일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 가교 폴리에틸렌 케이블 종단접속용 스트레스콘의 제조방법에 관한것이다. 종래의 스트레스콘의 제조방법으로서는 반도전성 고무의 반도전부를 미리성형하여 놓고, 이것을 나중에 예열하여 완성된 금형의 상.하다이사이에 삽입하여 넣고, 절연성고무를 이송성형(Transfer moulding) 또는 사출성형에 의해서 주입하여 일체로 성형하였다. 이때 미리 만들어 놓은 반도전부를 완성품금형의 상.하다이사이의 반도전삽입부금형에 삽입할 때, 완성품금형의 치수가 삽입되는 성형될 때 유동이 없이 원하는 반도전극형상을 가지는 스트레스콘을 얻을 수 있게 되는데, 반도전부를 완성품금형에 넣을 때 금형과 반도전부와의 공차가 거의 없으므로 삽입이 어렵고 또한 반도전부는 절연성고무와의 접착을 좋게하기 위해 예열을 하므로, 무리한 힘을 가하여 삽입하게 되면, 특히 반도전 전극형상이 시작되는 접합부분이 찌그러지거나 눌려 변형이 일어났었고, 또한 반도전부가 완성품금형이 정확히 삽입되었는지를 알 수가 없어 작업이 매우 불편한 단점이 있었던 것이다. 따라서 이 기술은 목적은 스트레스콘의 제조성형용 금형의 구조를 개선하여 반도전부를 쉽고 정확하게 삽입할수 있고 또한 성형이 끝난후 완성품을 쉽게 꺼낼수 있게하여 접합부분에 찌그러짐과 변형이 없도록한 고전압 케이블 종단 접속용 스트레스콘의 제조방법을 제공하는데 있다.완성품금형의 반도전부가 삽입되는 좌.우삽입부금형다이를 수직으로 2등분할하여 반도전부의 삽입시 아무 마찰없이 금형사이에 삽입 설치될 수 있게 하였고 또한 그 삽입상태를 눈으로 직접 확인할 수 있을 뿐아니라, 반도전부 삽입이 끝난후 금형을 클램핑시킬 때 상.하부금형다이사이에서 슬라이딩 동작이 발생하여 자동적으로 좌.우삽입부금형다이가 결합되게 하여 제조공정을 매우 손쉽고 간편하게 할 수 있고, 성형이 끝난후에도 완성품을 꺼낼 때 상.하부금형다이사이에 설치되며 수직 2등 분할된 좌.우삽입부금형다이를 옆으로 벌려주면 쉽게 제품을 분리해낼 수 있어 더욱 제조공정에 따른 작업능률을 향상시킬 수 있었고, 특히 반도전부 삽입시 무리한 힘을 가하지 않게 되므로 반도전 전극형성이 시작되는 접합부분이 찌그러지거나 눌려 변형이 일어나는 것을 방지하여 정확한 스트레스콘을 제조할 수 있다.
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- 대구기술이전센터
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- 2005-04-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 사출성형기 공정제어의 전자비례변제어에 관한 것이다. 종래의 사출성형기 전자비례변 제어에 의하면 이 전자비례변을 제어하기 위해 외부 볼륨에 의한 출력의 설정값을 사출성형 조건에 따라 다수개 릴레이를 이용한 것이 있으나, 이는 릴레이 코일을 여자시켜 접점을 코로스됨에 대한 시간이 지연될뿐 아니라, 접점간의 접점 상태 마모로 인해 수명이 단축되고, 해당되는 시점에서만 제어신호값을 받게되므로 이에 대한 응답성이 늦어지고, 설치면적 및 제작비용이 부담되는 단점이 있었다. 따라서 이 기술은 사울성형기의 각 모델에 사용되는 전자비례변 종류에 따라 특성 곡선이 달라지는 출력값을 전자적인 스위칭 방식에 의한 아날로그 입력신호 전달로서 최종 펄스폭을 가변하여 얻어지는 평균전압의 변화율로 선형 곡선 기울기를 조정되도록한 회로를 제공하려는 것이다.외부 설정값을 전자스위칭에 의해 OP증폭기 입력으로 받아 들이고, 그때의 해당 설정값을 아나로그 스위칭 소자에 의해 각각의 제어설정값이 가산기로 입력되도록 하여 일정한 주파수의 삼각파를 발진케하고, 이 발진 신호에 외부 DC 전압값을 비교케하여 펄수폭을 조정되게 함으로서 전자비례변의 선형 곡선 기울기를 조정되게 하였다. 결국 실질적인 사출공정제어의 가변범위를 둠과 동시에 범용적인 안정된 콘트롤이 이루어지게 되고, 출력드라이브단의 무리를 완화시킬 수 있는 반면, 응답성이 매우 신속하게 이루어지는 효과가 있다.
