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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

관통형 콘덴서의 전극 부착방법

본 발명은 관통형 콘덴서의 전극 부착방법에 관한 것이다. 종래의 방법으로 전극을 접속시킬 때 납을 사용하므로써 공정수가 많아져 생산단가가 높아질 뿐만 아니라 에폭시 수지의 사용으로 인한 기포발생의 문제점이 있다. 내부전극을 부착시키는 접속공정으로써 먼저 은도금 전극을 형성시킨 후 그 위에 용접용 금속을 순간적인 용접으로 외부전극에 접속시켜 주는 공정을 채택하였다. 이를 통해서 위의 문제점 등을 해결하고 전기적 특성을 향상시키는 부착방법을 제공하는 것을 목적으로 한다

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한국과학기술원
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2000-04-24
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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

세라믹 콘덴서용 수직 이동식 소성로

본 발명은 가스주입구를 소성로의 중심부에 위치시켜 고온가열대에 주입하여 세라믹 콘덴서 및 파인 세라믹스를 다량으로 소성시킬 수 있는 양산형 수직 이동소성로에 관한 것이다. 이를 통해서 세라믹 콘덴서를 양산할 때 작업에 직접적인 영향을 주는 휘발성 물질을 근본적으로 제거하여 제품의 신뢰성을 향상시켰다.

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한국과학기술원
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2000-04-24
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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

고부피분율 SiC 분말함유 예비성형체의 제조장치 및 제조방법

본 발명은 SiC 강화재 부피분율이 50%이상인 고부피분율 금속복합재료의 제조에 필요한 고부피분율 SiC분말함유 예비성형체 제조장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 특징은 적층효율을 높이기 위해 크기가 서로 다른 SiC분말을 사용하여 무기바인더, 유기바인더, 응집제 및 초산과 혼합하여 균일한 슬러리(slurry)상태로 만들고 볼밀링가압(ball milling and pressing)법에 의하여 가압, 건조 및 소성처리를 통해 고밀도 예비성형체를 제조하는데 있다. 본 발명으로 제조된 예비성형체의 강화재 부피분율은 기존의 예비성형체의 제조공정인 진공압추출법에 비해서 SiC강화재의 부피분율을 증가시킬 수 있다. 또한 예비성형체에 잔류되는 바인더의 뭉침을 극소화하기 위해 흡수체를 금형사이에 설치하여 가압시 잔류수분이 원활히 배출되도록 하였다. 본 발명은 SiC분말 함유의 경우 기존의 예비성형체 제조방법으로는 부피분율이 50%정도가 한계인 것으로 알려져 있으나 본 발명은 볼밀링가압법을 이용하여 제조가 간단하고 60% 이상의 고부피분율 예비성형체의 새로운 제조공정을 개발하였다.

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2000-04-24
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일반기술 기계 > 기타 산업·일반기계

원심력을 이용하여 속이빈구체를 제조하는 장치

금형은 상부와 하부로 분리되며, 하부금형은 베어링을 이용하여 지지대에 연결되어 있어 외부동력에 의해 회전된다. 상부금형은 조임나사에 의해 하부금형에 결합된다. 하부금형에는 치차링이 결합되어 있는데 이것은 또한 지지대의 치차링과 맞물려있기 때문에 외부동력에 의해 금형이 한축(X축)을 기준으로 회전하는 동안 이와 직각인 Y축을 기준으로 해서도 회전한다. 이로인해 금형 내부는 양축회전에 의한 원심력을 받게 된다. 금형내부의 용탕은 이러한 양축원심력의 작용으로 고르게 금형에 접촉하여 응고되기 때문에 간단하게 속이 빈 구체 혹은 다른 모양의 중공형 제품을 주조할 수 있다이전까지 중공형 제품을 만드는 방법과 전혀 다른 독특하고 새로운 아이디어이며 생산성 향상과 비용절감 효과가 매우 뛰어나다

