일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
* 원리 와 구성본 기술은 원자현미경(Atomic Force Microscope: AFM)을 이용한 산화 구조물 패턴 형성에 사용될 수 있는 새로운 구조의 실리콘을 함유한 아크릴레이트계 3원 공중합체 및 이를 이용하여 반도체 또는 금속 기판상에 회전도포법으로 형성된 초박막 레지스트위에 AFM 리소그래피 기술을 이용하여 수십 나노미터 크기의 산화패턴(산화 구조물 패턴)을 형성하는 방법에 관한 것이다. 기술은 AFM(Atomic Force Microscope) 리소그래피에 응용되는 다음의 화학식 1의 구조를 가지는 아크릴레이트계 3원 공중합체를 제공한다. 또한, 본 기술은 다음의 화학구조를 갖는 중합체를 반도체 또는 금속 기판 위에 회전도포법으로 초박막을 형성시킨 후, AFM 탐침(probe)을 이용하여 초박막에 국부적으로 전압을 가하여 수십 나노미터의 선폭을 갖는 나노구조물(nanostructure)을 형성하는 방법에 관한 것이다.* 발명의 특징본 발명은 AFM(Atomic Force Microscope) 리소그래피에 응용되는 실리콘을 함유한 아크릴레이트계 공중합체를 제공한다. 또한, 본 발명은 반도체 또는 금속 기판위에 다음의 상기의 공중합체로 이루어진 초박막을 형성시킨 후, 새로운 미세가공 장치인 AFM의 탐침을 이용하여 상기의 박막에 국부적으로 전압을 가해주어 수나노 미터 크기의 산화 패턴 형성시키는 기술에 관한 것이다. 본 발명에서 제공하는 실리콘 함유의 아크릴레이트계 공중합체는 AFM 을 이용한 산화패턴 형성 시에 충분한 감도를 가지면서 기판 위에 도포 성능이 뛰어나며 막질에 대하여 우수한 접착 특성을 가진다. 또한 0.1㎛ 이하의 미세 패턴을 형성할 수 있다.적용응용분야 및 시장성본 레지스트 물질을 이용하여 최적 공정조건을 개선하면 수 nm 수준의 극미세 패턴형성이 가능하며, 이와 관련된 기술은 테라비트급 반도체 기억 소자와 초박막 패턴 형성기술을 응용하여 매스미디어 분야의 중요한 원천요소기술이 될 수 있다. 본 발명에서 개발한 공중합체는 고집적 반도체 소자를 제조하는데 있어서 매우 유용한 레지스트 조성물로 사용되어질 수 있어 고용량의 메모리소자의 개발에 큰 기대효과가 있다. 반도체 제조공정이 복잡해지고 집적도가 증가함에 따라서 미세한 패턴 형성이 요구되고, 그에 따라 새로운 리소그래피 기술에 있어서도 미세패턴용 내에칭성 레지스트 재료의 공급이 절실히 요구되는 상황이다. 본 발명에서 개발한 공중합체의 합성과정이 간단하며, 차세대 리소그래피 기술에 응용 가능 할 뿐만 아니라 기존 광 리소그래피 기술에도 응용될 수 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
*원리 및 구성본 발명은 유기 용매 분산성이 우수한 결정성 바륨티타네이트(BaTiO3) 나노 입자를 제조하는 방법에 관한 것이다.*제조방법 상의 특징 (a) 티타늄알콕사이드를 용매에 용해한 후 B-디케톤화합물 혹은 유기 카르보니 산을 적가하여 킬레이트된 티타늄 화합물을 형성하는 단계; (b) 수산화바륨 수용액에 (a) 용액을 천천히 첨가한 후 교반하여 바륨티타네이트를 형성하는 단계; 및 (c) 상기 바륨티타네이트를 분리하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 제조 방법으로 제조된 결정형의 바륨티타네이트는 평균 입경이 100nm 이하로, 입자의 크기가 작으면서도 균일하고, 유기 용매로의 분산성이 높아 고유전율과 유연성을 필요로 하는 무/유기 하이브리드형 고 유전 나노 복합체 제조에 적합하여 인쇄회로 기판(PCB)용 캐패시터 혹은 유기 반도체(OTFT) 등의 게이트 절연체용 막 과 같이 첨단 전자 산업 분야에 그 응용성이 높을 것으로 기대된다.본 발명에 따른 나노 결정형 바륨티타네이트 제조 방법은 [Ti(B-디케토네이트)3]+ 혹은 [Ti(카르보네이트)3]+ 를 수산화바륨 수용액을 이용하여 화학적 분해/합성하는 방법으로서, 1)본 발명에 따른 제조 방법으로 제조된 바륨티타네이트는 평균 입경이 100nm이하로, 입자의 크기가 작으면서도 균일.2)유기 용매로의 분산성이 높아 유기 고분자와 복합화한 유전체나 압전체 소자 등의 첨단 전자 재료 등 다양한 산업 분야에 그 응용성이 높을 것으로 기대됨.
