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본 발명은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지며 소결온도가 1500℃ 이상인 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물에 있어서, 높은 소결온도의 단점을 개선하기 위한 소결방법에 관한 것이다. 상기 유전체 세라믹 조성물은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지고 있으나 소결온도가 높은 것이 단점이다. 본 발명에서는 상기 유전체 세라믹 조성물에 산화 안티몬(Sb2O5)과 산화 붕소(B2O3)로 구성된 첨가제를 첨가함으로써 소결온도를 기존의 소결온도(1500℃)보다 최대 300℃까지 낮출 수 있는 새롭고도 진보된 마이크로파 유전체 세라믹의 저온 소결방법에 관한 것이다.1. Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물에 산화 안티몬(Sb2O5)과 산화 붕소(B2O3) 중에서 단독 또는 두가지 혼합물을 선택하여 첨가하여 소결하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물의 소결 방법.2. 제1항에 있어서, 산화 안티몬(Sb2O5)을 0.1 ~ 5.0 몰% 첨가하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3유전체 세라믹 조성물의 소결방법.3. 제1항에서 있어서, 산화 붕소(B2O3)를 0.1 ~ 5.0몰% 첨가하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물의 소결방법.4. 제1항에 있어서, 산화 붕소(B2O3) 0.1 ~ 5.0 몰%와 산화 붕소(B2O3) 0.1 ~ 5.0 몰% 범위의 혼합물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물의 소결방법.5. 제1항에 있어서, 1,200 ~ 1,350℃에서 소결하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹조성물의 소결방법
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- 2000-12-15
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본 발명은 바리스터의 전극설계에 관한 것이며, 특히 저전압용 ZnO, SrTiO3계 바리스터 제조를 위한 전극설계에 관한 것이다. 본 발명은 디스크 형상의 바리스터 상하표면에 각각 동일 면적의 양단 전극을 형성하는 종래의 기술과는 달리, 바리스터 디스크시편 상하면중 일면에 부착된 전극의 일부분을 타면까지 연장하여 그 타면의 일부에 부착하고, 그 타측면의 나머지 부분에는 상기 연장 부착된 전극과 소정의 간격을 가지는 전극을 부착하여 양단 전극을 형성하므로서, 본래의 유전율을 유지하는 동시에 비직선계수값이 크며 저전압에서 항복전압(breakdown voltage)을 나타내는 저전압용 ZnO, SrTiO3계 바리스터의 제조방법에 관한 것이다.1. 세라믹 소결체와;상기 세라믹 소결체의 상하면중 일면에 부착되며, 상기 일면의 반대쪽에 있는 타면의 일부에 부착된 연장부를 가지는 제1 전극과;상기 타면의 일부에 부착된 상기 제 1 전극의 연장부와 상기 타면상에서 간극을 가지고, 상기 제 1 전극의 연장부가 부착된 부분을 제외한 상기 타면의 나머지 부분에 부착되는 제 2 전극; 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저전압용 세라믹바리스터.2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극의 연장부 및 제 2 전극의 상기 간극은 0.05㎜ 내지 0.1㎜인 것을 특징으로 하는 저전압용 세라믹 바리스터
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높은 품질 계수와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수를 조절할 수 있는 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다. <구성>SrTiO3 및 CaTiO3와 LaZn(1/2)Ti(1/2)O3 및 LaMg(1/2)Ti(1/2)O3를 주성분으로 하며, 조성식이 일반식(I)과 같은 유전체 조성물. 식 중, x, y, z는 0<=x<=0.1, 0.01<=y<=0.99, 0.4<=z<=0.7의 범위이다.하기 조성식으로 나타내어지는 고주파용 유전체 조성물