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- 2005-04-22
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 파부 알루미늄 시스 케이블(cable)과 접속함체를 밀봉 시켜주는 접속부 구조에 관한 것이다. 일반적으로 종래의 케이블 파부 알루미늄 시스와 접촉함체의 밀봉접속은 주로 연공에 의해서 이루어 지는데, 알루미늄은 연공작업하기 곤란한 금속이며, 더욱이 파부 알루미늄 시스는, 시스표면이 요철 형태이므로 알루미늄용 땜납 도금도 곤란하고, 또한 연공작업에 장시간이 소요되어 작업능률과 생산성이 떨어지며, 연공작업도중의 온도가 200-240℃에 도달하므로 알루미늄 시스에 악영향을 미치며, 케이블 절연체에 융점이상의 열이 전도되어 절연체가 녹아 열 열화와 변형을 심하게 일으키는 문제점이 있다. 또한 연공에 의한 밀봉접속은 작업자의 숙련도에 따라 그 성능에 지대한 영향을 미치게 되어, 밀봉성능과 전기적 연결성능도 저하시킨다. 본 기술은 이러한 문제점을 보완하고자 한다.케이블의 파부 알루미늄 시스와 접속함체의 접속부를 화기를 이용하는 연공작업에 의하지 않고, 전기적 연결은 납스페이서 및 석도편조선으로 하고, 밀봉은 퍼티상의 에폭시수지를 사용하여 행함으로써, 무연공 방식으로 파부 알루미늄시스와 접촉함체를 접속하므로 , 고온(200-240℃)가열로 인해 케이블의 알루미늄 시스 및 절연체에 미치는 악영향을 방지할 수 있고, 또한 무연공 작업에 의하기 때문에 연공작업에 비해 작업시간을 대폭 줄여 작업능률과 생산성을 향상시킬 수 있을 뿐아니라, 비숙련자가 작업을 하여도 접속부의 양호한 성능을 얻을 수 있고, 또한 전기적 연결 및 밀봉작업이 별도로 행하여 지므로 서로 독립적인 확인을 하여, 작업을 할 수 있어, 우수한 성능을 보장하며, 제품의 불량률을 절감시킬 수 있고, 특히 에폭시 수지층 외부에 방수 테이프층과 방식용 테이프층 및 튜브층이 형성되므로 완벽한 밀봉 성능과 접속부의 기계적 강도 및 내구성을 향상시키고, 제품의 품질도 향상시켜, 전체 시스템에서의 성능 및 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
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- 2005-04-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 GaAs단결정 성장시 양질의 단결정성 확보를 위한 As 증기압 제어방법에 관한 것이다. GaAs 성장법에서 As원소가 기화되어 As, As4, As2등으로 변할때 이들은 주변온도에 따라 평형 분압을 다르게 가지므로 종래 방법대로 단결정을 성장시킬 경우에는 석영 반응관내에 As-증기상들의 불안정성이 야기되어 원하고자 하는 조성비 제어가 불가능한 문제점이 있다. 이에 종래의 결점을 해결하기 위해 기존 증기압 제어와는 달리 역의 방법으로서 주어진 석영관 부피와 온도분포 및 제어압력을 감안한 As2 및 As3 기체상의 몰수를 정산하여 장입함으로써 해소될수 있도록 하였다.이 기술은 밀봉된 석영관 위에 GaAs 원료를 장입하여 1250-1260CEL 정도의 고온과 610-630CEL의 저온에서 온도 제어를 하고 이온도 제어는 As 증기압을 일정하게 유지하게 하여 GaAs가 용해 되면서 생성될 때 표면에서 처리되어 As 성분이 이탈되는 것을 억제 하기 위한 것이다. 그런데 As 원소가 고체 상태나 기체 상태에서는 As2,As4 상태이므로 외부적인 온도만으로 평형 증기압이 안되므로 즉 GaAs 융액-고체-As증기 상간의 평형 상태로 공존해야 하므로 석영 반응관내에 As-증기상들의 불안정성이 야기되어 원하고자 하는 조성비의 제어가 불가능 했던점을 역의 방법으로서 주어진 석영관 부피와 온도 분포 및 제어 압력을 감안한 As2 및 As3 기체상의 몰수를 정산하여 장입함으로써 해소될 수 있게 하였다. 따라서 As 원소들을 열역학적 계산하여 미리 석영관에 As증기상의 총 몰수를 정산하여 장입하고,편차는 1/20로 줄였으며 정확한 조성비 제어가 가능하게 하였다.
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- 2005-04-22
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 메인기판 상에 별도의 보조기판을 수직으로 접속 시키기 위한 소켓콘넥터와 플러그 콘넥터에 있어서 소켓콘넥터 내부에 설치되어, 플러그 콘넥터의 콘넥터핀과 접속되는 접속단자에 관한것으로 이들 콘넥터는 메인기판과 보조기판을 상호 전기적 신호를 주고 받을수 있도록 연결하는 것이다. 종래의 접속단자를 고정하는 방법에 있어서는 고정구조가 복잡하여 부피가 커지는 폐단과 그 고정이 견고하지 못하여 소켓콘넥터와 플러그콘넥터의 결합 과정에서 접속단자가 소켓콘넥터에서 이탈되는 경우가 발생하여 기기접속 불량에 의한 불량제품의 원인이 되는 결점을 갖고 있다. 이 고안은 이러한 문제점을 해소한 것으로서 제품을 블랭킹(Blanking)가공 만으로도 생산 가공을 할수 있도록 하고, 상하 유동에도 견딜수 있는 프린트 기판용 소켓콘넥터의 접속단자를 제공하려는 것이다.메인기판상에 보조기판을 수직으로 접속시키기 위한 소켓콘넥터와 플러그콘넥터에 있어서, 플러그콘넥터의 콘넥터핀과 접속되는 접속편을 수직으로 세워 마주보게하고, 이에 연이은 고정부을 형성하여 좌우측 가이더에 쐐기 고정부를 엇갈리게 형성하여 쐐기 고정부에 의해 소켓콘넥터의 홀(Hole) 내부 격벽 내측에 박히면서 고정이 완료되는 것이다. 이와 같이 작용하는 본 기술은, 부품 생산성이 간편하고, 작업성이 뛰어나, 생산능률을 향상시킬수 있을뿐 아니라, 상하진동에 강하여 제품의 성능이 우수하고, 고정구조가 간단하여 소형화가 가능하다.
