 관한 것이다. 이 화합물은 유기금속화합물인 페로센을 함유하고 있어 실리콘 폴리머의 내열성 향상에 기대되는 화합물이다.
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- 2000-11-22
투명열절연 다층박막 및 그 제조방법
발명은 투명열절연 다층박막에 관한 것으로, 특히 금속층을 사이에 두고 내외측으로 산화물층이 형성된 다층구조의 열절연박막에서 금속층과 산화물층의 사이에 중간층을 개재시켜 내시효특성을 향상시킨 투명열절연 다층박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.일반적으로 건물이나 자동차의 유리창이나 투명한 플라스틱에 코팅되어 사용되고 있는 투명열절연 박막은 가시광선 영역의 입사광에 대해서는 높은 투광성을 나타냄으로 투명한 상태를 나타내는 한편 적외선 영역의 입사광선에 대해서는 높은반사율을 나타내어 열의 흐름을 차단하므로써 이러한 특성을 지닌 투명열절연 박막이 형성된 유리창등은 유리창 본래의투명성을 간직한채 열차단에 의한 실내의 냉, 온방 효율을 증대시키는 효과를 발휘하게 된다.이러한 투명열절연 다층박막의 기본적인 구조는 내,외산화물층의 사이에 금속층이 개재된 산화물층/금속층/산화물층과 같은 샌드위치 구조로 이루어지며, 통상적으로 폴리에칠렌 테레프타레이트, 폴리프로필렌 또는 폴리카보네이트 필름등의 투명고분자 플라스틱 필름위에 진공증착법, 화학기상증착법 또는 스퍼터링 방법으로 산화물층→금속층→산화물층 순으로 순차적으로 형성시켜 다층박막을 제조한 후 유리창에 부착하여 사용하거나 혹은 유리표면에 직접 다층박막을 형성하여 사용하고 있다.투명열절연 다층박막에서 산화물층은 높은 투광도를 갖기 위해 굴절율이 높아야 하며 내부의 금속층을 외부환경으로부터보호하기 위하여 화학적으로 안정하고 기공율이 낮아야 할 뿐만 아니라 금속막의 핵생성이 용이하여야 하고 금속층과의확산이 적어야 한다.그리고 금속층은 가시광선 영역의 광선에 대해서는 투광율이 높으면서 적외선 영역의 광선에 대해서는 반사율이 높고, 또한 화학적으로 안정하면서 미관상 무색을 띠어야 한다.위에서 열거한 바의 다층박막에서 요구되는 여러 특성이 구비된 다층박막의 제조기술로는 다음과 같은 대략 세가지 형태가 알려져 있다.(1) 미국 특허 제4,462,883호 및 제4,716,086호 ; 산화물층/은층/산화물층형(2) 미국 특허 제4,834,857호 및 제4,806,220호 ; 산화물층/산화물층/금속층/산화물층/산화물층형(3) 미국 특허 제4,898,789호 ; 산화물층/금속층/은층/산화물층/금속층/은층/산화물층형그런데. 상기 세가지 형태의 종래 투명열절연 다층박막 제조기술에 있어서, (1)과 (2)의 방법에 의해 제조된 투명열절연다층박막은 사용기간이 경과됨에 따라 적외선 반사율이 점차적으로 낮아지게 되는 시효특성(時效特性)을 나타내는 단점이있으며, (3)의 방법에 의해 제조된 투명열절연 다층박막의 경우에는 내시효특성은 우수한 반면에 제조공정이 복잡하여 제조비용이 높다는 단점이 있다.따라서, 본 발명은 종래의 투명열절연 다층박막의 제조방법에서 문제점으로 지적되고 있는 시효특성과 제조공정의 복잡화를 해결하기 위한 방편으로 산화물층/금속층/산화물층의 구조를 띠는 투명열절연 다층박막의 제조시 금속층과 산화물층의사이에 중간층을 형성하여 비교적 간단한 제조공정으로 우수한 내시효특성을 갖는 투명열절연 다층박막을 제공하는데 목적이 있다.본 발명은 양 산화물층 사이에 위치하는 금속층으로서의 은층의 한쪽 또는 양측 표면에 크롬, 게르마늄, 실리콘, 바나디움, 티타늄, 지르코늄 또는 그 합금으로 구성된 중간층을 5~50Å의 두께로 형성시킨 데에 기술적 특징이 있다.우수한 내시효특성을 갖는 투명열절연 다층박막을 제공
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- 2000-11-22
가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조방법