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높은 품질 계수와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수를 조절할 수 있는 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다. <구성>SrTiO3와 LaZn(1/2)Ti(1/2)O3 및 LaMg(1/2)Ti(1/2)O3를 주성분으로 하며, 조성식이 일반식(I)과 같은 유전체 조성물. 식 중, x, y, z는 0<=x<=0.99, 0.4<=y<=0.9의 범위이다.하기 조성식으로 나타내어지는 고주파용 유전체 조성물
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유전율이 40 이상으로 크면서도 유전 손실이 적은 마이크로파용 유전체 조성물을 제공하고 ,공진 주파수의 온도계수를 0ppm/C를 중심으로 +와 -쪽으로 필요에 따라 용이하게 조정할 수 있도록 한다. <구성>순도 99.9%의 SrCO3, CaCO3, Nd2O3, TiO2 및 MgO를 일정한 조성이 되도록 혼합하고 혼합 분말을 대기중에서 섭씨 1050도의 온도에서 10시간 정도 하소 및 분쇄한 후, 다시 섭씨 1200-1300도에서 6기간 동안 재하소하여 페로브스카이트 구조를 갖는 고용체를 합성한다. 합성 분말을 잘 분쇄한 후 원판형 시편으로 가압 성형하여 대기중에서 섭씨 1500-1650도의 온도에서 2-6시간 동안 소결시킨다. <효과>유전율이 약 30-60이고 Qxfo가 약 9,500-50,000기가 헤르쯔이며, 공진 주파수의 온도 계수가 약 -60에서 +60ppm/도이므로 마이크로파용 유전체 세라믹스가 요구되는 통신 시스템에 적합하게 이용할 수 있다.. 하기 조성식으로 나타내어지는 마이크로파용 유전체 조성물.(1－y)(Sr1－xCax)TiO3－yNd(Mg1/2Ti1/2)O3식 중, 0.01≤x≤1.0, 0.3≤x≤0.6이다
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본 발명은 마이크로파 대역에서 높은 품질 계수와 유전율을 가지며 공진 주파수의 온도 계수가 안정한 고주파용 유전체 자기 조성물로서, (1-x)(La1/2Na1/2)TiO3-xCa(Fe1/2Nb1/2)O3(식중, 0.4 ≤ x ≤ 0.7)로 나타내지는 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 이 조성물은 Ca(Fe1/2Nb1/2)O3의 함량을 조절함으로써 공진 주파수의 온도 계수의 조정이 용이해서, 유전체 공진기 소재로서의 응용이 적합하다.. 다음의 화학식,(1-x)(La1/2Na1/2)TiO3 - xCa(Fe1/2Nb1/2)O3 (단, 0.4 ≤ x ≤ 0.7)으로 나타내어지는 고주파용 유전체 조성물.2. 제 1 항에 있어서, 상기 x의 범위가 0.55 ≤ x ≤ 0.60인 고주파용 유전체 조성물
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본 발명은 x(Ba0.85Ca(1-W)Mgw)O-yNd2O3-zTiO2+vBi2O3를 기본 조성으로 하는 x의 범위는 0.13 내지 0.16몰, y는 0.25몰, z의 범위는 0.59 내지 0.62몰, w의 범위는 0.01 내지 0.1몰, 첨가물 Bi2O3인 v의 함량은 10 내지 11중량 %인 고주파용 유전체 조성물에 관한 것이다. 이 조성물은 Ba, Ti와 Ca, Mg의 함량과 첨가몰 Bi2O3의 함량을 조절함으로써 유전율이 78 내지 92이고, Q·f0 (GHz)가 2730 내지 5780이며 공진 주파수의 온도계수는 0 내지 +33ppm/℃로서, 공진 주파수의 온도계수 조정이 용이하여 유전체 공진기 소재로 응용이 적합하다.1. 