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- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-08
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
*원리 및 구성본 발명은 클로로트리플루오로에틸렌의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 액상알콜 존재하에서 아연금속과 트리클로로트리플루오로에틸렌을 반응시켜 클로로트리플루오로에틸렌의 제조시, 상기 성분이 혼합된 액상의 반응물에 일정량의 염화물 또는 황화물을 추가로 첨가하고, 특정의 반응 조건에서 클로로트리블루오로에틸렌의 제조반응을 수행하여, 초기 반응속도의 향상 및 저온에서 단시간동안 목적으로 하는 클로로트리플루오로에틸렌의 수율 및 전환율을 월등히 향상시키는 클로로트리플루오로에틸렌의 제조방법에 관한 것이다.*배경불소계 정밀화학 제품의 원료물질인 클로로트리플루오로에틸렌은 불소계 투광성 고분자, 클로로트리플루오로에틸렌 고분자, 섬유 등 여러 산업 전반에 걸쳐 반드시 필요한 핵심물질로 사용되고 있다.이들 중 클로로트리플루오로에틸렌은 3불화수지로, 212 ∼ 217 ℃의 융점을 갖는 열가소성수지이다. 그러나 종래의 플라스틱에 비해 성형원료 분말의 체적밀도가 상당히 작고, 열전도도가 작으며, 용융온도 및 점도가 높으므로 가공온도 및 가공압력이 높고, 성형온도 범위가 좁은 특성이 있다. 또한, 가공 후 냉각하거나 서냉하는데 따라서 결정화를 제어할 수 있으므로 성질이 다른 제품을 얻을 수 있다.*종래기술클로로트리플루오로에틸렌의 제조방법으로는 아연과 트리클로로트리플루오로에틸렌을 반응시켜 제조하는 방법[미국특허 제2,877,275호]과 촉매 존재하에서 트리클로로트리플루오로에틸렌을 수소와 반응시켜 제조하는 방법[일본공개특허공보 제87-61936호] 등이 있다. 이때 아연과 트리클로로트리플루오로에틸렌을 반응 원료로 한 경우 초기 반응속도 및 생성물의 수율이 낮다는 문제점이 있으며, 금속산화물을 촉매로 한 트리클로로트리플루오로에틸렌의 수소화법은 반응온도가 수백도 정도로 높고 또한 반응 수율이 낮다는 문제점이 있다.*제조방법 상의 특징본 발명은 액상 알콜 존재하에서 아연금속과 트리클로로트리플루오로에틸렌을 반응시켜 클로로트리플루오로에틸렌을 제조하는 방법에 있어서, 상기 반응물에 아연금속에 대하여 0.01 ∼ 0.1 중량%의 염화물 또는 황화물을 첨가하고 20 ∼ 50 ℃의 온도에서, 1 ∼ 2 시간동안 반응하여 클로로트리플루오로에틸렌을 제조하는 방법에 그 특징이 있다. *특징 및 장점1)초기 반응속도의 향상으로 단시간에 목적으로 하는 클로로트리플루오로에틸렌의 수율 및 전환율 등을 크게 향상시킴.2)불소계 투광성 고분자, 클로로트리플루오로에틸렌 고분자, 섬유 등의 여러 불소계 정밀화학 분야에 효율적으로 사용됨.
