산업기술 통합검색
본 발명은 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 본 발명은 특히 1mol의 ZnO에 대하여 2mol의TiO2를 조합하여 얻은 ZnTiO2를 기본조성으로 하고, 여기서 Zn을 0.10∼0.5 mol의 Mg로 치환하여 된, (Zn-1-xMGx)Ti2O5(x=0.10∼0.50) 으로 구성되는 고주파용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다.본 발명에 따라(Zn-1-xMGx)Ti2O5 (단, x는 0.10∼0.50 임)의 조성을 갖는 마이크로파용 유전체 세라믹 조성물이 제공된다.본 발명에 따른 조성물은, 1100∼1500℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조에 없이도 치밀한 미세구조와 우수한마이크로파 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 가질 뿐 아니라 비교적 저렴한 금속산화물 원료만으로 구성된다는 특징을 갖는다.
성능이 좋은 perovskite 촉매를 제조하는 방법과 CO와 CH4의 촉매연소 반응에서 활성이 좋은 LaxAg1-xMnO3 perovskite 촉매에 관한 것이다.CO및 CH4를 소각시키는 공정에 활용가능
본 발명은 높은 품질 계수(Q값)와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수가 양호한 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.본 발명에 따른 유전체 조성물은 유전율이 33.1 내지 60.2이고 Qxfo(GHz)가 25,060 내지 66,140이며 공진 주파수의 온도계수(TCF)가 -39.35 내지 83.60ppm/℃로 불순물 첨가량에 따라 TCF를 ±10ppm/℃로 조절이 가능하여 고주파용 유전체 세라믹스가 요구되는 통신 시스템에 적합하게 이용될 수 있다.
본 발명은 높은 품질 계수(Q값)와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수가 양호한 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.본 발명의 유전체 자기 조성물은 CaTiO3와 La(Zn1/2Ti1/2)O3 및 La(Mg1/2Ti1/2) O3를 주성분으로 하는 페로브스카이트형 고용체로서 각 성분의 조성 범위는 제1도의 조성 상태도에 나타낸 바와 같다. 이러한 범위의 조성을 갖는 유전체 조성물은 공진주파수의 온도 계수가 최대 +52.32ppm/℃, 최소 -53.82ppm/℃ 범위에 있으므로, 이 자체로서 또는 첨가제의 양을 변화시킴으로써 유전 손실이 적고 온도 특성이 양호한 마이크로파 유전체 자기를 얻을 수 있다.
본 발명은 1050~1150℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도 보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속 산화물 원료만을 구성된 조성을 갖는 온도 보상용 마이크로파 유전체를 제공하기 위하여, 산화아연 및 산화티탄이 화학양론적으로 조합되는 ZnTiO3 중의 Zn이 Zn양 1에 대하여 0.175 내지0.25의 양으로 Mg와, Zn 양 1에 대하여 0 보다 크고 0.15 이하의 양으로 Ni, Cu, Ba, Sr 및 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 치환되는 고주파용 유전체 세라믹 조성물을 제공한다.
본 발명은 신규의 산화물계 고온 초전도체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 고온 초전도체는 기본 구조를 Ca2CuO3+δ로 하고 Ca2CuO3+δ상의 내의 Ca 이온 자리의 일부를 Hg, Ba, La 및 Cd중에서 선정한 원소의 단독 또는 복합물로 대체시킨 물질로서, 초전도 임계 온도가 165 내지 260K이고, 조성이(Ca1-XMX)2CuO3+δ(M=Hg,Ba,La 또는 Cd)인 고온 초전도체이다. 본 발명의 고온 초전도체는 분말의 합성 및 소결 단계를 거쳐 제조할 수 있다.본 발명의 고온 초전도체의 특징은 무엇보다도 임계 온도가 상온에 육박한다는 것이다. 약 250K의 임계 온도는 액체 질소를 사용하지 않고서도 실생활에서 쉽게 구현할 수 있는 온도이다. 그러므로, 본 발명의 고온 초전도체는 냉각비용과 장치의 크기를 감소시킨 에너지 절약형 휴대용 초전도 응용장치의 실현 가능성을 높여주는 것이다. 또한, 본 발명의 고온 초전도체는 칼슘(Ca)을 고정적으로 함유한다는 특징과 함게 독성이 강한 탈륨(Tl) 등의 원소를 배제하였다는 장점을 가지고있다.