본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.연본 발명에서는 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속공정없이 직접 형성시키는 방법을 제공하는 것이다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
고투자율, 저보자력의 Fe-Hf-B 3원계 비정질 연자성 합금 및 그의 제조 방법
본 발명은 새로운 Fe-Hf-B 3원계 비정질 연자성 합금에 관한 것이다. 더욱 구체적으로 말하자면, 본 발명 투자율 및 자속밀도가 높고, 열적 안정성이 우수하며, 자기 변형 및 보자력이 작아 고주파수 영역에서 사용 가능한 Fe-Hf-B 3원계 비정질 연자성 합금 및 그의 제조방법에 관한 것이다.일반적으로, 각종 자심 재료로 이용되는 합금으로는 투자율이 크고 자기 이력 손실이 작으며 보자력이 작은 재료가 적합하다. 또한 자심 재료는 일반적으로 교류 자장에서 사용되기 때문에 와전류 손실이 작아야 하는데, 이러한 목적으로는 전기 저항이 크고 두께가 얇은 것이 좋다.자심 재료로 사용되고 있는 Fe계 합금은 일반적으로 결정질 합금과 비정질 합금으로 나누어진다.Fe계 결정질 합금 재료로는 8kG 이상의 자속 밀도를 가지는 고투자율의 연자심용 Fe-Si 합금, Fe-Ni 합금, Fe-Ni-Mo 합금등이 있으며, 이들은 각각의 특성에 따라 여러 분야에서 이용되고 있다. 그러나, 이들 금속 재료는 제조 및 사용시 각각아래와 같은 많은 문제점을 가지고 있다.Fe-Si 합금은 변압기 및 모타의 철심으로 사용되지만, 제조 공정이 복잡하고 주용도가 상용 주파수 영역에 국한되므로1kHz 이상 대역이 고주파 용도로는 사용하기가 어려운 문제점이 있다. Fe-Ni 합금 및 Fe-Ni-Mo 합금 등은 퍼말로이로 불리어지며, 주로 자기 증폭기, 리액터, 펄스 변성기 등의 재료로 이용되고 있다. 그러나, Fe-Ni-Mo 합금(Ni 79% ; Mo 5% ; 나머지 Fe)은 보자력이 6mOe이고, 최대 투자율이 500,000∼600,000이며, Fe-Ni 합금(Ni 45%)은 포화 자속 밀도가 15kG이고, 보자력이 약 100mOe이며, 각 형비가 약 50%이고, 최대 투자율이25,000∼60,000으로 정자기록성을 나타내지만, Ni을 45 내지 85% 함유하므로 원료 값이 비싸다. 또한, 이들은 와전류 손실이 커서 고주파수 영역에서는 사용될 수 있으며 제조 공정이 복잡하다.한편, Fe계 비정질 합금으로서는 Fe-Ni-P-B계, Fe-B계, Fe-Si-B계 등이 있으며, 그 조성에 따라 상기 각종 결정질 고투자율 금속 재료에 비견될 정도로 보자력이 작고, 투자율이 크며, 자심 손실이 작은 우수한 자기 특성이 얻어지는 것으로 알려져 있다. 그러나, Fe-Ni-P-B계 비정질 합금은 내식성 및 열적 안정성이 부족하며, 포화 자속 밀도가 7kG 이하로 작은결점이 있고, Fe-B계, Fe-Si-B계 비정질 합금은 포화 자속 밀도가 15kG 이상으로 크고, 자심 재료로 유망한 비정질 합금이지만, 포화 자기 변형이 30×10-6 이상으로 크기 때문에 고주파용으로서의 사용상에 큰 문제가 있다.이와 같은 Fe계 비정질 합금의 문제점을 해결하기 위해서는 자기 변형을 감소시키고, 고주파 영역에서의 저자심 손실 및고투자율을 실현시킬 수 있어야 한다. 이러한 조건을 만족시키는 Fe계 비정질 합금으로는 Fe-Mo-Si-B계 합금[일본국 공개특허 (평) 1-123050호] 및 고자속 밀도 저자기 변형 Fe계 비정질 합금[일본국 공개 특허 (소) 56-33453호]이 발표되어 있다. 그러나, 전자는 결정화 온도가 450℃∼500℃ 정도로 낮고 고주파 영역에서의 자심 손실값이 크다는 단점이 있고, 후자는 보자력이 크고 실효 투자율 값이 작다는 단점이 있다.