일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 미세렌즈 배열 및 그 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 미세렌즈 배열은 유리판의 일면에 원뿔형태를 지닌 복수개의 전면 미세렌즈가 구성된 저면 미세렌즈군; 및, 전기 유리판의 반대면에 전기한 전면 미세렌즈 각각의 중심점과 엇갈리는 중심점을 지나며 원뿔형태의 지닌 복수개의 이면 미세렌즈가 구성된 이면 미세렌즈군을 포함한다. 또한, 본 발명의 미세렌즈 배열 형성방법은 유리판의 전면에 SOG(Spin-On-Glass)막을 형성하여 막의 상면에 포토레지스트를 입히고 포토레지스트의 표면에 마스크를 대고 빛을 조사하여 포토레지스트를 선택적으로 감광 및 현상시켜 전면 포토레지스트 패턴배열을 형성하는 단계; 전기한 전면 포토레지스트 패턴배열 형성단계와 동일한 방법을 사용하여 전기 유리판의 후면에 전면 포토레지스트 패턴 배열의 패턴 중심점의 중앙에 후면 포토레지스트 패턴의 중심점이 위치하도록 후면 포토레지스트 배열패턴을 형성하는 단계; 및, 전기한 단계에 의한 유리판의 양면에 포토레지스트 패턴배열이 형성된 유리판을 불산용액으로 식각하여 원뿔형태의 미세렌즈를 형성하는 단계를 포함한다. 미세렌즈 배열의 사용 목적에 따라 SOG막의 두께와 포토레지스트 패턴의 지름을 적절히 조절함으로써, 다양한 미세렌즈의 형성이 가능하다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 마이크로 렌즈 제작에 관한 겻으로 마이크로 렌즈가 형성될 대상물을 준비하는 제 1단계; 소정 점성을 가지며 빛이 투과되는 액상물질을 그 응집력과 펴면 장력을 이용하여 상기 대상물에 렌즈를 형성하는 제2단계; 자외선을 조사하여 경화시키는 제 3단계로 나누어지며, 고가의 장비없이 간단한 제조 공정으로 단시간에 마이크로 렌즈의 제조가 가능하여 경제성을 향상시킬 수 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은, 양방향으로 진행하는 파장 분할 다중화된 신호의 역다중화와 다중화를 동시에 수행하도록 연결된 하나의 N x N 다중화기, 양방향으로 진행하는 파장 분할 다중 신호들의 경로를 분리하고 서로 다른 방향으로 진행하는 신호들을 각각 상기 N x N 다중화기에 입력하기 위하여 두 개의 3단자 써큘레이터 및 양방향으로 진행하는 광신호의 손실을 보상하기 위한 양방향 광증폭기로 구성되는, 양방향 파장 분할 다중 애드/드롭 광증폭기 모듈에 관한 것으로, 역다중화와 다중화를 동시에 구현하여, 역다중화기와 다중화기를 각각 이용하여 제작되는 기존의 애드/드롭 다중화기의 단점을 개선함으로써, 효율적이고 경제적인 파장 분할 다중 방식의 광통신망을 제공한다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 양방향 애드/드롭 다중화기를 구비한 양방향 파장분할다중방식 자기치유 광통신망에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 하나의 N×N 다중화기를 이용하여 간단한 구조의 양방향 애드/드롭 다중화기를 구현하고, 이를 이용하여 2가닥의 광섬유만을 사용하는 양방향 자기치유 광통신망을 제공하는데 있다. 이를 위한 본 발명의 제1 실시예는, 노드 간에 2가닥의 광섬유를 이용해 상호 연결한 광통신망에 있어서, 상기 각 노드는, 광신호의 수신 여부를 감지하는 적어도 2개의 광신호수신수단; 운용 광섬유의 절단시 예비 광섬유로 절체하기 위한 적어도 2개의 스위칭수단; 상기 스위칭수단을 제어하기 위한 적어도 2개의 스위칭 제어수단; 상기 스위칭수단 간에 연결되어 다중화 및 역다중화를 동시에 수행하는 다중화/역다중화 수단; 및 상기 운용 링과 예비 링에 연결된 다수개의 광증폭수단을 구비하되, 상기 다중화/역다중화 수단은, 폴드-백(fold-back) 형태로 연결되어 파장분할된 신호들의 다중화 및 역다중화를 동시에 수행하는 하나의 다중화기와, 적어도 2개의 서큘레이터, 및 상기 다중화기로부터 출력되는 다중화된 신호를 필터링하는 적어도 2개의 필터링수단을 포함한 것을 특징으로 한다. 