유기성 슬러지로부터 오일회수를 위한 장치 및 방법
유기성 슬러지로부터 연료로 사용이 가능한 오일을 고압(50-100기압), 고온(250-300도)의 온도에서 처리하여 회수하는 기술연속식 슬러지 액화반응 시스템
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- 2000-11-22
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234 / 3033 페이지방향족 디아민으로부터의 시클로 지방족 디아민의 제조 방법
폴리우레탄은 카바메이트기(-NHCOO-)를 가지고 있는 고분자 물질로 디이소시아네이트와 에틸렌글리콜과 같은 폴리올을 반응시켜 제조된다. 이 폴리우레탄의 물성은 사용하는 원료나 제조 방법에 따라 달라지는데, 특히 디이소시아네이트의 원료로 사용되는 디아민의 구조가 큰 영향을 미칠 수 있다. 방향족 디아민으로부터 제조된 우레탄의 경우 빛이나 공기와의 접촉을 통해 천천히 산화되면서 변색되므로 우레탄의 용도를 제한하는 원인이 된다. 그러나, 시클로 지방족 디아민에서 제조된 우레탄의 경우, 빛, 공기에 안정할 뿐만 아니라 구조적으로 방향족보다 유연해 방향족 디아민으로부터 제조된 우레탄에서는 볼 수 없는 좋은 물성을 가질 수 있다.본 발명은 루테늄 촉매의 존재 하에서 방향족 디아민을 수소화시켜 시클로 지방족 디아민을 제조하는 방법에 관한 것으로, 촉매 첨가제로 금속 아질산염(metal nitrite: MNO2)을 사용하는 것을 특징으로 한다.
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- 2000-11-22
독립 프로그래밍 가능한 2자유도 추가운동 모듈 및 그를 장착한 가공
가공 공구의 축을 가공대상물의 단방향(이하 y방향이라 함)으로 직선왕복운동 하게 하는 y축 리니어모터 유니트와, 상기y축 리니어모터 유니트를 탑재하여 y축 리니어모터 유니트를 상기 y방향에 수직인 방향(이하 x방향이라 함)으로 직선왕복시키는 x축 리니어모터 유니트로 이루어지는 2 자유도 추가운동모듈이 상기 로봇 단부에 장착되고, 상기 x축 리니어모터유니트 및 y축 리니어모터 유니트의 운동을 제어하는 2 자유도 제어수단에 의하여 로봇과는 독립적으로 프로그래밍 됨으로써, 연마 또는 절삭형태에 따라서 적절한 가공패턴으로 연마 또는 절삭가공만을 수행하고, 로봇은 가공 위치로 추가운동모듈을 이동시키는 기능만 담당하므로써, 연마 또는 절삭능률을 향상시키고, 로봇의 잦은 자세변화에 소요되던 가공시간을 단축시킬 수 있는 장치를 제공한다.본 발명에 의한 2자유도 추가운동모듈을 로봇에 부착하므로써, 실제 연마나 절삭과 같은 가공시의 가공능률이나 표면품질은 추가운동모듈이 전적으로 책임지고, 로봇은 단지 가공 공구를 장착한 추가운동모듈을 가공이 필요한 위치로 이송시켜주기만 함으로써, 로봇의 작업부담을 줄이고 가공시간을 단축시킬 수 있다.
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고인성.내저온열화 정방성 지르코니아 복합체의 제조 방법(2)
본 발명은 100~400℃의 저온영역에서 장시간 노출시에도 단사정 지르코니아(monoclinic zirconia polycrystal)로의 상전이 (phase transition)에 의한 저온열화를 나타내지 않으면서도 고인성을 갖는 정방성 지르코니아(tetragonal zirconiapolycrystal)복합체의 제조방법에 관한 것이다.
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고주파용 유전체 조성물
본 발명은 높은 품질 계수(Q값)와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수가 양호한 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.본 발명에 따른 유전체 조성물은 유전율이 33.1 내지 60.2이고 Qxfo(GHz)가 25,060 내지 66,140이며 공진 주파수의 온도계수(TCF)가 -39.35 내지 83.60ppm/℃로 불순물 첨가량에 따라 TCF를 ±10ppm/℃로 조절이 가능하여 고주파용 유전체 세라믹스가 요구되는 통신 시스템에 적합하게 이용될 수 있다.
