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화학공정 > 기타 화학공정
산화크롬을 암모늄 크로메이트 또는 암모늄 디크로메이트에 담지시켜 소성함으로서 제조된 고표면적의 산화크롬 촉매 및 이를 사용하는 개선된 1,1,1,2-테트라 플루오로에탄의 제조 방법을 제공한다. <구성>KCR(SO4)2·12H2O 수용액에 용액의 pH가 8.8-9.0이 될때까지 수산화암모늄 용액을 서서히 가하여 수산화크롬 침전을 생성시킨 다음, 이를 여과, 수세하고, 이어서 100-500도C로 가열하여 산화크롬(CR2O3)으로 전환시킨 다음, 얻어진 산화크롬을 암모늄 크로메이트 또는 암모늄 디크로메이트 수용액과 혼합하고, 이어서 60-70도C에서 진공 건조시킨 다음, 550도C로 가열하여 담지된 암모늄 크로메이트 또는 암모늄디크로메이트를 열분해시킴으로써 제조되는 60-90m2/g의 표면적을 갖는 1,1,1-트리플루오로-2-클로로에탄의 불소화 반응용 산화크롬 촉매.테트라플루오로에탄을 제조하는데 필요한 촉매의 구성과 그 제조 방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
산화크롬에 일정 비율의 금속성분을 혼합하고 촉매 제조 공정 중에 불산 수용액과 반응시켜 제조되는, 불소의 함량이 높은 1, 1, 1, 2-테트라플로오로에탄 제조용 촉매 및 제조 방법을 제공한다. <구성>산화크롬 수용액에 에탄올을 첨가한 후 가열 환류시켜 얻은 산화크롬 수화물에 염화마그네슘 또는 염화칼슘을 혼합한다. 이 혼합물에 염화세륨, 염화아연, 염화니켈 또는 염화알루미늄 등의 금속염 수용액을 혼합한 다음, 30 내지 50%의 불산 수용액을 첨가하여 상온 내지 섭씨 80도에서 약 1시간 반응시킨 후 여과 건조한다. 이 건조물을 섭씨 300 내지 450도에서 3 내지 10 시간동안 소성시켜 1, 1, 1, 2-테트라플로오로에탄 제조용 촉매를 제조한다. 이 촉매에서 크롬과 마그네슘 또는 칼슘의 중량비는 1 대 0.3 내지 1 대 10이 적당하며 크롬에 대한 금속 성분의 중량비는 크롬을 기준으로 5%를 초과하지 않는다. <효과>수분 발생에 의한 장치의 부식 가능성을 줄일 수 있고, 산소의 공급이 불필요하기 때문에 촉매의 급격한 활성 저하가 일어나지 않는다.테트라플루오로에탄의 제조용으로서 촉매의 활성이 장기간 유지되는 크롬계 촉매의 제조 방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
일측에 탄화질 성형체 투입구가 형성되고, 타측에 탄화규소 반응소결체 배출구가 형성된 반응로와, 상기 반응로 내부에서 일정한속도로 이동되는 카본 직포와, 상기 카본 직포를 연속적으로 이송시키는 이송장치와, 상기 성형체 투입구를 통해 카본 직포로 투입되는 성형체에 공급되는 용융 규소 또는 규소-몰리브데늄 합금이 수납되어 있는 용융금속 공급용기와, 상기 용융 금속 공급용기와 카본 직포 사이에 설치되어 카본 직포 위에서 이송되는 성형체로 용융금속이 공급되는 이동통로를 구비한 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트와, 상기 용융금속이 침윤된 성형체가 소결된 후 성형체에 과잉침윤된 금속을 제거하는 과잉융용금속 제거장치로 구성함을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 제조장치.1. 일측에 탄화질 성형체 투입구가 형성되고,타측에 탄화규소 반응소결체 배출구가 형성된 반응로와, 상기 반으로 내부에서 일정한 속도로 이동되는 카본 직포와, 상기 카본 직포를 연속적으로 이송시키는 이송장치와, 상기 성형체 투입구를 통해 카본 직포로 투입되는 성형체에 공급되는 용융 규소 또는 규소-몰리브데늄 합금이 수납되어 있는 용융금속 공급용기와, 상기 용융 금속 공급용기와 카본 직포사이에 설치되어 카본 직포위에서 이송되는 성형체로 용융금속이 공급되는 이동통로를 구비한 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트와 상기 용융금속이 침윤된 성형체가 소결된 후 성형체에 과잉침윤된 금속을 제거하는 과잉용융금속 제거장치로 구성함을 특징으로 하는 탄화규소 반응 소결체의 제조장치.2.제1항에있어서, 상기 열분해 카본 코팅된 그라피이트 또는 고밀도 그라피이트의 상면에 성형체와 공급되는 용융금속과의 접촉면적을 증대시키도록 성형체와 동일한 형상의 홈이 생성되는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 제조장치.3.제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트는 반응로l 높이 방향으로 2~5개 적층설치되며, 각각의 그라파이트마다 카본 직포가 설치된 것을 특징으로하는 탄화규소반응소결체의 제조장치.4.제1항에있어서, 상기 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트의 이동통로는 폭이 0.5~1.2mm이고, 깊이가 2~4mm인 것을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 제조장치.5.다공성 탄화규소/카본 또는 카본 성형체를 사용하여 용융금속의 침투에 의해 탄화규소반응소결체를 제조하는 탄화규소 반응소결체의 제조방법에 있어서, 불활성분위기 하에서 용융금속 공급용기로 부터 이동통로가 형성된 열분해 카본 코팅된 그라파이트 또는 고밀도 그라파이트를 통해 모세관압에 의해 용융금속을 상기 탄소질 성형체로 공급하며, 상기 탄소질 성형체가 놓이는 카본 직포는 일정한 속도로 이동하여 상기 탄소질 성형체를 연속적으로 이송시켜 연속침윤시킴을 특징으로 하는 탄화규소 반응 소결체의 연속제조방법.6.