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기술의 개요 - 본 기술은 유기전계 발광소자(Organic Electroluminescence Device) 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판의 소정영역을 일정깊이로 식각하여 띠(stripe) 형태를 갖는 다수개의 리세스(recess)들을 형성하고, 기판에 형성된 리세스내에 물리적 기상 증착법, 화학적 기상 증착법, 전기도금, 무전해 도금, 졸-겔법 중 어느 한 방법을 이용하여 전도성 광반사물질을 채워 보조전극을 형성한 후, 보조전극이 형성된 기판상에 양극, 유기발광층, 음극, 보호막을 순차적으로 적층하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 소자의 아웃풋 커플링을 크게 향상시키고, 공정이 단순하여 대량생산이 가능하다.
기술의 개요 - 본 기술은 유기전계 발광소자(Organic Electroluminescence Device) 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 투명기판상에 일정간격으로 다수의 제 1 전극들을 형성하고, 제 1 전극들상에 유기발광층을 형성한 다음, 유기발광층상에 제 1 전극들에 수직한 방향으로 다수의 제 2 전극들을 형성한다. 그리고, 제 2 전극상에 다이아몬드 라이크 카본, 산화물 중 어느 하나 또는 둘 이상을 적층하여 내부의 열을 방출시키고 하부와 전기적으로 절연되도록 제 1 방열층을 형성하고, 제 1 방열층상에 알루미늄 또는 동 등의 금속 또는 그 합금들 중 어느 하나 또는 둘 이상으로 이루어져 산소 및 수분을 막아주는 제 2 방열층을 형성한 후에 제 2 방열층상에 보호막을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 소자의 방열특성을 향상시키고 외부의 수분 및 산소의 칩입을 방지하는 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 낮은 콘택 저항을 갖는 발광 다이오드 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상에 n형 GaN 에피택셜층, 활성층, p형 GaN 에피택셜층을 순차적으로 형성하고, 활성층 및 p형 GaN 에피택셜층을 패터닝하여 n형 GaN 에피택셜층의 소정영역을 노출시킨 후, 노출된 n형 GaN 에피택셜층내에 Li+, Na+, K+, Rb+, Cs+ 중 어느 하나의 이온을 주입하고, n형 GaN 에피택셜층 및 p형 GaN 에피택셜층상에 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 낮은 콘택 저항값을 얻을 수 있고 공정이 간단하며 매우 경제적인 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 유기전계발광소자(Organic Electroluminescence Device) 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 투명 기판상에 복수개의 양극들을 일정간격으로 형성하고, 양극들상에 하부면은 넓고 상부면은 좁은 다수의 전기절연성 격벽들을 형성한다. 이어, 격벽들을 포함한 전면에 유기적층막 및 음극을 순차적으로 형성한 다음, 격벽 양측이 전기적으로 절연되도록 격벽들의 상부면측을 제거하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 공정이 간단하고 수율이 향상되며 전체적인 공정가가 낮아지는 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 생물전자소자의 인터페이스 감지막 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 고체소자 표면 위에 형성되어 고체소자표면과 친수성 고분자층을 연결하는 단분자접착층과, 단분자접착층과 공유결합하고 생체소자가 고정화되어 생특이적 상호반응이 가능한 환경을 제공하도록 하는 친수성 고분자의 삼차원 미세구조층, 그리고 미세구조층에 결합된 생체소자로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 전극 형성시 공정이 복잡하고 전극의 표면이 거친 문제점을 해결하기 위하여, 기판상의 제 1에피텍셜층 일정영역에 활성층 및 제 2 에피텍셜층을 형성하고, 제 1 에피택셜층의 일정영역에 조성의 기울기를 갖는 TiN층, Au층 또는 Al층으로 이루어진 n형 전극을 형성한 후, 제 2 에피텍셜층의 일정영역에 p형 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 공정이 단순하고 전극 표면의 모폴로지가 향상되며 소자의 특성이 향상된 발광 다이오드를 제작할 수 있다.