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- 2000-11-22
고주파용 유전체 조성물
본 발명은 높은 품질 계수(Q값)와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수가 양호한 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.본 발명의 유전체 자기 조성물은 CaTiO3와 La(Zn1/2Ti1/2)O3 및 La(Mg1/2Ti1/2) O3를 주성분으로 하는 페로브스카이트형 고용체로서 각 성분의 조성 범위는 제1도의 조성 상태도에 나타낸 바와 같다. 이러한 범위의 조성을 갖는 유전체 조성물은 공진주파수의 온도 계수가 최대 +52.32ppm/℃, 최소 -53.82ppm/℃ 범위에 있으므로, 이 자체로서 또는 첨가제의 양을 변화시킴으로써 유전 손실이 적고 온도 특성이 양호한 마이크로파 유전체 자기를 얻을 수 있다.
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(1H-1, 2, 4-트리아졸릴)디실라알칸 및 이들의 제조방법
발명은 일반식(I)로 표시되는 (1H-1, 2, 4-트리아졸릴)디실라알칸의 트리아졸의 치환된 새로운 유기규소화합물(이하트리아졸릴디실라알칸 이라칭함) 그리고 이들의 제조방법 및 이들의 식물 진균성 질병에 대한 용도에 관한 것이다.
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마이크로파용 온도보상형 유전체 세라믹 조성물
본 발명은 1050~1150℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도 보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속 산화물 원료만을 구성된 조성을 갖는 온도 보상용 마이크로파 유전체를 제공하기 위하여, 산화아연 및 산화티탄이 화학양론적으로 조합되는 ZnTiO3 중의 Zn이 Zn양 1에 대하여 0.175 내지0.25의 양으로 Mg와, Zn 양 1에 대하여 0 보다 크고 0.15 이하의 양으로 Ni, Cu, Ba, Sr 및 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 치환되는 고주파용 유전체 세라믹 조성물을 제공한다.
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윤활유 내 마모입자 온라인 진단방법 및 장치
본 발명은 빛이 오일을 통과할 때 입자들에 의해 차단되는 광량을 측정하여 오일 시료 내의 입자의 양을 계측하는 광학적방법 중 빛 차단 원리를 적용함과 아울러 마모 입자의 근원 판단에 매우 중요한, 마모 입자의 자성과 비자성 입자의 양을각각 정량적으로 측정하기 위해 자성 입자들을 영구 자석의 자력을 이용하여 오일 셀의 한쪽으로 모아 빛의 통로에서 제외시킨 후에 오일 측정 셀의 빛통과 경로에 존재하는 비자성 입자의 양을 측정하는 방법에 관한 것이다.
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신규의 광 개시제 화합물 및 이를 함유하는 감광성 중합체 조성물
본 발명은 신규한 광개시제 화합물 및 이를 함유하는 감광성 중합체 조성물에 관한 것이다. 더욱 상세히 설명하자면, 본발명은 벤조인알킬에테르(benzoin alkyl ether : 이하, 「BAE」로 표기함) 광개시제를 에폭시 프레폴리머 또는 아크릴산에스테르 프레폴리머에 화학적으로 결합시켜 얻은 신규의 광개시제 화합물 및 이를 함유하는 광경화 조성물에 관한 것이다.본 발명은 벤조인알킬에테르가 에폭시 프레폴리머 또는 아크릴산 에스테르 프레폴리머에 화학적으로 결합된 신규의 광개시제 화합물 및 이를 함유하는 광경화 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광개시제 화합물은 저장 안정성이 뛰어나고, 광경화 조성물 중의 다른 성분들과의 상용성이 우수하여 광반응 효율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 광경화된 조성물의 기계적 성질을 향상시킬 뿐만 아니라, 독성, 악취, 탁색 등의 문제도 해결할 수 있다.