본 발명은 모스 캐패시터용 유전 박막 조성물 및 그 유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 캐피시터용 유전박막은 실리콘 기판과의 계면에서 많은 결함이 존재하여 이로인한 정정용량-전압 특성에서 많은 히스테리시스를 보이고 있어이것을 이용한 응용소자의 경우 실용화하는데 문제점이 있으며, 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 초소형화시에는 고전압(8MV/cm)하에서 발생되는 유전막의 누설전류(leakage current)로 인하여 발생되는 읽기/쓰기 횟수(read/write cycle)의감소 및 데이타 리텐션열화(data reterion degradation)가 해결되어야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 계면이 전기적으로 강하다는 점에 착안하여, TiO2의 음이온인 산소를 질소로 일부치환하여 유전상수가 크고 정전용량-전압 특성에서 쉽게 발생하는 히스테리시스(Hysteresis)가 없고 유전 파괴전압이 우수한 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 조성물을 제공하는 것이다.
YIG 화학양론적 조성에 맞게 이트리윰 및 철의 질산염 및 황산염 용액을 첨가하고 가수분해가 일어나도록 요소를 첨가시킨 용액을 서서히 가열하여 침전시켜 이를 세척, 건조 및 소성하여 균질한 YIG분말을 제조경제적으로 저렴하면서도 균질한 YIG분말 제조기술
큐리온도가 300, 360, 400도인 반도성 BaTiO3 세라믹스를 powder bed 없이 제조 가능발열온도가 300도 이상인 자기발열 세라믹스의 제조공정 개발 가능
후막인쇄기술을 이용한 각종 기체검출기술흡탈착특성이 우수한 각종 기체센서의 대량생산 가능
본 발명은 적층형 복합소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 후막적층기법을 사용하여 공정이 복잡한 문제점과, 회로의 전기적 특성을 미세 조정하는 것이 용이하지 않은 문제점 및 이종 재료간의 동시소성에 의한 박리 및 열팽창률의 차이에 따라 휨이 발생하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 인덕터 패턴과 캐패시터 패턴이 형성된 후막을 그 성질이 다른 후막이 상호 성질이 같은 후막의 사이에 위치하도록 세 개의 층으로 적층하여 소성에 의한 휨을 감소시키는 효과가 있다.1.다수개의 인덕터패턴을 포함하는 인덕터 후막과, 캐패시터패턴을 포함하는 캐패시터 후막을 적층하여 구성되는 적층형 복합소자에 있어서, 상기 인덕터 후막과 캐패시터 후막을 성질이 다른 하나의 후막이 성질이 같은 두 개의 후막 사이에 위치하도록 세 개의 층으로 적층한 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자.2. 제 1항에 있어서, 상기 인덕터패턴은 3/4회전인 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자.3.그린 시트에 은을 도포하여 인덕터패턴 및 캐패시터패턴과 인덕터 및 캐패시터 내부전극을 형성하는 단계와; 상기 인덕터패턴 및 캐패시터패턴이 형성된 그린 시트에 스루홀 방법을 사용하여 천공하고 각 패턴을 연결하여 인덕터 후막 및 캐패시터 후막을 형성하는 단계와;상기 인덕터 후막과 캐패시터 후막을 그 성질이 다른 하나의 후막을 상호 성질이 같은 두 개의 후막사이에 위치하도록 세 개의 층으로 적층하는 단계와;상기 적층된 후막에 은을 도포하여 외부전극을 형성하고 소성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.4. 제 3항에 있어서, 그린 시트는 Ni-Zn-Cu계의 연자성 세라믹 조성과 TiO₂계 저온소결 유전체 세라믹 조성의 합성 원료 분말을 40~60W/O의 유기바인더와 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.5.제 3항에 있어서, 적층된 후막을 동시 소성하는 단계는 800~900℃에서 2시간동안 소성하는 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.6. 제 3항에 있어서, 외부전극을 소성하는 단계는 800℃에서 10분간 소성하는 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.