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- 2005-04-22
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 고안은 각종 전기, 전자제품의 내부에 설치사용되는 프린트기판에 또다른 프린트 기판을 수직으로 연결설치 할때 사용하는 콘넥터에 관한것으로서, 특히 프린트 기판을 수직으로 연결고정하는 콘넥터를 플러그 콘넥터와 소켓 콘넥터로 분리제작하여, 수평으로 설치되는 프린트 기판의 일측에 플러그 콘넥터를 고정하고, 수직으로 설치되는 프린트 기판의 저부에는 소켓콘넥터를 고정하여 착탈 가능하게 프린트기판을 수직으로 연결설치하면서 직접 기판끼리의 전기접속이 이루어질수 있게한 프린트기판 수직연결용 콘넥터에 관한 것이다.기판을 수직으로 연결고정 하여주는 콘넥터를 플러그 콘넥터와 소켓콘넥터로 분리 구성하여 수평프린트기판과 수직프린트 기판을 콘넥터의 착탈 동작으로 용이하게 고정 분리시킬수 있게 하여 조립작업이 간편하고 손쉬워 작업능률과 생산성을 향상시킬수 있을뿐 아니라, 회로 설계상 여러가지 편리함을 제공할수 있었고, 또한 각기판의 대량 생산성이 가능하게 되며, 특히 기판의 보수나 불량발생시 그 불량 기판만 분해하여 보수 또는 교체해 주면 되므로 전자기기전체를 보수하거나 폐기할 필요가 없어 경제적인 효과를 부여할수 있고, A. S를 편리하게 할수 있으며, 기판과 기판의 전기적 연결도 플러그 콘넥터와 소켓 콘넥터의 결합으로 가능하게 되어 제품의 신뢰성 및 품질을 향상 시킬수 있고, 또한 전선을 이용하지 않고 기판의 전기적 연결이 가능하므로 내부의 배선작업이 간소화되며, 이에 따라 전선가공비를 절감시켜 제조원가도 절감시킬수 있고, 제품을 컴팩트화 시킬수 있는 효과를 얻을수 있다.
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- 대구기술이전센터
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- 2005-04-22
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 전선도체에 침투한 수분이 도체 각 소선사이의 길이 방향으로 확산되는 것을 방지하기 위한 수단인 전선용 수밀도체 제조를 위한 연선헤드에 관한 것이다. 종래의 수밀도체 제조를 위한 연선헤드를 살펴보면, 전방에 전광후협 상의 테이퍼형 콤파운드실을 가지며, 그 후단 전방에 연선다이스와 후단에 압축다이스를 가지며, 상기 콤파운드실의 소정위치 내주연 전둘레에 일측의 주입통로로 부터 연결되는 일정간격의 토출공을 구비함과 동시 외부둘레에 밴드히터를 가지는 다이홀더로 구성된 것으로 연선시 수밀콤파운드를 각소선 틈사이에 충전하는 방법으로 주입통로를 통해 수밀콤파운드를 주입토출공을 통해 콤파운드실로 주입되게 하고, 소선이 지나감에 따라 피복되게한 것이었다. 그러나, 이는 그 공정은 단순하나 수밀콤파운드가 실내에서 전방으로 배출되어지려는 힘등에 대하여 연선의 선속과 수밀콤파운드의 압출량 및 콤파운드의 정도에 따라 충전상태 즉 수밀상태가 변하기 때문에 그 조절이 까다롭고, 균일한 수밀특성을 얻기가 힘들다. 본 기술은 이러한 문제를 해소하기 위하여 콤파운드실 전면에 막음판을 설치하여 양호한 연선작업이 이루지도록 하였다.전방에 전광후협상의 테이퍼형 콤파운드 실을 가지며, 외주면에 밴드히터를 구비하고, 상기 콤파운드 실 내주연의 전둘레에 일측의 주입통로로 부터 연결되는 일정간격의 토출공을 구비한 다이홀더로 된 연선헤드에 있어서, 상기 콤파운드 실 전면에는 실내에 수납되는 콤파운드 차단용으로 중앙에 연선 통과용 구멍을 가지는 막음판이 고정결합 된다. 이 콤파운드 막음판의 기능은 다이홀더와 함께 콤파운드 실을 형성케하고, 일단 토출공을 통하여 공급될 수밀 콤파운드는 이 공간을 먼저 채운후 소선틈 사이에 파고들기 때문에 수밀 콤파운드 충전도에 대한 콤파운드점도 의존성이 줄어들게 되어 충전도 조절이 용이하게 된다. 또한, 콤파운드가 도체 각 소선에 파고 드는 힘도 종래와 달리 중심소선과 수직방향으로만 작용하게 되어 상대적으로 그 힘도 커지기 때문에 연선 선속 및 생산성이 향상되는 효과가 있다.
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- 2005-04-22
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 전선 케이블에 적용되는 154KV이상의 콘덴서 단말 처리방법에 관한 것이다. 종래의 콘덴서 단말 처리방법은 각 섹션(section)전극간의 두께(tk 단 k=1 …m) 및 외부 절연 거리를 일정하게 하고, 또 각 섹션의 전극간 전압(VK)가 일정하도록 하여 전극의 폭을 계산하여 콘덴서 단말장치를 설계하였으나, 이는 각 섹션의 전극간 분단전압(VK)만을 일정하게 하여 설계하였기 때문에 상당량의 얇은 전극을 절연 유침지 사이에 삽입하는 작업이 매우 어렵게 되어 작업시간이 장시간 소요되며, 또 작업시간이 장시간 소요됨에 따라 노출된 유침지 등에 공기중의 수분등이 흡착하게 되어 절연성능을 저하시키게 되는 등의 문제점이 있었다. 따라서 본 기술은 전극 구조 및 배치를 달리하여 전극수를 줄이고 각 전극간의 최대 전계를 거의 일정하게 하기 위한 것이다.도체의 외주를 절연지로 포감한 상태의 외측 단부에 고압전극이 취부된 권심을 끼우고 그 외주를 절연 유침지로 감으면서 수개의 전극과 저압전극을 삽입설치하여 되는 콘덴서에 있어서, 상기 콘덴서의 단말부 내부전극 구조를 몇 개의 섹션별로 구분하고, 구분된 각 섹션 단위로 각 전극간의 두께(tk)를 다르게 설정함으로써 최대전계를 조절해 줄 수 있도록 함을 특징으로 한다. 따라서, 작업시간 단축으로 노출상태에서의 절연 유침지에 공기 중의 수분등이 흡착되어 절연성능을 저하시키는 문제점을 해결할 수 있게 되어 성능 및 경제성이 우수하게 되는 효과가 있다.
