산업기술 통합검색
해당 기술은 단일 카메라를 이용한 이동 로봇의 랜드 마크 거리 추출방법에 관한 것으로서, 이동 로봇의 단일 카메라를 이용하여 임의의 위치에서 취득한 랜드 마크의 영상 좌표를 추출하고, 상기 카메라의 초점 축을 따라 이동 로봇의 각도를 보정하면서 이동한 위치에서 취득한 랜드 마크의 영상 좌표를 추출하여, 이동 후 이동 로봇 위치의 카메라로부터 카메라의 초점 축과 랜드 마크를 포함하는 평면이 수직을 이루는 지점까지의 거리를 추출하는 것을 특징으로 한다.해당 기술에의하면 고가의 공간 센서(Range Sensor) 없이 단일 카메라를 이용하여 현재 로봇 좌표계에서의 랜드 마크까지의 거리를 검출할 수 있어 비용이 절감되며, 별도의 신호 처리를 위한 알고리즘을 사용하지 않으므로 메인 프로세서의 처리 부담을 감소시킬 수 있다.
해당 기술은 UWB 데이터의 통신을 위한 무선 신호의 송수신을 수행하는 제1 안테나와, 상기 제1 안테나를 기초로 상기 UWB 데이터의 송수신을 수행하는 데이터 송수신부와, 전원 유도 신호를 무선으로 수신하는 제2 안테나와, 상기 전원 유도 신호를 기초로 전원을 유도하여 상기 데이터 송수신부에 공급하는 전원 유도부를 포함하는 UWB 무선 단말기에 관한 것이다.해당 기술에따르면, UWB 통신 방식으로 데이터의 무선 통신을 수행하는 UWB 무선 단말기의 전원 공급을 위해서 UWB 송수신 대역이 아닌 다른 대역으로부터 전원 유도를 위한 무선 신호를 수신하고 전원을 유도하며 유도된 전원을 UWB 무선 단말기에 제공하는 것에 의해서 기존기술의 UWB 무선 단말기의 동작을 위한 배터리 충전 등의 불편함을 개선할 수 있다.
해당 기술은 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 고집적 반도체 칩 또는 디스플레이 회로검사에 사용되는 MEMS 프로브카드용 고경도 탐침구조물의 제조 방법에 관한 것이다.해당 기술의 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법은 탐침구조물을 형성하는 제1단계; 및 형성한 상기 탐침구조물을 무전해도금하는 제2단계를 포함한다.
해당 기술은 DRM 수신시 가비지 데이터를 사용하는 가변 포인트 프라임 팩터 FFT를 통해 래딕스 프로세싱이 가능한 가변 포인트 프라임 팩터 FFT 방법에 관한 것으로, DRM 수신을 위한 가변 포인트 프라임 팩터 FFT 방법에 있어서, 입력 데이터의 수를 기수정렬하여 각 기수별로 복수의 단계별 FFT 프로세싱으로 분할하는 제 1 단계; 현재 단계의 FFT 프로세싱의 입력 포인트가 2 의 자승에 해당하는지 여부를 판단하는 제 2 단계; 상기 제 2 단계의 판단결과 현재 단계의 FFT 프로세싱의 입력 포인트가 2 의 자승에 해당하는 것으로 판단되는 경우 래딕스 프로세싱을 수행하는 제 3 단계; 상기 제 2 단계의 판단결과 현재 단계의 FFT 프로세싱의 입력 포인트가 2 의 자승에 해당하지 않는 경우 입력 포인트에 가비지 데이터를 삽입하여 2 의 자승의 입력 포인트를 생성하여 래딕스 프로세싱을 수행한 후 가비지 데이터에 의한 출력을 제거하는 제 4 단계; 및 다음 단계의 FFT 프로세싱이 잔여하는 경우 제 2 단계로 복귀하고 그렇지 않은 경우는 FFT 프로세싱을 종료하는 제 5 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
해당 기술은 강유전체 결정의 비선형 특성을 이용한 파장가변기를 제작함에 있어 광도파로 기술, 분극반전기술, 정밀가공 기술, 온도제어 기술, E-O특성에 의한 미세 광굴절 변환 기술 및 마이크로 렌즈 집적화 기술을 접목함으로써 소형, 저가격, 생산성 및 저전력 구동의 에 의한 파장변환 장치에 대한 것이다. 해당 기술에 의한 파장변환 장치는 광도파로 및 주기적 분극 반전 패턴을 포함하는 비선형 매질의 강유전체 결정 기판, 상기 광도파로와 분극 반전 패턴 상의 버퍼층, 상기 강유전체 결정 기판과 버퍼층의 일 측면에 형성된 앵글 폴리싱 면, 상기 앵글 폴리싱 면 상에 형성된 코팅층, 온도제어부 그리고 서브마운트를 포함하는 비선형 칩, 광원 및 위 앵글 폴리싱 면의 반대 방향에 위치하고 상기 광원과 상기 광원 사이에 위치하는 집속 렌즈를 포함한다.