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

저온소결 유전체 자기조성물

본 발명은 적층세라믹 콘덴서 또는 하이브리드 회로의 유전체 페이스트 등에 이용되는 저온소결 유전체 자기조성물에 관한 것으로 특히 Pb(Bi1/2Nb1/2)O3, Pb(Bi1/2W1/2)O3의 2성분계로 이루어지는 조성물로 저온소결을 실시한 것이다. 여기에 MnO2, SiO2, CaO 등을 혼합하여 저온에소 소성을 가능케 하였다.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

고유전율계 카패시터 조성물(2)

본 발명은 고유전율계 캐패시터용 자기 조성물에 관한 것으로 특히 PbO, Fe2O3, Nb2O5, Ta2O5 등의 산화물로 합성된 (1-x)Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 - x Pb(Fe1/2Ta1/2)O3 2성분계에 배합비 x를 0.35 ≤ x ≤ 0.65으로 한 것을 주성분으로 하는 유전체 자기조성물에 Mn 산화물을 0.01 ∼ 0.5wt% 첨가한 것이다. 이 조성은 귀금속인 내부전극을 유전체 제조시 필요로 하지 않는 특징이 있다.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

고유전율계 카패시터 조성물(1)

본 발명은 PbO, Fe2O3, Nb2O5, Ta2O5, NiO, ZnO 등의 산화물로 합성된 4성분계에 망간과 같은 천이금속을 첨가하여 10000 이상의 유전율을 가지고 Y5V의 온도특성을 만족시키며 2.6% 미만의 비교적 낮은 손실계수를 가지는 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

온도보상용 유전체 자기조성물

본 발명은 MgO, CaO, TiO2, SiO2, Al2O3 등과 희토류 산화물인 Nd2O3, Pr6O11, La2O3, CeO2 및 Al2O3가 첨가된 조성물에 관한 것이다. 30ppm/℃ 미만의 비교적 안정된 온도특성과 1014Ω·cm정도의 높은 절연저항을 가지는 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 안정된 온도특성과 높은 절연저항을 가지는 조성물의 제조

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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

유전체 하부전극용 박막 및 증착방법

본 발명은 유전체 하부전극용 백금박막의 화학증학 방법에 관한 것으로 백금의 전구체로 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금을 사용하여 증착한 결과 기존의 증착방법보다 우수한 특성을 갖는 백금박막을 제조할 수있다. 본 발명의 화학증착법으로 제조된 백금박막은 스텝 커버리지도 우수하고 700℃의 고온에서도 폴리실리콘과 반응이 거의 없는 우수한 경계특성을 나타낸다.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

헤테로 에피택시 박막의 제조방법

기판재료와 서로 다른 종류의 재료를 격자의 연속성이 유지되게 박막을 입히는 경우를 헤테로에피택시 박막이라 한다. 이와 같은 박막의 경우 두 재료간의 격자상수 차이로 인하여 박막층에 정합탄성변형이 존재하며 이러한 탄성변형을 완화시키기 위해 박막의 표면은 굴곡이 지며 아일랜드 구조도 나타나기도 한다. 이러한 표면굴곡이나 아일랜드구조는 박막의 광전적 성질과 계면반응성에 악영향을 미치기 때문에 최대한 억제되어야 한다. 본 발명에서는 이러한 현상을 억제할 수 있는 방법으로 홈이 파이거나 굴곡을 만들어준 평평하지 않은 기판을 사용하는 방법을 개발하였다. 본 발명은 반도체와 다양한 전자부품에 대표적으로 이용되는 GaAs/Si이나 SiGe/Si계를 비롯하여 표면굴곡이나 아일랜드 구조를 보이는 모든 박막의 제조시에 적용이 가능하다.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

SBT 강유전체 박막의 저온 화학증착법

본 발명은 강유전체 박막(SBT;SrBi2Ta2O9)의 화학증학 제조방법에 대한 것으로 Sr, Bi, Ta의 precursor로 Sr(C5F6HO2)2, Bi(C6H5)3, Ta(C2H5O)5를 사용하여 플라즈마(RF power = 100 = 150W) 안에서 화학 증착법으로 제조하는 기술이다. 기존에 사용되는 제조온도보다 약 200℃ 이상 낮은 온도에서 제조할 수 있으며 여러 가지 전기적 특성이 우수한 우수하게 나타났다.