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- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-27
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
*원리 및 구성본 발명은 말레인산에스테르로부터 감마-부티로락톤을 제조하는 방법에 관한 것으로, 하기 화학식 1의 조성을 가진 촉매의 존재하에서 말레인산에스테르를 기상 수소화시켜 감마-부티로락톤을 제조하는 본 발명에 따른 방법은 저온 조건, 반응물에 대한 수소의 저몰비 조건하에서 고선택율, 고수율 및 고생산성을 나타내며, 촉매의 수시 재활성하 조작을 수행하지 않고도 장기간 안정적으로 감마-부티로락톤을 제조할 수 있다.상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는 하기 화학식 1로 표시되는 촉매의 존재하에 말레인산에스테르로부터 감마-부티로락톤을 제조하는 방법을 제공한다:화학식 1CuO(a)MnO2(b)M(c)SiO2(d)상기 식에서, a, b, c 및 d는 중량을 기준으로 한 백분율로서, a는 40 내지 90이고, b는 0.15 내지 5이고, c는 0.001 내지 5이고, d는 5 내지 50이고, M은 아연(Zn), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 레늄(Re), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg) 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 금속 원소의 산화물을 나타낸다. *배경감마-부티로락톤은 피롤리돈이나 N-메틸피롤리돈과 같은 용매와 N-비닐피롤리돈, 폴리비닐피롤리돈, 부탄디올, 테트라하이드로퓨란 등의 합성 중간체로서, 농약, 의약, 염료, 석유화학, 전자산업 등 다양한 분야에서 사용되는 중요한 원료이다.감마-부티로락톤을 제조하는 방법으로는 무수말레인산이나 무수석신산을 직접 수소화시키는 방법, 부탄디올을 탈수소하는 방법 및 무수말레인산을 에스테르화하여 말레인산에스테르를 합성하고 합성된 말레인산에스테르를 수소화하여 부탄디올과 감마-부티로락톤, 테트라하이드로부탄을 합성하는 방법이 공업적으로 이용되고 있다.*제조방법 상의 특징본 발명의 방법은 말레인산에스테르에 대한 수소의 몰비가 1,000 이하, 바람직하게는 50 ~ 600이고, 반응온도가 280 ℃ 이하, 반응압력이 20기압 이하인 온화한 반응 조건하에서 높은 선택율과 수율 및 높은 생산성을 나타내고, 촉매의 수시 재활성화 조작을 수행하지 않고도 장기간 안정적으로 말레인산에스테르로부터 감마-부티로락톤을 제조할 수 있는 효과를 갖는다. 또한, 본 발명에서 사용하는 실리카로 안정화된 구리를 주성분으로 한 수소화 촉매는 크롬을 사용하지 않으므로 폐촉매의 환경 부하가 극소화된다.*특징 및 장점1)저온, 저압에서 운전 가능.2)무수말레인산의 증발시 야기되는 타르에 의해 촉매가 비활성화되는 문제를 완화시킴.3)장기간 운전이 가능.4)촉매의 반응생산성이 2배이상 높다.