기상에서 합성된 다이아몬드의 성장시 빠른 성장 속도를 갖는 입자의 결정 방향을 조절하여 다이아몬드 박막의 집합 조직의 방향과 박막의 표면을 구성하는 성장면의 종류 및 형상을 조절한다. <구성>적절한 흡착 원소를 이용하고, 표면 재구성 정도를 변화시킬 수 있는 적정 기판 온도를 변화시켜 단결정 입자의 형태를 원하는 형태로 변화시키고, 이를 기반으로 생성 선택법(evolutionary selection rule)에 기초한 집합 조직의 방향을 조절하는 것이다. 즉, 기상 합성법을 이용하여 다이아몬드 박막을 형성할 때, 기판 온도를 700도C에서 900도C까지 연속적으로 증가시키고, 수소와 탄화수소의 혼합 기체에 산소의 첨가량을 증가시켜 다이아몬드 입자를 구성하는 면의 흡착 정도를 변화시킴으로써, 다이아몬드 박막의 집합 조직 방향과 박막 표면 성장면의 종류를 변화시킬 수 있다.1. 기상합성을 이용하여 다이아몬드 결정을 성장시킴에 있어 산소의 첨가량을 증가시켜 다이아몬드 입자를 구성하는 (111)면과 (100)면에서의 흡착정도를 변화시킴으로써 집합조직의 방향을 <100>에서 <1110>을 거쳐 <111>로 연속적으로 조절하는 것을 특징으로 한느 다이아몬드 박막의 집합조직 방향 조절방법.2. 기상합성을 이용하여 다이아몬드 결정을 성장시킴에 있어 일정한 혼합기체의 조성하에서 기판의 온도를 700℃에서 900℃까지 연속적으로 증가시켜 다이아몬드 표면의 격자 재구성 정도의 상대값을 변화시킴으로써 집합조직의 방향을 <100>에서 <110>을 거쳐 <111>로 연속적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막의 집합조직 방향 조절방법.3. 기상합성을 이용하여 다이아몬드 결정을 성장시킴에 있어 수소에 혼합된 메탄의 양을 줄여주어 다이아몬드 입자를 구성하는 (111)면과 (9100)면에서의 흡착정도를 변화시킴으로서 집합조직의 방향을 <100>에서 <110>을 거쳐 <111>로 연속적으로 조절하는 것을 특ㅈ이으로 하는 다이아몬드 박막의 집합좆기 방향 조절방법.
기공율, 기공 크기, 기공 형상 및 기공 기구를 조정할 수 있는 물리적 특성이 개선된 다공성 세라믹스를 제조한다. <구성>액상 매체 중에서 기공 전구체는 슬러리 내의 전체 고형 분말을 기준으로 약70부피% 이하의 양으로 첨가하고 슬러리 내의 전체 고형 분말의 부피 분율은 약25부피%-42부피%로 조정한다. 여기에 세라믹 분말을 혼합하여 구성 입자 간의 분리가 없는 슬러리를 형성하여 세라믹 분말/기공 전구체 분말의 복합 성형체를 얻는다. 그런 다음 복합 성형체를 탈지 및 소결한다.1. (a) 액상 매체 중에서 기공 전구체와 세라믹 분말을 혼합하여 구성 입자간의 분리가 없는 슬러리를 형성하는 단계, (b) 상기 슬러리를 성형하여 세라믹 분말/기공 전구체 분말의 복합 성형체를 얻는 단계, 및 (c) 상기 복합 성형체를 탄지 및 소결하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공성 세라믹스의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 기공 전구체는 슬러리 내의 전체 고형 분말을 기준으로 약 70부피% 이하의 양으로 첨가하고, 슬러리 내의 전체 고형 분말의 부피 분율은 약 25부피% 내지 42부피%로 조정되는 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 기공 전구체 분말로서 밀도 약 0.05g/㎤ 이하, 평균 입경 약 40㎛인 중공 구형 고분자 분말을 사용하는 것인 방법.4. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 분말이 알루미나, 지르코니아 및 질화 알루미늄 분말로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.5. 제1항에 있어서, 기공 전구체의 첨가량이 40부피% 미만인 방법.6. 제1항에 있어서, 기공 전구체의 첨가량이 40부피% 이상 65부피% 이하인 방법.7. 제1항에 있어서, 복합 성형체의 소결 선수축율이 순수한 세라믹 분말안의 소결 선수축율의 약 1.5%까지 조절될 수 있는 것인 방법.8. 제1항의 방법에 따라 제조된 기공율이 약 0.2% 내지 70%이고, 기공이 구형이며, 균일한 미세구조를 갖는 다공성 세라믹스9. 제8항에 있어서, 폐기공 상태의 기공 구조를 갖는 것인 다공성 세라믹스.10. 제8항에 있어서, 개기공 상태의 기공 구조를 갖는 것인 다공성 세라믹스.
