기체 유량측정 시스템 설계 기술
- 각종 가스 유량계의 교정 및 시험- 가스 유량계의 개발에 사용- 가스 유량계 특성 시험Blow-down 형식의 기체 유량측정 시스템이며 기준 유량계로는 소닉노즐을 사용하여 기준 터빈 유량계를 개발. 기준 터빈 유량계로 개발, 시험용 유량계를 교정- 기체 유량측정 교정기관 지정을 받앗음- 가스 유량계의 측정 정확도 향상- 가스 유량계 개발에 활용- 유량측정 기반기술 향상
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- 2004-02-16
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1 / 3 페이지초경 마이크로 핀 제조방법
본 기술은 기계가공에만 의존하여 각변의 길이가 미세한 사각 단면의 초경소재 핀을 일정한 평탄도가 유지되는 상태로 형성하기 위한 초경 마이크로 핀 제조방법에 관한 것이다. 본 기술은 초경 금속의 초경부재를 이용하여 미세한 크기의 사각 단면을 지니는 핀을 제조하는 방법에 있어서 다이싱 쏘우를 이용하여 초경부재의 일면에 복수의 홈을 평행하게 형성하는 제 1 단계, 홈이 하부를 향하도록 왁스를 이용하여 초경부재를 다이에 부착하는 제 2 단계 및 초경부재의 상면을 그라인딩 휘일로 연삭하여 홈이 소멸된 복수의 핀부재를 생성하는 제 3 단계로 구성된다.- 다이싱 쏘우에 의한 X축 및 Y축 정밀도와, 그라인딩 휘일에 의한 Z축 정밀도가 충족되고 미세하면서도 비틀림 등에 의한 가공불량이 없는 마이크로핀임- 통상적으로 초경소재를 이용하여 각변의 치수가 수∼수십 ㎛이고 길이가 긴 형상의 마이크로 단위의 핀을 제조하는 것은 취구의 난이성과 취성으로 인해 현장 작업자의 고도한 숙련도를 요구하며, 미세 마이크로 핀을 제조하기 위해서는 미세 금형을 제작한 다음 초경소재를 소결하는 방식을 택하였으나 금형 제작의 곤란성에 기인하여 비경제성 문제가 있었으나, 기계가공에만 의존하여 각변의 길이가 미세한 사각 단면의 초경소재 핀을 일정한 평탄도가 유지되는 상태로 형성하는 효과가 있음
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- 한국기술거래사회
- 등록일
- 2004-04-26
공기-유전체 샌드위치 구조 및 이를 이용한 유전체 공진기, 대역통과 및 소거필터, 동조변위기 그리고 위상배열안테나
본 기술은 전기적으로 동조가 가능한 마이크로파 소자에 관한 것으로 공진 주파수 및 대역조절이 용이한 공기-유전체 샌드위치 구조에 관한 것이다. 본 발명의 공기-유전체 샌드위치 구조는 유전체, 공기층, 금속벽면 및 액츄에이터로 구성된다. 즉, 마이크로파 및 밀리미터파 대역에서 통신 및 감지시스템에 응용될 수 있는 새로는 소자 개념과 개발에 관한 기술이다. 유전체와 공기층의 층상구조는 액츄에이터와 결합되어 샌드위치 구조를 형성하며, 여기서 액츄에이터는 유전체나 금속 벽면을 움직여 공기층의 두께를 조정하는 역할을 한다본 발명에 의한 공기-유전체 샌드위치 구조의 경우 공기층의 두께를 변화시킴에 따라 유효 유전상수값이 변하게 된다. 상용 전기기계 액츄에이터는 100V 이하의 구동전압에서 매우 빠른 응답속도와 마이크론 이하의 변위를 정확하게 조절할 수 있으므로 구조체의 유효유전상수값은 매우 빠르고 정밀하게 조정될 수 있다. 즉 공기중에 제시되는 공기-유전체 샌드위치 구조를 통해 전기적으로 특성변환이 용이하고 신호손실이 적은 공진기, 필터, 변위기, 안테나 등의 개발을 이룰수 있는 기술이다.