하나의 N x N 다중화기만을 이용하는 양방향 애드/드롭 다중화기를 사용함으로써 2가닥의 광섬유로 구성되는 양방향 파장 분할 다중 방식 자기치유 광통신망을 경제적으로 구현하였다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 낮은 구동전류에서도 동작이 가능하도록 지붕형 반사기가 형성된 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 레이저 다이오드는 기판(31); 전기한 기판(31)의 상면에 형성되며 N-클래딩층(32) 및 수동도파층(33)으로 구성된 도파로; 전기한 도파로의 상면에 분리층(34), 활성층(35), P-클래딩층(36) 및 P-저항층(37)이 차례로 적층되어 구성되며 지붕형 반사기를 지닌 능동도파로; 전기 능동도파로의 상면에 구성되며 선형전극창(41)이 형성된 SiO2막(38); 전기 SiO2막(38)의 상면에 형성된 금속재의 상부전극층(39); 및, 전기 기판(31)의 하단면에 형성된 금속재의 하부전극층(40)을 포함한다. 본 발명의 광전집적회로용 레이저 다이오드는 레이저 다이오드로부터 발생된 빛의 이용효율이 우수하고 낮은 문턱전류를 지녀 작은 구동전류에 의해서도 원활한 동작이 가능하며, 광전집적회로 상에 집적이 용이하고 간편하게 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조방법에 의해 전기한 레이저 다이오드를 간단한 공정에 의해 경제적으로 제조할 수 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 레이저 다이오드용 거울면 제작방법에 관한 것으로, 특히 2단계의 화학식각에 의한 간단한 방법에 의해 레이저 다이오드용 거울면을 균일하게 식각하여 제작할 수 있다. 일반적으로 광통신 광원으로 사용되는 레이저 다이오드는 효율적인 발진을 위해서 수직반사 거울면이 필요하게 된다. 그러나 기존의 레이저 다이오드 거울면 제작방법으로는 집적도가 요구되는 광전집적회로용 공정으로서는 부적합한 결점을 가지고 있다. 따라서 본 발명은 레이저 다이오드용 수직거울면을 간단히 제작할 수 있슴과 아울러 그 수직거울면의 식각특성이 균일하게 되는 수직거울면의 식각방법을 제공함에 있다. 상부에 도포된 포토레지스터를 마스크로하여 레이저용 이중 이종접합구조의 웨이퍼에 초기식각을 행한 위 그 도포된 포토레지스터를 모두 제거하고, 이후 그 이중 이종접합구조의 웨이퍼을 윈래의 식각액에 다시 담가 소정 시간동안 식각을 행함으로써 레이저 다이오드용 거울면을 제작할 수 있다. 본 발명은 포토레지스터를 마스크로하여 1단계의 식각을 행하고, 그 포토레지스터를 제거한 후 다시 2 단계의 식각을 행함으로써 수직거울면이 형성되는 것이므로 레이저 다이오드용 수직거울면 제작이 대단히 간단해지고, 그 수직거울면의 식각특성이 균일하게 되는 효과가 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 쇼트키 전극을 매립시켜 구현할 수 있는 고속 수광소자에 관한 것이다. 본 발명의 수광소자는 매립된 쇼트키 전극을 공통적으로 가지는 소자로 종래의 수광소자보다 개선된 특성을 가진다. 본 발명의 소자는 쇼트키 다이오드를 형성하는 전극이 n-GaAs층 아래에 묻혀있으므로 기존의 수광소자에 비해 면적의 활용도가 높은 장점을 가지며, 쇼트키 접합을 이용하므로 기생용량이 적어서 고속특성이 기대된다. AlGaAs층은 본 발명의 소자의 수광부분을 되도록 전극 가까이에 두고 표면에서의 전자 전공의 손실을 줄이기 위한 것이다. 이와 같은 본 발명의 금속-반도체-금속 수광소자의 특성을 열거하면 다음과 같다. 첫째, GaAs층에 묻힌 쇼트키 전극을 가지므로 소광소자의 면적 이용률이 높다. 