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

마이크로파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법

마이크로파 유전체 자기조성물에 관한 내용으로 높은 유전율과 우수한 품질계수를 가진 새로운 조성물의 제시, 유전율 100이상, 퓸질계수의 곱이 4000이상인 우수한 특성의 마이크로 유전체 자기조성물의 개발

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일반기술 건설·교통 > 건설용 신소재·재활용 기술

온돌난방용패널

보온성과 정온성을 향상시킨 온돌난방용 패널에 관한 것이다. 저면으로부터 목재패널과 금속패널을 교호로 적층하되 목재패널에는 PCT히터와 PCT퓨즈를 안착시켜 합체한 구조이다. 가볍고 보온성이 우수하며 전력소모량이 적어 실용성이 높고 목재가 가지는 적정한 정도의 충격흡수성이 가미되어 기존의 온돌용 패널과 다른 물성을 가진다.

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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

후막형 반도체식 산소센서

본 발명은 대표적인 산화물 반도체 중의 하나인 SrTiO3를 이용하여 자동차 공연비 제어 등에 응용이 가능한 후막형 반도체식 산소센서에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 산소농도(또는 분압)에 따라 전기전도기구가 변화하는 순수한 SrTiO3에 La2O3를 첨가하여 전기적 특성을 제어할 수 있는 산화물 조성물을 제공하는데 있다. 이를 통해서 산소센서의 주된 용도인 자동차 공연비 제어용으로 활용할 수 있는 후막형 반도체식 산소센서를 제공함에 있다.

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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

공침방법을 이용한 리튬 2차전지용 전극의 제조방법

본 발명은 방전용량 및 수명특성이 우수한 리튬 2차 전지용 전극재료인 LiCoO2 전극의 제조 방법에 관한 것이다. LiOH 1 몰과 NH4OH 3 몰을 Co(OH)2 와 ethylene glycol 이 용해된 methanol 에 Li 이온과 Co 이온의 비가 1.05 : 1 이상이 되도록 혼합한 후 진공하에서 50℃의 온도로 건조시켜 얻은 침전물을 120℃, 2시간의 하소 조건과 500-950℃, 6-24 시간의 열처리 조건으로 LiCoo2 분말을 합성한다. 액상에서의 공침방법을 이용하여 전이금속 산화물 분말을 합성하여 초기방전용량 160 mAh/g 이상, 충방전 수명 400회(초기용량의 90%) 이상의 특성을 나타내는 리튬 2차전지용 전극재료를 제조

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2000-04-24
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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

고주파 세라믹 콘덴서 원료 조성 및 제조 기술

본 발명은 고주파용 세라믹 콘덴서의 재료 조성물 및 제조방법에 관한 것으로서, PbO의 휘발을 억제하고 저온소결이 가능하도록 Sn과 ZnO를 함유하는 고주파용 세라믹 콘덴서의 재료 조성물과 이 조성물을 제조하는 방법에 관한 것이다. Pb계 페로브스카이트 재료에 Sn을 첨가함으로써 PbO의 휘발을 억제하고, ZnO를 첨가함으로써 소결온도를 낮추어, 재료의 유전특성을 저하시키지 않고도 고주파용 세라믹 콘덴서의 재료 조성물을 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 조성물과 그 제조방법에 따라, 고주파용 세라믹 콘덴서 재료를 그 유전특성의 저하없이 낮은 소결온도에서 제조할 수 있고 PbO의 휘발을 억제할 수 있기 때문에, 생산 공정이 용이해져 생산성이 향상되고, 제조되는 콘덴서의 물리적 크기를 소형화할 수 있다.

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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

고주파 유전체용 자기조성물 및 그의 제조방법

산화지르코늄(ZrO2), 산화주석(SnO2) 및 산화티타늄(TiO2)을 (ZrO2)1-x(SnO2)x(TiO2)1+y(X는 0.1몰 본 발명의 제조방법은 비산화물 형태의 질산망간(Mn(NO3)24H2O)을 부성분으로 이용하므로 정확한 공정제어를 가능케 하여 균일한 고주파 유전체용 자기조성물을 제공케 하고, 이렇게 제조된 고주파용 유전체용 자기조성물은 유전율(k)이 40이상이며, 품질계수(Q)값이 7000 이상이고, 공진주파수의 온도의존계수(τt)가 10이하의 매우 낮은 수치를 나타내었다. 따라서 본 발명의 고주파 유전체용 자기조성물은 고주파에서 뿐만 아니라 마이크로웨이브에서의 집적회로 또는 유전체 공진기용으로 사용될 수 있다.