이동 통신용 대역통과 필터용 유전체 시편의 특성을 테스트하는 테스트 지그에 있어서,상기 유전체 시편을 그 위에 배치하도록 되어 있고 원형 구멍이 뚫려 있는 금속 바디 위에 고정되어 상기 원형 구멍과 일치되는 위치에 다수의 구멍이 뚫려 있는 제1 원형 도체판;상기 금속 바디와 상기 제1 원형 도체판에 뚫려 있는 상기 다수의 구멍을 관통하도록 되어 있는 다수의 금속 원기둥;상기 금속 바디와 결합형으로 제작되고, 계측기와 신호를 주고 받는 안테나, 및상기 금속 원기둥이 관통하도록 되어 있는 상기 원형 구멍과 일치되는 위치에 구멍이 뚫려 있고 상기 제1 원형 도체판위에 간격을 두고 배치되어 그 사이에 상기 유전체 시편을 배치하도록 되어 있는 제2 원형 도체판을 구비하여,상기 원형 구멍과 상기 원기둥들간에 슬라이드 공차를 주어 상기 유전체 시편 두께에 따른 자유로운 측정이 가능한 것을특징으로 하는 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그.2. 제1항에 있어서, 상기 안테나는 나사에 의한 높이 제어가 가능하고 오른 나사와 왼 나사가 동시에 작동하여 한쪽 방향의 회전으로 안테나의 좌우 운동이 동시에 이루어지는 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 원형 도체판에 상기 원기둥이 관통하여 슬라이드 공차에 의해서 상기 제2 원형 도체판의 상하 이동이 가능하고 상기 금속 바디에 연결된 지지대에 설치된 나사에 의한 안테나의 높이 제어와 오른 나사 및 왼 나사가 가공되어있는 봉에 의해 좌우 동시운동이 가능하도록 한 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그
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세라믹스 분말, 폴리 비닐부티랄, 폴리 에틸렌글리콜, 디부틸프탈레이트 및 용매를 분쇄하며 혼합한 후 성형, 건조시켜 밀도가 향상되고, 균열이나 휨의 발생이 없어 연료 전지, 고체 전해질형 산소 센서 분야 등에 유용한 지르코니아 쉬트를 제공한다. [구성]세라믹스 분말 72.5-60.0중량%, 폴리 비닐부티랄 3.0-9.0중량%, 폴리 에틸렌글리콜 2.0-5.0중량%, 디부틸프탈레이트 1.0-4.0중량% 및 용매인 메틸에틸케톤이 용매 총중량에 대해 40중량%와 에탄올 60중량%의 혼합 용매 10-22중량%를 분쇄하며 혼합한 후 슬러리 점도를 21,000cps로 조절하고, 성형하고 섭씨 600도에서 탈지시키고 섭씨 1,500도에서 소결시켜시켜 지르코니아 쉬트를 제조한다.1. 세라믹스 분말 72.5-60.0wt%, 폴리비닐부티랄 3.0-9.0wt%, 폴리에틸렌글리콜 2.0-5.0wt%, 디부틸프탈레이트 1.0-4.0wt% 및 용매 10-22wt%를 동시에 분쇄하며 혼합한 후 성형하고 건조하는 것으로 이루어지는 지르코니아 쉬트 제조방법.2. 제2항에 있어서, 상기 세라믹스 분말이 8Y-ZrO2 분말 또는 (8Y-ZrO2)1-x(CeO2)x 분말(0.1X0.6)인 제조방법.3. 제2항에 있어서, 상기 용매가 메틸에틸케톤(40wt%)과 에탄올(60wt%)의 혼합용매인 제조방법
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단의 토출관의 밸브를 개방하여 봉입가스의 팽창에 의해 발생하는 내압에 의해서 토출관으로부터 내부의 모발염료를 토출하도록되어 있는 용기의 상단에 장착되고, 이러한 장착에 의해서 중공형의 브러시헤드(brushhead)의 내부공간이 상기 토출관과 연통될 수 있는 형태의 브러시를 갖는 모발염료 도포기구에 있어서, 상기 브러시에서, 실질적으로 브러시털을 형성하는 핀(pin)이 브러시헤드의 좌우측단부에서 브러시의 길이방향으로 정렬되는 동시에, 핀의 선단이 브러시헤드의 내부로 삽입된 형태를 갖고, 상기 핀의 좌우렬로 둘러싸인 영역내에서 브러시헤드의 전면 벽판에서 브러시헤드 내부공간으로 연통되는 개구가 친공됨을 특징으로 하는 모발염료 도포기구.1.에탄올과 톨루엔의 공비 혼합용매내에서 감마-리튬알루미네이트 세라믹스 분말을 기재로 하고, 이세라믹스 분말에 대해, 분산제로서 KD1 0.01-2.25 중량%, 결합제로서 폴리비닐부티랄(PVB) 76,79 7.0-20.0 중량% 및 기소제로서 폴리에틸렌글리콜 5.0중량% 이하와 디부틸 프탈레이트 4.0-18.0중량 %로 이루어진 감마-리튬알루미네이트 그린쉬트 성형용 세라믹스 조성물.2.닥터 블레이드 캐스팅 방법에 의해 제1항의 조성물을 성형시킨 균일한 기공특성과 67%이상의 기공율을 가진 연료전지 전해질 매트릭스용 세라믹스 그린쉬트.
