일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 표면 MEMS 기술을 이용하여 반도체 기판 표면에 유전체 기둥을 제작하고 그 기둥 위에 신호선을 올려놓은 형태의 저손실 마이크로스트립 전송선 및 제작방법에 관한 것으로, 전송선로 구현시 산화된 다공성 실리콘 기판 표면상부에 전송선과 접지면 사이에 있는 유전체에서 발생하는 유전체 손실을 줄이기 위한 다수개의 제 1유전체 기둥을 구비하고 상기 제 1 유전체 기둥 상부에 제 1신호선을 제작하고 상기 제 1 신호선 위에 제 2유전체 기둥과 제 2 신호선을 구비함으로써, MEMS 기술을 이용한 종래의 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로에 비하여 제작 공정이 비교적 간단하고, 전송선로와 접지면 사이에 있는 유전체에서 발생하는 유전체 손실과 기판에 의한 유전체 손실이 줄어들며 기존의 집적회로 소자와 서로 호환이 가능한 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로 및 그 제작 방법에 대한 것이다.본 발명의 표면 MEMS 기술을 이용한 유전체 지지형 다층 마이크로스트립 전송선로는 MEMS 기술을 이용하여 유전체 기둥을 제작하고 그 기둥 위에 신호선을 올려놓은 후 다시 신호선위에 유전체 기둥을 제작하고 신호선을 올려놓는 다층 신호선을 형성함으로써 MEMS 기술을 이용한 종래의 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로에 비하여 제작 공정이 비교적 간단하고, 접지면과 제2 전송선과의 거리가 멀어짐으로 인한 기판 손실을 줄일 수 있고, 기존의 집적회로 소자와 서로 호환이 가능하다는 장점이 있다.또한, 다층 구조 공정을 통한 능동 소자와 수동 소자와의 집적화를 할 시 보다 쉽게 연결 가능하며, 더불어 공정의 안정화를 통한 전송선위에 새로운 소자를 구현함으로 인한 전체적인 칩의 사이즈 또한 감소 효과를 보기 위한 연구이다. 즉, 제1 전송선위에 폴리마이드를 이용하여 유전체를 제작하고 그 위에 꼭 전송선 만이 아닌 인덕터나, 필터 등 다른 수동소자를 구현하여 소자들이 차지하는 면적 부분을 위로 쌓아 올리면서 전체적인 칩 면적을 줄이는 효과도 볼수 있다.
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- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술에 따른 이종 에너지 밴드갭 양자우물층을 갖는 도파로형 광소자는 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체 중 광통신용으로 사용되는 InGaAs/InP 혹은 InGaAsP/InP 물질의 다중 양자우물층의 에너지 밴드 갭을 하나의 시편 위에서 국지적으로 변환시키는 방법에 관한 것으로서, 광통신용으로 사용되는 광전자 소자 혹은 OEIC(광전자 집적회로)와 PIC(광집적 회로) 등에 있어 도파로형 광소자들을 하나의 시편 위에 집적시키기 위한 방법으로서 사용될 수있다. 또한, 여러 개의 파장이 나오는 반도체 레이저, 손실이 적은 레이저 등을 제작하는데도 사용될 수 있다. 본 기술의 도파로형 광소자는 현재 주관심의 대상이 되고 있는 1.3 μm 이상의 광통신 파장 대역에서 사용될 수 있는 반도체 물질로 현재 활발히 연구가 진행되고 있는 InGaAs/InP 다중 양자 우물 구조의 공정 기술에 관한것으로 광전 집적 회로와 광집적 회로 등에 응용될 수 있는 핵심 기술이며 공정상의 용이성으로 인해 시스템의 성능 향상, 생산 원가의 절감 등의 효과를 거둘 수 있다. 