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N-t-부톡시카르보닐말레이미드와 스티렌유도체의 공중합체 제조방법
본 발명은 새로운 단량체인 N-t-부톡시카르보닐말레아미드(이하 t-BOCMI라 함)(별도 출원중)와 스티렌 유도체의 공중합체제조방법 및 이 공중합체의 감방사선(radiation-sensitive)을 이용하여 고집적 반도체 및 전자 디바이스 미세가공 공정에서 고감도, 고해상성으로 내열성 레지스트 화상을 형성하는 방법에 관한 것이다.미세 가공공정에서 고감도 달성을위하여 근년에 화학증폭성(chenicalapplification) 레지스트가 크게 각광받고 있으며,이에 의하여 기존의 포지티브형 노볼락계 포토레지스트의 감도를 100배이상 증가시킬 수 있음이 알려졌다. 화학증폭성 레지스트는 광산 발생제(photoacid generator, 이하 PAG라 함)를 이용하는 레지스트계인데, 산(acid)에 민감하게 반응하는구조의 매트릭스 고분자에 PAG를 배합하여 만든다.즉, 광산 발생제가 빛에 노광되거나 X-선, 전자선의 고에너지 방사선에 조사되면 강한 양성자산인 브론스테드 산이 생성되고, 이 생성된 산의 작용으로 매트릭스 고분자의 주쇄 또는 축쇄가 반응하여 분해하되거나 가교결합, 또는 고분자의 극성이 크게 변하여 주어진 현상제에 대하여 용해도가 증가 또는 감소하게 되어 조사된 부분의 미세 화상이 만들어진다.광산 발생제로는 오니움 염(onium salt)이 일반적으로 알려져 있으며, 대표적으로 여러가지 암모늄염, 술포늄염등이 있고, 최근에는 유기 술폰산 에스테르가 보고되었다. 산반응성 매트릭스 고분자로는 t-부틸에스테르, 카보네이트, t-부톡시, t-부톡시카보닐(t-BOC)기로 보호된 측쇄를 갖는카르복시산 또는 페놀 작용기를 가진 고분자가 사용되고, 측쇄 보호기중 t-BOC보호기가 감도면에서 가장 우수한 것으로알려져 있다.산반응성 고분자가 보호된 상태 또는 산과 반응 하기전에는 유기용매에 가용성이지만, 산고 반응하여 탈호된 상태에서의고분자의 구조에서 극성이 크게 변하여 알칼리 수용액 가용성으로 변한다. 한편, 현재의 발달된 초미세(microlithography)에서는 자동화 공정을 거쳐 고해상성(resolution)을 달성하는데, 이때 플라즈마 드라이 엣칭(dry-etching)에 의한 패턴이전(pattern transfer)에서 레지스트의 미세화상이 200℃ 이상에서 내열성을 가져야함이 요구된다.또한, 서브미크론 해상성 달성을 위하여 조사파장이 자외선의 G-선(436nm), I-선(365nm)에서 보다 단파장인 원자외선(deep UV. 200∼300nm) 또는 보다 유리하게 고출력의 볼호 크립톤 엑사이머레이저(KrF excimer laser)의 짧은 파장인248nm쪽으로 이전 하는 기술발전 추세가 있다.따라서, 원자외선, 특히 엑사이머 레이저 파장 영역에서 레지스트의 광흡수가 적절하여야 한다.현재, 미세 가공에 사용되는 포지티브형 포토레지스트의 기본 매트릭스 고분자는 알칼리 수용액 현상성 노볼락 수지인데,노볼락 수지는 유리전이온도가 100℃ 내지 150℃ 이하로 낮아서 플라즈마 식각 공정이나 온식각 공정중에 레지스트 미세화상의 변형이 일어날 수 있고, 또 원자외선 영역에서의 광흡수도가 너무 높아서 0.5㎛이하 해상도의 달성에 적합하지 않는 것으로 알려져 있다.이와같은 고감도, 고해상성, 내열성을 만족시키는 레지스트 재료로서 t-BOC 보호기 함유한 말레이미드 구조의 고분자가각광받게 되었다.Turner, Ahn, Willson은 탈보호후에 약 235℃의 유리전이온도를 갖는 폴리(t-BOC-옥시페닐말레이미/스티렌), P(t-BOCPMI/st)을 발표하였고, 또한 Osuch등은 역시 좋은 감도의 내열성을 갖는 t-BOC 보호된 말레이미드-스티렌 공중합체(P(MI/St)-t-BOC)를 원자외선 레지스트로 이용할 수 있음을 보고하였다.