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코디어라이트 분말을 함유하는 안정화 또는 부분 안정화 지르코니아로 이루어지는 확산 장벽 조성물 및 이를 사용한 히터 일체형 산소 센서 및 이의 제조방법을 제공한다. [구성] 닥터 블레이드 방법을 응용하여 코디어라이트 분말을 9 중량% 이하로 함유하는확산장벽층용 지르코니아-코디어라이트 혼합분말과 고체 전해질층용 안정화 지르코니아 분말에 각각 유기물 첨가제 조성물과 용매를 한꺼번에 혼합, 분쇄하여 슬러리를 만든 후 그린쉬트를 제조하고, 그린쉬트의 한면에는 양극, 다른 한면에는 음극의 다공성 전극을 형성시키고 확산장벽층에는 섭씨 500-700도용 히터용 후막을 형성시킨 다음 후막이 형성된 지르코니아-코디어라이트 확산장벽층을 음극 윗면에 적층하고 음극이 형성된 고체 전해질 그린쉬트 중 지르코니아-코디어라이트 확산장벽층이 적층되지 않은 부분은 전체 전해질 그린쉬트로 적층하고 프레스한 뒤 소성함으로써 히터 일체형 산소센서를 제조한다.1. 세라믹스 분말 72.5-60.0wt%, 폴리비닐부티랄 3.0-9.0wt%, 폴리에틸렌글리콜 2.0-5.0wt%, 디부틸프탈레이트 1.0-4.0wt% 및 용매 10-22wt%를 동시에 분쇄하며 혼합한 후 성형하고 건조하는 것으로 이루어지는 지르코니아 쉬트 제조방법.2. 제2항에 있어서, 상기 세라믹스 분말이 8Y-ZrO2 분말 또는 (8Y-ZrO2)1-x(CeO2)x 분말(0.1X0.6)인 제조방법.3. 제2항에 있어서, 상기 용매가 메틸에틸케톤(40wt%)과 에탄올(60wt%)의 혼합용매인 제조방법
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<목적>저항체로 질화티탄을 사용하고 질화규소 기판의 열 팽창 계수를 다양하게 변화시켜 저항체 주위의 기판과 저항체간의 열 팽창 계수는 서로 근접된 값을 나타내도록 하는 한편 기판의 외부 표면으로 갈수록 기판의 열 팽창 계수가 점진적으로 변화하도록 하여 저항체와 기판간의 열 팽창 계수 차이로 인한 피로 현상과 이에 따른 균열 발생 현상을 제거하여 고온 강도와 열 충격 저항성을 향상시킨 판상 세라믹 발열체를 제공한다. <구성>질화규소 1-30 wt%, 산화어비움 또는 산화이터비움 1-5wt%, 산화규소1-10wt%, 그리고 잔부가 질화티탄으로 이루어지는 질화티탄계 저항체와 소결조제 1-18wt%, 열 팽창 계수 조질제로서 규화몰리브데늄 또는 탄화텅스텐 1-20wt% 및 잔부가 질화규소로 구성되어 상기 저항체의 주위로부터 표면까지 열 팽창 계수가 점진적으로 변화되는 질화규소계 절연성 기판으로 이루진다. <효과>질화티탄 저항체에 질화규소와 산화이트륨 및 산화알루미늄을 5-20wt%첨가한 시편이 첨가하지 않은 시편보다 저항 변화가 적고 우수한 발열체가 되며, 본 발명에 의해 제조된 시편은 균열이 발생하지 않고, 평균 저항변화도 매우 적다.1. 질화규소 1~30중량, 산화어비움(Er2O3) 또는 산화이터비움(Yb2O3) 1~15중량%, 산화규소(SiO2) 1~10중량%, 그리고 잔부가 질화티탄으로 이루어지는 질화티탄계 저항체와, 소결조제 1~18중량%, 열팽창계수 조절제로서 규화몰리브데늄또는 탄화텅스텐 1~20중량% 및 잔부가 질화규소로 구성되어 상기 저항체의 주위로부터 표면까지 열팽창계수가 점진적으로변화되는 질화규소계 절연성 기판으로 이루어짐을 특징으로 하는 판상세라믹 발열체.2. 제1항에 있어서, 상기 소결조제는 산화이트륨(Y2O3) 1~15중량%와 산화알루미늄(Al2O3) 1~10중량%, 산화어비움 1~15중량%와 산화규소 1~10중량%, 또는 산화이터비움 1~15중량%와 산화규소 1~10중량% 중에서 선택되는 하나의 군인것을 특징으로 하는 판상세라믹 발열체.C
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질화규소 및 질화알루미늄의 테이프성형에 적합한 슬러리 조성으로서 건조시 균열이 발생 하지 않는 우수한 분산특성의 세라믹스 슬러리 조성물을 제조한다. <구성>0.2-0.3 macro meter 범위의 입도분포를 갖는 질화 규소 분말에 소결조제로서 산화이르비움 및 산화규소, 분산제로서 폴리옥시카보닐펜타메틸렌을 첨가하고 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 이소프로필알콜을 용매로하고 폴리프로필렌 볼밀과 질화규소볼을 사용하여 8시간 동안 볼밀링하여 1차 슬러리를 제조한다. 