기술의 개요 - 본 기술은 유기전계발광소자(Organic Electroluminescence Device)에 관한 것이다.기술의 효과 - 본 기술은 기판상에 제 1 전극, 유기전계발광층, 제 2 전극이 순차적으로 형성되고, 제 2 전극상에 고분자 물질에 하나 또는 둘 이상의 세라믹 물질이 선택적으로 첨가된 혼합물질층을 하나 또는 둘 이상을 갖는 보호막을 형성하여 소자의 방열 특성을 향상시키는 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 유기전계발광소자(Organic Electroluminescence Device)에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 투명기판상에 제 1 전극, 유기전계발광층, 제 2 전극이 순차적으로 형성된 유기전계발광소자의 표면위에 여러 물질과 유도체들로 이루어진 물질로 보호막을 형성함으로써, 열 및 외부 응력과 같은 물리적 성질에 저항성을 갖도록 하여 소자의 수명을 크게 연장시킨다.
기술의 개요 - 본 기술은 스트립의 구조를 단순화하면서도 감지부에 복수의 광다이오드를 배치하여 정밀한 아날로그 출력신호를 얻어내고자 하는 선형 광 위치센서에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 광을 생성하고 그 생성한 광을 각각으로 서로 평행하도록 투사해주며, 스트립의 직선운동시 발생된 광을 차단 또는 투과시키며 그 투과되는 광이 선형적으로 변하도록 하고, 수광부에서 얻어지는 다수개의 전기적인 신호를 가산하고 그 가산값을 전압으로 변환한 후 증폭하여 출력하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 스트립의 개구부를 직각삼각형 형상으로 만듬으로써 고밀도의 사각형 배열의 개구부 구현시 정밀 가공을 요하는 어려움을 배제시키도록 한다.
기술의 개요 - 본 기술은 일렉트로크로믹 소자(Electrochromic Device ; ECD) 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 일렉트로크로믹 소자는 기판과, 역전극층, 전해질층, 일렉트로크로믹층을 샌드위칭하여 기판상에 형성되고, DLN(Diamond Like Nano composite)로 이루어진 투명 전극층으로 구성되고, 그의 제조방법은 기판상에 타겟을 이용한 스퍼터링으로 DLN(Diamond Like Nano composite)을 증착하여 제 1 투명 전극층을 형성하는 스텝과, 제 1 투명 전극상에 역전극층, 전해질층, 일렉트로크로믹층을 차례로 형성하는 스텝, 일렉트로크로믹층상에 타겟을 이용한 스퍼터링으로 DLN(Diamond Like Nano composite)을 증착하여 제 2 투명 전극층을 형성하는 스텝으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 전도 특성이 우수하고 소비 전력을 낮출 수 있으며 소자의 수명을 크게 증대시킬 뿐 아니라, 제조 비용이 낮으며 메탈 도핑의 제어가 용이한 효과를 도출한다.
기술의 개요 - 본 기술은 액정 디스플레이(LCD)와 같이 디지털로 데이터 처리한 후 아날로그로 구동되는 디스플레이 소자에서 인가되는 전압에 대한 비선형 특성을 보상하기 위한 디스플레이 소자의 비선형 특성 보정장치 및 그 보정방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술의 특성 보정장치는 입력신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그/디지털 컨버터와, 영상신호를 소정의 타이밍으로 출력하는 메모리, 영상신호를 디스플레이 소자에 맞는 형식으로 변환하는 디지털 신호처리부, 출력 데이터를 아날로그 신호로 변환하는 동시에 입력 신호에 따라 바이어스(bias)를 변경하여 디스플레이 소자의 비선형 특성을 보상하는 감마 보정부로 구성되어 있다. - 그리고 본 기술의 특성 보정방법은 입력되는 아날로그(analog) 영상신호를 디지털(digital) 신호로 변환하고 소정의 타이밍으로 출력하는 제1과정과, 제1과정의 영상신호를 디스플레이 소자에 맞는 영상 형식으로 변환하는 제2과정, 제2과정에서 변환된 데이터를 아날로그 신호로 변환하는 동시에 입력신호의 레벨에 따라 바이어스(bias)를 변경하여 디스플레이 소자의 비선형 특성을 보상한 후 액정 패널을 동작시키기 위한 신호를 출력시키는 제3과정으로 동작하는 것을 특징으로 한다.