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- 2005-04-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 내부절연체와 외부도체 사이에 접착물이 삽착된 동축 케이블에 관한 것이다. 특히, 종래에는 케이블 배선(포설)후 케이블 유동이 있을 경우 내부절연체(내부도체포함)가 외부도체내에서 한쪽 케이블 방향으로 계속 쏠리는 현상이 발생하여 하중이 일측으로만 작용됨으로 콘넥터 중심핀 부분에서 전기적으로 접촉이 끊어지게 되는 문제점이 있었다. 이 기술은 이와같은 문제점을 감안해결하기 위하여 내부절연체와 내부도체간을 고정시키기 위한 접착물을 삽착하여 외부도체 내에서의 내부절연체 쏠림을 방지함으로써 포설후 콘넥팅 부분에서의 단선이 방지될 수 있는 동축 케이블을 제공함에 목적이 있다.케이블 중심의 내부도체는 내부절연체에 의하여 피복되어 있고, 이 내부절연체와 외주가 외피에 의하여 피복되는 외부도체 사이에 공극이 형성되는 구조의 동축케이블에 있어서 공극의 폭에 해당하는 두께의 접착물을 공극내에 삽착하여 내부절연체의 유동을 방지할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다. 이때 삽착되는 접착물의 형태는 케이블 길이방향에 따라 종으로 삽착하거나 또는 나선형으로 하여 삽착할 수 있으며, 적용간격은 연속적 또는 단속적(모르스 부호형태)으로 필요에 따라 적용한다. 또한 대나무 마디처럼 임의 간격마다 내부절연체 외면(또는 외부도체내면)원주에 걸쳐 링형으로 삽착 할 수도 있다. 상기한 바와 같은 본 기술은 내부절연체와 외부도체사이에 접착물을 삽착하여 내부절연체의 유동을 함으로써 콘넥팅부의 전기적 단선이 방지되는 동축 케이블을 제공할 수 있게 된다.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2005-04-22
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 전선의 제조 공정에서 테이핑(Tapping) 작업시 권취되는 테이프의 종단과 대기중인 테이프의 시단을 연결하여 주는 종첨 테이프 접속장치에 관한 것이다. 종래의 테이프 접속 방법을 보면 테이프 패드에 감겨져 작업중인 테이프가 다소모되어 대기중인 새로운 테이프 시단과 작업중인 테이프의 종단을 연결접속시키기 위해서 압출기의 선속을 낮춘후 수작업으로서 비닐테이프를 이용하여 종단과 시간을 접속한 다음 면도칼로 여분을 절단하였던 것이다. 따라서 모든 작업이 수작업으로 이루어지므로 작업성의 저하로 작업능률과 생산성이 떨어지고, 이에 따라 제조원가를 상승시키는 요인이 되었으며, 또한 작업공정을 자동화 시킬 수 없는 문제점이 있었다.테이프 패드 홀더와 체인지를 실린더 및 랙과 피니언으로 구성되는 테이프 패드 체인징부와 테이프를 이송시켜주는 가이드 롤러로 구성되는 테이프 접속장이에 있어서 가이드롤러와 롤러사이에 해부로울러를 설치, 에어실린더에 상부 로울러를 설치 상,하 이동할 수 있게 하고 스퍼어기어는 모터축 기어와 맞물려 회전하며 롤러의 뒷편으로는 종첨된 테이프의 잔여분을 절단하는 커터를 설치하므로, 작업성이 향상되어 작업능률과 생산성을 향상시킬 수 있었고, 이에 따라 단위시간당 생산량을 증가시켜 제조원가를 절감시킬 수 있었으며, 또한 작업공정이 자동으로 이루어지므로 라인을 자동화시킬 수 있는 효과가 있다.
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- 등록일
- 2005-04-22
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 배전용 전력케이블의 단말접속 방법에 관한 것이다. 종래의 조립형 단말접속 방법에서 인출봉과 최상단 고무스커트사이의 밀폐를 위하여 최상단 고무스커트에 쓰워지며 상면에 인출봉이 강제 삽입되는 구멍을 가지는 고무캡을 삽입 결합하여서 배전용 전력케이블의 단말을 접속하게 되는데, 이 경우 최상부의 고무캡과 도체단자 사이의 밀착력이 좋아야 하는데 도체단자인 인출봉은 그 특성상 금속재질로 표면이 아주 매끄러운 상태이므로써 밀착력이 떨어지는 조건에서 상부의 인출봉과 케이블 절연체가 캡의 고무자체의 탄성만으로 밀착되는 구조를 갖고 있기 때문에 장기 사용시 상단부의 접촉면 사이로 물이 침투하므로써 열화를 촉진하여 접촉면 상태를 더욱 악화시키면서 절연파괴를 야기시키는 최약점이 있다. 따라서 본 기술은 조립식 단말의 방수특성을 개선할 목적으로 고무캡을 가열접착제로 밀폐 접속 되게하려 한다.도체를 감싼 케이블절연체에 고무스커트가 적충되게 관통삽입 설치되어, 상부에 노출된 도체가 인출봉의 저면구멍으로 삽입되고 하부에는 스트레스콘을 자체탄성력으로 삽입고정시켜 인출봉과 최상단 고무스커트 사이에 구멍을 가지는 고무캡이 씌워지도록 조립 된것에 있어서, 고무캣의 구멍과 인출봉 사이를 가열 접착제를 이용하여 방수되게 한다. 이처럼 수밀되게 조립 구성시키는 본 기술은 시공의 간편성 등에서 우수한 특성을 갖는 조립형 단말 접속 방법에서 가열접착제를 사용하여 그 수밀구조를 개선시키므로써 조립형 단말접속 방법에 따른 단말의 (오랜사용에 의한) 수밀저하로 의한 절연파괴 현상을 일거에 해소시킴으로써 보다 나은 특성을 갖는 조립형 전력케이블의 단말을 제공하는 효과가 있다.