또한, 700 ℃ 이하에서 SiO 2 (혹은SiOx Ny) 덮개층을 InGaAs 캡층 위에 올리고 어닐링을 해서 충분한 밴드갭 변환을 할 수 있으므로 700 ℃ 이상의 고온 공정일 경우 발생할 수 있는 다중양자 우물 구조 Self - interdiffusion을 억제하고 공정상의 처리를 할 수 있으므로 좀더 우수한 성능의 집적화 소자를만들 수 있다. 또한 다중 양자 우물 구조 위에 0.5μm 이상의 두꺼운 크래드층이 있어도 밴드갭 에너지 변환을 이룰 수 있으므로 레이저 다이오우드, 광도파형 소자 뿐만 아니라 다중 양자우물 구조 위에 두꺼운 크래드층 혹은 최상층이 존재하는 수광 소자에도 응용될 수 있다.본 기술의 이종 에너지 밴드갭 양자우물층을 갖는 도파로형 광소자는 기판 상에 InGaAs층 및 InP층을 쌍으로 하는 적층이 적어도 한 쌍 이상 적층된 양자우물층을 구비하되, 상기 적층에서 수평방향의 영역별로 열처리에 의하여 에너지 밴드갭 변환이 일어나 원래의 에너지 밴드갭과 다른 에너지 밴드갭을 갖는 상기 적층 영역이 적어도 1개 영역 이상 형성된 양자우물층을 구비한 것을 특징으로 한다. 또한, 본 기술의 제조 방법은, (가) InP 제1크래드층 상에 InGaAs층 및 InP층을 쌍으로 하는 적층이 적어도 한 쌍 이상 적층된 양자우물층, InP 제2크래드층 및 InGaAs 캡층을 순차적으로 적층하는 단계; (나) 상기 양자우물층에 수평 방향 영역 별로 열처리에 의하여 에너지 밴드갭 변환이 일어나도록 열처리를 하기 위하여 상기 InGaAs 캡층 상에 SiO 2 층을 적어도 1개영역 이상 형성하는 단계; 및 (다) 상기 (가) 단계 및 (나) 단계에 의하여 형성된 적층을 소정의 온도에서 소정의 시간 동안 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
- 등록일
- 2007-07-31
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
채널기반형 네트웍 저장장치 인터페이스는 차세대 서버 연결망 기술이다. 지금까지는 네트웍의 대역폭이 저장장치의 대역폭에 비해 높지 않아 저장장치 시스템을 네트웍에 접속시키는 경우에 별다른 문제점이 없었으나 네트웍 속도의 비약적인 향상으로 인해 저장장치 인터페이스가 주요 병목 요인으로 떠오르고 있다. 따라서 차세대 네트웍 저장장치 인터페이스가 필요하게 됨공유버스를 갖는 기존의 PCI 버스의 네트웍저장장치는 확장성 및 성능 향상에 한계가 있으나 차세대 고속 입출력 시스템 연동망인 채널기반형 네트웍저장장치는 프로세와 입출력간에 독립적인 구조를 가지고 있어 성능, 안정성, 확장성을 보장함채널기반형 네트웍 저장장치 인터페이스의 특징은 point-to-point 기반의 고속 시리얼 통신으로 2.5Gbps/Lane, 최대 30Gbps의 대역폭을 가진다. 또한 Lane인의 수를 추가함으로써 선형적으로 대역폭을 증가시킬 수 있다. 채널기반형 네트웍 저장장치 인터페이스는 Physical, Link, Network, Transport Layer로 구성되어있다. 기존의 네트웍 인터페이스와는 달리 하드웨어적으로 Transport Layer가 정의됨으로써 RDMA를 사용해 CPU 관여없이 고속으로 데이터를 전송할 수 있음
- 보유기관
- 전자부품연구원
- 등록일
- 2007-07-02
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 발광다이오드(Light emitting diode: LED) 구동회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 교류전원을 전파정류 전압으로 변환하고 발광다이오드에 전원이 인가되는 경로를 연결/차단하는 스위칭 수단과 강압초퍼회로를 이용해 펄스폭변조(Pulse width modulation: PWM) 제어하여 발광다이오드를 구동하는 회로에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 교류전원을 전원으로 사용하여 발광다이오드 구동회로의 구성이 간단, 간소해지면서 역률, 광출력 제어의 특성이 양호한 것이 가능하다. 