제5항에 있어서 탄소질 성형체가 카본 지고에 놓여지는 초기 상태에서는 탄소질 성형체 투입구와 탄화규소 반응소결체 배출구를 폐쇄하여 10-2torr이하의 진공분위기에서 1450˚C이상으로 가열하고,탄소질 성형체가 놓인 카본 직포에 용융금속의 침윤이 시작되면 분위기를 불활성 분위기로 전환함과 아울러 탄소질 성형체 투입구 및 탄화규소 반응소결체 배출구를 개방하며, 탄화규소 반응소결체의 표면에 잔류하는 과잉용융금속은 과잉 용융금속 제거장치에 의해 제거하도록 하며, 카본 직포를 연속적으로 이송시며 성형체를 연속침윤시킴을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 연속제조방법.7.제6항에 있어서, 상기 탄소질 성형체에 용융금속 침윤시 반응대의 가열온도는 1450~1700˚C이고,용융금속 공급용기의 가열온도는 1450~1500˚을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 연속제조방법.8.제6항에있어서, 상기 과잉용융금속 제거장치의 가열온도는 1600~1800˚C인것을 특징으로 하는 탄화규소 반응소결체의 연속제조방법.9.제5항에서있어서, 상기 카본 직포의 이송속도는 0.5~5cm/min인것을 특징으로 하는 탄화규소반응소결체의 연속제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 화학공정
1,1,1,2-테트라플루오로에탄 제조공정의 촉매활성 유지방법 : 트리클로로에틸렌과 불화수소를 촉매의 존재하에 반응시켜 1,1,1-트리플루오르-2-클로로에탄을 생성하고, 이를 불화수소와 반응시켜 1,1,1,2-테트라플루오로에탄을 제조함에 있어서, 반응기로 재순환되는 미반응 원료에서 수분을 제거하여 수분 농도를 일정수준 이하로 유지함으로써 촉매의 활성 저하를 억제하는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 제조 공정의 촉매활성 유지 방법.1. 트리클로로에틸렌과 불화수소를 촉매의 존재하에 반응시켜 1,1,1-트리플루오로-2-클로로에탄을 생성하고,이를 불화수소와 반응시켜 1,1,1,2-테트라플루오에탄을 제조하는 방법에 있어서, 반응기로 재순환되는 미반응 원료 중의수분을 제거하여 수분 농도를 300ppm 이하로 유지하는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플로오로에탄 제조 공정의 촉매활성 유지 방법.2. 제1항에 있어서, 반응촉매로서 산화크롬, 불화산화크롬 및 불화크롬으로 이루어진 군으로부터 선택되는성분 1종 이상, 또는 이들 성분과 산화마그네슘, 불화마그네슘,산화알루미늄 및 불화알루미늄으로 이루이진 군으로부터선택되는 성분 1종 이상과의 조합으로 이루어진 촉매을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.3. 제1항에 있어서, 수분 농도를 100-250 ppm 이하로 유지시키는 것을 특징으로 하는 방
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화학공정 > 기타 화학공정
서로 비점이 매우 근접하여 일반적인 증류방법으로는 분리가 불가능하였던 펜타플루오로에탄(HFC-125)과 1,1,1-트리플루오로에탄(HFC-143a)의 분리방법으로서, HFC-125가 HCl과 공비혼합물을 형성함에 따라 그 비점이 크게 저하되는 특성을 이용하여, 분리탑에 HFC-125와 HFC-143a의 2성분계 혼합물 또는 부가적인 성분들이 추가로 함유된 혼합물과 HCl을 첨가하여 탑정으로는 HFC-125/HCl 공비혼합물을 분리시키고 탑저로는 FC-143a 또는 HFC-143a와 부가성분과의 혼합물을 농축 분리한 후, HFC-125와 HFC-143a를 각각 분리할 수 있다.1. 펜타플루오로에탄(HFC-125)과 1,1,1-트리플루오로에탄(HFC-143a)을 함유하는 혼합물을 증류탑에 투입하고, 이 혼합물과 함께 또는 별도로 HCl을 HFC-125에 대해 몰비 25배 이상으로 증류탑에 공급하여 증류시키며, 압력 7~10 기압, 탑정온도 -30 내지 -40C의 조건에서 증류탑을 운전하여 펜타플루오로에탄과 1,1,1-트리플루오로에탄을 분리하는 방법.2. 증류탑의 탑정으로부터 HCl과 펜타플루오로에탄의 공비혼합물을 분리하는 방법.3. 증류탑의 탑저로부터 농축된 1,1,1-트리플루오로에탄을 함유하는 혼합물을 분리하는 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 화학공정
펜타플루오로에탄 제조시 반응 생성물에 포함된 클로로펜타플루오로에탄과 염화수소가 저비점의 공비 혼합물을 형성하는 특성을 이용하여 이 공비 혼합물을 증류탑의 탑정으로 배출하고, 펜타플루오로에탄을 탑저로 회수하며, 증류탑의 탑정에서 배출된 클로로펜타플루오로에탄은 수소화 반응시켜 펜타플루오로에탄으로 전환시키고, 미반응된 클로로펜타플루오로에탄은 수소화 반응의 부생물인 염화수소와 함께 증류탑으로 순환시켜 탑정으로 재분리함으로써 펜타플루오로에탄을 효율적으로 제조하는 방법이 제공된다.1. 펜타플루오로에탄을 제조하는 방법에 있어서, (가) 염화수소와 펜타플루오로에탄, 클로로펜타플루오로에탄및 염화불화탄소 화합물을 포함하는 반응 생성 혼합물을 증류탑에 공급하여 증류시켜 염화수소와 클로로펜타플루오로에탄의 공비 혼합물을 증류탑의 탑정으로 분리하고, 클로로펜타플루오로에탄이 분리 제거된 펜타플루오로에탄을 탑저로 회수하며; (나)증류탑의 탑정으로 배출된 염화수소와 클로로펜타플루오로에탄의 공비 혼합물로부터 염화수소를 제거한 후; (다) (나)단계에서 염화수소가 제거된 클로로펜타플루오로에탄을 수소화 반응기에 투입하여 수소화 반응시킴으로써 펜타플루오로에탄으로 변환시키며; (라) (다) 단계의 수소화 반응 생성물인 염화수소, 펜타플루오로에탄 및 미반응 클로로펜타플루오로에탄을 (가) 단계의 증류 공정으로 순환시켜, 전술한 단계를 반복 수행하는 것으로 되는 펜타플루오로에탄의 제조방법.2. 