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- 2005-04-22
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 수평-브리지만(HB) 법으로 GaAs단결정을 제조함에 있어, Zn을 도우핑(doping)하여 p-type GaAs단결정 성장시 결정성장 조건을 정밀 제어 함으로써 고품위의 단결정을 높은 수율로 성장토록한 Zn-doping에 대한 p-type GaAs단결정 성장방법에 관한 것이다. 일반적으로, 수평-브리지만(Horizontal Bridgman) 법으로 단결정 성장시 결정성에 영향을 주는 요소로는 고-액 계면의 온도 기울기와 성장속도, As증기압 제어(stoichiometry control), 고-액 계면의 형태, 보우트(boat) 재료 및 처리, 기타재료의 순도(purity) 및 오염(contamination), 냉각과정(cooling-process) 등을 들 수 있다. GaAs는 CRSS(critical resolved shear stress : undoped일때 융점에서 7g/㎟)와 Esf(stacking faults energy : undoped일때 55mJ/㎡)가 매우 낮아 p-type 도우판트(dopant)로서 어셉터-불순물(acceptor-impurity)인 Zn만을 도우핑(doping)하였을 경우 임퓨어리티 하드닝 효과(impurity hardening effect)가 거의 없기 때문에, 상기한 결정 성장 조건을 정밀 제어하지 않으면 시딩-쇼크(seeding-shock), 보우트(boat)와의 웨팅(wetting), 논-스토우이치오메트리(non-stoichiometry), 그리고 오염(contamination) 등으로 야기되는 성장 과정중의 스트레스(stress)나 뉴클리어레이션(nuclearation) 등으로 인하여 쌍정(twin)이나 다결정화 하기 쉬우며, 전위로 인하여 고품위 웨이퍼(wafer)를 얻기가 어렵다.본 기술은 p-type GaAs단결정 성장시 원재료로부터의 불순물 유입을 최소화하기 위하여 Si농도가 1×1016㎝-3 이하의 언도우프드(undoped)된 다결정 GaAs를 사용하고, Zn의 초기농도를 1-3×1019㎝-3가 되도록 고농도를 도우핑(doping) 하고, 스토우이치오메트리(stoichiometry)를 정밀 제어하기 위하여 As-Zone에 보조 히터(heather)를 사용하여 온도 플럭튜에이션(fluctuation)을 ±0.1℃ 이내로 제어하였으며, 시딩(seeding)시 서어멀-쇼크(thermal-shock)가 잉곳(ingot)내로 전파되는 것을 방지하기 위하여 앰플(ampule) 전체를 종결정(seed) 쪽으로 약 2°정도 기울어지게 하고 다결정의 량을 적절히 조절하여 승온후 GaAs 용융액(melt)이 자연적으로 시딩(seeding)되도록 하였다. 또한 시딩(seeding)시 용융액(melt)에 의하여 GaAs 종결정(seed)이 모두 녹지 않도록 종결정(seed)이 GaAs의 융점(1238℃) 이하에 위치하도록 하고, 고-액 경계면이 종결정(seed)이 용융액(melt)쪽 끝에 오도록 인터페이스(interface)의 위치를 ±0.5㎝ 이내로 제어하였다. 이처럼 GaAs단결정 성장조건을 정밀 제어함으로써 높은 수율의 GaAs단결정 성장을 기할 수 있다.
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- 2005-04-22
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 수평-브리지만(HB)법으로 GaAs 단결정을 제조함에 있어, Zn과 Si을 더블-도우핑(double-doping)에 의한 p-type GaAs 단결정 성장방법 관한 것이다. 일반적으로, HB(horizontal Bridgman)법, GF(gradient freeze)법, ZM(zone melting)법, LED(liquid encapsulanted Czochralski)법 등의 멜트 그로우스(melt growth)로 p-type GaAs 단결정을 성장하기 위해서는 p-type 도우판트(dopant)(accept impurity)로 Zn나 Zn 화합물을 용해도 한계(solubi-lity limit)인 1×1020㎝-3 이내로 첨가한다. 그러나 Zn만을 첨가하여 단결정을 성장할 경우에는 GaAs의 CRSS(critical resolved shear stress)가 작아 성장조건이 까다롭기 때문에 결정성을 유지하기가 매우 어려워 쌍정(twin)이 발생하거나 다결정화 하기 쉬우며, 전위로 인하여 고품위 웨이퍼(wafer)를 얻기가 어렵다. 따라서 본 기술은, p-type GaAs 단결정을 성장하는데 있어서 Zn을 일부 첨가하고, 전기적 성질의 영향을 주지 않으면서 임퓨어리티 하드닝 효과(impurity hardening effect)를 줄수 있는 도우판트(dopant)로서 Si등을 Zn보다 약간 적게 첨가하여 결정성 유지를 용이하도록 하였다.HB법으로 p-type GaAs 단결정을 성장하기 위하여 Zn을 1-10×1019㎝-3 첨가하고, GaAs내에서 임퓨어리티 하드닝 효과(impurity hardening effect)가 매우 큰 도우판트(dopant)인 Si를 1-10×1018㎝-3 W정도 첨가하여, 네트 캐리어 농도(net carrier concentration)(Nnet=NA-ND)이 NA>ND가 되게 하므로써 전기적으로 p-type이 되도록 하고, 한편, 단결정 성장시 원재료로서 Ga와 As를 사용하는 방식과 다결정 GaAs를 사용하는 방식이 있는바, 스토우이치오메트리 콘트롤(stoichiometry control)에 유리하도록 다결정 GaAs를 사용하는 것이 바람직한 것으로, 상기 다결정 GaAs에 도우판트(dopant)인 Zn 화합물이나 Zn을 직접 첨가한다. 여기서 다결정 합성시, GaAs가 녹을때 Si가 위로 떠서 석영 보우트(quartz boat)와 반응을 하게 되어 보우트(boat)와의 웨팅(wetting)을 유발하고 이로 인하여 결정성을 악화시키거나 쌍정(twin) 또는 다결정화하게 되므로, 이를 방지하기 위해 원하는 정도의 Si를 미리 도우핑(doping)하거나 GaAs와 Si의 합금(alloy)을 사용한다. 이상에서 상술한 바와 같이 본 기술에 의하면, Zn과 Si을 더블-도우핑(double-doping)하므로서 단결정수율이 대폭 향상된 GaAs 단결정 성장을 기할 수 있는 것이다.