혼합 분말 과립의 미세구조 조정에 의하여 일축 가압 소결에 의한 휘스커의 2차원적 배향성을 극대화시키는 새로운 방법을 제공한다. <구성>고형분율이 약 25부피% Al2O3 수용액 슬러에 3부피%의 SiC 휘스커 수용액 슬러리를 첨가하여 형성한 혼합 슬러리를 동결 건조하여 가압 소결용 혼합 과립을 제조한다. 이 과립을 금형에 체운 후 섭씨 1800도에서 45MPa의 압력으로 약 40-60분갼 아르곤 분위기하에서 가압 소결하여 SiC 휘스커(25부피%)/Al2O3 복합제로를 제조한다. <효과>휘스커의 이차원적 배향성을 촉진시켜 기계적 물성과 공정 재현성이 향상된 휘스커 강화 세라믹스 복합재료를 제조할 수 있게 된다.1. a) 열처리한 SiC 휘스커에 약 0.4-1.0중량%의 중성 고분자 PVA를 첨가하여 PVA 흡착량을 최대로 증가시키고 분산성이 우수한 SiC 휘스커 슬러리를 제조하는 단계, b) 상기ㅏ SiC 휘스커 슬러리를 pH 4에서 형성한 세라믹스 기재상 슬러리와 혼합하여 동결 건조시켜 균일하고 소밀한 충전 구조를 갖는 과립을 준비하는 단계, 및 c) 상기 과립을 가압 소결하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 SiC 휘스커 강화 세라믹스 복합 재료의 제조 방법.2. 제1항에 있어서, 단계 a)의 휘스커 슬러리는 500℃ 내지 700℃의 온도 및 공기 또는 아르곤 분위기 하에서 전기로에서 약 1시간 동안 열처리하여 수득한 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 가압 소결 단계 c)를 1800℃에서 45MPa의 압력에서 약 40내지 60분간 Ar 분위기 하에서 수행하는 것이 특징인 방법.4. 제1항에 있어서, 세라믹스 기재상 슬러리가 Al₂O₃ 또는 Al₂O₃ZrO₂인 것인 방법.
~90MOL%, ZRO2, 5~7MOL% Y2O3, 3~6MOL% NB2O5나 TA2O5보다 많이 첨가되어 제조된 비전이성 TZP에 93-97MOL% ZRO2, 2~4MOL% Y2O3, 1~3MOL% NB2O5또는 TA2O5로 이루어진 조성중 Y2O5가 NB2O5나TA2O5보다 많이 첨가된 조성을 갖는 전이성 TZP 60WT%이하로 혼합하여 소결함을 특징으로 하는 고인성.내정온열화 정방정 지르코니아 복합체의 제조방법.1. 비전이성 정방성 지르코니아(TZP)에 전이성 TZP를 비전이성 TZP에 대해 무게로 60% 이하 혼합.소결하는 것을 특징으로 하는 고인성, 내저온열화정방형 지르코니아 보갛ㅂ체의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 비전이성 TZP가 몰%를 기준하여 ZrO₂:88-91%, Y₂O₃:5-7% 혼합된 혼합물에, Nb...O...:3-6% 또는 Ta₂O....:1-3% 첨가하여 된 것을 특징으로 하는 고인성.내저온열화정방형 지르코니아 복합체의 제조방법.3. 제1항에 있어서, 전이성 TZP가 몰%를 기준하여 ZrO₂: 93-97%, Y₂O₃: 2-4% 혼합된 혼합물에, Nb...O...: 1-3% 또는 Ta₂O....:1-3% 첨가하여 된 것을 특징으로 하는 고인성, 내저온열화정방형 지르코니아 복합체의 제조방법.4. 제1항에 있어서, 소결조건으로 1550℃에서 2-10시간 소결하는 것을 특징으로 하는 고인성, 내저온열화정방형 지르코니아 복합체의 제조방법.