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- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-27
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
*원리 및 구성본 발명의 방법은 무수프탈산으로부터 프탈라이드를 제조하는 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 무수프탈산으로부터 프탈라이드를 제조함에 있어서, 특정의 구리-실리카계 복합체 촉매 하에서 무수프탈산을 직접 촉매 반응시켜 프탈라이드를 효율적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.*배경프탈라이드는 염료, 의약품 및 농작물 보호제 등을 제조하는 중간체로 사용되는 유용한 화합물이다.프탈라이드를 제조하는 방법은 무수프탈산을 수소화하는 방법과 프탈산에스테르를 수소화하는 방법으로 크게 나누어지며, 무수프탈산을 촉매하에서 액상 수소화하여 제조하는 방법이 일반적으로 사용되는 기술이다.미국특허 제4,485,246호 및 미국특허 제3,957,825호는 균일계 루테늄촉매를 이용하여 무수프탈산을 액상 수소화하여 프탈라이드를 제조하는 방법을 제안하고 있다. 그러나 이 방법은 균일계 촉매가 고가이며 생성물과의 분리 회수에 어려움이 있다. 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 수소화촉매의 존재하에 무수프탈산으로부터 프탈라이드를 제조하는 방법을 제공한다.화학식 1CuO(a)MnO2(b)M(c)SiO2(d)상기 식에서, a, b, c 및 d는 중량을 기준으로 한 백분율로서, a는 40 내지 90이고, b는 0.15 내지 5이고, c는 0.001 내지 10이고, d는 5 내지 45이고, M은 아연(Zn), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 레늄(Re), 루테늄(Ru) 및 로듐(Rh) 중에서 선택된 적어도 1종 이상의 금속 원소의 산화물을 나타낸다.*종래기술본원 발명자들은 한국 특허 출원 제 2001-47151호(대한민국공개특허 제2002-8600호)에서, 구리 입자를 하이드로겔 형태로 생성시키고 나노 사이즈를 갖는 실리카 존재 하에서 숙성시키는 방법으로 제조할 경우 산화구리 입자 사이즈를 조절할 수 있고 궁극적으로는 실리카로 안정된 나노 막대형 산화구리 결정을 갖는 촉매가 만들어지며, 상기 촉매는 카르보닐 함유 화합물의 수소화에 활성을 보인다는 사실을 밝힌 바 있다. 특히 무수말레인산의 기상수소화에 고활성을 나타내었다. 상기 촉매를 이용하여 무수프탈산의 수소화를 수행한 결과 반응활성이 낮으며, 특히 프탈라이드에 대한 선택성이 낮고 오쏘-톨루인산 등의 부산물이 다량 생성되어 프탈라이드의 정제를 어렵게 하며, 고수율을 얻기 위해서는 고온, 고압 및 고 수소 몰비가 요구되었다.*특징 및 장점본 발명에서는 공업화를 위해서 저온, 저압 및 저 수소 몰비 하에서 고활성과 고선택성 및 고생산성을 가지도록 촉매를 개선하였으며, 무수프탈산으로부터 프탈라이드를 제조하는데 상기 화학식 1로 표시되는 수소화 반응촉매를 사용함을 특징으로 한다.1)반응온도 180~300℃, 무수프탈산에 대한 수소 몰비 40∼600, 반응압력 상압~40기압인 비교적 온화한 반응조건에서 직접 기상 촉매 반응시켜 프탈라이드를 제조. 2)장기간 안정적으로 무수프탈산으로부터 프탈라이드를 제조할 수 있는 효과를 가짐.3)실리카로 안정화된 구리를 주성분으로 한, 본 발명의 방법에 사용되는 수소화 촉매는 크롬을 사용하지 않음.4)폐촉매의 환경 부하가 극소화됨.
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- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-27
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