이 슬러리에 폴리비닐부틸알과 가소제로서 폴리에틸렌글리콜 및 벤질부틸프탈레이트를 넣고 24시간 동안 밀링한후 진공탈포기를 사용하여 200rpm의 속도 및 1torr의 진공으로 1시간 탈포후 섭씨 22도전후의 온도와 70% 전후의 습도에서 0.3m/min 의 속도로 테이프 성형공정을 거처 실온에서 7일간 건조하여 질화규소 페이프를 제조하였다. <효과>분산특성이 우수하여 슬러리 제조후 48시간 경과 후에도 세라믹 분말이 침강되지 않으며, 테이프성형 후의 건조단계에서 균열이 발생하지 않는다.1. 세라믹 분말에 소결조제와 분산제를 첨가하고 용매를 가하여 볼밀링하여 얻어진 1차슬러리에 바인더와 가소제를 첨가하여 다시 볼밀링하여 제조되는 테이프성형용 세라믹스 슬러리 조성물.2. 제1항에 있어서, 세라믹 분말은 0.2~3.0㎛의 입도분포를 갖는 질화규소 분말 또는 질화알루미늄 분말인 테이프성형용 세라믹스 슬러리 조성물.3. 제1항에 있어서, 소결조제로 Ca, Al, Si, Y, Mg, Sc, Nb, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm,Yb, Hf, Ta 등의 산화물 중 선택되는 1가지 이상의 산화물이 1~18% 첨가된 테이프성형용 세라믹 슬러리 조성물.4. 제1항에 있어서, 분산제로 폴리옥시카보닐펜타메틸렌이 0.1~6중량% 첨가된 테이프성형용 세라믹 슬러리 조성물. 5. 제1항에 있어서, 용매로 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 톨루엔, 아세톤, 이소프로필알콜, 씨클로헥사논중의 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 건조고체량에 대하여 20~90% 첨가된 테이프성형용 세라믹 슬러리 조성물.6. 제1항에 있어서, 바인더로 폴리비닐부틸알이 건조고체량에 대하여 1~20%중량% 첨가된 테이프성형용 세라믹슬러리 조성물.7. 제1항에 있어서, 가소제로 폴리에틸렌글리콜, 벤질부틸프탈레이트 디옥틸프탈레이트 디부틸프탈레이트 중1가지 또는 2가지 이상이 건조고체량에 대하여 1~20중량% 첨가된 테이프성형용 세라믹 슬러리 조성물.
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흑연 기재, 흑연-탄화규소 복합 재료층 및 탄화규소 피복층으로이루어지고, 상기 흑연 기재와 탄화규소 피복층 사이에 있는 흑연-탄화규소 복합재료층 중의 탄화규소의 함량이 흑연 기재로부터 표면의 탄화규소 피복층에 이르기까지 점진적으로 증가하는구배를 갖는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복흑연 치구.1. 흑연 기재, 흑연-탄화규소 복합 재료층 및 탄화규소 피복층으로 이루어지고, 상기 흑연 기재와 탄화규소피복층 사이에 있는 흑연-탄화규소 복합 재료층 중의 탄화규소의 함량이 흑연 기재로부터 표면의 탄화규소 피복층에 이르기까지 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구.2. 제1항에 있어서, 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층의 두께가 전체 피복층 두께의 25 내지 75%인 흑연 치구.3. 제2항에 있어서, 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층의 두께가 약 17 내지 900㎛이고, 탄화규소 피복층의 두께가 50 내지 300㎛인 흑연 치구.4. 제1 내지 3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층이 복합 재료 중의 탄화규소함량이 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 20% 이하로부터 80% 이상으로까지 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 것인 흑연 치구.5. a) 적절한 형상으로 가공된 흑연 기재를 고온에서 할로겐화 기체를 사용하여 고순도화시키는 단계, b) 흑연 전구체로서 메탄(CH4)을, 그리고 탄화규소의 전구체로서 메틸트리클로로실렌(CH3SiCl3)을 사용하는 화학 증착법으로 흑연-탄화규소 복합 재료를 탄화규소의 함량이 흑연 기재로부터 표면의 탄화규소층에 이르기까지 점진적으로 증가하도록 증착시키는 단계, c) 그 위에 탄화규소층을 다시 화학 증착법으로 증착시키는 단계로 이루어진 것이 특징인 반도체 웨이퍼처리용 탄화규소 피복 흑연 치구의 제조 방법.6. 