해당 기술은 상태 변이에 해당하는 부분적인 코드워드만을 선택적으로 추정하도록 하는 다단 병렬 간섭 제거기를 이용한 검출-디코딩 연동(JDD) 수신기에 관한 것으로, 채널 코딩된 복수의 사용자의 심볼들을 수신하는 수신부; 상기 복수의 사용자의 심볼들을 사용자별로 분리하여 사용자별 정합필터 출력을 생성하는 정합필터부; 및 상기 사용자별 정합필터 출력을 이용한 사용자별 심볼 추정 및 상관 메트릭을 이용한 타 사용자 심볼 제거를 반복하여 다중접속 간섭을 단계적으로 감소시키는 다단 병렬 간섭 제거부;를 포함하여 구성되되, 상기 다단 병렬 간섭 제거부는, 상태 시퀀스를 이용하여 분기에 해당하는 부분적 코드워드를 심볼추정으로서 추정하는 것을 특징으로 하여 검출-디코딩 연동에 따른 수신기의 높은 성능을 유지하면서도 전체 코드워드에 대한 심볼추정을 수행하는 기존기술에 검출-디코딩 연동 수신기에 비해 그 구성 및 연산부담을 저감할 수 있는 효과를 제공한다.
해당 기술은 소형 셔터 장치에 관한 것으로, 광도가 형성된 케이싱과; 코일이 권취되어 있으며, 상기 케이싱에 대칭적으로 이격 설치된 한 쌍의 스테이터 코어와; 2극 착자되어 있으며, 이격된 한 쌍의 상기 스테이터 코어의 사이에 대응되는 상기 케이싱에 각기 회동가능하도록 이격 설치된 한 쌍의 셔터 구동 부재와; 상기 셔터 구동 부재와 각기 연동되어 상기 광도를 선택적으로 개폐하도록 제공된 한 쌍의 셔터 부재와; 상기 한 쌍의 셔터 구동 부재의 회동 각도를 각기 제한하도록 상기 케이싱에 대칭적으로 설치된 한 쌍의 스톱퍼 부재를 포함하여 구성됨으로써, 부품 수가 적고 구성이 간단하여 소형 카메라의 경박단소화 경향에 적극 대응할 수 있으며, 에너지 소모가 적고 빠른 개폐 응답을 구현할 수 있는 효과가 있다.
해당 기술에따른 세포 배양 환경 및 주화성 측정 장치는 투명한 기판상에 형성되며 세포 배양액을 수용하기 위한 제 1 웰, 기판상에 제 1 웰과 이격되어 형성되며 세포 배양액과 세포 반응물질을 수용하기 위한 제 2 웰 및 제 1 웰과 상기 제 2 웰을 서로 접속하는 채널을 포함하고, 제 1 웰 또는 제 2 웰에 세포의 배양환경을 감지하거나 세포 배양액을 감지하기 위한 센서가 적어도 하나 이상 내장되며, 제 2 웰의 일측은 세포 배양액 및 세포 반응물질의 배출을 위한 배출구를 더 포함한다.따라서, 해당 기술에따른 세포 배양 환경 및 주화성 측정 장치는 세포의 실시간 관찰과 동시에 세포의 주화성에 따른 이동 측정이 용이하고, 장시간 배양이 가능하며, 웰의 내부에 구비된 센서를 이용하여 세포 배양액의 특성측정과 세포 배양 시 주변환경의 제어가 용이한 효과가 있다.