이처럼 매트릭스 고분자에 말레이미드 구조가 도입되면 내열성이 대폭 개선되고, 말레이미드가 포함된 메트릭스 고분자는KrF 엑사이머 레이저 영역에서의 광흡수가 낮아서 레지스트 응용에 매우 적절하다.그러나, 이상 두가지 말레이미드-스티렌 고분자는 t-BOC 함유 단량체로 부터 직접 중합된 것이 아니고, 고분자의 반응에의하여 고분자에 t-BOC 보호기를 도입한 것이므로, 레지스트 고분자 구조를 완전히 제어하는데 문제가 있다.즉, t-BOC 보호기 함유 고분자 P(MI/St)-t-BOC은 말레이미드(MI)와 스티렌(St)의 공중합체 P(MI/St)에 화학반응에 의하여t-BOC 보호기를 도입하였다.P-(MI/St)-t-BOC은 115℃에서 부터 t-BOC 기의 열분해가 시작되므로, 공정에서 문제가 생기는데, 이렇게 낮은 온도에서 t-BOO 보호기의 탈보호 반응이 일어나는 것은 t-BOC 보호기를 도입하는 고분자 반응 과정에서의 불완전 보호반응에 기인된다. 본 발명은 t-BOC 보호기 함유 고분자를 새로운 t-BOC보호 단량체인 t-BOCMI와 스티렌 및 스티렌 도체, 다른 단량체를 통상적인 라디칼 공중합체 반응에 의하여 효율적으로 제조하는 방법 및 이들을 레지스트 재료로 이용하는 것이다.본 발명에서 제조된 공중합체는 앞에서 기술한 고분자 반응에 의한 합성과는 달리 말레이미드 구조에 t-BOC 보호기가 완벽히 결합되어 있어서 고분자의 제조와 구조 제어에 유리하다.
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- 2000-11-22
파이프라인 구조에 근거한 곱셈/나눗셈 공유 처리기 구조
발명은 고속의 곱셈 및 나눗셈 연산을 함에 있어 기존의 구조가 갖고 있는 단점인, 1) 곱셈기와 나눗셈기를 위해 별도의 하드웨어를 구성하며, 2) 캐리 전달 지연 시간에 의한 연산 속도의 저하를 다음과 같이 개선하였다. 1) 제안된 구조는곱셈/나눗셈을 처리하는 연산 회로를 공유하는 구조를 가지므로 외부 제어 신호에 의해 손쉽게 곱셈 또는 나눗셈 기능을선택적으로 사용가능하게 하였고, 2) 또한 파이프라인 처리를 통한 연산을 수행함으로써 최단 시간 내에 연산을 수행하며, 3) 또한 한 클럭에 하나의 연산 결과값을 출력한다. 그리고 동시에 캐리의 전달 시간이 거의 없는 CSA 회로를 사용함으로써 고속의 연산 처리를 가능하게 하였다. 본 발명의 구조는 실시간 처리 및 곱셈/나눗셈 연산이 선택적으로 사용되는신호 처리기가 요구되는 분야에 폭넓게 이용가능하다는 장점이 있으며 특히 곱셈/나눗셈이 선택적으로 사용되는 양자화기(Quantizer)/역양자화기(Inverse Quantizer) 등에 핵심 회로로 사용될 수 있다.
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- 2000-11-22
저전압형 박막 전계 발광 표시 소자용 유전 박막 및 그 제조 방법
본 발명은 박막 전계발광 표시(thin film electroluminescent display)소자의 구성하는 유전박막에 관한 것으로, 특히 Ba1-XSrXTiO3(0<x<1)의 조성을 인듐 틴 산화물(indium tin oxide)이 도포된 유리기판 위에 증착시켜 유전특성 및 전기적 특성을 향상시킨 저전압형 박막 전계발광 표시소자용 유전박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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- 2000-11-22
1, 3-디실라시클로부탄 유도체 및 그 제조방법.