발광다이오드는 반도체를 이용한 발광소자의 한 종류로, 전자와 홀의 재결합에 기초하여 발광하는 반도체소자로서, 반응속도, 전력소모, 발열 등의 제반특성이 종래의 광원에 비해 매우 우수하여 광통신, 전자기기에서 여러 형태의 광원으로 널리 사용되고 있다.본 발명의 목적은 커패시터, 인덕턴스 등의 회로소자를 이용하여 교류전원을 사용하여 회로의 부품수와 크기를 줄일 수 있고 역률이 높으며 광출력 제어 성능이 우수한 발광다이오드 구동회로를 제공하는 데 있다. 교류전원을 사용하여 회로의 구성 및 크기를 간편화, 간소화하면서 우수한 역률 성능으로 발광다이오드를 구동하는 것이 가능하다. 스위칭 소자의 스위칭 동작이 교류의 주파수보다 빠르게 이루어져 전압값이 변하면 전류값 또한 즉시 변하게 되어, 입력측의 전압과 전류 간의 위상차가 크지 않다. 그리고 상기와 같이 전원공급부에 입력전류가 사인파의 형태로 인식되는 경우, 입력측의 역률값이 향상되어, 본 발명에 의하면 교류전원을 사용하면서 고역률로 발광다이오드를 구동하는 것이 가능하다.
- 보유기관
- 한국광기술원
- 등록일
- 2007-11-12
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 발광다이오드 어레이의 광학 및 열 특성을 측정하는 시스템에 관한 것이다. 발광다이오드 어레이의 광학 및 열 특성 측정 시스템은 발광다이오드 어레이에 전원을 공급하는 전원공급부, 발광다이오드 어레이에서 방출되는 광의 광도를 검출하는 광 측정부, 발광다이오드 어레이의 온도를 측정하는 온도 측정부, 전원공급을 제어하는 제어부를 포함하여, 공급되는 전원의 변화 및 전원공급시간에 따라 발광다이오드 어레이 모듈의 광학 및 열 특성 변화를 실시간으로 측정할 수 있어 발광다이오드 어레이 모듈의 광학 및 열 특성을 보다 정확하게 측정할 수 있다.발광다이오드 어레이의 광학 및 열 특성 변화를 에이징에 대해서 실시간으로 측정할 수 있어, 발광다이오드 어레이의 성능을 보다 정확하게 측정할 수 있는게 특징이다.
- 보유기관
- 한국광기술원
- 등록일
- 2007-12-06
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
접지 바운싱을 방지하는 반도체 장치의 출력단 회로에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 장치의 내부 회로에서 발생되는 신호들을 외부 장치로 전송하는 출력단 회로에 있어서, 상기 내부 회로에서 발생되는 신호들을 상기 외부 장치에 적합한 전압 레벨로 변환하여 출력하는 다수개의 출력 버퍼들, 및 상기 출력 버퍼들 중 일부에 연결되며 상기 내부 회로에서 발생되는 신호들 중 일부를 소정 시간 지연시켜서 대응되는 출력 버퍼들로 전달하는 복수개의 지연부들을 구비함으로써, 접지 바운싱이 감소된다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2008-04-10
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
기술개요 - 광 인쇄회로기판에 광학적 정렬 목적으로 사용되는 가이드홀의 제작 방법에 관한 것이다. 기술특징 - 광 인쇄회로기판의 가이드홀을 제조하는 방법에 있어서,내부에 광도파로가 안착된 광 인쇄회로기판을 형성하는 단계와 광 인쇄회로기판에 광도파로 끝단이 오픈되는 일정 크기의 삽입홈을 형성하는 단계, 삽입홈 내부에 반사 수단을 설치하고 그 상부면에 레이저 광 발생수단을 설치한 후에 반사 수단을 통해 레이저 광을 반사시켜 광 인쇄회로기판의 광 도파로로부터 기설정된 거리만큼 떨어진 위치에 가이드홀을 가공하여 형성하는 단계를 포함하는 광 인쇄회로기판의 가이드홀 제작 방법이다.