해당 기술은 배양되는 세포의 이미지를 인큐베이터를 개방하지 않고 획득할 수 있는 장치에 관한 것으로서, 세포 배양용 인큐베이터의 측면에 위치하며, 상기 반사판으로 광을 조사하는 조명, 상기 인큐베이터의 상측에 위치하여 상기 조명으로부터 방사된 광을 반사시키고, 반사된 광을 인큐베이터측으로 유입되도록 하기 위한 반사판, 상기 인큐베이터의 하측에 위치하여 상기 인큐베이터의 내부에 존재하는 세포의 이미지를 획득하는 카메라부 및 상기 카메라부로부터 출력되는 신호를 이용하여 상기 세포의 이미지를 표시하는 이미지 표시부를 포함한다. 따라서, 해당 기술에따른 세포 배양 관찰 장치는 인큐베이터를 개방하지 않고도 용이하게 배양중에 있는 세포를 관측할 수 있으며, CCD 카메라 혹은 저가의 일반 현미경을 사용하여도 투명한 세포의 이미지를 용이하게 획득할 수 있는 효과가 있다.
해당 기술에따른 배양 환경의 자동제어가 가능한 세포 배양용 인큐베이터는 하부에 위치하여 세포 배양칩 및 세포 배양액에 열에너지를 공급하기 위한 하부 히터, 하부 히터의 외주면에 위치하여 상부 히터를 지지하는 측벽, 측벽에 위치하여 세포 배양 환경을 감지하기 위한 센서부, 상부에 위치하여 인큐베이터의 상부에 열에너지를 공급하기 위한 상부 히터 및 센서부로부터 출력되는 감지신호를 이용하여 상부 히터 및 하부 히터의 구동을 제어하기 위한 제어부를 포함한다.따라서, 해당 기술은 소량의 다품종 세포 배양에 적합한 환경을 제어하기가 용이하며, 인큐베이터를 개봉하지 않고도 세포 배양과정의 실시간 관찰 및 이미지 관측이 가능하며, 세포 배양에 필요한 환경 제어를 자동화할 수 있어 안정적인 세포의 성장이 가능하고 보다 정확하고 신뢰성 있는 세포 배양을 이룰 수 있는 세포 배양용 인큐베이터를 제공할 수 있는 효과가 있다.
해당 기술은 Repetition Coding 과 Deep fade Detection를 이용한 OFDM 송/수신 시스템의 ICI제거방법에 관한 것으로, OFDM의 송수신 시스템에서의 Time Domain 인접채널 간 간섭제거기법에 Repetition Coding 또는 Deep Fade Detection기법을 적용함으로써 Deep Fade 발생시에도 인접채널 간 간섭을 제거할 수 있는 방법에 관한 것이다.
해당 기술은 전류 신호처리 회로 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 전류 신호를 복수의 전류-전압 변환 및 아날로그-디지털 변환을 수행함으로써 전체 시스템의 DR을 넓힐 수 있는 전류 신호처리 회로 및 방법에 관한 것이다. 해당 기술의 전류 신호처리 회로는 제1전류 신호를 입력받아 제1전압 신호로 변환시키는 트랜스임피던스 증폭기; 상기 제1전압 신호를 제1디지털 신호로 변환시키는 제1ADC; 기준 전류를 생성시키고, 상기 기준 전류에 대하여 상기 제1디지털 신호를 이용하여 상기 트랜스임피던스 증폭기로 제2전류 신호를 입력하기 위한 조정 전류를 생성시키는 조정 전류 발생기; 및 상기 제2전류 신호를 제2디지털 신호로 변환시키는 제2ADC를 포함함에 기술적 특징이 있다. 해당 기술의 전류 신호처리 방법은 제1전류 신호를 입력받아 제1전압 신호로 변환시키는 단계; 상기 제1전압 신호를 제1디지털 신호로 변환시키는 단계; 기준 전류를 생성시키고, 상기 기준 전류에 대하여 상기 제1디지털 신호를 이용하여 조정 전류를 생성시키는 단계; 상기 조정 전류와 상기 기준 전류와의 차이로 제2전류 신호를 생성시키는 단계; 및 상기 제2전류 신호를 제2디지털 신호로 변환시키는 단계를 포함함에 기술적 특징이 있다. 따라서, 해당 기술의 전류 신호처리 회로 및 방법은 전류 신호를 복수의 전류-전압 변환 및 아날로그-디지털 변환을 수행함으로써 전체 시스템의 DR을 넓힐 수 있다. 또한, 해당 기술의 전류 신호처리 회로 및 방법은 시스템의 전원전압이 낮아지더라도 DR을 넓힐 수 있다.