제5항에 있어서, 상기 단계 a)를 1250℃ 이상의 온도에서 HCl 기체를 사용하여 열처리함으로써 행하는 것이 특징인 방법.7. 제5항에 있어서, 상기 단계 b)를 1050 내지 1500℃의 온도 및 10 내지 360 Torr의 압력에서, 공급 기체의조성을 CH4 2 내지 24%, CH3SiCl3 2 내지 13% 및 H2 45 내지 90%로 하되, 증착이 진행됨에 따라 점차적으로 CH4의 농도는낮추고 CH3SiCl3의 농도는 증가시켜 복합 재료 중의 탄화규소 함량이 점차적으로 증가하도록 증착시킴으로써 행하는 것이특징인 방법.8. 제5항에 있어서, 상기 단계 c)를 1050 내지 1500℃의 온도 및 10 내지 360 Torr의 압력에서, 공급 기체의조성을 CH3SiCl3 5 내지 15% 및 H2 85 내지 95%로 하여 탄화규소층을 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층 상에 증착시킴으로써 행하는 것이 특징인 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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Bsno2슬러리에 zr4-ti4의 수용액을,nh4oh를 사용하여 침전시키는 부분공침법으로 제조하는 공정과; 상기 제조된 분말을 700-1200 도에서 하소하는 공정과;하소하여 얻어진(zr1-x snx)tio4 분말에 소결조제로 zn(no3)을 2-4mole%첨가하는 공정고;제조된 분말을 성형한 후, 1100-1400도에서 소결하는 공정의 순서로 수행함을 특징으로 하는 고주파 유전체 제조 방법.SnO2슬러리에 Zr4-Ti4-의 수용액을,NH4OH를 사용하여 침전시키는 부분공침법으로 제조하는 공정과;상기 제조된 분말을 700~1200˚c에서 하는 공정과; 하소하여 얻어진(Zr1-x Snx)TiO4 분말에 소결조제로 Zn(N03)을 2~4mole% 첨가하는 공정과; 제조된 분말을 성형한후, 1100~1400 ˚c에서 소결하는 공정의 순서로 수행함을 특징으로 하는 고주파유전체 제조방법2.제1항에있어서, 상기 소결조제는 적어도 4%이하,특히 2~4 몰%의 Zn(NO3)을 포함한 무기염이 용액으로 사용됨을 특징으로 하는 고주파 유전체 제조방법3.제1항에있어서, 상기 소결시간은 4시간 이내인 것을 특징으로 하는 고주파 유전체 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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필터(2)가 내장된 정수조(3)과 필터(2)에 의해 정수된 물을 저장하기 위한 저수조(4)를 포함하는 정수 장치에 있어서, 상기 정수장치는필터(2)의 내부와 연통 가능하게 설치되고 필터(2)를 역세척하기 위해 정수된 물의 일부를 저장하기 위한 역세척 수조(5)를 포함하고, 상기 정수조(3)은 수도원에 직접 연결되고 역세척시 역세척 수조(5)로부터 필터(2)를 역류한 역세척수를 배출하기위한 역세척수 배출구(12)를 구비한 것을 특징으로 하는 역세척 가능한 정수 장치.1. 필터(2)가 내장된 정수조(3)과 필터(2)에 위해 정수된 물을 저장하기 위한 저수조(4)를 포함하는 정수장치에 있어서, 상기 정수 장치는 필터(2)의 내부와 연통 가능하게 설치되고 필터(2)를 역세척하기 위해 정수된 물의 일부를저장하기 위한 역세척 수조(5)를 포함하고, 상기 정수조(3)은 수도원에 직접 연결되고 역세척시 역세척 수조(5)로부터 필터(2)를 역류한 역세척수를 배출하기 위한 역세척수 배출구(12)를 구비한 것을 특징으로 하는 역세척 가능한 정수 장치.2. 제1항에 있어서, 상기 역세척 수조(5)는 수도원에 직접 연결된 외부 하우징(18)과, 이 하우징(18) 내부에설치되고 필터(2)의 내부와 연통되는 고무 주머니(19)를 포함하는 것인 역세척 가능한 정수 장치.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필터(2)는 도관(15) 및 바이패스 도관(16)을 경유하여 역세척 수조(5)와연결되는 것인 역세척 가능한 정수 장치.4. 제3항에 있어서, 상기도관(15)는 필터(2)의 배출구(2a)와 저수조(4)의 유입구(4a) 사이에 설치되고, 상기바이패스 도관(16)은 상기 도관(15)로부터 바이패스되어 역세척 수조(5)의 고무 주머니(19)와 연결되며, 상기 도관(15)와바이패스 도관(16)은 절환 밸브(17)에 의하여 연결되는 것인 역세척 가능한 정수 장치