*원리 및 구성본 발명은 구형 티타니아 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 분무열분해공정을 이용하여 분말을 제조함에 있어서, 티타니아의 원료로서 나노 발연 티타니아(fumed titania), 및 티타늄 이소프로폭사이드(titanium isopropoxide, TTIP) 또는 금속산화물을 적정 비율로 혼합하여 적용함으로써, 완벽한 구형의 형상이며 치밀한 구조를 가지는 티타니아 분말의 제조방법에 관한 것이다.*배경구형 티타니아는 광촉매, 백색 안료, 화장품 원료 등 다양한 분야에 광범위하게 사용되고 있다. 이들 원료로 사용되는 티타니아는 충분한 효과와 인체에 무해한 특성을 가지기 위하여 마이크로 사이즈의 균일한 입도 분포와 높은 강도, 넓은 비표면적이 요구된다. 이에 따라 티타니아 분말의 입자 크기, 분포 및 형상을 제어하는 것이 중요하며, 특히, 광촉매의 환경정화 능력과 화장품 원료로서 인체의 피부에 무해하고 광분해 반응을 억제하기 위해, 입자의 충전 밀도를 극대화하고 구형을 유지하는 것이 매우 중요하다.*종래기술구형 티타니아를 제조하는 방법으로 주로 액상법 및 기상법이 사용되고 있다. 대한민국 특허 제 297809 호에는 티타늄 알콕사이드를 이용하여 졸-겔법에 의해 결정상 티타니아 입자를 제조하는 방법이 개시되어 있으며, 문헌(이종흔 외, 한국세라믹학회지, 28(10), pp.831-837, 1991)에는 초음파 분무열분해법으로 구형의 TiO2 미분말을 합성하는 방법이 개시되어 있다.그러나, 액상법에 의한 구형 티타니아 분말의 합성은 공정이 복잡하고 환경 친화적이지 못하며, 기상법에 의한 구형 티타니아 분말의 합성은 주로 나노미터 크기의 티타니아 분말들을 합성하는데, 이때 분말들간의 응집이 많이 발생하는 단점을 가진다. *제조방법 상의 특징(1) 발연 티타니아 및 티타늄 이소프로폭사이드(TTIP)를 용매에 분산 또는 용해시켜 0.02 ∼ 3M의 티타니아 화합물 용액을 제조하고, (2) 상기 용액을 분무장치에 투입하여 0.1 ∼ 100 ㎛ 직경의 액적을 생성시키고, (3) 상기 생성된 액적을 건조 및 열처리하는 단계를 포함하는, 티타니아 분말의 제조방법을 제공. : 분무열분해법에 의한 티타니아 분말의 제조에 있어서 티타니아의 원료로서 발연 티타니아와 TTIP 또는 금속산화물을 적절한 비율로 혼합 사용함으로써 완벽한 구형의 형상을 가지면서 치밀한 구조를 가지는 다공성의 티타니아 분말의 제조가 가능함.*특징 및 장점1)분말들간의 응집이 전혀 없고 분말의 크기가 서브마이크론에서 수마이크론으로 균일하며 높은 표면적으로 가짐.2)광촉매, 백색 안료, 화장품 원료 등 다양한 분야에 광범위하게 적용.
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- 한국화학연구원
- 등록일
- 2006-11-27
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 발명은 반도체 웨이퍼나 디스플레이 기판 상에 감광액이나 식각액, ITO 코팅액 등을 도포할 때 많이 사용되고 있는 스핀코팅 공정에 광폭초음파 분무공정을 복합화한 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 스핀공정 방식에서 발생하는 원재료의 비산에 따른 손실을 줄이고, 기존의 스핀방식으로는 웨이퍼상의 요철 부분에 공기가 미처 빠져나가지 못하여 향후 제품에 결함이 발생될 수 있는 스핀 방식의 단점을 없앨 수 있는 공정과 제조장치에 관한 것으로서 그 구성요소로서는 광폭의 초음파 분무를 할 수 있는 초음파무화기와 가스유동제어장치 및 스핀코터로 이루어져 있다. 이 분야의 종래의 방식은 스핀공정에 의하여 반도체나 유리기판 등의 표면에 액상 또는 액체와 고체 미립자가 혼합된 액을 도포하는 방식이라 반도체웨이퍼 상에 미세패턴이 있는 경우에 그 패턴 속으로 원하는 도포 액이 들어가지 않고 패턴 속에 공기층이 남을 수 있어 이러한 웨이퍼를 이용한 부품들의 불량 원인이 된다. 또한 스핀공정만으로 도포 액을 코팅할 때 그원액의 소모량이 많아서 원재료 비용이 높고, 대부분의 도포 액이 친환경적이지 못한 경우가 많아 잉여 도포 액이 환경적인 측면에서도 비용을 상승시킨다. 본 발명은 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 광역 초음파 코팅과 스핀 코팅 공정을 일체화하여, 공기가 미세패턴 속에서 빠져나오지 못하는 현상이 발생하지 않도록 하고, 또한 과다한 도포 액을 사용하지 않도록 하여 제품의 불량률을 저하시키고, 원가를 절감시키며 보다 친환경적인 공정을 이룰 수 있도록 하였다.