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 등록일
- 2008-02-10
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
통상의 반도체 집적회로의 사용 전압은 5볼트 이하의 낮은 전압이지만 디스플레이에 사용이 되는 전압이나 특정 회로에서는 그 이상의 높은 전압을 사용하게 된다. 따라서 이러한 통상의 반도체 집적회로의 출력 전압을 바로 이러한 디스플레이나 특정 회로에 인가하면 동작이 되지 않으므로 통상의 반도체 집적회로의 출력 전압을 이 디스플레이나 특정 회로에 맞도록 변경을 해야 하고 레벨 시프터라는 회로가 이러한 기능을 하게 된다. 본 발명은 아모포스 실리콘 박막 트랜지스터로 구성이 되는 레벨 시프터 회로에 대한 것으로 입력 펄스가 이 회로에 입력이 되면 출력 전압이 이 회로에서 나가게 되고 이 출력 전압의 전압이 입력 펄스의 전압에 비하여 보다 높게 되도록 하는 회로에 대한 것이다.
- 보유기관
- 호서대학교
- 등록일
- 2008-09-25
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 콤마 코드(comma code)를 이용한 1:10 디멀티플렉서에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, (1) 직렬 데이터와 상기 직렬 데이터의 입력 타이밍을 알려주는 클럭을 입력받아, 1:2 디멀티플렉싱(demultiplexing)에 의하여 상기 직렬 데이터의 1비트 데이터를 2비트 데이터로 변경하여 출력하는 디멀티플렉싱부; (2) 상기 디멀티플렉싱부에서 출력되는 상기 2비트 데이터를 2개의 쉬프트 레지스터에 저장하고, 상기 2개의 쉬프트 레지스터에 저장된 데이터를 이용하여 데이터의 시작을 알리는 특수 코드(콤마 코드; Comma Code)를 검출하며, 특수 코드가 검출될 경우 데이터의 동기를 위한 신호(CS 신호)와 데이터의 배열 상태를 알리는 신호(RS 신호)를 생성하는 콤마 검출부; 및 (3) 상기 콤마 검출부에서 생성된 상기 RS 신호를 이용하여 상기 콤마 검출부로부터 입력되는 2비트의 데이터를 2:1 먹스(MUX)를 사용하여 재정렬 하여 2개의 5비트 쉬프트 레지스터에 저장하며, 상기 콤마 검출부에서 생성된 상기 CS 신호를 이용하여 상기 2개의 5비트 쉬프트 레지스터에 저장되는 정렬된 10비트 데이터를 샘플링 하는 워드 정렬부를 포함하는, 콤마 코드를 이용한 1:10 디멀티플렉서에 관한 것이다.본 발명의 1:10 디멀티플렉서에 따르면, 1:10 디멀티플렉서를 구현하는 데 필요한 데이터의 시작 정보를 콤마 스트링 대신에 콤마 코드를 이용하여 검출할 수 있도록 함으로써, 데이터의 정확한 동기 및 고속 동작을 충분히 보장하면서 사용되는 트랜지스터의 수(칩 면적) 및 소비 전력을 대폭 감소시킬 수 있다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2008-11-26
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 자기터널접합을 이용한 논리회로에 관한 것으로서, 자기터널접합의 하부전극의 입력을 제거하고, 상부전극 상부면에 입력층을 추가하여 3개 이상의 입력층으로 구성함으로써, 상기 3개 이상의 입력층의 두개 이상의 전류 방향에 대응되도록 자유층의 자화 방향이 결정되고, 이에 따라 논리회로의 초기준비단계를 제거시킬 수 있으며, 초기준비단계가 제거됨에 따라 동작 속도를 증가시킴과 동시에 논리회로의 구현 효율을 증가시킬 수 있고, 상기 자기터널접합 소자를 이용하는 논리 회로를 구현함에 있어서, 추가되는 논리 소자들을 최소화시킬 수 있으므로 집적 회로의 집적율을 최대화할 수 있는 자기터널접합을 이용한 논리회로을 제공하기 위한 것으로서, 그 기술적 구성은 전류가 도통하도록 