출째, 종래의 기술에서와 같이 쇼트키 전극에서 오는 적은 기생용량으로 고속동작이 가능하다. 셋째, 종래의 기술에서와 같이, 반절연성 GaAs기판을 사용하므로 다른 소자와의 집적화가 가능하다. 이상의 점으로 반절연성 기판 위에 MESFET와 집적화한 고속 수광소자와 전자소자와의 광전 집적회로가 가능하다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 반도체 레이저 다이오드 제작시 에피택시(Epitaxy) 공정자체 내에서 자연적으로 45。거울반사면을 형성시킬 수 있게 한 선택적 에패택시법에 의한 표면방출형 AlGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것이다. 에피택시 공정 중 결정적층의 마스크를 이용하여 레이저 다이오드 형성부분과 45。거울반사면 형성부분을 정의하고, 그 정의 부분에만 선택적으로 AlGaAs/GaAs층을 적층하여 2개의 반도체 레이저와 1개의 45。거울반사면을 기본단위로 표면방출형 레이저 다이오드를 제작할 수 있다. 본 발명은 반도체 레이저 제작시 에피택시 공정자체 내에서 자연적으로 45。거울반사면을 형성시켜 표면방출형 레이저 다이오드를 제작하게 되므로 고가의 화학식각 장비가 필요하지 않게 되고, 제조공정이 간단해져 생산성이 향상됨과 아울러 대량생산이 가능해지고, 또 45。거울반사면의 반사성이 양호해지는 효과가 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
LPE 장비의 melt back 기술을 이용하여 제작된 마이크로렌즈를 발광 다이오드, 반도체 레이저 및 수광소자에 응용하였다.본 발명의 발광소자에 있어서 광출력과 양자 효율을 증대시킬 수 있으므로 발광다이오드나 레이저 다이오드의 광 특성을 향상 시킬수 있고, 수광소자에서는 렌즈의 집적에 의해 수광효율을 증대 시킬수 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
정보 > 컴퓨터 본체
본 발명은 컴퓨터그래픽스의 하드웨어 구조에 관한 것이다. 특히 컴퓨터 그래픽스는 계산량이 방대하면서도 실시간 처리를 요구한다. 본 발명에서는 그 중 주사선 보간과 은면제거과정을 파이프라인 방식으로 수행하는 하드웨어 엔진(PIPE라 불림)에 대해서 설명한다. 주사선 보간이라 주사선상에 있는 두점에서의 함수 값이 주어졌을 때 그 두점 사이에 있는 점들에서의 함수값을 보간하는 것이다. 종래의 주사선 보간방법은 함수값의 기울기를 구하여 순차적으로 더해주는 방법으로 관정이 순서적(sequential)이므로 시간이 오래 걸리는 단점이 있었다. 이러한 방법으로 대표적인 것이 DDA(Digital Differntial Analyzer)방식이다. 본 발명은 상기와 같은 종래의 재결함을 감안하여 주어진 두점사이에 있는 모든점(여기서는 화소를 의미)에서의 함수값을 동시에 계산토록하여 처리속도를 고속화하며, 전체그래픽시스템의 성능향상을 꾀하고, 더하기 연산기와 버퍼만으로 구성되는 컴퓨터그래픽스의 하드웨어장치를 구성가능토록 안출한 것이다. 주사선 보간기의 함수값은 컴퓨터그래픽스에서 Z-deptb값이나 칼라인텐시티값이 될수 있으며, 본 발명에서 주장한 PIPE 구조를 사용하면 주사선 은면제거알고리즘이 그대로 구현될 수 있다. 그중에서도 특히 Gouraud Shading 알고리즘이 수행될 수 있는 장점이 있다. 이와같이 본 발명은 전체의 계산이 동시에 이루어지도록함으로써 고속처리가 가능하며, 컴퓨터 그래픽스 하드웨어의 바틀네크(Bottle Neck)인 주사선화과정을 하드웨어화하여 전체그래픽시스템의 성능향상에 결정적으로 작용할 수 있도록 함은 물론, 구조가 간단하여 구현이 용이하다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