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2007-12-28
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 기술은 2세대 형 CFC계 물질인 HFC에 비해 대기 중 수명이 짧으며 오존층을 파괴하지 않고 지구 온난화 영향력도 낮은 함불소 화합물인 트리플루오로메틸트리알킬실란의 제조 방법에 관한 것으로 기존 염소계 세정제를 대체 혹은 감축시킬 수 있는 차세대 CFC 대체 혼합세정제 물질이다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2008-01-08
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 기술은 졸-겔 공정을 이용한 유-무기 하이브리드 코팅물에 관한 것으로 수용액 상 혹은 알코올 용액 상에서 유기 기능기가 결합된 금속 알콕사이드계 전구체에 의한 가수분해, 축합반응을 통하여 유-무기의 중간체를 합성하고, 유기 코팅물의 원래의 물질을 결합하는 방식이다. 기존의 유기 코팅제의 물성을 보완하며, 보다 투명하고 깨끗한 코팅물을 얻을 수 있고, 또한 유기용제를 사용하지 않고, UV 만으로 코팅물을 경화하기 때문에 시간 또는 에너지 절약, 그리고, 환경면에서도 큰 이로움을 제공할 수 있다.
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2008-01-14
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 발명은 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서 고효율의 인광 호스트 물질로 사용가능한 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.본 기술의 유기전계발광소자용 인광물질은 유기전계발광소자에 적용되어 발광물질의 수명을 증가시키고 발광효율을 높이며 농도소광을 감소시키는 효과가 있다. 표시소자, 디스플레이, 백라이트, 전자 사진, 조명광원, 기타 광원 및 표지, 간판,인테리어 등의 분야에 매우 적합하다. 종래의 외부 양자 효율이 5%에 미치지 못하는 형광 유기 EL 소자와 비교하여 소비전력을 대폭 낮추었고, 입체장애가 큰 치환기를 도입함으로써 높은 도핑 농도에서도 고효율을 유지할 수 있어 소자의 수명 증대에 매우 유용하겠다고 하겠다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2008-01-23
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 기술은 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 고효율의 인광 호스트로 사용가능한 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.본 기술의 유기전계발광소자용 인광물질은 유기전계발광소자에 적용되어 발광물질의 수명을 증가시키고 발광효율을 높이며 농도소광을 감소시키는 효과가 있다. 표시소자, 디스플레이, 백라이트, 전자 사진, 조명광원, 기타 광원 및 표지, 간판, 인테리어 등의 분야에 매우 적합하다. 종래의 외부 양자 효율이 5%에 미치지 못하는 형광 유기 EL 소자와 비교하여 소비전력을 대폭 낮추었고, 입체장애가 큰 치환기를 도입함으로써 높은 도핑 농도에서도 고효율을 유지할 수 있어 소자의 수명 증대에 매우 유용하겠다고 하겠다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2008-01-23
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 기술은 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 고효율의 인광 호스트로 사용가능한 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.본 기술의 유기전계발광소자용 인광물질은 유기전계발광소자에 적용되어 발광물질의 수명을 증가시키고 발광효율을 높이며 농도소광을 감소시키는 효과가 있다. 표시소자, 디스플레이, 백라이트, 전자 사진, 조명광원, 기타 광원 및 표지, 간판, 인테리어 등의 분야에 매우 적합하다. 종래의 외부 양자 효율이 5%에 미치지 못하는 형광 유기 EL 소자와 비교하여 소비전력을 대폭 낮추었고, 입체장애가 큰 치환기를 도입함으로써 높은 도핑 농도에서도 고효율을 유지할 수 있어 소자의 수명증대에 매우 유용하겠다고 하겠다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2008-01-23
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 기술은 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서 고효율의 인광 호스트물질로 사용가능한 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.본 기술의 유기전계발광소자용 인광물질은 유기전계발광소자에 적용되어 발광물질의 수명을 증가시키고 발광효율을 높이며 농도소광을 감소시키는 효과가 있다. 표시소자, 디스플레이, 백라이트, 전자 사진, 조명광원, 기타 광원 및 표지, 간판, 인테리어 등의 분야에 매우 적합하다. 종래의 외부 양자 효율이 5%에 미치지 못하는 형광 유기 EL 소자와 비교하여 소비전력을 대폭 낮추었고, 입체장애가 큰 치환기를 도입함으로써 높은 도핑 농도에서도 고효율을 유지할 수 있어 소자의 수명증대에 매우 유용하겠다고 하겠다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2008-01-23