해당 기술에따른 이질접합을 갖는 단결정 나노와이어 어레이를 이용한 소자 및 그의 제조방법은 이질접합을 형성하기 위하여 실리콘 기판상에 불순물을 주입하는 단계, 실리콘 기판을 열산화하여 제1열산화막을 형성하는 제1열산화 단계, 제1열산화막을 식각하여 산화막 패턴을 형성하는 단계, 실리콘 기판을 식각하여 컬럼 구조를 형성하는 단계, 컬럼 구조를 이방성 식각하여 나노와이어를 형성하는 단계, 기판을 열산화하여 제2열산화막을 형성하는 제2열산화 단계 및 제2열산화막을 제거하여 릴리즈된 나노와이어를 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 해당 기술은 불순물 주입공정과 열산화 공정의 조절을 통하여 나노와이어의 선폭을 용이하게 설정할 수 있으며, 이로 인하여 다양한 형태를 가지는 이질접합을 갖는 나노와이어를 용이하게 형성할 수 있으며, 바이오 센서, 박막 트랜지스터 소자, 나노전자소자, 광소자 등 다양한 소자에 용이하게 적용가능한 이점이 있다.
해당 기술은 프린트 배선용 기판에 사용되는 저유전율 저손실의 열경화성 복합 수지 조성물에 관한 것으로, 특히 폴리페닐렌옥사이드(PPO)와 폴리스티렌(PS)이 6:4 내지 8:2 의 중량비율로 혼합된 모수지; 상기 모수지에 대하여 1:9 내지 3:7의 중량비율에 해당하는 양의 가교제; 상기 모수지에 대하여 1:10 내지 1:5의 중량비율에 해당하는 양의 첨가제; 및 상기 가교제에 대하여 1:20 내지 1:5의 중량비율에 해당하는 양의 개시제가 포함된 저유전율 저손실의 열경화성 복합 수지 조성물인 것을 특징으로 한다. 이러한 해당 기술은 고주파 영역에서 우수한 전기적 특성을 가지는 폴리페닐렌옥사이드 수지를 포함하여 프린트 배선용 기판, 프리프레그, 시트, 필름, 테이프, 적층판 또는 회로용 적층재 등을 제조하는데 이용됨으로써, 상기 프린트 배선용 기판 등이 기존기술의 복합 수지 조성물에 의하는 것보다 작은 유전율 및 유전손실을 가지게 할 수 있는 효과가 있다.
해당 기술은 RFID 태그에 관한 것으로서, 유전체 기판 상면에 형성된 루프(Loop) 형상의 안테나와, 안테나와 전기적으로 연결되며, 대상물의 정보를 저장하는 태그 칩과, 안테나의 인덕턴스 값과 태그 칩의 커패시턴스 값에 의해 정해지는 공진 주파수를 태그의 동작 주파수로 보정하여 주는 주파수 보상 소자로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 해당 기술에의하면 안테나 루프의 감긴 횟수를 증가시키고, 그에 따라 낮아진 공진 주파수를 주파수 보상 소자를 통하여 RFID 태그의 동작 주파수로 보정해줌으로써, RFID 태그의 인식 거리를 향상시킬 수 있다.
해당 기술은 모듈 기반의 자동차 미디어 서버 장치로서, 미리 지정된 기능을 수행하는 하나 이상의 기능 모듈과, 사용자 입력에 따른 제어 신호를 생성하는 휴먼 인터페이스부와, 상기 제어 신호에 대응하는 상기 기능 모듈의 동작 수행을 공통 버스를 통한 인터페이스를 기초로 제어하는 제어부와, 상기 하나 이상의 기능 모듈을 통하여 수행되는 결과를 상기 제어부의 제어에 의해서 다중화하여 출력하는 다중화부를 포함하는 모듈 기반의 자동차 미디어 서버 장치에 관한 것이다. 해당 기술에따르면, 기존의 장치들을 최대한 활용하기 위해서 각 기능을 모듈화하고 각 모듈화된 기능을 공통의 인터페이스를 통해 상호 연결되도록 구성하여 자동차용 장치의 개발 기간의 단축이 가능하고 다른 모듈화된 기능과의 연결을 통하여 다양한 제품의 개발이 가능하며 공통의 인터페이스를 사용하는 것에 의해서 제품 개발 시의 디버깅이 용이하다.