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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VTR 자기헤드용 접합유리에서 요구되는 제반특성을 동시에 모두 만족시킬 수 있는 새로운 접합유리 조성을 제공하는데 목적이 있다. <구성>무게 %로 47<=PbO<=57, 24<=SiO2<=32 5<=B2O3<=9, 4<=ZnO<=8, 0열팽창 계수 차이에 따른 유리균열이나 출력저하 화학적 반응에 의한 유효 트랙폭 감소로 생기는 출력저하, 기포생성으로 인한 제반 문제, 내화학성, 내마모성 저하에 따른 제반문제등이 제거된 신뢰성이 높은 고품위 자기헤드의 제작이 가능하다.청구항 1. 무게 %로 47≤PbO≤57, 24≤SiO2≤32, 5≤B2O3≤9, 4≤ZnO≤8, O＜Na2O+K2O≤9 및 O≤Al2O3≤4의 조성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기헤드용 접합유리 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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조성식(1-x)[Ba(Mg1/3Ta2/3)+xBaWO4으로 표시되고, x의 범위가 0.01 x 0.09임을 특징으로 하는 고주파용 유전체 세라믹스 조성물참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.1. 조성식은 (1-x)[Ba(Mg1/3Ta2/3)O3]+xBaWO4로 표시되고, x의 범위가 0.01≤x≤0.09임을 특징으로 하는 고주파용유전체 세라믹스 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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도가니내에서 성장중에 있는 단결정의 액상 원료측으로 도가니의 상부로터 균일한 크기 및 균일한 무게의 원료 정제를 일정한 속도로 공급하여 단결정 성장의 전과정중에 액상의 조성과 깊이가 항시 일정하게 유지되도록 한 Mn-Zn 페라이트 단결정 제조 방법을 제공다. <구성>도가니(1)중의 용융 1차 원료(2)를 종자 결정(3)측으로부터 냉각시켜 단결정의 성장이 이루어지도록 함에 있어 일정량의 2차 원료 정제(4)를 고-액 계면상의 액상에 계속적으로 공급하여 단결정의 길이 방향을 따라 조성 변동이 없는 Mn-Zn페라이트 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 1차 원료(2)의 조성은 2차 원료 정제(4) 조성에 비해 Fe2O3가 0.5-1.0mol% 적게, MnO는 0.5-2.0mol% 많게, ZnO는 0.0-1.0mol% 적게 선정하고, 용융 1차 원료(2)가 도가니 하부의 원추형 경사상 단부위에 까지 단결정 성장이 진행되었을 때 2차 원료 정제(4)를 투입하되 이때 고-액 계면위의 액상의 깊이가 15-35mm가 되도록 1차 원료의 양을 조절하는 한편 2차 원료 정제의 용융이 일어나는 백금 미소 도가니(6)와 액상(7)간의 거리가 30-80mm가 되도록 하여 Mn-Zn페라이트 단결정(8)을 성장시켜 Mn-Zn페라이트 단결정을 제조한다.1. 도가니중의 용융 1차원료를 종자결정측으로부터 냉각시켜 단결정의 성장이 이루어지도록 함에 있어 일정량의 2차원료 정제를 고-액계면상의 액상에 계속적으로 공급하여 단결정의 길이방향을 따라 조성변동이 없는 Mn-Zn페라이트단결정을 제조하는 방법에 있어서, 1차원료의 조성은 2차원료 정제조성에 비해 Fe2O3가 0.5-1.0mol% 적게, MnO는 0.5-2.0mol% 많게, ZnO는 0.0-1.0mol% 적게 선정하고, 용융 1차원료가 도가니 하부의 원추형 경사상단부위에까지 단결정 성장이 진행되었을 때 2차원료 정제를 투입하되 이때 고-액계면위의 액상의 깊이가 15-35mm가 되도록 1차원료의 양을 조절하는 한편 2차원료 정제의 용융이 일어나는 백금 미소 도가니와 액상간의 거리가 30-80mm가 되도록 하여 Mn-Zn페라이트 단결정을 성장시킴을 특징으로 하는 Mn-Zn페라이트 단결정 제조방법