본 발명은 일반식(IV)의 클로로트리실라알칸 또는 일반식(V)의 트리실라알칸에 알코올 또는 나트륨 알콕사이드를 반응시켜 일반식(II)의 알콕시트리실라알칸을 제조한 다음 일반식(II)의 알콕시트리실라알칸을 열분해하여 신규한 일반식(I)의1, 3-디실라시클로부탄 및 이들을 제조하는 새롭고도 진보된 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일반식(I)로 표시되는1, 3-디실라시클로부탄은 이외 개환중합반응으로 폴리카르보실란을 제조하는데 유용한 출발물질로 사용된다.
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- 2000-11-22
박막 전계 발광 표시 소자의 복합 유전층 구조
본 발명은 박막 전계발광 표시(thin film electroluminescent display)소자를 구성하는 절연층용 복합유전층 구조에 관한것으로, 특히 기판의 표면에 형성된 투명전극과 절연층으로 작용하는 Ba1-XSrXTiO3 유전박막의 사이에 Si3N4등으로 이루어진버퍼층을 형성하여 절연층과 투명전극간의 반응이나 상호확산을 억제함으로써 전기적 특성의 열화를 방지토록 한 박막 전계발광 표시소자의 복합유전층 구조에 관한 것이다.본 발명은 Ba1-XSrXTiO3 박막이 가지고 있는 유용한 특성을 보다 효율적으로 TFELD소자에 적용하기 위하여 Ba1-XSrXTiO3 박막과 투명전극(ITO층) 사이에 10~100nm 두께의 버퍼층을 형성함에 기술적 특징이 있다.
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- 2000-11-22
2단폭기 방식에 의한 식품 가공공장 폐수의 처리 방법 및 장치
본 발명은 (a) 피처리물을 스크린(1)에 의해 여과하여, 여액은 1차 침전지(2)에 유입시키고, 잔류물은 농축조(19)로 보내는 단계; (b) 1차 침전지(2)에 유입된 피처리물을 2차 침전지(7) 및 최종 침전지(9)로부터 반송되어 온 슬러지와 혼합하는 단계; (c) 1차 침전지(2)에서 중력에 의해 고액 분리하여 슬러지는 농축조 (19)로 보내고, 상징액은 희석수로 희석시키고, pH를 조절하여 1단 폭기조(4)로 유입시키는 단계; (d) 1단 폭기조(4)에 피처리물을 장기간 체류시키면서 활성슬러지를 이용하여 유기 물질과 기타의 오염물을 제거하고 2차 침전지(7)로 이송하는 단계; (e) 피처리물을 2차 침전지(7)에서 중력에 의해 고액 분리하여 슬러지는 1차 침전지(2)로 반송시키고, 상징액은 2단 폭기조(9)로 이송하는 단계; (f)2단 폭기조(8)에서 유연성을 가진 다공성 판형 여재에 부착되는 호기성 미생물을 이용하여 잔류 오염물 및 1단 폭기에 의해 형성된 미세한 플락을 흡착 분해하는 단계; (g) 상기 (f) 단계에서 처리된 피처리물을 최종 침전지(9)로 이송하여 중력에 의해 고액 분리하여 슬러지 중 일부는 내부 반송시키고 나머지는 1차 침전지(2)로 반송시키며, 상징액은 최종 방류시키는 단계; 및 (h) 상기 (c) 단계의 슬러지를 농축조(19)에서 농축시키고, 탈수기(20)에서 탈수하는 단계로 이루어진것이 특징인 식품 가공 공장 폐수의 처리 방법 및 이를 위한 장치에 관한 것이다.