해당 기술은 광마이크로폰에 관한 것으로, 특히 진동판으로 광을 방사하는 제1도파관과 상기 진동판으로부터 반사된 광을 수집하는 제2도파관의 형태에 관한 것이다. 즉, 상기 제1도파관과 제2도파관의 상단면이 상기 진동판의 하부면에 대해서 일정한 각도로 경사가공 되어 있고, 상기 제1도파관과 제2도파관의 중심축은 상기 진동판의 하부면에 대해서 일정한 각도로 기울어져 있으며, 상기 제1도파관과 제2도파관의 상단면이 상기 하부면에 수직한 방향을 중심으로 선대칭되어 있는 상태로부터, 상기 제1도파관과 제2도파관 중 어느 하나의 도파관이 상기 도파관의 중심축을 기준으로 45°내지 315°의 범위 내에서 회전되어 있는 상태를 가지는 광마이크로폰에 의하는 경우, 기존와 같이 도파관의 상단면 가공각도를 크게하지 않고서도, 광원으로부터 방출되는 광의 세기와 수광소자에 전달되는 광의 세기의 차이를 크게할 수 있어서, 광마이크로폰이 감지할 수 있는 동작영역의 효과와 그 범위를 확대시킬 수 있는 효과가 있다.
해당 기술은 브래그 격자(Bragg grating)를 이용한 광센서 칩 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판과 상기 기판 상부에 형성된 클래드층과; 상기 클래드층 내부에 개재되어 있는 코어층과 상기 코어층으로 입사되는 광 중 특정 파장을 중심으로 일정 대역의 광을 반사시키고 나머지 광은 통과시키도록, 상기 코어층에 형성되어 있는 브래그 격자패턴으로 구성된다. 또한, 해당 기술은 PLC(Planar Lightwave Circuit) 기술을 이용하여 한 웨이퍼 안에다 수십∼수백개의 광센서칩을 동시에 노광시켜 양산해 낼 수 있으므로, 소자의 저가격화를 수행할 수 있는 효과가 있다.
해당 기술은 데이터 송수신을 위한 MOST 가상 디바이스를 생성하거나 제거하는 MOST 가상 디바이스 관리부와, 상기 MOST 가상 디바이스와 MOST 동기 채널의 데이터 송수신을 관리하는 MOST 동기 TCP/IP 디바이스 드라이버부와, 상기 MOST 동기 TCP/IP 디바이스 드라이버부와 상기 MOST 가상 디바이스를 사용하는 소켓 응용 프로그램과의 소켓 통신을 관리하는 소켓 관리부를 포함하는 MOST 가상 디바이스 관리 장치에 관한 것이다. 해당 기술에따르면, MOST 가상 디바이스를 생성하고 이를 기초로 MOST 디바이스의 동기 채널 또는 비동기 채널을 이용하여 TCP/IP 지원을 효율적으로 수행함으로써 QoS 지원이 가능하다.
해당 기술의 다축 감지용 촉각센서는 복수의 가로축 압저항 전극과 복수의 세로축 압저항 전극은 상이한 층에서 직교하며, 상기 복수의 가로축 압저항 전극과 상기 복수의 세로축 압저항 전극은 절연층에 의해 절연되고, 상기 복수의 가로축 압저항 전극과 상기 복수의 세로축 압저항 전극이 교차하는 4개의 교차부분을 포함하여 형성되는 돌출부를 포함하는 구조이다. 따라서, 해당 기술에따른 촉각센서는 여러방향의 축에서 인가되는 힘을 감지할 수 있어 센서의 정확도를 더욱 향상시킬 수 있으며, 그 재질을 변형이 용이하고 복원력이 우수한 탄성체로 형성하고 이와 더불어 하부면에 캐비티 구조를 형성함으로써 촉각센서의 감도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.