제 1항에 있어서, (가) 단계의 증류탑에 공급되는 반응 생성 혼합물 중 염화수소와 클로로펜타플루오로에탄을 96 몰% 대 4몰% 이상의 비율로 첨가하는 것이 특징인 방법.3. 제 1항에 있어서, (가) 단계의 증류탑에 공급되는 반응생성 혼합물이 염화수소, 펜타플루오로에탄, 클로로펜타플루오로에탄 외에, 추가로 불화수소, 1-클로로-2,2,2-트리플루오로에탄, 1,1,1,2-테트라플루오로에탄, 1,1-디클로로-2,2,2-트리플루오로에탄, 1-클로로-1,2,2,2-테트라플루오로에탄, 1,1,1-트리플루오로에탄의 일부 또는 전부를 포함하는혼합물인 것이 특징인 방법.4. 제 1항에 있어서, (다)단계에서 수소화 반응기로 투입되는 유기물 원료 중 클로로펜타플루오로에탄의 농도가 7몰% 이상인 방법.5. 제 1항에 있어서, (가) 단계에 있어서 클로로펜타플루오로에탄과 염화수소를 펜타플루오로에탄으로부터 연속적으로 분리하는 방법.6. 제 1항에 있어서, (가) 단계에 있어서 클로로펜타플루오로에탄과 염화수소를 펜타플루오로에탄으로부터 회분식으로 분리하는 방법
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
CF3CH2Cl의 염소화 반응에 의한 CF3CHCl2의 제조 방법에 있어서 CF3CH2Cl의 전환율을 저하시키는 일이 없이 CF3CHCl2의 선택도를 증가시킬 수 있는 1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 제조 방법에 관한 것이다. <구성>1,1,1-트리플루오로-2-클로로에탄과 염소를 활성탄 촉매 존재하에 반응시켜 1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄을 제조한다. 염소화 반응 동안 추가로 수소를 공급하므로써 부생되는 CF3CCl3를 수소화시켜 다시 CF3CHCl2로 전환시켜 반응 생성물에서의 CF3CHCl2의 선택도를 향상시킨다. 위의 염소화 반응 및 부생되는 수소화 반응은 통상 섭씨 250-500도의 온도 범위에서 실시되고, 촉매와 반응물의 접촉 시간은 1-90초의 범위이다.1. 1,1,1-트리플루오로-2-클로로에탄과 염소를 반응시켜 1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄을 제조하는 방법에 있어서, 상기 염소화 반응이 활성탄 존재하에서 1,1,1-트리플루오로-2-클로로에탄에 염소와 수소를 공급함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 개선된 1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 제조방법.2. 제 1 항에 있어서, Cl2/CF3CH2Cl의 몰비가 0.5-10인 방법.3. 제 2 항에 있어서, Cl2/CF3CH2Cl의 몰비가 1-5인 방법.4. 제 1 항에 있어서, H2/CF3CH2Cl의 몰비가 0.25-5인 방법.5. 제 4 항에 있어서, H2/CF3CH2Cl의 몰비가 0.5-3인 방법.6. 제 1 항에 있어서, 반응 온도가 250-500℃인 방법.7. 제 6 항에 있어서, 반응 온도가 350-450℃인 방법.8. 제 1 항에 있어서, 접촉 시간이 1-90초인 방법.9. 제 8 항에 있어서, 접촉 시간이 15-40초인 방법.10. 제 1 항에 있어서, 상기 수소와 염소가 반응기에 동시에 공급되거나 또는 염소가 먼저 공급되고 이어서수소가 공급되는 방법
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화학공정 > 기타 화학공정
촉매 사용시의 문제점, 무촉매 반응시의 문제점 등을 동시에 해결하면서도 공업화에서 문제가 되는 타르 생성을 극소화하는 제조 방법에 관한 것이다. <구성>1,1,1-트리클로로에탄과 불화수소를 무촉매 상태에서 반응시켜 1,1-디클로로-1-플루오로에탄 (HCFC-141B) 및 1,1-디플루오로-1-클로로에탄 \(HCFC-142B)을 제조한다. 무촉매 반응은 섭씨 50-160도에서 수행하며 원료와 불화수소의 몰비는 원료 1몰에 대하여 불화수소 1-10몰이며, 트리클로로에탄에 대한 HCFC-142B의 공급량은 20-100몰%, 바람직하게는 30-70몰%이다. 반응계내 유기물에 대한 HCFC-142B의 농도는 20몰% 이상을 유지시킨다.1. 1,1,1-트리클로로에탄과 불화수소를 무촉매 반응시켜 1,1-디클로로-1-플루오로에탄 및 1,1-디플루오로-1-클로로에탄을 제조함에 있어서, 반응계내 유기물중 1,1-디플루오로-1-클로로에탄올 1,1,1-트리클로로에탄에 대하여 20몰%이상 유지시켜 1,1-디클로로-1-플루오로에탄 및 1,1-디플루오로-1-클로로에탄을 제조하는 방법.2. 제1항에 있어서, 불화수소/1,1,1-트리클로로에탄의 몰비가 3∼8인 1,1-디클로로-1-플루오로에탄 및 1,1-디플루오로-1-클로로에탄을 제조하는 방법.3. 제1항에 있어서, 반응온도가 70∼120℃인 1,1-디클로로-1-플루오로에탄 및 1,1-디플루오로-1-클로로에탄을제조하는 방법.4. 제1항에 있어서, 반응압력이 6∼15 기압인 1,1-디클로로-1-플루오로에탄 및 1,1-디플루오로-1-클로로에탄을 제조하는 방법.5. 제1항에 있어서, 염화수소(HCl)는 탑상으로 제거하고 반응생성물은 반응기 하단으로부터 연속적으로 취출하여 1,1-디클로로-1-플루오로에탄 및 1,1-디플루오로-1-클로로에탄을 분리후 미 반응물을 재순환시키는 1,1-디클로로-1-플루오로에탄 및 1,1-디플루오로-1-클로로에탄을 제조하는 방법