세라믹 분말과 중공 구형 고분자 기공 천구체 분말을 부피비 로 100:0 내지 30: 70 의 범위로 혼합하여 슬러리를 얻는 단계, 상기 슬러리를 테이프 캐스팅하여 세라믹 분말/기공 전구체 복합 테이프를 얻는 단상기 복합 테이프를 적층시켜 적층체를 형성하는 단계, 상기 적층체를 탈지시키는 단계, 및 상기 탈지된 적층체를 소결하여 소결 적층체를 얻는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공질층을 포함하는 적층 세라믹스 의 제조방법.1. (a) 세라믹 분말과 중공 구형 ㄱ고분자 기공 전구체 분말을 부피비로 100:0 내지 30:70의 범위로 혼합시켜 슬러리를 수득하는 단계, (b) 상기 슬러리를 테이프 캐스팅시켜 세라믹 분말/기공 전구체 복합 테이프를 수득하는 단계, (c) 상기 복합 테이프를 적층시켜 적층체를 형성시키는 단계, (d) 상기 적층체를 탈지시키는 단계, 및 (e) 상기 탈지된 적층체를 소결시켜 소결 적층체를 수득하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 다공질층을 포함하는 적층 세라믹스의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 적층이 약 65℃의 가열 온도에서 약 10kg/㎠이하의 적층압으로 약 15분 동안 수행되는 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 탈지가 약 50-110℃의 온도 구간에서 약 0.5℃/분의 승온 속도로 수행하는 것인 방법.4. 제1항에 있어서, 상기 다공질층이 약 0.2-55%의 기공율을 갖는 것인 방법.5. 제1항에 있어서, 상기 기공 전구체가 약 40부피% 이하의 양으로 사용되는 것인 방법.6. 제1항에 있어서, 상기 기공 전구체가 50-70부피%의 양으로 사용되는 것인 방법.
흑연을 주재질로 하며 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막이 증착 코팅된 고온용 실험 용기.1. 흑연을 주재질로 하여 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막이 증착 코팅된 고온용 실험 용기.2. a) 시판되는 흑연을 기계 가공하여 원하는 모양으로 성형하는 단계, b) 성형된 흑연을 화학증착 반응기에서 먼저 규소막으로 증착시킨 후 열처리하여 반응물 확산 방지막을 형성함으로써 코팅시키는 단계, 및 c) 코팅 작업이 완결되면 기체 분위기를 막의 증류에 따라 질소 혹은 산소로 맞추고 약 1시간 동안 600~900℃에서 열처리하여 존재할 수 있는 핀 홀(pin hole)을 제거하는 단계로 이루어진 흑연 실험 용기의 제작 방법.3. 제2항에 있어서, 단계 b)에서 사용된 화학증착 반응기가 저압 화학증착(low pressure dhemical vapor deposition) 반응기이고, SiH₄/H₂ 기체를 사용하여 기판 온도 250~400℃ 및 압력 1~10torr에서 승착 과정을 수행하며, 형성된 반응물 확산 방지막이 산화규소막인 것을 특징으로 하는 방법.4. 제2항에 있어서, 단계 b)에서 사용된 화학증착 반응기가 플라즈마 화학증착(plasma enhanced chemical vapor depostition) 반응기이고, SiH₄/H₂/NH₃ 기체를 사용하여 기판 온도 300~400℃, 압력 0.1~0.5torr 및 전력 50~100W의 조건에서 증착 과정을 수행하며, 형성된 반응물 확산 방지막이 질화규소막인 것을 특징으로 하는 방법.5. 제3항에 있어서, 단계 b)에서의 열처리 과정을 600~800℃의 온도에서 산소 분위기하에 행하여 산화 규소막을 형성함으로써 코팅시키는 것을 특징으로 하는 방법.6. 제4항에 있어서, 단계 b)에서의 열처리 과정을 750~900℃의 온도에서 질소 분위기하에 행하여 질화규소막을 형성함으로써 코팅시키는 것을 특징으로 하는 방법.7. 흑연을 주재질로 하며 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막을 형성시킨 열전대용 흑연 캡.