본 발명자들은 종래의 Fe계 비정질 합금이 갖는 상기 문제점들을 해결하기위하여 예의 검토한 결과, Hf를 주요 비정질 형성 원소로 함유하는 Fe-Hf-B계 합금이 상기 문제점을 해결할 뿐만 아니라, 우수한 자기 특성을 가져서 자심 재료로 이용하기에 적합하다는 사실을 발견함으로써 본 발명을 완성하기에 이르렀다.따라서, 본 발명은 목적은 종래의 Fe계 비정질 합금의 문제점을 해결한 자속 밀도가 높고 열적 안정성이 우수하며 자기변형이 작아 고주파수 영역에서 사용가능한 고투자율 저보자력의 Fe-Hf-B 3원계 비정질 합금, 특히 자심 재료로 사용하기에 적합한 Fe계 비정질 합금을 제공하기 위한 것이다.본 발명의 다른 목적은 자속 밀도가 높고 열적 안정성이 우수하며 자기 변형이 작아 고주파수 영역에서 사용가능한 고투자율 저보자력의 Fe-Hf-B 3원계 비정질 합금의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.상기 본 발명의 목적은 조성이 Fe 78 내지 85원자%, Hf 6 내지 9원자% 및 B 내지 13원자%를 주성분으로 하는 합금을 용해시킨 다음, 이를 초급냉시켜 비정질화시키고, 이어서 퀴리 온도 이상 결정화 온도 이하의 적정 온도에서 소정의 열처리를행함으로써 얻어지는 Fe-Hf-B 3원계 비정질 연자성 합금에 의해 달성된다.본 발명의 다른 목적은 자속 밀도가 높고 열적 안정성이 우수하며 자기 변형이 작아 고주파수 영역에서 사용가능한 고투자율 저보자력의 Fe-Hf-B 3원계 비정질 합금의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
고투자율 및 저자심 손실의 Fe계 비정질 연자성 합금
본 발명은 고주파용 자심 재료에 관한 것으로, 특히 Fe-Zr-B-M 4원계를 기본 조성으로 하여 고주파수 대역, 특히 10kHz이상에서 높은 투자율 및 낮은 자심 손실의 우수한 연자기 특성을 가지고 있어서, 자기 증폭기, 고주파 변압기, 자기 센서, 각종 쵸크 코일, 노이즈 억제 소자 등의 자심으로 이용하기에 적합한 비정질 합금 재료에 관한 것이다.일반적으로, 자심에 이용되는 연자성 재료의 예로서, 퍼말로이, 페라이트 등을 들 수 있다. 그러나, 페라이트는 포화 자속 밀도(BS)가 대략 4∼5kG 정도로 작아, 큰 자속 밀도에서 사용할때에는 자기 포화로 인하여 자심 손실이 커지며, 퀴리온도가 낮아 사용 온도가 낮게 한정되는 결점이 있다. 또한, 퍼말로이는 포화 자속 밀도와 퀴리 온도가 페라이트보다는높지만, 전기 저항이 작기때문에 고주파 영역에서 자심 손실이 크게 되는 결점이 있다.Fe, Ni 및 Co를 주성분으로 하고 반금속으로서 Si, B, P, Al 등을 함유한 용융 금속을 단롤법 또는 쌍롤법에 의해 104∼106Å/초 정도의 냉각 속도로 급냉ㆍ응고시키면, 무질서한 원자 배열을 갖는 비정질 합금 리본을 얻을 수 있다.이와 같이, 결정 구조를 갖지 않는 비정질 합금은 본질적으로 결정 자기 이방성이 0이기 때문에, 고투자율, 저보자력 등우수한 연자기 특성을 나타낸다. 또한, 전기 저항이 결정된 금속보다 크고 두께가 얇은 박대형으로 제조되고 있기 때문에와전류 손실이 작아 우수한 직류 및 교류 연자기 특성을 보유한다. 이중에서도 Co : Fe=94 : 6 정도의 조성비를 갖는 Co계 비정질 합금은 포화 자기변형(λS)이 거의 0에 가까와 탁월한 고투자율 및 저자심 손실 특성을 갖기 때문에, 현재 가포화 리액터, 커먼 모드 쵸크 코일, 스윗칭 노이즈 억제 소자 등의 고주파 자심으로 사용되고 있다.한편, Fe를 주성분으로 한 Fe계 비정질 합금은 Co계 비정질 합금에 비하여 포화 자속 밀도가 높아 자심의 소형화가 가능하며, 또한 Co계에 비하여 가격면에서도 훨씬 유리하므로 제조 공정 및 경제적인 면에서 이점이 크다. 그러나, Fe계 비정질 합금은 상용 주파수에서는 규소강 등의 결정질 연자성 재료에 비하여 자심 손실이 작아 사용상의 이점이 크지만, 일반적으로 자기 변형이 크기 때문에 고주파 영역에서는 자심 손실의 증대가 현저해져 Co계 비정질 합금에 비하여 사용 주파수 영역이 훨씬 낮게 제약되는 등의 문제점이 있다.Fe-비금속계 비정질 합금 중, Fe-Ni-P계, Fe-B계, Fe-Si-B계 등은 그 조성에 따라서 상기 각종 결정질 고투자율 금속 재료에 비견될 정도로 보자력이 작고 투자율이 크며 자심 손실이 작은 우수한 자기 특성이 얻어지는 것으로 알려져 있다.