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화학공정 > 기타 화학공정
CrO3와 C2H5OH로부터 제조된 Cr(OH)3-xH2O를 HF와 반응시킨 후, 소성하여 F의 함량이 높은 1,1,1,2-테트라플루오로에탄(HFC-134a) 제조용 촉매를 제조한다. <구성>삼산화크롬(CrO3)과 에탄올(C2H5OH)을 반응시켜 얻은 수산화크롬(Cr(OH)3-xH2)을 섭씨 60-100도에서 1시간 동안 HF 수용액과 먼저 반응시킨 후, 섭씨 300 내지 400도에서 3 내지 10시간 동안 소성시킴으로써 플루오르 함량이 20-55중량%인 1,1,1,2-테트라플루오로에탄 제조용 크롬 촉매를 제조한다. HFC-134a 제조에서 촉매인 Cr2O3은 CrO(x)F(y)의 형태로 바뀌어야만 HFC-134a 반응에 유용한 활성을 지니므로, F의 함량이 높은 촉매가 유리한데, 여기에서는 수산화크롬을 소성하기 전에 먼저 HF 수용액과 반응시킴으로써 F의 함량이 높아지게 된다. <효과>HFC-134a 합성 반응에 적용시 산소의 공급 없이 활성 저하가 전혀 나타나지 않으며, CF3CH2Cl로의 전환율이 높음과 동시에 부산물의 생성이 현저히 감소되어 HFC-134a 제조에 훨씬 유리하다.1. CrO3와 C2H5OH를 반응시켜 1, 1, 1, 2-테트라플루오로에탄 제조용 촉매를 제조하는데 있어서, CrO3와 C2H5OH를 반응시켜 얻은 수산화크롬을 HF 수용액과 반응시킨 후 소성시키는 것을 특징으로 하는 1, 1, 1, 2-테트라플루오로에탄제조용 촉매의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 수산화크롬을 60-100℃에서 1시간 동안 HF 수용액과 반응시키는 것을 특징으로 하는제조방법.3. 제1항에 있어서, 상기 소성이 300-400℃에서 3-10시간 소성시키는 것임을 특징으로 하는 제조방법.4. 제1항의 방법에 의해 제조되며, F의 함먕이 20-55중량%인 1, 1, 1, 2-테트라플루오로에탄 제조용 촉매.5. 제4항에 따른 촉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 1, 1, 1, 2-테트라플루오로에탄의 제조방법
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화학공정 > 기타 화학공정
1,2-테트라플루오로에탄 합성용 촉매의 제조방법17312마그네슘 크로메이트(MgCrO4) 또는 마그네슘 디크로메이트 (MgCrO2)를 HF 및 에탄올과 반응시키고, 반응 생성물을 여과 및 건조하여 소성시키는 것을 특징으로 하는 1,1,1,2-테트라플루오로에탄(HFC-134a)의 합성 반응용 촉매의 제도방법.1. CrO3와 C2H5OH를 반응시켜 1, 1, 1, 2-테트라플루오로에탄 제조용 촉매를 제조하는데 있어서, CrO3와 C2H5OH를 반응시켜 얻은 수산화크롬을 HF 수용액과 반응시킨 후 소성시키는 것을 특징으로 하는 1, 1, 1, 2-테트라플루오로에탄제조용 촉매의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 수산화크롬을 60-100℃에서 1시간 동안 HF 수용액과 반응시키는 것을 특징으로 하는제조방법.3. 제1항에 있어서, 상기 소성이 300-400℃에서 3-10시간 소성시키는 것임을 특징으로 하는 제조방법.4. 제1항의 방법에 의해 제조되며, F의 함먕이 20-55중량%인 1, 1, 1, 2-테트라플루오로에탄 제조용 촉매.5. 제4항에 따른 촉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 1, 1, 1, 2-테트라플루오로에탄의 제조방법
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
질화갈륨 (GaN), 질화인듐 (InN) 및 질화알루미늄 (AlN)과 같은 III족 금속원소의 질화물의 미세 결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 회전날개가 부착된 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 III족 금속원소 용융물 내부로 주입하여 암모니아 가스와 III족 금속원소를 직접 화학반응 시킴으로써 간편한 방법으로 수∼ 수십 μm 크기의 미세한 III족 금속원소의 미세결정을 제조할 수 있다.간단한 방법으로 미세질화갈륨 결정을 합성하는 방법을 제공하는 발명으로 승화방법에 의한 후막결정 혹은 벌크단결정을 성장하는데 필요한 원료물질로 사용될 뿐만 아니라 분말형태의 결정을 이용한 발광물질로도 활용할 수 있다. 기술의 핵심내용은 금속갈륨내부로 암모니아 가스를 주입하여 버블링시킴으로써 직접반응을 꾀한 독특한 방법이다.
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- 한국과학기술연구원
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재료 > 기타 금속재료