VTR 자기헤드용 접합유리에서 요구되는 제반특성을 동시에 만족시킬 수 있는 새로운 접합유리 조성을 제공하는데 목적이 있다. PbO 47-57wt%, SiO2 24-32wt%, B2O3 5-9wt%, ZnO 4-8wt%, Na2O 0-6wt%, K2O 0-6wt%, Al2O3 0-4wt%의 조성으로 구성한다. 열팽창 계수 차이에 따른 유리균열이나 출력저하 화학적 반응에 의한 유효트랙폭 감소로 생기는 출력저하 기포생성으로 인한 제반 문제, 내화학성, 내마모성 저하에 따른 제반 문제등이 제거된 신뢰성이 높은 고품위 자기헤드의 제작이 가능하다.1. PbO 47~57wt%, SiO2 24~32wt%, B2O3 5~9wt%, ZnO 4~8wt%, Na2O 0~6wt%, K2O 0~6wt%, Al2O3 0~4%의 조성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기헤드용 접합유리.
저가의 니켈 또는 니켈합금을 내부전극으로 사용한 적층 자기 콘덴서용 유전체 자기로서 저산소분압의 환원분위기 소결후에도 높은 유전상수,낮은 유전손실 및 높은 절연저항이 유지되기 위한 것이다. Ba1-XSrXTi-Y-ZMTYZr2O3-Y로 표시되는 적층 자기 콘덴서용 내환원성 유전체 조성물을 사용하여 제조한 유전체 시이트에 니켈전극 페이스트를 도포한 후 다수매 순차 적층하여 산소분압 10-Mpa 내지 10-8MPa 범위의 환원분위기에서 소결하는 것으로 이루어지되 0신뢰성과 생산성을 향상시킬 수 있고 내부전극으로 니켈이외의 철 또는 코발트를 사용하여 적층 자기 콘덴서를 제조하는 경우에도 니켈을 내부전극으로 사용하는 것과 동등한 특성과 효과를 나타낸다.1. 내부전극으로 니켈 또는 니켈 합금을 사용하여 저산소 분압의 환원분위기에서 소결함으로써 이루어지는 적층 자기 콘덴서를 제조하기 위한 아래의 식으로 표시되는 적층 자기 콘덴서용 내환원성 유전체 조성물 : Ba(1-x)SrxTi(1-y-x)NiyZrzO(z-y)이때 0≤x≤0.2이고 0.005≤y≤0.1이고, 0≤z≤0.2이다.2. 아래의 식으로 표시되는 적층 자기 콘덴서용 내환원성 유전체 조성물을 사용하여 제조한 유전체 시이트에 니켈전극 페이스트를 도포한 후 다수매 순차 적층하여 산소분압 1/10exp8MPa 내지 1/10exp8MPa범위의 환원 분위기에서 소결하는 것으로 이루어지는 적층 자기 콘덴서의 제조방법; Ba(1-x)SrxTi(1-y-z)NiyZrzO(z-y)이 때0≤x≤0.2이고, 0.005≤y≤0.1이고, 0≤z≤0.2이다.
(1※Y-Z)PB(MG1/3NB2/3)O3 + XPBTIO3 + YCAO + ZCUO 여기서, X=1~15MOL%, Y=0.1~2.0MOL%, Z=1~15MOL% 으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저온소성용 세라믹 유전체 조성물.1. 다음의 조성으로 이루어지는 저온소성용 세라믹 유전체 조성물 :여기서, x=0.01∼0.15, y=0.001∼0.02, z=0.01∼0.15m