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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

표면실장형 PTC 칩 서미스터

본 발명은 BaTiO3와 Y2O3를 기본 조성으로 하고, 부성분으로서 SrTiO3, CaTiO3, MnO2, PbO, SiO2를 함유하는 표면실장형 PTC 칩 서미스터 제조용 BaTiO3계 세라믹 조성물(이 조성물을 1310∼1390℃의 최적 온도에서 소결시켜 제조함)과 큐리온도가 넓은 영역에서 정확히 제어되고 표면실장에 이용가능한 낮은 상온 저항과 내전압 특성 및 PTC 효과를 갖는 표면실장형 PTC 서미스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 BaTiO3계 PTC 칩 서미스터는 종래의 BaTiO3계 PTC 서미스터 보다 정확한 큐리온도의 제어와 표면실장에 이용가능한 낮은 상온 저항 및 PTC 효과가 실현되었으며, 상온저항이 작아 저전압으로 구동이 가능하고, 구동전압이 낮아짐으로써 SMD에 활용가능성이 대폭 확대되었으며, SrTiO3 함량을 변화시킴으로써 큐리온도(Tc)를 정확히 제어할 수 있고, Tc의 정확한 제어가능성으로 온도가 변화하는 여러 분야의 SMD에 이용가능하며, 넓은 범위의 Tc를 갖고 있으므로 스위칭 소자에 활용가능성이 증대되었다.

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2000-04-24
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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

신규한 자동편이 X-Y 기록장치

본 발명은 식규한 자동편이 X-Y 기록장치에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 기록장치의 X-Y 신호를 사용자가 원하는 시간간격마다 원하는 값으로 편이시킴으로써, 반복적인 미세신호 변화도 육안으로 용이하게 구분되도록 기록할 수 있는 자동편이 X-Y 기록장치에 관한 것이다. 본 발명의 자동편이 기록장치의 X-Y 신호는 기준주파수를 발생하기 위한 수정발진기(1), 수정발진기(1)에서 발생된 기준주파수를 분주시키기 위한 N분주기(2), 기록장치의 펜을 일정 시간간격으로 편이시키도록 조절하기 위한 쉬프트 타이머(3), 쉬프트 타이머(3)으로부터 출력된 신호를 전자적으로 편이시키기 위한 디지털/아날로그 변환기(4), 기록장치의 펜을 일정 시간간격으로 기록지에 하강 되도록 조절하기 위한 펜-다운 타이머(6), 쉬프트 타이머(3) 및 펜-다운 타이머(6)의 상호간섭을 방지하기 위한 반전회로(8), 펜-다운 타이머(6)의 출력에 의해 기록장치의 X축 및 Y축 구동모터를 구동시키기 위한 제 1 릴레이 구동회로, 기록장치의 펜이 하강하는 시점을 구동모터의 작동시점네 대하여 일정시간 지연시키기 위한 신호 지연회로(11), 신호지연회로(11)로부터 출력된 신호에 의해 기록장치의 펜을 하강 및 상승시키기 위한 제 2 릴레이 구동회로(12)로 구성된다.

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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

신규한 압전세라믹 조성물 및 그를 이용한 적층형 변이소자의 제조방법

본 발명은 신규한 압전세라믹 조성물 및 그를 이용한 적층형 변위소자의 제조방법에 관한 것이다. 첨가물을 치환하므로써 기존의 조성물보다 저온소결이 가능케한 조성물에 관한 것이다. 치환을 통하여 1000 내지 1050℃에서 실용가능한 압전성을 가지는 조성물을 제작하므로써 비교적 저전압으로 큰 기계적 변위를 필요로 하는 변위소자로의 응용이 가능

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2000-04-24
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