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- (재)포항산업과학연구원
- 등록일
- 2004-05-18
고투자율 연자성재료용 철계합금의 제조방법
<목적>본 발명은 각종 고기능성 연자성 부품인 자심 재료, 자기 헤드, 자기 증폭기 등에 사용될 수 있는 고투자율 연자성 재료용 철계 합금의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 용해후 급속 냉각한 후, 이를 결정화 열처리하여 결정 조직을 초미세화 시킨다. <구성>연자성 페라이트는 연자기 특성이 크게 향상되어 사용 범위가 매우 넓게 형성되어 있으나, 고주파 용도에 사용할 때에는 노이즈가 매우 심하며, 포화 자속 밀도가 낮아서 기록 재료의 고기능화 측면에서 성능의 한계가 있다. <효과>본 발명은 적절한 조성의 Fe-Si-B-Ti(Nb,V)합금을 적절히 열처리하여 최종 상태의 조직이 비정질 상태가 아닌 결정화된 상태로 철계 연자성 재료를 제조함으로서, 고투자율, 저자왜 및 열적 안정성이 높은 연자성 재료용 철계 합금을 제조하는 것이 목적이다. 즉 Fea Bb Sic Tid Xe(여기서 Fe는 철,B는 붕소,Si는 규소,Ti는 티타늄,X는 Nb,V,Mo,W 및 Zr로 이루어진 그룹중에서 선택된 1종이며, a=70-80ATM%, b=6-12ATM%,C=8-16ATM%, d=0.2-2.0ATM%, e=2-6ATM% 이고, a+b+c+d+e=100)의 합금을 진공중에서 용해한 후, 급속 냉각하여 비정질 조직의 합금을 제조하고, 이를 500-700℃ 온도에서 0.5-2시간 진공 열처리하는 것이 특징인 고투자율 연자성 재료용 철계 합금의 제조 방법이다.FeaBbSicTidXe(여기서, Fe는 철, B는 붕소, Si는 규소, Ti는 티타늄, X는 Nb, V, Mo, W 및 Zr으로 이루어진 그룹중에서 선택된 1종을 나타내고, a=70-80atm%, b=6-12atm%, c=8-16atm%, d=0.2-2.0atm%, e=2-6atm%이고, a+b+c+ d + e=100)의 합금을 진공중에서 용해한 후 급속냉각하여 비정질 조직의 합금을 제조하고, 이를 500-700˚C의 온도에서 0.5-2시간 진공 열처리 하는 것을 특징으로 하는 고투자율 연자성재료용 철(Fe)계 합금의 제조방법.
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- 포항기술이전센터
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- 2005-01-27
Pr-La-MnGe계자기상전이의정적현상연구
여러 가지 자기 특성이 나타나는 Pr-La-MnGe 계를 넓은 온도 영역에서 중성자 산란 실험을 수행함으로써 온도에 의존하는 자기 구조 상전이를 측정할 수 있었다. 자기 구조 상전이가 나타나는 임계 온도 근처에서 온도 분해능을 높이고 측정 시간을 되도록 길게함으로써 산란되는 중성자의 수를 충분히 확보하여 자기 구조 변화를 찾을 수 있었다. 이러한 여러 온도 영역에서 나타나는 자기 구조의 결정은 앞으로 수행할 비탄성 중성자 산란 실험 및 준탄성 중성자 산란 실험에 직접적인 정보를 제공한다. 하나로 원자로 열중성자 빔을 이용한 실험 수행에는 여러 명의 대학원생들이 참여하였다. 중성자 산란에 대한 저변 확대 및 인력 양성이 계속 요구되는 상황에서 본 과제의 수행은 이러한 면에 대한 효과도 클 것으로 기대한다.(1) 임계 온도의 결정 및 여러 온도 영역에서 나타나는 자기 구조의 결정은 앞으로 수행할 비탄성 중성자 산란 실험 및 준탄성 중성자 산란 실험에 직접적인 정보를 제공 (2) 중성자 산란에 대한 저변 확대 및 인력 양성 (3) 시료 제조, 실험 방법, 해석 방법 등은 다른 자기 계로의 확장이 가능