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 기술은 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것으로서, 고효율의 인광 호스트물질로 사용가능한 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.본 기술의 유기전계발광소자용 인광물질은 유기전계발광소자에 적용되어 발광물질의 수명을 증가시키고 발광효율을 높이며 농도소광을 감소시키는 효과가 있다. 표시소자, 디스플레이, 백라이트, 전자 사진, 조명광원, 기타 광원 및 표지, 간판,인테리어 등의 분야에 매우 적합하다. 종래의 외부 양자 효율이 5%에 미치지 못하는 형광 유기 EL 소자와 비교하여 소비전력을 대폭 낮추었고, 입체장애가 큰 치환기를 도입함으로써 높은 도핑 농도에서도 고효율을 유지할 수 있어 소자의 수명증대에 매우 유용하겠다고 하겠다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2008-01-23
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
1. 기술의 개요본 기술은 메틸렌시클로프로판알데히드를 몰리브덴 화합물과 카르보닐화 반응을 수행하여 시스 입체선택적인 다양한 시스-시클로프로판-감마-부티로락톤 (CIS-CYCLOPROPANE-Γ-BUTYROLACTONE) 화합물을 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 다양한 시스-시클로프로판-감마-부티로락톤 화합물에 관한 것이다. 본 기술에 의해 생성된 화합물은 천연물 및 생리활성물질의 제조에 유용한 화합물로서, 신규중간체이다. 2. 기술의 특징몰리브덴 화합물과 다양한 시클로프로판알데히드 화합물들을 이용하여 카르보닐화 반응시켜, 입체선택적이며 다른 화합물로의 전환이 용이한 화합물인 시스-시클로프로판-감마-부티로락톤(ciscyclopropane-γ-butyrolactone) 화합물을 효율적으로 합성할 수 있어, 여러 가지 약물 및 생리활성물질의 중간체 또는 생성물의 합성에 널리 사용될 수 있다는 장점이 있는 것으로 사료된다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-11
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
1. 기술의 개요본 기술은 인듐 틴 옥사이드(INDIUM TIN OXIDE; ITO)를 합성하기 위한 조성물을 형성하는 방법 및 그 인듐 틴 옥사이드를 패터닝하는 방법에 관한 것이다. ITO 합성 조성물은 인듐-테르트 부톡시드(INDIUM TERT-BUTOXIDE)와 틴 테르트-부톡시드(TIN TERT-BUTOXIDE)를 전구체로 사용하고 1-벤조일아세톤(1-BENZOYLACETONE)을 안정화제(STABILIZER)로 사용하여 상대습도 5%이하의 글로브 박스에서 형성된다. 2. 기술의 특징종래의 조성물로 합성된 ITO에 비하여 전자빔(ELECTRON-BEAM)에 대한 민감도가 개선되며, 이로써 전자빔을 사용하여 본 기술에 따른 ITO를 패터닝하는 경우 10NM이하의 나노스케일 구조물(FEATURE)을 형성할 수 있다.
- 보유기관
- 성균관대학교
- 등록일
- 2008-07-11
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
고압 회분식 공정은 메탄올 농도가 높게 유지됨에 따라 폴리에스터 해중합이 빠르게 일어나지만, 시간이 지남에 따라 제품으로 생성되는 DMT와 EG의 농도 증가에 의해 반응평형에 의한 제한에 의해 반응속도가 느려지게 되며, 이에 따라 완전히 DMT와 EG로 해중합이 되지 못하고 약 15% 정도는 올리고머 형태로 남게되는 것으로 알려져 있다. 반면에 저압 연속식 해중합 공정은 반응기 상부로 DMT와 EG가 제거되기 때문에 반응 평형에 의해 제한을 받지는 않으나 저압이기 때문에 반응액중 메탄올 농도가 낮게 유지되어 반응 속도가 느리다는 단점을 갖는다. 따라서 본 기술에서는 초기 단계에서는 고압 메탄올리시스가 되도록 하여 높은 반응 속도를 유지하도록 하고, 반응 평형점 근처에서는, 즉 반응 말기 단계에서는 저압 연속식 메탄올리시스가 되도록 하였다. 따라서 반응속도를 획기적으로 증대시키면서도, 반응평형점의 제한을 받지 않는다. 즉 글리콜리시스 반응과 메탄올리시스 반응이 한 회분식 반응기에서 고압으로 일어나게 한 후, 이를 저압 연속식 메탄올리시스 공정을 거쳐 전체 반응속도를 획기적으로 증대시킬 수 있으며, 이에 따라 반응기 장치비를 절감할 수 있다. 또한 반응효율의 증대에 따라 반응에 소요되는 메탄올을 크게 줄일 수 있어 후속 공정에서의 메탄올 분리 장치 및 에너지를 크게 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한 글리콜리시스/메탄올리시스 반응조는 용해, 글리콜리시스 반응, 메탄올리시스 반응이 동시에 일어나기 때문에 기존 공정의 용해조가 필요 없으며, 글리콜리시스/메탄올리시스 반응기 상단의 응축기에서 반응기의 기체 부분을 응축시키고 이를 다시 원료로 활용함에 따라, 반응기 압력을 조절할 수 있으며, 응축된 EG, 메탄올을 다시 원료로 사용함에 따라, 원료인 EG의 사용량을 줄이거나 없앨 수 있으며, 또한 이에 따라 이를 후속공정에서 분리해야하는 분리 장치 및 에너지를 절약할 수 있다.