기술의 개요 - 본 기술은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상에 제 1 에피택셜층, 활성층 그리고 제 2 에피택셜층을 순차적으로 형성하고, 활성층 및 제 2 에피택셜층을 패터닝하여 제 1 에피택셜층의 일정영역을 노출시킨다. 그리고, 제 1, 제 2 에피택셜층상의 소정영역에 각각 ⅢB~ⅧB 그룹으로부터 선택된 천이금속 중 어느 하나와 Si을 순차적으로 적층한 후, 열처리 하여 실리사이드층을 형성한 다음, 실리사이드층상에 Au 또는 Al을 형성하여 제 1 에피택셜층의 소정영역에 제 1 전극을, 제 2 에피택셜층의 소정영역에는 제 2 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 소자의 전기적 특성이 매우 우수하고, 본딩공정이 수월하며, 공정이 간단하고 비용을 절감할 수 있다.
기술의 개요 - 본 기술은 유기 전계 발광 소자(Organic Electroluminescence Device)에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 양극과 음극 사이에 형성되는 유기발광층과, 음극상에 형성되고 고분자 물질로 이루어져 전기적으로 절연시키는 제 1 보호층과, 제 1 보호층상에 형성되고 알루미늄, 알루미늄이 포함된 합금, 마그네슘, 티타늄 중 어느 하나를 산화시킨 산화물로 이루어져 전기적으로 절연시키는 제 2 보호층, 제 2 보호층상에 형성되고 알루미늄, 알루미늄이 포함된 합금, 마그네슘, 티타늄 중 어느 하나로 이루어져 습기를 막아주는 제 3 보호층과, 제 3 보호층상에 형성되고 고분자 물질로 이루어져 하부층을 보호하는 제 4 보호층으로 구성되어있다.기술의 효과 - 본 기술은 물, 산소 등에 대해 우수한 차단 효과를 가지며, 휴대용 제품으로서 적합하다.
기술의 개요 - 본 기술은 적색 유기전계발광소자용 화합물, 그 제조방법 및 그를 이용한 유기전계발광소자에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술에서 G1과 G2 는 양쪽이 시아노기인 경우만을 제외한 서로 동일하거나 동일하지 않은 전자받게기(electron withdrawing group), 혹은 G1과 G2가 분자사슬로 상호 연결되어 헤테로고리화합물을 형성하는 전자받게기이며, 여기 R1 또는 R2는 알킬(탄소수 1-5)기, 아릴기, -CH=CH-A1 중 어느 하나이며, 이 화학식의 A1은 벤즈아민유도체 중 어느 하나이며, X는 산소원자(O) 및 황원자(S) 로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질이다.
기술의 개요 - 본 기술은 유기전계발광소자(Organic Electroluminescence Device) 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 투명기판상에 매트릭스 형태로 배열되며 양극, 유기전계발광층, 음극으로 이루어진 다수개의 픽셀들을 형성하고, 각 픽셀들을 제외한 전면에 외부 입사광의 반사를 줄이고 각 픽셀들을 전기적으로 절연시키는 블랙매트릭스층을 형성한 후, 각 픽셀 사이의 블랙매트릭스층상에 각 픽셀들을 전기적으로 절연시키는 다수개의 격벽들을 형성함으로써, 소자의 밝기를 저하시키지 않으면서도 콘트라스트를 향상시킬 수 있으며, 동시에 픽셀간의 전기 절연 효과를 향상시킬 수 있다.