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- 대구기술이전센터
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- 2005-04-22
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일반기술
전기·전자 > 전기전자재료
본 기술은 폴리에틸렌 절연 전력 케이블의 직선 접속시에 사용되는 절연 유닛의 제조 방법에 관한 것이다. 종래에는 반도전성을 갖는 열수축 슬리브를 사용하여 전기적 응력 집중의 완화를 꾀하여 왔으나, 접속 작업시 별도의 수축 공정을 요하는 시공상의 복잡성과 열수축 슬리브와 케이블 절연체의 재질상 상이함에 따른 수축 응력차로 계면간에 공극 또는 돌기가 발생하는 문제점이 있다. 이 기술은 이와같은 제반 결점들을 해소하기 위하여 일측에 곡면을 형성한 반도전부재를 외부 반도전층 선단부에 삽입하므로써 별도이 수축공정 없이도 접속이 가능하며, 전계완화용으로 설계한 반도전성재를 케이블 절연체와 동일재질의 절연재내에 삽입, 모울딩(molding)하므로써 수축 응력차를 제거토록한 절연 유니트(unit)를 제공키 위한 것이다.가교 가능한 전력 케이블용 절연 혼합물 및 체적저항이 108-10Ω㎝의 반도전 혼합물(compound)로 사출성형한 절연재 및 반도전부재를 유닛 형상으로 제작한 금형내에 삽입시킨 후 공압, 유압 및 기계적 프레스를 이용하여 접속 함으로써 절연 유닛을 제조한다. 프레스 작업전에 절연재와 반도전 부재의 접속을 향상시키기 위해 접착 내면을 입도가 적은 샌드 페이퍼로 후처리 한 후 접속하는 것이 바람직하며 프레스 몰딩 공정을 통해 얻은 절연 유닛의 가교도는 20-90%일 때가 좋다. 특히 40-90%의 가류정도이면 더욱더 좋다.
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- 대구기술이전센터
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- 2005-04-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 전선도체에 침투한 수분이 도체각소선 및 절연층과의 틈사이의 길이방향으로 확산되는 것을 방지하기 위한 전선용 수밀도체 제조를 위한 연선장치에 관한 것이다. 종래, 전선용 수밀도체 제조는 연선이 간편용이하고, 연선도체의 각소선 사이에는 수밀성이 우수하나 각소선과 절연체 사이에는 다이홀더 통과과정에서 수밀콤파운드가 벋겨져 접착성이 나쁘기 때문에 전선사용중 굴곡 또는 히트사이클에 의해 도체의 소선과 절연체간의 밀착성이 저하되어 결국 수밀성이 저하되는 문제점이 있었다. 따라서 각소선 틈사이는 물론 연선도체와 절연층 틈사이에 수밀콤파운드를 충전하여 수밀성을 향상되게 제조할 수 있도록한 연선장치를 제공함이 본 기술의 목적이다.다이홀더 전방에 전광후협상의 콤파운드실을 형성하되 내주연에 일정간격의 토출공을 형성하고 내측으론 연선다이스를 형성하며 외주면에는 밴드히터를 설치한 연선헤드에 있어서 연선헤드의 후면으로 압출헤드를 볼트로 조립하되 상기 압출헤드의 다이홀더 전방 중앙에 도체 지지용다이를 설치한 연선 인출공을 형성하고, 후면에는 압출다이를 삽입한 다이고정링을 나사식 조립하며 상기 압출다이 내측으론 일정간격의 토출공을 갖는 콤파운드실를 형성한 후 다이홀더 하측에 주입통로를 형성하여 외면에 밴드히터을 설치한 압출기 네크를 볼트로 설치하고, 다이홀더 외면에는 밴드히터를 설치하여 구성된 것을 특징으로 한다.