구비되는 상부전극과 하부전극과, 상기 상부전극과 하부전극 간에 증착되는 자성강층인 고정층 및 자유층과, 상기 고정층 및 자유층 간에 절연하도록 증착되는 절연층으로 이루어지는 자기터널접합; 상기 상부전극의 상부면에 위치하여 상기 자기터널접합의 고정층 및 자유층의 자화를 위하여 정방향의 전류가 인가되는 제1 입력층 및 제3 입력층과, 역방향의 전류가 인가되는 제2 입력층; 상기 자기터널접합의 각 출력이 입력되는 감지 증폭기; 를 포함하여, 상기 입력층에 입력된 논리 레벨에 따라 상기 감지 증폭기 출력으로 XNOR 연산을 수행하는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2008-12-04
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
- 기술개요본 발명은 GHz 이상의 변환속도를 갖는 고속의 데이터 변환기, 그 중 고속의 아날로그-디지털 변환기 내부의 클럭 신호를 외부에서 조절함으로써 제조 공정, 측정 환경에서 발생한 오차를 보정할 수 있는 전류원을 이용한 클럭 지연회로를 제공함.- 기술특징본 발명은 클럭 발생기의 내부 클럭 지연시간을 외부에서 인가하는 전류량을 통해서 자유롭게 조절하는 회로이다. 본 발명은 아날로그-디지털 변환기, 디지털-아날로그 변환기 및 클록 지연시간에 의해 성능특성이 결정되는 시스템에 적용 가능하다. 시제품의 경우 제작 공정, 또는 측정 환경에 의해 발생하는 외부 요인에 의해 클럭 타이밍이 설계 목표와 상이하게 달라지며, 이로 인해 성능이 저하될 수 있다. 본 발명은 측정 과정에서 각 블록에 인가되는 클럭을 외부 컨트롤을 통해 조절 가능케 하여 데이터 변환기 및 전체 시스템의 성능저하를 방지하는 효과가 있다. 동시에 전류원을 이용한 클럭 지연회로는 UWB, Blu-ray 시스템 등에 적용 가능한 GHz 이상의 변환속도를 갖는 데이터 변환기, 그 중 고속의 아날로그-디지털 변환기 내부의 클럭 신호를 외부에서 조절함으로써 아날로그-디지털 변환기 회로의 성능 측정시 본연의 성능을 확인할 수 있으며, 다양한 조건을 조성함으로써, 시제품을 통한 다양한 자료를 얻을 수 있는 효과가 있다.또한, 지연 회로의 지연시간을 외부 입력을 통해 직접 조절함으로써 다양한 조건을 조성하여 테스트의 편의성을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2008-12-17
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
해당 기술은 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 금속기판과, 금속 기판 상부에 형성되며 표면에 열 전도성 미세 입자가 부착된 고분자 입자들이 분산되어 있는 절연층과 절연층 상부에 형성된 도전성 전극 라인으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.해당 기술에 의하면, 인쇄회로기판 내의 절연층에 열 전도성 미세 입자를 고르게 분산시켜 인쇄회로기판의 열 전도성을 향상시킬 수 있다.해당 기술은 인쇄회로기판의 절연층에 높은 열 전도성을 가지는 미세 입자를 균일하게 분포시킴으로써, 인쇄회로기판의 열 방출 능력을 향상시킨 인쇄회로기판 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.해당 기술은 금속 기판과, 상기 금속 기판 상부에 형성되며, 표면에 열 전도성 미세 입자가 부착된 고분자 입자들이 분산되어 있는 절연층과, 상기 절연층 상부에 형성된 도전성 라인을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- (재)충남테크노파크
- 등록일
- 2009-01-28
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