공업용 다이아몬드 공구의 제조시 공업용 다이아몬드 입자와 결합하여 공구의 절삭성 및 내구성을 동시에 크게 향상시키는 결합금속을 제공한다. [구성]공업용 다이아몬드의 결합 금속은 텅스텐 또는 몰리브데늄, 니켈, 철, 구리, 주석으로 이루어진다. 이같은 조성으로 제조시, 우선 결합 금속을 구성하는 각각의 분말을 조성에 맞게 혼합하여 결합 금속을 기지를 만든 다음, 다이아몬드 지립을 혼합한다. 이렇게 혼합된 분말을 성형프레스에 넣어 성형한 다음, 성형체를 분위기 가압 소결로 혹은 진공 가압 소결로에 장입하고, 60분동안 소결한다. 다음 소결체를 강으로 된 회전판의 원주부에 접합하여 공업용 다이아몬드 휠을 제조한다. 이와 같이 제조된 공업용 다이아몬드의 결합 금속은 몰리브데늄-니켈-구리-주석계합금을 사용함으로써 공업용 다이아몬드 공구의 절삭성을 향상시키고, 철의 양이 니켈의 양을 초과하지 않는 범위 내에서 니켈을 첨가함으로써 취성이 강한 금속간 화합물 또는 철탄화물의 생성을 방지하여 소결체에 인성을 증가시킨다.1. 공업용 다이아몬드의 결합 금속에 있어서, 텅스텐 25.0 내지 55.0중량%, 니켈 20.0 내지 50.0중량%, 철10.0 내지 40.0중량%, 구리 11.5 내지 41.5중량%, 주석 3.5 내지 33.5중량%로 이루어져 있고, 철의 양이 니켈의 양을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 결합 금속.2. 공업용 다이아몬드의 결합 금속에 있어서, 몰리브데늄 25.0 내지 50.0중량%, 니켈 20.0 내지 50.0중량%,철 10.0 내지 40.0중량%, 구리 11.5 내지 41.5중량%, 주석 3.5 내지 33.5중량%로 이루어져 있고, 철의 양이 니켈의 양을초과하지 않는 것을 특징으로 하는 결합 금속.3. 공업용 다이아몬드의 결합 금속에 있어서, 텅스텐 25.0 내지 50.0중량%, 니켈 20.0 내지 50.0중량%, 철10.0 내지 40.0중량%, 구리 11.5 내지 41.5중량%, 주석 3.5 내지 33.5중량%, 잔부는 코발트, 은, 아연 및 인으로 이루어진 그룹으로부터 한 가지 이상 선택된 것으로 이루어져 있고, 철의 양이 니켈의 양을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는결합 금속.4. 공업용 다이아몬드의 결합 금속에 있어서, 몰리브데늄 25.0 내지 50.0중량%, 니켈 20.0 내지 50.0중량%,철 10.0 내지 40.0중량%, 구리 11.5 내지 41.5중량%, 주석 3.5 내지 33.5중량%, 잔부는 코발트, 은, 아연 및 인으로 이루어진 그룹으로부터 한 가지 이상 선택된 것으로 이루어져 있고, 철의 양이 니켈의 양을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 결합 금속
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기계 > 기타 자동화 기술
본 발명은 타이어 허트의 볼트 자동 인식 방법 및 장치에 관한 것으로, 종래 기술은 2D 카메라를 이용하거나 기계적인 방법으로 자동화를 행하고 있으므로 공장 환경과 조명에 따라 안정성이 저하되고 부가적으로 차세를 운반하는 지그의 고정밀성이 요구되는 단점이 있다. 이러한 점을 개선하기 위하여 본 발명은 단면의 형상이 원을 이루고 있는 물체에 대한 측정 형상의 치수를 알고 있는 경우 3차원 공간상에서 임의의 위치에 위치한 물체를 1축 전동 서보에 부착되어 움직이는 윤곽 레이저 거리 센서로 측정함에 의해 정확한 위치를 산출하는 알고리즘을 이용하여 원을 이루고 있는 타이어 허브의 중심점과 법선을 구한 후 허브 볼트를 측정할 수 있도록 창안한 것으로, 본 발명은 조명과 환경의 변화에 대하여 둔감한 윤곽 레이저 센서를 사용함으로써 안정성을 향상시킴은 물론 측정 물체의 기하학적인 형상에 기인하여 발생하는 측정 오차를 보정함으로써 정밀 조립을 수행할 수 있고 또한, 본 발명은 센서의 이송을 1축 전동 서보를 사용함으로써 제조 단가를 절감할 수 있다.1. 치수를 알고 있는 윈형 물체를 측정하는 방법에 있어서, 임의의 지점으로부터 소정 거리만큼 이동하여 허브면의 윗면 형상을 1차 감지한 후 그 감지 지점과 반대 방향으로 소정 거리만큼 이동하여 허브면의 윗면 형상을 2차 감지 하는 제1 단계와, 상기에서 감지한 허브면 형상에 대한 측정 데이터를 이용하여 허브면의 중심점을 연산하고 그 중심점으로부터 소정 거리의 동심원에 있는 허브 볼트까지의 거리를 판단하는 제2 단계와, 상기에서 판단한 산출한 허브 볼트의 위치로 이동하여 소정 간격씩 이동하면서 허브 볼트의 위치를 감지하는 제3단계와, 상기에서 감지한 허브 볼트의 위치로부터 소정 거리만큼 이동하여 허브 볼트의 윗면 형상을1차 감지한 후 그 감지 지점과 반대 방향으로 소정 거리만큼 이동하여 다시 허브 볼트의 윗면 형상을 2차 감지하는 제4 단계와, 상기에서 감지한 허브 볼트의 윗면 형상에 대한 측정 데이터로부터 허브 볼트의 중심점 위치를 판단하는 제5 단계를 수행하여 타이어를 조립하도록 함을 특징으로 하는 타이어허브의 볼트 자동 인식 방법. 2. 제1항에 있어서, 제2 단계는 허브의 윗면 형상중 모퉁이의 측정 데이터를 4개의 데이터 그룹을 만들고 그중 3개의 데이터 그룹에 대한 순서쌍을 구하는 제1 과정과, 상기에서의 순서쌍을 원의 방정식으로 변환하여 변수를 좌표계로 변환하는 동작을 반복하고 가장 많은 값이 저장된 변수를 허브의 중심점 위치로 판단하는 제2 과정을 수행하는 것을특징으로 하는 타이어 허브의 볼트 자동 인식 방법.3. 제1항에 있어서, 제3 단계는 허브 상에서 동심원의 위치에 있는 허브 볼트의 위치로 이동하여 허브 볼트의 위치가 감지되지 않으면 허브의 중심측으로 소정 간격 이동하여 허브 볼트의 위치를 감지하는 과정을 소정 횟수 반복하는 것을 특징으로 하는 타이어 허브의 볼트 자동 인식 방법.4. 제1항에 있어서, 제5 단계는 허브 볼트의 윗면 형상중 모퉁이의 측정 데이터를 4개의 데이터 그룹을 만들고 그 중 3개의 데이터 그룹에 대한 순서쌍을 구하는 제1 과정과, 상기에서의 순서쌍을 원이 방정식으로 변환하여 변수를좌표계로 변환하는 동작을 반복하고 가장 많은 값이 저장된 변수를 허브 볼트의 중심점 위치를 판단하는 제2 과정을 수행하는 것을 특징으로 하는 타이어 허브의 볼트 자동 인식 방법.5. 허브면으로 레이저 빔을 투사한 후 그 반사된 영상을 감지하는 영상 센싱 수단과, 이 영상 센신 수단을 구동하고 그 영상 센싱 수단의 영상 데이터를 거리 데이터로 변환하는 디지탈 신호 처리 수단과, 상기 영상 센싱 수단을 차체의 수평 방향으로 이동시키기 위하여 모터 구동 제어 신호를 출력하면서 상기 디지탈 신호 처리 수단의 출력 데이터를연산하여 허브의 중심점 위치를 판단하고 그로부터 상기 디지탈 신호 처리 수단의 출력 데이터를 연산하여 허브 볼트의중심점 위치를 판단하는 시스템 제어 수단과, 이 시스템 제어 수단의 모터 구동 제어 신호를 입력으로 하는 모터 제어 수단의 제어에 의해 상기 영상 센싱 수단을 차체의 수평 방향으로 이동시키는 1축 전동 모터 수단으로 구성하여 허브 볼트의 중심점 위치를 판단한후 타이어를 조립하도록 한 것을 특징으로 하는 타이어 허브의 볼트 자동 인식 장치