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- 2000-11-22
신규의 고온 초전도체 및 그의 제조 방법
본 발명은 신규의 산화물계 고온 초전도체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 고온 초전도체는 기본 구조를 Ca2CuO3+δ로 하고 Ca2CuO3+δ상의 내의 Ca 이온 자리의 일부를 Hg, Ba, La 및 Cd중에서 선정한 원소의 단독 또는 복합물로 대체시킨 물질로서, 초전도 임계 온도가 165 내지 260K이고, 조성이(Ca1-XMX)2CuO3+δ(M=Hg,Ba,La 또는 Cd)인 고온 초전도체이다. 본 발명의 고온 초전도체는 분말의 합성 및 소결 단계를 거쳐 제조할 수 있다.본 발명의 고온 초전도체의 특징은 무엇보다도 임계 온도가 상온에 육박한다는 것이다. 약 250K의 임계 온도는 액체 질소를 사용하지 않고서도 실생활에서 쉽게 구현할 수 있는 온도이다. 그러므로, 본 발명의 고온 초전도체는 냉각비용과 장치의 크기를 감소시킨 에너지 절약형 휴대용 초전도 응용장치의 실현 가능성을 높여주는 것이다. 또한, 본 발명의 고온 초전도체는 칼슘(Ca)을 고정적으로 함유한다는 특징과 함게 독성이 강한 탈륨(Tl) 등의 원소를 배제하였다는 장점을 가지고있다.
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- 2000-11-22
텅스텐 박막 제조용 플라즈마 화학증착 온도 측정장치
본 발명은 플라즈마 화학증착법으로 저저항의 텅스텐 박막을 증착시키는 기술에 관한 것으로, 특히 저저항의 텅스텐 박막의 성장에 중요한 인자로 작용하는 실리콘 기판의 표면온도를 정확하게 측정하여 반응기 내에서의 증착반응이 최적의 증착온도에서 수행되도록 한 텅스텐 박막 제조용 플라즈마 화학증착 온도 측정장치에 관한 것이다.현재 일반적으로 행해지고 있는 텅스텐 박막의 증착방법은 크게 물리적 증착방법과 화학증착방법의 두가지 형태로 대별되는데 그 중 전자의 물리적 증착방법의 예로는 고순도의 텅스텐 타겟(Target)을 이용한 스퍼터링이나 전자빔증착(electronbeam depositon)을 들 수 있으며, 후자의 화학증착방법으로는 WF6-H2가 스등을 열분해시켜 실리콘기판의 증착을 행하는 저압화학증착법(LPCVD : Low Pressure Chemical Vapor Deposition)이 사용되고 있다.그런데, 물리적 증착방법의 경우에는 복사손실(radiation damage)에 의하여 박막의 결함발생이 높을 뿐만아니라, 스텝커버리지(step coverage)면에서도 불리하고 이에 더하여 비저항값이 50μΩ-㎝이상으로 높다는 단점이 있다.이에 반하여, 저압화학증착법은 위에서 열거한 물리적 증착방법에서 나타나는 대부분의 단점을 보완한 점에 있어 일응 특징적인 면이 있긴 하나 실리콘에만 국한하여 증착이 이루어질 뿐 절연층이나 화합물 반도체등의 기판에서는 증착이 이루어지지 않는 등의 기판의 특성에 따라 텅스텐 박막의 증착이 용이하지 않아서 물리적 증착방법에서와 같이 어떠한 기판에대해서도 금속박막을 증착시킬 수 있는 필요성을 충족시킬 수 없는 문제점을 지니고 있다[참조 : W.T.Stacy,E.K.Broadbent, M.H.Norcott, J.Electrochem. Soc., vol. 132, p444, 1985].한편, 화학증착법의 새로운 형태로서의 플라즈마 화학증착법(PECVD : Plasma Enanced Chemical Vapor Deposition)을 사용하여 텅스텐 박막을 증착시키는 경우에는 상기의 저압화학증착법에서 지니고 있는 문제점의 해결이 가능할 뿐만아니라 스텝커버리지면에서도 저압화학증착법에 비해 우수한 것으로 알려지고 있다[참조 : A.Sherman, Thin Solid Films, vol.113,p.135, 1984].