그러나, Fe-Ni-P-B계 비정질 합금은 내식성 및 열적 안정성이 부족하며 포화 자속 밀도가 7kG 이하로 작은 결점이 있고,Fe-B계 및 Fe-Si-B계 비정질 합금은 포화 자속 밀도가 15kG 이상으로 크고 자심 재료로 유망한 비정질 합금이지만 포화자기 변형이 30×10-6이상으로 크기 때문에 고주파수 대역에서의 사용상에 큰 문제가 된다.이와 같은 문제점을 해결하기 위해서는 자기 변형을 감소시키고, 고주파 영역에서의 저자심 손실 및 고투자율을 실현시킬수 있어야 한다. 이러한 조건을 만족시키는 Fe계 비정질 합금으로, Fe-Mn-Si-B계 비정질 합금[일본국 공개 특허(평)1-123050호]과 고자속 밀도 및 저자기 변형의 Fe계 비정질 합금[일본국 공개 특허 (소)56-33453호]이 발표되어 있다. 그러나, 전자는 결정화 온도가 낮고 고주파 영역에서의 자심 손실 값이 크다는 단점이 있으며, 후자는 보자력이 크고 고주파영역에서의 실효 투자율 값이 현저히 저하된다는 단점이 있다.본 발명자들은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 예의 연구 검토한 결과, Fe계 비정질 합금 중 Fe의 일부를 Ni 및Nb으로 치환하여 퀴리 온도 이상 내지 결정화 온도 이하에서 열처리를 행하면, 자기 변형이 감소되고 고주파 영역에서 저자심 손실을 나타내고, 고투자율을 갖는 Fe계 비정질 연자성 합금이 제조된다는 사실을 밝혀내고 본 발명을 완성하게 되었다.본 발명의 목적은 고주파 영역에서 실효 투자율이 높고 낮은 자심 손실을 갖는 저렴한 Fe계 비정질 합금을 제공하고자 하는데에 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
미세 기공을 갖는 세라믹막의 제조방법
본 발명은 세라믹막의 제조방법에 관한 것으로, 특히 미세한 기공을 갖는 세라믹막을 제조하는 방법에 관한 것이다.세라믹막은 열적 및 화학적으로 안정하기 때문에 유기 고분자막으로는 적용이 곤란한 고온에서의 기체 분리나 촉매 반응에 사용할 수 있는 장점을 갖고 있다.그러나, 원하는 용도에 사용할 수 있는 막을 제조하기 위해서는 기공 크기를 조절할 수 있어야 하며, 특히 기체 분리에사용되기 위해서는 미세 기공을 갖는 세라믹막을 제조하는 것이 중요하다.세라믹막은 주로 화학 증착법이나 졸-겔(sol-gel)법에 의하여 만들어져 왔다.이중 졸-겔법은 금속 알콕사이드 등의 전구체를 가수분해시키는 단계를 포함하는데, 가수 분해시의 조건에 따라 입자 졸이나 고분자 졸이 생성되고 이들을 겔화, 건조 및 소결시키는 단계를 거쳐 원하는 형태의 최종 생성물을 얻는다.기공의 크기는 각 단계에서의 조건에 따라 영향을 받게 되지만, 특히 졸 자체를 구성하고 있는 입자의 크기가 가장 큰 요인으로 작용하기 때문에 졸 입자의 크기를 조절하는 것이 기공 크기를 조절하는 주요인이 된다.즉, 전구체로 사용하는 금속 알콕사이드 반응성 및 가수 분해시에 사용되는 물의 양을 조절할 수 있다면 다양한 형태의분자 또는 입자를 생성할 수 있으며, 이들로부터 최종 생성물을 제조할 수 있게 된다.그러나, 현재까지 연구되어 온 세라믹막은 대부분 입자 졸로부터 제조되는 것으로서 가수분해 및 중합 반응의 조절이 어렵기 때문에, 원하는 기공 크기를 갖는 세라믹막을 제조하는데에 한계가 있다.이에 반하여, 전구체의 부분 가수분해에 의하여 제조되는 고분자 졸은 반응 조건의 조절에 의하여 원하는 형태로 중합될수 있으므로, 미세 입자를 얻는데에 있어서 완전 가수 분해에 의해 제조되는 입자 졸보다 유리할 것으로 판단된다.