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화학 > 기타 무기화학
수소 규소화 반응을 통해 새로운 형태의 유기규소 화합물이나 유기규소 고분자 화합물을 제조하는데 유용한 감마 실릴올레핀들과 그들의 제조방법을 제공한다. [구성]알루미늄클로라이드와 같은 루이스산 촉매하에서 일반식(I),(II) 또는 (III)에서와 같은 이중결합 또는 삼중결합을 갖는 탄화수소 화합물과 일반식(IV)에서와 같은 알릴실란들을 반응시켜 감마-실릴올레핀들을 합성한다. 일반식(I)에서 R은 C1-C8까지의 알릴 또는 알케닐기, -CH2SiMe3, 벤질 등이며, 일반식(II)에서 n은 3부터 6의 정수이고, 일반식(III)에서 R1은 수소, 메틸, 페닐등이며, R2는 페닐기, C1-C8까지의 알킬 또는 알케닐기를 표시한다. 용매로는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, n-헥산, 메틸렌클로라이드, 크로로포름, 사염화탄소 등을 사용하며, 반응온도는 섭씨 -40도로 일반식(I),(II) 또는 (III)의 몰비는 1:1로 유지한다.1. 다음의 일반식(5), (6) 그리고 (7)의 감마-실릴올레핀; 단, 일반식(5)에서 R은 C1-C6까지의 알킬 또는 알케닐기, -CH2SiMe8, 벤질등이며, 일반식(6)에서 n은 3부터 6의 정수이고 일반식(7)에서 R3은 수소, 메틸, 페닐등이며, R2는 페닐기, C1-C8까지의 알킬 또는 알케닐기를 표시한다. R3와 R4는 독립적으로 수소 또는 메틸기를 표시하며, R5,R6,R7은 독립적으로 C1-C8의 알킬, 페닐, 할로겐화페닐(X=F,Cl,Br), 벨질, 2-페닐에틸등을 표시한다.2. 일반식(1), (2) 그리고 (3)의 불포화 탄화수소 화합물을 일반식(4)의 알릴실란들과 반응시켜 일반식 (5), (6) 그리고 (7)의 감마-실릴올레핀화합물을 제조하는 방법. 단, 일반식(1)에서 R은 C1-C8까지의 알킬 또는 알케닐기, -CH2SiMe3 벤질등이며, 일반식(2)에서 n은 3부터 6의 정수이고 일반식(3)에서 R1은 수소, 메틸, 페닐등이며, R1는 페닐기, C1-C8까지의 알킬 또는 알케닐기를 표시한다. 단, 상기식 R3와 R4는 독립적으로 수소 또는 메틸기를 표시하며,, R5,R6,R7는 독립적으로 C1-C8의 알킬, 페닐, 할로겐화페닐(X=F,Cl,Br), 벨질, 2-페닐에틸등을 표시한다.3. 제2항에 있어서 벤젠, 헥산, 메틸렌폴로라이드, 클로로포름, 사염화탄소를 용매로 사용하는 제조방법.4. 제2항에 있어서 루이스산으로서 알루미늄클로라이드 티타늄클로라이드, 탄클로라이드, 보몬플로라이드 중의 하나를 단일 촉매로 사용하는 제조방법.5. 제2항에 있어서 루이스산으로서 알루미늄플로라이드, 티타늄플로라이드, 틴플로라이드, 브론플로라이드 중의 두가지 이상을 촉매로 사용하는 제조방법.6. 제2항에 있어서 용매와 촉매를 반응조에 먼저 넣어놓고 일반식(1)이나 (2) 또는 (3)의 불포화 탄화수소 화합물을 일반식(4)의 알릴실란들을 섞어서 첨가하는 방법.7. 제2항에 있어서 일반식(1)이나 (2) 또는 (3)의 불포화 탄화수소 화합물에 대하여 일반식(4)의 알릴실란들을 틈비로 1-10배 사용하는 방법.8. 제2항에 있어서 반응온도를 -40℃ 부터 40℃로 하는 제조방법.
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화학 > 기타 무기화학
1,1,1-트리메톡시-3-아릴-1-실라부탄, 메틸트리메톡시실란 및 n-3-아미노프로필트리메톡시실란을 함유하는 다공성 건축용 석재의 표면처리용 수용성 발수제 조성물을 제공한다. [구성]일반식(II)의 2-(아릴프로필)-트리클로로실란을 메탄올로 메톡시화시켜 얻은 식(I)의 2-트리메톡시실란, 메틸트리메톡시시란 및 N-아미노프로필트리메톡시실란을 발수제 조성물 총무게에 대해 2 내지 40무게%의 범위에서 혼합하여 함께 중합시키면 물에 잘 녹으면서 발수성이 우수한 수용성 발수제가 수득된다. 식(I)의 화합물의 2-아릴프로필기는 메틸이나 프로필 치환체보다 유성이 강하기 때문에 소량만 첨가하여도 우수한 발수성을 나타낸다. R은 수소, 프룰오로, 또는 페녹시기를 나타낸다.1. 다음 일반식(1)의 유기실란 메틸트리메톡시실란 및 N-(2-아미노에틸)-2-아미노프로필트리메톡시실란을 1.0:9.0:10 내지 1.0:19:20의 몰비로 함유하는 다공성 건축용 석재의 표면처리용 수용성 발수제 조성물 (식 중, R은 수소, 플루오로 또는 페녹시기를 나타낸다.)2. 제1항에 있어서, 일반식(1)의 화합물, 메틸트리메톡시실란, 및 N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리멕토시실란이 총 조성물 무게에 대해 2 내지 40%의 비율로 존재하는 수용성 발수제 조성물.3. 제1항 또는 2항에 있어서, 다공성 건축용 석재가 붉은 벽돌, 콘크리트, 모르타르 및 석고판 중에서 선택되는 것이 특징인 수용성 발수제 조성물.