- 보유기관
- 충남대학교
- 등록일
- 2008-12-15
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
메탄올리시스 반응기로부터 나오는 기체는 메탄올, MHET, EG, DMT, DEG등이다. 메탄올리시스 반응기로부터 배출되는 기체를 liquid pool 에 직접 접촉하도록 하여 DMT, EG 등의 고비점 물질들을 응축시키고, 이 기체의 현열 및 응축열을 활용하여 liquid pool의 메탄올을 증발시켜 증류탑의 분리에너지로 사용하도록 하였다. 또한 메탄올리시스 기체로부터 DMT를 효율적으로 분리하는 증류 구조로 탑상부로 메탄올을, 탑 중앙으로 EG를, 탑하부로 DMT를 분리하는 구조로, 탑중앙에서 나오는 EG는 기체로 배출하며 이를 다시 분리하여 순수한 EG를 얻는 것을 특징으로 하며 이에 따라 에너지 및 장치비를 대폭 절감할 수 있으며, 원하지 않는 올리고머의 형성을 방지할 수 있다.
- 보유기관
- 충남대학교
- 등록일
- 2008-12-15
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 기술은 도가니의 상부에 원료 물질이 뭉치는 현상을 제거하고 균일한 가열이 가능하도록 상부와 하부의 면적을 다르게 형성한 판상 히터를 사용하는 저항가열식 박막증착장치를 제공하기 위한 것이다.도가니의 상부에 원료 물질이 뭉치는 현상을 제거하고 균일한 가열이 가능하도록, 박막증착용 고체 원료가 장입되는 도가니와, 도가니에 밀착되어 설치되고 판형상으로 이루어지며 상부의 단면적은 작고 하부의 단면적은 크게 형성하는 히터와, 히터를 지지하며 하부로의 열방출을 차단하는 지지체와, 도가니 및 히터의 외부를 감싸며 외부로의 열방출을 차단하는 열차폐판을 포함하는 저항가열식 박막 증착장치를 제공한다.
- 보유기관
- 충남대학교
- 등록일
- 2008-12-15
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
해당 기술은 게이트의 위치 및 크기를 변경하고 그에 따른 각각의 경우에 용탕의 표면길이를 측정하여 최적의게이트 위치 및 크기를 설정하는 다이캐스팅법에서의 게이트 위치 및 크기에 관한 최적화 방법에 관한 기술이다.명확한 기준을 통해 게이트의 위치와 크기를 최적화하여 주물의 불량률을 최소화할 수 있는 다이캐스팅법에서의 게이트 위치 및 크기에 관한 최적화 방법으로, 본 기술 관련 다수 특허 보유하고 있어, 타 업체와 비교 시기술적 우위를 점하고 있다.*시장성경량 소재의 대표적 주조법인 다이캐스팅은 복잡한 모양의 제품을 단번에 제조할 수 있는 경제적인 주조방법중의 하나로서, 그 중 고압 다이캐스팅은 고속고압으로 용탕을 금형에 주입하여 주물을 만드는 효율적인 방법으로, 소재부품산업의 근간이 되므로, 이에 대한 수요는 꾸준할 것으로 예상된다.
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2009-02-26
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