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- 대구기술이전센터
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- 2005-04-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 광케이블을 연결할때 사용되는 광콘넥터에 관한 것이다. 종래의 광콘넥터용 플러그는 플러그의 외부몸체 저면에 형성된 양측 삽입안내홈이 외측에서는 잘 보이지 않고, 결합단자부의 위치변경에 따른 결합단자부 말단의 돌기의 위치변경으로 아답터와 플러그의 연결시 아답터의 절결부와 상기 돌기의 형합이 어렵고, 아답터의 돌기부와 상기 삽입안내홈의 형합이 곤란하여 수차례에 걸쳐 플러그를 아답터 외측에서 회전시켜 가면서 결합시켜야 하는 번거로움과 그로인한 작업시간이 많이 소요되는 등의 문제점을 안고 있었다.따라서 플러그와 아답터로 구성되는 광콘넥터에서 플러그의 구조를 개선하여서 플러그와 아답터의 연결작업이 간편하게 이루어질 수 있도록 한 광콘넥터용 플러그의 제공이 기술의 목적이다.내측에 광섬유가 내재된 리드봉이 설치되고 말단부에 돌기를 형성한 결합단자부가, 양측에 결합절결부와 이 결합 절결부의 삽입개시부에 삽입안내홈을 형성한 외부몸체의 내부단턱에 탄력 설치된 플러그를, 양측돌기부와 절결부를 서로 수직한 위치에 형성한 아답터에 결합설치할 수 있게 한 것에 있어서, 상기 플러그의 결합절결부 하단에는 아답터의 양측돌기부를 삽입안내홈 측으로 삽입을 지시하는 표시부를 하고, 상기 단턱에는 상기 표시부의 수직한 위치에 결합단자부에 끼워진 멈춤링이 걸려 결합단자부가 회전불가능하게 돌기를 형성하였다. 이러한 특징으로 플러그와 아답터의 연결작업이 매우 신속하고 간편하게 이루어진다.
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- 대구기술이전센터
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- 2005-04-22
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일반기술
전기·전자 > 전력설비
본 기술은 케이블 선로 및 송전선의 단선 사고시 이를 복구하기 위한 단선(斷線)복구용 접속장치에 관한 것이다. 종래의 케이블선로 또는 송전선의 단선사고를 복구하기 위한 수단은 주 송전선로의 전원을 차단시킨 후, 작업자가 철탑등에 올라가서 단선된 송전선의 단말처리 작업을 실시한 다음 전원을 공급하였던 바, 이는 주송전선로의 전원차단으로 인하여 단선 위치까지의 여타 시설물에 대해서도 정전이 불가피함에 따른 막대한 경제적 손실이 발생되었을 뿐만 아니라, 비록 주 송전선로의 전원을 차단하였다 하더라도 상기 송전선에는 고압의 전류가 상당시간 동안 잔재함으로써 부주의에 따른 감전사고의 위험성이 내포되었다.따라서, 신속하면서도 안전하게 사고구간을 복구할 수 있도록 한 케이블 선로 및 송전선의 단선 복구용 접속장치를 제공함이 기술의 목적이다.철탑을 경유하는 기존 송전선의 단선사고가 발생하였을 경우 상기 송전선의 사고구간 양측의 애자하단에 아래로 늘어 뜨려진 상태로 상시 부설되어 있는 연결코넥터에 대체 케이블이 구비된 접속단부를 억지끼움 식으로 간단히 접속함으로써 주 송전선의 전원을 차단하지 않고서도 활선(活線)상태를 유지하고 이상태에서 안전하면서도 신속하게 송전선로의 복구공사를 수행할 수 있다. 그러므로, 종래의 정전시간의 장기화에 기인하던 경제적 손실을 최소치로 줄일 수 있는 효과가 있음은 물론, 원활한 단선 복구 공사를 기할 수 있는 매우 유용한 고안이다.
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- 대구기술이전센터
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- 2005-04-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 GaAs 웨이퍼(wafer)의 제조 공정에 있어 진공 체임버(chamber)를 이용하여 웨이퍼를 마운팅 하므로써 제조 웨이퍼의 품질을 향상토록 한 진공 체임버(chamber)를 이용한 GaAs 웨이퍼(wafer) 왁스 마운팅(wax mounting) 방법에 관한 것이다. 즉, 홀더 및 웨이퍼 마스크를 구비한 체임버 내부를 진공 상태로 하여 마운팅 작업을 실시하므로써 GaAs D형 웨이퍼와 같은 불규칙적인 형태의 웨이퍼에 있어서도 균일한 표면을 갖도록 한 고품질의 GaAs 웨이퍼(wafer)를 제공키 위한 것이다.에어 플레이트, 흡착공 및 다수의 흡착공을 천공시킨 홀더, 다수의 수납부를 갖는 웨이퍼 마스크가 순차적으로 하향 구비된 뚜껑부와,핫 플레이트상에 마운팅 블록이 안치된 몸체부를 상호 개폐 가능하도록 결합 구성하여 이루어진 진공 챔버를 이용하여 GaAs 웨이퍼를 마운팅함에 있어서, 상기 뚜껑을 연 상태에서 진공 펌프를 통해 웨이퍼를 홀더에 진공 흡착시키고 몸체의 핫 플레이트상에 안치된 마운팅 블록을 히터로부터 공급되는 열에 의해 간접 가열하여 그 표면에 왁스를 도포한 후, 뚜껑을 닫고 진공펌프를 통해 진공 챔버내의 내재 공기를 배기, 진공 상태화한 다음, 에어 플레이트의 공기압을 서서히 증가시켜 웨이퍼를 왁스에 이송시킴에 따라 웨이퍼가 마운팅 블록에 부착되도록 하는 한편, 부착이 완료된 상태에서는 약간의 공기압을 가하면서 냉각시킨 후 뚜껑을 열어 리크시킨다. 이러써, 균일 표면을 갖는 고품질의 웨이퍼를 제공할 수 있고, 마운팅작업을 보다 원활하면서도 용이하게 실시할 수 있다.