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전기·전자 > 기타 전자제품
플라즈마 화학 증착법을 통하여 갈륨비소 기판상에 저저항의 전기적 특성이 우수한 금속배선용 텅스텐 박막을 형성시키기 위한 것이다. <구성>플르즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서 WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1.0E-1torr, 증착온도 200-300도C하에서 플라즈마 화학증착하여 갈륨비소 쇼트키베리어용 텅스텐 박막을 형성하여 구성한다. <효과>갈륨비소 반도체 소자에 형성된 텅스텐박막은 저저항을 나타내고 우수한 전기적 특성을 나타낸다.1. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1/10exp1Torr, 증착온도 200~300℃하에서 플라즈마 화학증착하여 갈륨비소 쇼트키베리어용 텅스텐박막을 형성함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 갈륨비소 반도체소자의 금속배선용 텅스텐박막 형성방법. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 자기정렬 게이트 구조의 MESFET를 제조하는 방법에 있어서, WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1/10exp1Torr, 증착온도 200~300℃하에서 플라즈마 화학증착하여 금속배선용 텅스텐박막을 형성한 다음 700℃이하의 온도에서 급속열처리함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 갈륨비소 반도체소자의 쇼트키베리어 및 금속배선용 텅스텐박막 형성방법.
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재료 > 기타 고분자재료
블렌드 조성의 계면에 공유결합이나 수소결합을 도입하여 기계적 물성 특히 내충격성이 뛰어난 폴리스티렌과 폴리에티렌의 블렌드 성형품을 제조하고 기계적 물성이 개선된 폴리스티렌과 폴리에틸렌의 블렌드 성형품을 제공하는 것이다. <구성>0-50중량%의 폴리에틸렌과 50-95중량%의 폴리스티렌 0.5-20중량%의 폴리스티렌-폴리부타디엔불럭 공중합체 및 0.1-10중량%의 무수말레인산 유도체와 0-1중량%의 라디칼 개시제로 이루어지되 폴리에틸렌이 선형저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 및 고밀도 폴리에틸렌(HDPE)로 구성되는 군중에서 선택되고 무수말레인산 유도체가 아크릴아미드 및 메타크롤 아미드 중에서 선택된 아크릴계 단량체이거나 또는 초산비닐이며 폴리스티렌-폴리에틸레 공중합체가 10-90중량%의 스티렌 단량체와 10-90중량%의 부타디엔 단량체로 구성된 2중 3중 또는 다중 블록 공중합체, 교호 공중합체 또는 랜덤 공중합체를 구성한다.1. 0-50중량%의 폴리에틸렌과 50-95중량%의 폴리스티렌, 0.5-20중량%의 폴리스티렌-폴리부타디엔블럭 공중합체 및 0.1-10중량%의 무수말레인산 유도체와 0-1중량%의 라디칼 개시제로 이루어짐을 특징으로 하는 블렌드 제품 성형용 조성물.2. 제1항에 있어서, 폴리에틸렌이 선형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 및 고밀도 폴리에틸렌(HDPE)로 구성되는 군중에서 선택됨을 특징으로 하는 조성물.3. 제2항에 있어서, 선형 저밀도 폴리에틸렌이 주쇄의 탄소 4 내지 20개마다 알파 올레핀을 가지는 에틸렌과 1-부텐, 1-헥센, 1-펜텐, 1-옥텐 또는 4-메틸 1-펜텐의 공중합체이고, 0.90-0.94g/cc의 밀도를 가짐을 특징으로 하는 조성물.4. 제1항에 있어서, 무수말레인산 유도체가 하기 일반식으로 표시되는 단량체임을 특징으로 하는 조성물. 식 중, R1과 R2는 수소, 메틸기 또는 페닐기이다.5. 제1항에 있어서, 무수말레인산 유도체가 하기 일반식으로 표시되는 아크릴계 단량체임을 특징으로 하는 조성물. 식중, R1은 수소 또는 메틸기이며, R3는 C1-C18 알킬기, 또는 에틸렌글리콜 및 프로필렌 글리콜 중에서 선택된 디올을 나타낸다.6. 제1항에 있어서, 무수말레인산 유도체가 아크릴아미드 및 메타크릴 아미드 중에서 선택된 아크릴계 단량체이거나, 또는 초산비닐임을 특징으로 하는 조성물. 7. 제1항에 있어서, 폴리스티렌-폴리에틸렌 공중합체가 10-90중량%의 스티렌 단량체와 10-90중량%의 부타디엔 단량체로 구성된 2중, 3중 또는 다중 블럭 공중합체, 교호 공중합체 또는 랜덤 공중합체임을 특징으로 하는 조성물.8. 제1항에 있어서, 라디칼 개시체가 하기 일반식으로 표시되는 디큐밀 퍼옥사이드임을 특징으로 하는 조성물. R4-O-O-R8 식 중, R4와 R8는 수소, 탄소수 4이하의 알킬기, 벤조일기 또는 큐밀기이다.9. 제1항에 있어서, 조성물이 175-240℃ 및 210-250℃에서 각각 용융 압출 및 용융 사출 성형이 가능함을 특징으로 하는 조성물.10. 0-50중량%의 폴리에틸렌과 50-95중량%의 폴리스티렌, 0.5-20중량%의 폴리스티렌-폴리부타디엔 블럭 공중합체 및 0.1-10중량%의 무수말레인산 유도체와 0-1중량%의 라디칼 개시체로 이루어진 조성물을 사출 성형하여 제조한, 8Kj/㎡이상의 충격 강도(ASTM D256에 의하여 측정)를 갖는 기계적 물성이 개선된 성형품.