띠모양의 반도체 레이저 구조에 관한 것으로 특히 광전집적회로에 적합하게 한 지붕형 반사기를 가지는 반도체 레이저 구조에 관한 것이다. 한 쪽 반사면은 비등방성 화학적 식각에 의해 지붕형 반사기로 형성하여 작은 공명기 제작이 용이하고 단파장 레이저 제작이 용이한 레이저 구조를 창안한 것이다.이것은 종래의 띠모양 반도체 레이저와 유사한 전기적,광학적 특성을 갖게 되고, 이에 따라 종래의 레이저와 상호교환사용이 쉽게되고, 이론상 100%정도의 높은 반사율을 갖게된다.공정이 매우 쉬우며 제작단가가 저렴하고 높은 수율을 가지며, 두반사기중 한쪽을 자르지 않고, 화학적 식각에 의해 제작하기 때문에 반사기 위치를 자유로이 선택할 수 있고, 이에 따라 작은 공명기 제작이 용이하여 단파장 레이저 제작이 수월하게 된다. 또한 이 특성에 의해서, 동작개시 전류가 낮게되어 열발생이 적게되고 많은 여유면적을 제공하므로, 광전집적회로 제작에 적합하게 된다. 또한 반사기가 어레이 형태로 배열된 경우에는 필라멘테이션의 유도와 안정화를 꾀하여 복사특성의 향상이 가능하게 되는 효과가 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 실리콘 기판의 상부에 소정 두께의 실리콘 산화막이 형성되어 있으며 실리콘 산화막의 내부에 제 1 전도성 물질의 이온 주입으로 인해 전자의 포획 가능한 소정크기를 갖는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 제공하고 그에 따라 미소부분에 국부적으로 전계를 걸어줄 수 있는 AFM 팁을 상기 반도체 소자의 소정 높이에 위치시키는 제 1단계와, 제 1과정을 통하여 소정의 높이를 유지하는 상태에서 AFM 팁에 특정 임계전압 이상의 전압을 걸어주어 AFM 팁 아래의 특정부분에 전기적 필드를 형성되는 제 2단계와, 제 2단계를 통하여 형성된 전기적 필드에 의하여 실리콘 산화막 내부에 형성되어 있는 나노 크리스탈에 실리콘 기판으로부터 발생된 자유전자가 포획되는 제 3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 이용한 데이터 저장 방법을 제공한다.본 발명은 AFM과 이온 주입법을 이용하였으며, 기존의 EEPROM과 같은 원리로 동작할 수 있으면서도 그 크기가 더욱 작은 메모리를 만들 수 있는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다. 물질은 SiO2 내부의 나노 크리스탈과 강유전체 물질을 이용했으며 AFM 팁을 이용하여 메모리 동작을 한다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 알루미나계 소결체를 소결 분위기보다 산소분압이 높은 분위기에서 열처리함으로써 표면개질층을 형성하는 공정과 그에 의하여 표면개질된 알루미나계 단상, 복합 세라믹스에 관한 것이다. 본 발명에서 밝혀낸 표면개질 알루미나계 세라믹스의 제조 방법은 Fe 등의 첨가제를 포함하는 분말 성형체를 비교적 산소분압이 낮은 분위기 (N2, 95N2-5H2, H2 등) 에서 소결한 후 그보다 산소분압이 높은 분위기(80N2-20O2, O2 등) 에서 열처리하는 공정으로 이루어진다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
본 발명은 히드록시기를 가진 고분자와 규소산화물을 공유결합시켜 하기 일반식 1로 표시되는 실란커플링제 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 실란커플링제는 하기 일반식 2로 나타낼 수 있는 비닐유도체를 질소 또는 아르곤 기류하에서 유기용맹에 용해시킨 후, 금속 촉매 존재하에서 일반식 3은로 나타낼 수 있는 알콕시실란 유도체와 반응시켜 제조하거나 또는 하기 일반식 4로 나타낼 수 있는 알킬마그네슘할라이드를 질소 또는 아르곤 기류하에서 상기에서 언급한 용매에 용해시킨 후, 일반식 5로 나타낼 수 있는 할로알콕시실란과 반응시켜 제조할 수 있다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본발명은 각종소형소자에서 사용될 수 있는 박막전지용 박막전극인 LiMn2O4 박막을 졸겔법을 이용하여 제조하였다. 