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VTR 자기 헤드의 핵심 소재인 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장법에 관한 것으로, 성장로 중에서 성장이 완료된 고온 상태의 Mn-Zn 페라이트 단결정의 냉각시 소정 온도 이하의 냉각을 성장로 외부에서 수행하여 단결정 성장 주기를 단축시키기 위함이다. <구성>조성 조절이 가능한 수정된 브리지만 단결정 성장법을 이용하여, 성장이 완료된 단결정(2)의 냉각 단계에서 성장로(1)의 온도가 400도C로 되었을 때 온도를 고정시킨 후, 400도C의 단결정을 성장로 외부로 꺼내 온도 보호용 내화물(4) 속에 넣고, 이를 온도 조절이 가능한 오븐 중에서 소정의 냉각 속도로 냉각함과 동시에 400도C의 성장로에서 그 다음번의 단결정 성장 작업을 연속적으로 수행함으로써 매번 성장로를 상온에서 400도C까지 승온시키는데 소요되는 시간과 에너지 비용을 절감할 수 있으며, 단결정 성장 주기를 단축시키면서 Mn-Zn 페라이트 단결정을 성장 시킬 수 있다.1. 조성조절이 가능한 수정된 브리지만 단결정 성장방법을 이용하여 Mn-Zn 페라이트 단결정을 성장시키는 방법에 있어서, 성장이 완료된 단결정의 냉각단계에서 성장로의 온도가 400℃로 되었을때 온도를 고정시킨 후, 400℃의 단결정을 성장로 외부로 꺼내 온도보호용 내화물 속에 넣고 이를 온도조절이 가능한 오븐중에서 소정의 냉각속도로 냉각을행함과 동시에 400℃의 성장로에서 그 다음번의 단결정 성장작업을 연속적으로 수행하여 단결정 성장주기를 단축시킴을특징으로 하는 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장주기 단축방법.2. 제1항에 있어서, 단결정이 삽입되는 온도보호용 내화물의 온도를 단결정의 온도와 동일하게 400℃로 가열하여 열충격을 방지토록 함을 특징으로 하는 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장주기 단축방법
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
ZnO의 휘발을 억제하고 균일한 특성을 나타내도록 이중 백금관을 통한 용융물 표면으로의 산소 공급이 이루어지도록 하여, 성장로 내부의 산소 분압이 높게 유지되도록 단결정 성장 분위기를 개선하여 고품위의 Mn-Zn 단결정을 고수율로 제조하기 위함이다. <구성>연속 원료 투입 방식의 수정된 브리지만 단결정 성장법을 이용하여, 도가니(3) 주위의 알루미나관(1)의 하부로부터 산소 가스를 유입시킴과 동시에 이중 백금관(8)을 형성하는 원료 정제 투입용 백금관과 그 주위의 가스 공급관(7)사이에 형성된 가스 통로를 통하여 산소 가스를 300-800CC/분으로 유입시켜 가스통로의 하단부에 천공된 다수개(12개 이상)의 가스 분출공(7c)을 통해 도가니중의 용융물(9) 표면측으로 산소 가스를 유입시켜, 용융물 표면 주위의 산소 분압을 높게 유지시킨 상태에서 단결정의 성장이 이루어지도록 한다. 이때 가스 분출공(7c)과 용융물(9) 표면까지의 거리가 너무 가까울 경우에는 백금 미소 도가니(4)가 용융물에 닿게 되고, 너무 멀면 분위기 개선 효과가 떨어지므로, 가스 분출공과 용융물 표면까지의 거리는 40-70MM가 적절하다.1. 연속 원료 투입방식의 수정된 브리지만 단결정 성장방법으로 Mn-Zn 페라이트 단결정을 성장시키는 방법에있어서, 도가니 주위에 알루미나관의 하부로부터 산소가스를 유입시킴과 동시에 이중백금관을 형성하는 원료정제 투입용백금관과 그 주위를 감싸는 가스공급관사이에 형성된 가스통로를 통하여 산소가스를 유입시켜 가스통로의 하단부에 천공된 다수개의 가스분출공을 통하여 도가니중의 용융물 표면측으로 산소가스를 유입시켜 용융물 표면 주위의 산소분압을 높게 유지시킨 상태에서 단결정의 성장이 이루어지도록 함을 특징을 하는 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장방법.2. 제1항에 있어서, 이중백금관의 가스공급관으로부터 유입되는 가스유입량이 300∼800㏄/min인 것을 특징으로 하는 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장방법.3. 제1항에 있어서, 이중백금관의 가스공급관 하단부에 형성된 가스분출공이 12개 이상이며 가스분출공과 용융물 사이의 거리가 40∼70㎜인 것을 특징으로 하는 Mn-Zn 페라이트 단결정 성장방법
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