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- 2005-04-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 기술은 고출력형 이산화탄소 레이저의 전류 제어 장치에 관한 것이다. 특히, 종래의 고출력형 이산화탄소 레이저의 전류 제어 장치는 방전관의 갯수에 대응하는 갯수의 진공관을 설정하고 설정 진공관에 대응하는 각각의 전류제어부를 둠으로써 회로구성이 복잡하게 이루어저 질뿐만 아니라 이에 따른 코스트를 가중시키고, 또한 각 진공관의 스크린 그리드 전압(400V)에 따른 열전자 방출의 일정하지 않는 문제점을 가지고 있었다.이를 해소하고자 다수개 방전관에 단일 진공관을 사용하여 진공관이 제어 그리드 전압을 제어 하도록 하므로서 방전관 내에 흐르는 전류를 변화 시킬수있도록 한 고출력형 이산화탄소 레이저의 전류 제어 장치이다.방전 온/오프 스위치를 ON하면 3상 입력 전원이 고체상태 릴레이과 과전류 차단기를 통해 고전압 트랜스에전달되어 방전에 필요한 고전압(-25kv, 0.6a)를 방생시키는 수단과, 상기 수단에 의해 생성된 고전압은 정류 및 필터부와 안정저항을 통해 각각의 방전관에 전달되어 방전이 이루어지는 수단을 갖는 고출력형 이산화탄 레이저에 있어서, 상기 방전수단에 의해 생성된 방전 전류를 제어하는 단일 진공관과, 상기 진공관의 제어 그리드 전압(-250v) 및 스크린 그리드 전압(400v)을 생성하는 제어그리드 전압 발생부 및 스크린 그리드전압 발생부와, 상기 진공관의 필라멘트 전압(ac 7.5v)을공급하는 저전압 트랜스와, 상기 저전압 트랜스의 2차측전압을 분압한 방전전류값과 외부에서 인가되는 방전 전류값을 증폭시키는 차동 증폭부와, 상기 차동 증폭부의출력 증폭도에 전류 증폭도에 전류 증폭률을 곱한 전류량으로 진공관의 제어 그리드 전압을 온,오프 스위칭 시키는 스위칭 제어부와, 상기 분압된 방전 전류값과 가변저항으로설정된 기준 전압을 비교하여 과 방전 전류를 검출하는 비교부와, 실리콘 제어정류소자(scr)및 릴레이(ry)로 구성되어 상기비교부의 비교결과 값에 따라 동작 또는 비동작 되어 방전온/오프 스위치를 통해 인가되는 고체 상태 릴레이의 고전압을 차폐시키는 고전압 제어부와, 상기 차동 증폭부의 입력전압을 가변시켜 임의의 전류를 고정시키는 전류 조정부를 상호 연결하에서 구성하였다. 즉, 본 기술은 단일의 진공관만을 설정하고 이에 따른 전류 제어부를 각각두어 진공관의 플레이트와 제어그리드 사이에 인가되는 스크린 그리드 전압을 점진적으로 차폐되도록 제어하므로서 방전관 내에 흐르는 변화 전류 열전자 방출을 용이하게 행할 수가 있고 또한 회로 구성을 간략화 시킬수 있는 효과가 있다.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2005-04-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 수직 브리지만법이나 수직온도 구배감소 법으로 성장시킨 GaAs 단결정의 플래트 가공용 지그에 관한 것이다. 종래에는 액체 캡 슈울법(Liquid Encapsulated Czochralski)법으로 성장시킨 GaAs 단결정은 외형이 불균일하고 단결정 가장자리에 As의 해리로 인하여 결함이 많이 발생한다. 따라서, 외형을 균일한 원기둥형상으로 가공하고, 이러한 결함들을 없애기 위하여 잉곳트 그라인딩 공정이 플래트면 가공고정 이외에도 더 필요하였다. 그러나, 수직 브리지만법이나, 수직온도구배 감소법으로 성장시킨 GaAs 단결정의 경우에는 외형이 균일하고 단결정 가장자리에 결함이 없으므로 외형을 원기둥 형상으로 하거나, 상기의 결함을 제거하기 위한 잉곳트 그라인딩 공정이 필요없이 단지 플래트 가공만을 위하여 잉곳트 그라인더가 사용되었다. 즉, 반도체 단결정을 웨이퍼로 만들 때, 잉곳트 그라인더를 사용하여 웨이퍼의 특성 및 방위에 대한 정보를 나타내기 위해 1차 플래트와 2차 플래트 가공을 하였다. 따라서, 본 발명은 VB법이나 VGF법으로 성장된 단결정을 잉곳트 그라인딩 공정없이 1차 플래트와 2차 플래트를 가공할 수 있도록 하고, 또한, 이 가공된 플래트면의 방위를 바로 검사할 수 있도록 하는 슬라이싱 플래트 가공용 지그를 제공함을 목적으로 한다.플래트면의 방위를 검사할 때 X-선 라우에 회절무늬 검사장비에 부착할 수 있는 X-선 호울더와, 자르고자 하는 잉곳트를 슬라이싱 할 때 흔들리지 않도록 고정시켜 주는 잉곳트 호울더와, X-선 장비에서 방위측정이 끝난 후 X-선 호울더가 없는 상태에서 슬라이싱 장비에 연결시켜 주는 슬라이싱 호울더와, 잉곳트의 방위측정이 끝난 후, 잉곳트 호울더를 슬라이싱 호울더에 고정시키는 잉곳트 호울더 고정판을 구비하여, 잉곳트 호울더와 각도표시 지침이 1차 플래트와 2차 플래트 사이의 각도를 정확히 정할 수 있다. 본 기술에 의해 구현된 지그를 사용할 경우에는 잉곳트 그라인더를 사용하는 공정을 없앨 수 있었으며, 플래트면의 가공 전, 후에 언제든지 손쉽게 방위검사를 할 수 있어서, VB법이나 VGF법으로 성장된 단결정을 사용하여 웨이퍼를 만들 경우 이 웨이퍼의 절단 공정(Wafering) 을 더욱 효과적으로 수행할 수 있다.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2005-04-22
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