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일반기술 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)

멀티프로세서 SoC플랫폼 및 이를 사용하는 DVB-T 베이스 밴드 수신장치

해당 기술은 멀티프로세서 SoC 플랫폼 및 이를 사용하는 DVB-T 베이스밴드 수신장치에 관한 것이다. 해당 기술에 따른 멀티프로세서 SoC 플랫폼은 제1 프로세서와; 적어도 하나 이상의 제2 프로세서와; 상기 제1 프로세서 및 상기 제2 프로세서와 통신하는 적어도 하나 이상의 슬레이브 디바이스와; 상기 제1 프로세서 및 상기 제2 프로세서와 상기 슬레이브 디바이스가 통신 가능하도록 상기 제1 프로세서 및 상기 제2 프로세서와 상기 슬레이브 디바이스를 크로스바 스위칭 방식에 따라 연결하는 CI(Communication Interface) 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 크로스바 스위치(Crossbar switch)를 이용하여 고속 연산에 적합하면서도 유연성을 갖는 멀티프로세서 SoC 플랫폼이 제공된다.

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경기기술이전센터

등록일

2009-01-29

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일반기술 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)

보조 트랜지스터를 구비한 고속/저전력 전계효과트랜지스터

□ 기술개요해당 기술은 주 트랜지스터의 바디 부위에 바이어스를 가함으로써, 논리값(logic value)의 전이시 문턱 전압(threshold voltage)을 낮춰 빠른 동작이 이루어지도록 하고, 그 외에는 높은 문턱전압을 유지하여 누설전류가 작도록 하며, 동작 전압에 제한 없이 동작되도록 한 전계효과트랜지스터를 제공하는데 그 목적이 있다. 해당 기술에 따르면, 반도체의 바디 부위 내에 형성되며, 소오스, 드레인, 상기 소오스와 드레인간 형성되는 채널 부위, 그리고 상기 채널 부위 상에 접속된 게이트를 구비한 제1트랜지스터와; 반도체의 바디 부위 내에 형성되며, 소오스, 드레인, 상기 소오스와 드레인간 형성되는 채널 부위, 그리고 상기 채널 부위 상에 접속된 게이트를 구비한 제2트랜지스터를 포함하며; 상기 제2트랜지스터의 소오스는 상기 제1트랜지스터의 바디 부위에 연결되고, 상기 제2트랜지스터의 드레인은 상기 제1트랜지스터의 게이트에 연결되며, 상기 제2트랜지스터의 게이트는 상기 제1트랜지스터의 드레인 또는 소오스에 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 장치가 제공된다. □ 기술내용 반도체의 바디 부위 내에 형성되며, 소오스, 드레인, 상기 소오스와 드레인간 형성되는 채널 부위, 그리고 상기 채널 부위 상에 접속된 게이트를 구비한 제1트랜지스터와, 반도체의 바디 부위 내에 형성되며, 소오스, 드레인, 상기 소오스와 드레인간 형성되는 채널 부위, 그리고 상기 채널 부위 상에 접속된 게이트를 구비한 제2트랜지스터를 포함하며, 상기 제2트랜지스터의 소오스는 상기 제1트랜지스터의 바디 부위에 연결되고, 상기 제2트랜지스터의 드레인은 상기 제1트랜지스터의 게이트에 연결되며, 상기 제2트랜지스터의 게이트는 상기 제1트랜지스터의 드레인에 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.

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전북기술이전센터

등록일

2009-01-29

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일반기술 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)

열전발전용 ｐ-ｎ 모듈 및 그 제조방법

□ 기술개요해당 기술은 솔더링이 필요없고 p/n 접합면에서 원소의 상호확산거리를 최소화하여 p/n 계면저항을 최소화할 수 있는 열전발전용 p-n 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다.□ 기술효과해당 기술은 p형 반도체 빌렛/n형 반도체 빌렛의 2층으로 구성되고, p형 반도체/n형 반도체 사이의 계면은 상기 p형 반도체 빌렛 및 n형 반도체 빌렛을 서로 밀착한 상태에서 스파크플라즈마소결 본딩법에 의해 접합되어져서 솔더링에 의해 제작된 열전발전 모듈에서 발생되는 열반복응력에 의한 접합부의 균열, 열전 특성저하 및 고온부 열원의 활용성 한계를 극복할 수 있으며, 열간프레스법에서 발생하는 p, n형 원소상호확산으로 인한 p/n접합 계면층의 크기 증대에 의한 p-n 모듈의 열전특성 저하문제를 해결할 수 있다. □ 기술내용P형 반도체 빌렛/N형 반도체 빌렛의 2층으로 구성되고 P형 반도체/N형 반도체 사이의 계면은 상기 P형 반도체 빌렛 및 N형 반도체 빌렛을 거울상 표면으로 연마한 후 서로 밀착한 상태에서 스파크플라즈마소결 본딩법에 의해 접합되어지는 것을 특징으로 하는 열전발전용 P-N 모듈이다.

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전북기술이전센터

등록일

2009-01-29

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일반기술 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)

반도체 나노구조 기술

현재 거의 불가능한 최소 선폭이 10nm이하 미세패턴 대량 생산을 가능하게 하는 기술로, 미세패턴 제조공정에 해당 기술을 적용시 적은 추가비용으로 선폭 10nm이하인 미세패턴 대량생산을 지원함. 10nm이상의 패턴 제조후 이온빔 등에 의한 물리적, 기계적 원리를 이용하여 미세패턴을 제조하는 기술임. 경제성과 소자성능 향상에 획기적인 기술

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경기기술이전센터

등록일

2009-02-06

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일반기술 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)

고개구율 박막 트랜지스터형 이미지센서 및 그 제조방법

소정의 광원으로부터 방출된 빛이 소정의 피사체에 의해 반사되는 경우 그 광량에 따른 광전류를 발생시키는 광감지 소자와, 상기 광감지 소자에서 전달된 전하 형태의 정보를 저장하는 스토리지 캐패시터와, 상기 스토리지 캐패시터에 저장된 정보를 외부에 출력하는 스위칭 소자를 포함하되, 상기 광감지 소자가 상기 스위칭 소자의 상단에 위치하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서를 개시한다.

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(주)솔투로

등록일

2009-03-20

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일반기술 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)

케텐, 알데히드 공중합체 및 이를 함유한 수지 조성물

반도체소자 등의 제조 공정에서 사용되며 소자에 미세한 패턴을 형성하기 위한 레지스터 조성물은 어느 정도의 안정성이 요구되며 다음 공정에서 쉽게 제거가 가능해야만 한다. 기존의 레지스터 조성물로는 케텐과 알데히드 공중합체가 잘 알려져 있지만 산에 의해 저분자량의 화합물로 분해되어 포스트베이크 시 분해한 저분자량 화합물이 휘산되기 때문에 드라이에칭용으로는 우수하지만 알칼리 현상형 에칭에는 적절하지 못했다. 이에 해당 기술은 알칼리 현상형에도 응용이 가능하며 기존의 화학 증폭형 레지스터에 비해 미세한 가공이 가능한 공중합체를 제공하려 한다. 말하자면 케텐과 방향족 알데히드로부터 용이하게 합성이 가능한 주쇄에 에스테르 결합을 가진 중합체 알데히드에 유래하는 구조 부분에 있어서 방향족 환상구조상의 치환기 위치가 다른 반복형 단위의 공중합체로 함으로써 폴리머 성분의 레지스터 조성물을 형성하도록 하여 위의 문제들을 해결하였다.

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한국기술벤처재단

등록일

2009-03-31

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