그러나, 고분자 졸을 제조함에 있어서도 전술한 바와 같이 가수분해 반응시에 사용하는 물의 양을 조절해야 하는데, 특히알루미늄 알콕사이드와 같이 반응성이 큰 금속 알콕사이드의 경우 물과의 반응 속도가 매우 크기 때문에 가수분해 반응의조절에 의하여 원하는 생성물을 얻는 것이 매우 어렵다.그러므로, 본 발명자들은 고분자 졸로부터 미세 가공을 갖는 세라믹막을 제조하는 방법을 개발하기 위하여 연구를 거듭한결과, 금속 알콕사이드의 알콕사이드 리간드를 베타 디케톤으로 치환하여 졸 제조시에 수반되는 가수분해 및 중합 반응을조절함으로써 입자 크기가 작은 졸을 얻고 이 졸을 겔화하여 소결하면, 미세 기공을 갖는 세라믹막을 제조할 수 있다는사실을 밝혀내고 본 발명을 완성하게 되었다.전구체를 가수분해 및 중합 반응시켜입자 크기가 작은 졸을 제조하고 이 졸을 겔화하여 소결하는 것을 특징으로 하는 미세 기공을 갖는 세라믹막의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
피제트티 박막 및 그 제조방법
본 발명은 피제트티(PZT) 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 졸-겔 스핀 코팅법으로 백금전극과 PZT 박막 사이에 박막과 같은 페로브스카이트 구조를 갖는 티탄산납(PbTiO3)의 촉진층을 삽입하고 백금전극과 반도체기판 사이에 확산 장벽용알루미나(Al2O3) 완충층을 삽입함으로서, 저온에서의 페로브스카이트 상형성을 용이하게 하며 고온에서의 물성저하 없이우수한 유전 및 강유전 특성을 발현하는 비휘발성 메모리용 PZT 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 PZT 박막은 현재 메모리 반도체 산업에서 가장 커다란 문제점으로 대두되는 저온에서의 페로브스카이트단일상의 형성과 확산방지 및 피로현산을 개선시킬 수 있기 때문에 장치의 의존성이 적은 졸-겔법이 갖는 경제적인 면 등의 장점을 살릴 수 있음과 동시에 특성형상을 위해 값비싼 단결정 기판 등으로 대체하지 않고 실제 반도체 소자 제조공정에서 사용되는 반도체기판을 아무 문제없이 직접 적용할 수 있으므로 그 응용성을 확대할 수 있다.쟨G
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
부분 안정화 지르코니아 소결체의 제조방법
본 발명은 단사정형 지르코니아에 소량의 이트리아와 알루미나를 분말이 아닌 용액으로 첨가함으로써 부분 안정화 지르코니아 소결체를 제조하는 방법에 관한 것으로, 단사정 지르코니아 슬러리에, 이트리아 및 알루미나졸 혼합용액을 첨가ㆍ혼합하고, 상기 슬러리로부터 용매를 제거한 후, 건조하거나 또는 건조, 하소한 후 성형체를 얻고 열처리하는 부분 안정화지르코니아 소결체의 제조방법을 제공하고, 여기서 상기 이트리아 및 알루미나졸 혼합용액은, 알루미나졸에 이트리아 분말을 첨가하여 용해시킴으로써 얻어질 수도 있고, 또한 이트리아 분말을 산성용액에 녹인 후, 알루미나 졸을 첨가함으로써 얻어질 수도 있고, 또한, 상기 하소는 유기물과 수분을 제거할 수 있는 온도범위인 400 - 700℃에서 행해지는 것이 바람직하다.본 발명은, 단사정 지르코니아 슬러리에, 이트리아 및 알루미나졸 혼합용액을 첨가ㆍ혼합하고, 상기 슬러리로부터용매을 제거한 후, 건조하거나 또는 건조, 하소한 후 성형체를 얻고 열처리하는 부분 안정화 지르코니아 소결체의 제조방법을 제공한다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
강재에 대한 내부식성 무기질 코팅재의 조성물을 차량용 머플러에 파막시킨 무기질 코팅머플러
차량용 머플러의 부식에 의한 수명단축을 방지하기 위한 법랑 머플러 및 법랑 조성물의 개발에 따른 기존 머플러의 내구성 향상내식성 향상 및 내구성 증가
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- 한국에너지기술연구원
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- 2000-11-22