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생명과학 > 미생물자원
미생물을 배양한 후 생산된 고분자응집제와 무기물을 이용하여 중금속흡착제를 제조한다. <구성>주글레아 라미제라를 회분식 혹은 연속식으로 배양하여 생물고분자의 생산을 극대화시킨 후 무기물을 첨가하여 망상형의 중금속흡착제를 제조한다.1. 포도당 25g/L, 인산수소이칼륨 2g/L, 인산이수소칼륨 1g/L, 질산나트륨 0.5-1.0g/L, 황산마그네슘칠수화물 0.2g/L 및 이스트 추출물 0.01g/L로 이루어진 것이 특징인 주그뢰아 라미제라 115(Zoogloea ramigera 115, ATCC 25935)의 배양용 베지.2. 제1항에 있어서, 상기 배지가 황산제일철 0.1-0.4g/L를 더 함유하는 것이 특징인 배지.3. 포도당 25g/L, 인산수소이칼륨 2g/L, 인산이수소칼륨 1g/L, 질산나트륨 0.5-1.0g/L, 황산마그네슘칠수화물 0.2g/L, 이스트 추출물 0.01g/L 및 황산제일철 0.1-0.4g/L로 구성된 배지 중에서 배양시킨 주그뢰아 라미제라 115를 포도당, 유당, 당밀 및 치즈훼이 중에서 선택되고, C/N비가 30-120이 되도록 공급되는 탄소원, 인산수소이칼륨 2g/L, 인산이수소칼륨 1g/L, 질산나트륨 0.5-1.0g/L, 황산마그네슘 철수화물 0.2g/L 및 이스트 추출물 0.01g/L로 구성되는 발효 배지 중에서 pH 4-8 및 온도 24-32℃에서 발효시키는 것이 특징인 주그뢰아 라미제라 115의 회분식 발효 방법에 의한 생물 고분자의 생산 방법.4. 제3항에 있어서, 탄소원이 포도당이고, C/N비가 90인 것이 특징인 방법.5. 제3항에 있어서, 탄소원이 유당이고, C/N비가 30인 것이 특징인 방법.6. 제3항에 있어서, 탄소원이 당밀이고, C/N비가 60인 것이 특징인 방법.7. 제3항에 있어서, 탄소원이 치즈훼이이고, C/N비가 60인 것이 특징인 방법.8. 포도당 25g/L, 인산수소이칼륨 2g/L, 인산이수소칼륨 1g/L, 질산나트륨 0.5-1.0g/L, 황산마그네슘칠수화물 0.2g/L, 이스트 추출물 0.01g/L 및 황산제일철 0.1-0.4g/L로 이루어진 배지 중에서 주그뢰아 라미제라 115를 일정 시간 배양한 후, 당밀 11.35g/L, 질산나트륨 1.0g/L, 인산수소이칼륨1g/L, 인산이수소칼륨 0.5g/L, 황산마그네슘 철수화물 0.1g/L 및 이스트 추출물 0.01g/L로 구성된 제1발효 배지 중에서 회분식 발효 방법으로 1차 발효시키고, 이어서 질소원이 배제된 배지를 외부로부터 공급해주면서 2차 발효시키는 것이 특징인 주그뢰아 라미제라 115의 유가 배양식 발효 방법에 의한 생물 고분자의 생산 방법.9. 세표 성장용 발효조, 생물 고분자 생산용 발효조와 동일하게 당밀 11.35g/L, 질산나트륨 1.01g/L, 인산수소이칼륨 1g/L, 인산이수소칼륨 0.5g/L, 황산마그네슘 철수화물 0.1g/L로 이루어진 배지를 사용하여 일정시간 주그뢰아 라미제라 115를 배양시킨 후, 외부로부터 세포 성장용 발효조에는 당밀 45.5g/L, 질산나트륨 1.91g/L, 인산수소이칼륨 2g/L, 인산이수소칼륨 1g/L, 황산마그네슘 철수화물 0.2g/L의 조성을 갖는 배지를 공급해 주고, 생물 고분자 생산용 발효조에는 세포 성장용 발효조에 공급해 주는 배지 조성 중 질소원만을 제거한 공급액과 세포 성장용 발효조에서의 발효된 액을 희석속도 0.024/h 내지 0.168/h로 조절하면서 공급하여 발효시키는 것이 특징인 주그뢰아 라미제라 115의 2단계 연속 발효 방법에 의한 생물 고분자의 생산 방법.10. 제8항에 있어서, 상기 희석 속도가 0.048/h 내지 0.402/h인 것이 특징인 방법.
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
산이나 열에 의한 분해가 용이하며 N-히드록실기의 보호 및 탈보호반응에 유리한 터셔리-부틸기를 N-히드록시말레이미드에 도입한 구조식(I)의 새로운 단량체인 N-터셔리-부톡시말레이미드 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다. <구성>무수말레산과 퓨란을 반응시켜 구조식(III)의 3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈릭 안히드리드를 제조하여 이 구조식(II)화합물과 히드록실아민을 반응시켜 구조식(III)의 N-히드록시-36-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈이미드를 제조하고 산촉매 존재하에 구조식(III) 화합물과 이소부틸렌을 반응시켜 구조식(IV)의 N-16-부톡시)-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈이미드를 제조하여 이 화합물을 가열분해 시켜 구성한다.1. 구조식(1)의 N-터셔리-부톡시말레이미드(t-BuOMI)2. 무수말레산과 퓨란을 반응시켜 다음 구조식(2)의 3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈릭 안히드리드를 제조하여, 이 구조식(2) 화합물과 히드록실아민을 반응시켜 다음 구조식(3)의 N-히드록시-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈이미드를 제조하고, 산촉매 존재하에 구조식(3) 화합물과 이소부틸렌을 반응시켜 다음 구조식(4)의 N-(t-부톡시)-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈이미드를 제조하여 이 화합물을 가열분해시킴을 특징으로 하는 구조식(1)의 N-터셔리 부톡시말레이미드(t-BuOMI) 제조방법.3. 제2항에 있어서, 산촉매하에 구조식(3) 화합물과 이소부틸렌을 110℃에서 반응시켜 구조식(4)의 N-(t-부톡시)-3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라히드로프탈이미드를 제조함을 특징으로 하는 구조식(1)의 N-터셔리-부톡시 말레이미드(t-BuOMI) 제조방법.4. 제2항에 있어서, 구조식(4) 화합물의 가열분해 온도가 145℃인 것이 특징인 구조식(1)의 N-터셔리-부톡시말레이미드(t-BuOMI) 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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전기·전자 > 기타 전자제품
이 발명은 실리콘 반도체소자의 실리콘 웨이퍼상에 텅스텐/질화텅스텐 이중박막으로 된 금속배선을 형성하는 방법이다. <구성>이 방법은 실리콘 웨이퍼상에 플라즈마 화학증착법 또는 저압 화학증착법으로 질화텅스텐박막을 먼저 증착시키고, 그 위에 텅스텐 박막을 증착시켜 이중구조의 금속배선을 형성한 다음, 고온에서 열처리한다. <효과>이중구조의 금속배선으로 인해 열처리시, 실리콘과 텅스텐의 반응으로 생성되는 불순물인 규화텅스텐이 생기지 않는다.1. 저압화학증착법으로 텅스텐 박막을 증착하여 금속배선을 형성함에 있어서, 상기 텅스텐 박막의 증착 전단계 공정으로서 NH₃/WF₄의 입력분압조성비를 0.25-2로 하고, 300-600℃의 증착 온도에서 0.1-1Torr의 증착 압력하에서 플라즈마 화학증착하여 70-300μΩ-cm의 비저항값을 갖는 텅스텐 질화박막을 500-1000Å의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용 텅스텐 질화박막 증착방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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