그러나, 현재까지 보고된 바의 플라즈마 화학증착법에 의하여 형성된 텅스텐 박막의 비저항값은 저압화학증착법에 의하여얻어진 박막의 비저항값인 10μΩ-㎝정도에 비해 훨씬 높은 값을 나타냄에 따라 플라즈마 화학증착법을 실제 적용하기에는 어려움이 있다[참조 : C.C.Tang, D.W. Hess, Appl. Phys Lett., vol.45, p.633, 1984].플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 성장시킬 때 성장된 텅스텐 박막의 특성에 가장 큰 영향을 미치는 인자는증착온도인 까닭에 결정성장시 증착온도를 정확하게 제어하여야 만이 낮은 비저항값을 갖는 우수한 텅스텐 박막의 성장이가능하게 된다.그런데, 플라즈마 상태에서는 증착압력 및 열판(hot plate)의 온도에 따라서 증착반응이 일어나는 웨이퍼 표면의 온도가매우 크게 변화함에 따라 종래의 플라즈마 화학장치를 이용하여 증착을 수행하는 경우 웨이퍼 표면의 온도를 직접 측정하는 방식이 아닌 제1도에 도시된 바와 같이 실리콘기판과는 일정거리를 유지하고 있는 열판의 온도를 측정하여 이를 실리콘기판의 온도로 취급하는 방식을 취함에 따라 실리콘기판의 표면온도에 대한 실제값과는 상당한 차이를 보이고 있다.다시말하면, 제1도에 도시된 바와 같이 종래의 플라즈마 화학장치에서 증착온도를 측정하는 방법은 대개 반응기(1)의 상부에 확산전극(2)이 형성되고 하부에는 열선(3)으로 가열되는 열판(4)상에 실리콘웨이퍼(5)를 올려놓은 상태에서 열전대(T)를 이용하여 열판(4)의 온도를 측정하는 형태로서 실제로 텅스텐 박막의 증착이 일어나는 실리콘웨이퍼의 표면온도와열판의 온도사이에는 상당한 차이가 존재하게 된다.이와 달리 실리콘웨이퍼의 표면온도를 직접 측정하는 방식으로서 고온계(optical pyrometer)를 이용하는 형태가 알려지고있으나, 이 방법 역시 플라즈마에 의한 방출(emission)과 텅스턴 박막의 성장이 진행됨에 따라 방사율(emissivity)이 변화함으로써 정확한 온도를 측정할 수 없다는 문제점이 있다[참조 : J.E.J.Schmitz, J.L.G. Suijker, M.J. Buiting,Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Application Ⅳ, eds. R.S. Blewer and C.M. McConica, MaterialsResearch Soc., Pittsburg, p.211, 1989].한편, 열전대를 실리콘웨이퍼의 표면에 위치시켜 직접 실리콘 웨이퍼의 표면온도를 측정하는 방식이 고려되고 있긴 하나,이와 같은 경우에는 실제에 있어서 고주파전자기장이 열전대에 유기됨으로써 정확한 온도측정이 용이하지 않다는 문제점이 있다.따라서, 본 발명은 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막의 증착시 종래의 증착온도
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
(-) 피페라진 벤즈 옥사진 유도체의 제조 방법
본 발명은 앞에서 기술한 공지 방법과는 달리 어려운 반응공정이 필요하지 않으며 경제적이고 진보된 방법이다. 본 발명은 출발물질로서 신규 화합물을 염기 조건하에 반응시켜 1단계 고리화반응, 보호기 제거반응, 2단계 고리화반응, 가수분해반응 등 4단계 공정이 1단계 반응공정으로 완료되며 이로서 화합물을 얻는 것으로 이루어진다.본 발명은 (-)피페라진 벤즈옥사진 유도체의 신규 제조방법에 관한 것이며, 이들 화합물은 박테리아에 강한 살균 효과를나타내는 항균제로서 유용하다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
공간 장애가 큰 유기실란 및 그의 제조 방법
본 발명은 입체적으로 부피가 큰 작용기를 포함하는 유기실란 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 유기실란은 올레핀을 중합할 때 사용되는 찌글러-나타고분자화 반응에서 조촉매로 사용하면 외부전자주게로 작용하여 고분자의 방향성을 일정하게 유지시키는 효과를 가지고 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22