기술의 개요 - 본 기술은 유기전계발광소자(Organic Electroluminescence Device) 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 투명기판상에 제 1 전극 및 유기전계발광층을 순차적으로 형성하고, 유기전계발광층상에 반투명성을 갖는 두께만큼 제 2 전극의 제 1 층을 형성한 다음, 제 2 전극의 제 1 층상에 제 2 전극의 제 1 층보다 좁은 단면적을 갖도록 제 2 전극의 제 2 층을 형성하고, 제 2 전극의 제 2 층을 포함한 전면에 보호막을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 소자의 밝기를 저하시키지 않으면서도 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
기술의 개요 - 본 기술은 양극산화공정을 이용하여 형성된 게이트홀에 의해 구동전압을 낮추며 전자방출을 균일하게 할 수 있는 전계방출소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상에 캐소드전극과 식각정지층을 형성하는 단계와, 캐소드전극과 식각정지층이 형성된 기판상에 절연층과 게이트전극 및 양극산화층을 형성하는 단계, 양극산화층을 부분적으로 양극산화하여 양극산화층 내에 다수개의 미세홀을 형성하는 단계와, 양극산화된 양극산화층을 마스크로 이용하는 사진식각법에 의해 게이트전극 및 절연막을 관통하는 다수개의 미세홀을 형성하는 단계, 양극산화된 양극산화층을 제거하는 단계, 미세홀 내의 캐소드전극상에 이미터를 형성하는 단계를 포함하며, 식각정지층은 미세홀의 형성시 절연층의 식각깊이를 제어하여 미세홀의 깊이를 제어하는 것을 특징으로 한다.
기술의 개요 - 본 기술은 균일성을 향상시킬 수 있도록 한 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법에 관한 것이다. 기술의 특징 - 본 기술은 데이터라인들과 스캔라인들의 교차부마다 형성되어 스캔라인으로부터 공급되는 스캔펄스에 의해 턴-온되는 스위칭소자와, 스위칭소자와 스캔라인 사이에 접속되어 스위칭소자가 턴-온되었을 때 스위칭소자를 경유하여 공급되는 데이터펄스와 스캔라인으로 공급되는 스캔펄스의 전압차에 대응하는 전하를 방출하기 위한 셀소자, 스캔라인으로 스캔펄스와 중첩되지 않게 리셋펄스가 공급될 때 전류의 이동경로를 형성하기 위하여 스위칭소자에 접속되도록 설치되는 다이오드로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 균일성을 향상시킬 수 있도록 한 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법에 관한 것이다. 기술의 특징 - 본 기술은 데이터라인들과 스캔라인들의 교차부마다 형성되어 스캔라인들로 공급되는 스캔펄스에 의해 턴-온되는 제 1스위칭소자와, 제 1스위칭소자와 기저전위 사이에 접속되어 제 1스위칭소자가 턴-온되었을 때 데이터라인으로부터 제 1스위칭소자를 경유하여 공급되는 데이터펄스에 대응하는 빛을 발생하는 셀소자, 셀소자와 병렬로 접속됨과 아울러 자신에게 공급되는 리셋펄스에 의해 턴-온되어 셀소자의 양단에 기저전위가 공급되도록 하여 셀소자를 초기화하기 위한 제 2스위칭소자로 구성된 것이 특징이다.
기술의 개요 - 본 기술은 과전류로 인한 전극의 단락을 방지할 수 있도록 한 전계 방출 표시소자에 관한 것이다. 기술의 특징 - 본 기술은 상부기판에 형성되는 애노드전극과, 애노드전극에 구동전압을 공급하기 위한 애노드 구동부, 애노드 구동부로부터 구동전압을 공급받기 위한 접속부, 접속부와 애노드전극을 전기적으로 접속시키기 위한 네크부, 접속부와 애노드 구동부를 전기적으로 접속시키기 위한 연결라인과, 접속부, 네크부 및 연결라인이 과전류에 파손되는 것을 방지하기 위하여 접속부, 네크부 및 연결라인에 과전류가 흐를 수 있는 면적을 제공하도록 접속부, 네크부 및 연결라인보다 넓은 면적으로 접속부, 네크부 및 연결라인을 덮도록 설치되는 도전성 박막 테이프, 연결라인과 접속부를 안정적으로 접속시킴과 아울러 과전류가 흐를 수 있는 면적을 제공하기 위한 클립부재로 구성된 것이 특징이다.