지금까지 박막전극은 고가의 장비와 유지비가 필요한 스퍼터링 방법등을 주로 사용해 왔으나 조성과 형태의 조절이 힘들고 특성 개선을 위한 첨가물의 사용이 곤란한 문제점이 있다. 특히 LiMn2O4 의 경우는 Li과 Mn의 조성비에 따라 많은 특성 차이가 있는데 기존방법의 경우 Li 양의 조절이 상당히 어렵다고 알려져 있다. 본 발명은 이같은 문제점을 해결하기 위하여 저가의 재료를 이용한 졸-겔법으로 LiMn2O4 박막을 제조하였다. 제조된 박막은 비교적 우수한 방전용량과 적은 방전용량감소를 보였다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 이동체 통신에서 사용되는 유전체 공진기나 범지구 측위시스템(GPS; Global positioning system)등에 이용되는 새로운 고주파용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 원료물질로서 CaCO3, TiO2, MgO, WO3를 다양한 몰비로 합성하여 일반식 (1-(Mg1/2W1/2)O3-xCaTiO3으로 나타낼 수 있으며 x가 0.3에서 0.7로 변함에 따라 5∼8 GHz에서 유전률 33∼54, 품질계수(Qf)는 27,000∼12,000 GHz의 값을 가지며 원료 조성의 변화에 따라 원하는 공진주파수의 온도계수를 제어할 수 있다. 기존의 발표된 고주파 유전체들이 낮은 유전률을 가지면 높은 품질계수를 가지고 높은 유전률을 가지면 낮은 품질계수를 가지는 반면 본 고용계는 중간값의 유전률과 품질계수 값을 가진다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 발명은 자동차, 항공기, 선박 등과 같은 이동운반체의 이동중 탑승자에게 안락감을 부여하는 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 특히 이동하는 이동운반체로부터 발생하는 가속도 진동 등의 전달을 억제시켜 운전자에게는 졸음을 퇴치하도록 하고 탑승자에게는 쾌적함을 부여하도록 하는 것에 관한 것이다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 발명은 이동운반체의 기계적 에너지를 전기적에너지로 변환시키는 방법 및 그 장치에 관한 것으로 이동운반체에 회전동력으로 전달되는 축에 발전기를 설치하여 기계적인 회전력을 전기적인 에너지로 변환충전시켜 이동운반체의 전자장비를 가동시킬 수 있는 보조전원으로 사용할 수 있도록 하는 것이다. 본 발명품은 회전동력으로 전달되는 축에 연결시킨 발전기와 재충전기, 감지센서 그리고 전기에너지를 축전기에 저장하는 앤드게이트로 구성된다
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 Sb를 첨가하고 열처리를 한 비휘발성 기억소자용 강유전체 박막(PZT)과 그 제조방법에 관한 것이다. Sb의 첨가를 위해 Pb, Zr, Ti은 3인치 금속타겟을 이용하고 상하부 전극으로 Pt를 사용하여 DC reactive sputtering법으로 550℃에서 100분 동안 열처리를 한 강유전체 박막 및 그 제조법에 관한 것이다. 1×1011 싸이클까지 피로가 없는 좋은 특성
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 SrTiO3계 입계절연형 유전체 제조공정에 사용되는 산화물의 조성에 관한 것이다. 액상으로 침투되는 산화물에 1:1의 비로 BaO와 CaO를 포함하여, 기존공정에서 발생하는 입계이동을 제어함으로써 높은 유전상수값의 시편을 제조할 수 있었다. 또한 이와 같이 입계에 존재하는 산화물의 조성 제어하였을 경우 온도변화에 따른 유전상수값의 변화가 적은 안정한 온도특성을 나타내었다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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