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- 한국과학기술기획평가원
- 등록일
- 2004-11-24
바이오 웨이브강판
전자파는 인체에 유해한 것만 아니라 유익한 전자파도 있는데 이것이 원적외선이다. 적외선이란 가시광선보다는 다소 파장이 길지만 주파수가 매우 높은 일종의 전자파라 할 수 있다. 원적외선이란 적외선 중 파장이 다소 긴 2.5 ~ 20 마이크로미터 범위의 광 에너지로서 이 역시 전장과 자장 성분을 가지는 웨이브(wave) 즉 전자파라 할 수 있다. 이와 같은 원적외선은 모든 재료에서 절대온도 0 K 이상에서는 방사되지만 특정세라믹의 경우 방사량이 매우 높아지는데 이를 원적외선 방사체라 불리 운다. 원적외선은 방사에 의해 에너지가 전달되므로 에너지 효율이 높아 이를 이용한 많은 응용이 되고 있다. 또한 최근 들어 인체 대한 효능이 알려지면서 원적외선 사우나로부터 가전제품 ,건자재, 일반생활 용품에 이르기까지 다양한 용도로 활용되고 있다. 본 발명자들은 인체에 유해한 저주파 자기장은 차폐하고 인체에 유익한 전자파(원적외선)는 방사 시키는 인간 친화적인 전자파를 제어할 수 있는 강판의 개발하고자 하였다.차폐능은 자속의경로(이하 자로라 칭함) 변경과 , 와전류 손실(eddy current loss)에 의하여 차폐가 된다. 자로 변경이란 어떤 유해 자기장이 차폐재에 입사될 때 차폐재가 자기장의 흐르는 길을 만들어 주어 자기장이 특정 구역안으로 들어오지 못하고 차폐재 표면을 통해 다른 쪽으로 흐르도록 만드는 것을 말한다. 여기서 특정구역이란 우리가 차폐재로 보호하기 위한 공간을 말한다. 이와 같은 자로 변경에는 높은 투자율 일수록 유리하다. 또한 와전류 손실이란 자기장이 파동 형태로 들어오면 이 자기장을 없애려는 방향으로 와전류(맴돌이전류,eddy current)가 생성된다. 이와 같은 와전류는 강판 표면에서 열에너지로서 소실된다. 이를 와전류 손실이라 한다. 이와 같은 와전류 손실은 재료의 전기전도도와 투자율이 클수록 높아짐을 알게 되었다. 강판은 금속이므로 기본적으로 매우 높은 전기전도를 가지고 있다. 강판의 전기전도도는 실제 가공상태에 따라 약간 달라지기는 하지만 차폐능을 좌우할 만큼 크지 못하다는 사실을 본 연구자들은 자기장 차폐능 측정 장치와 전도도 측정 장치로 확인하였다. 또한 강판의 어떤 주파수(예를 들면 60Hz)에서의 자기장 차폐 능력은 정자계 상태에서 측정한 투자율 값 보다는 60Hz 상태의 그 주파수에서의 최대 투자율(max permeability)와 매우 밀접한 관계를 가짐을 확인 할 수 있었다. 따라서 시변자계 자기장에 대한 차폐능은 시변자계하의 투자율(주파수를 가진 자기장을 걸어 측정하는 투자율) 과 매우 높은 상관관계를 가진다.
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- (재)포항산업과학연구원
- 등록일
- 2005-07-12
전기영동법과 사진식각을 이용한 평판 디스플레이의형광체 코팅방법
본 발명은 전기영동법(EPD)과 사진식각을 이용한 평판 디스플레이의 형광체 코팅방법에 관한 것이다.\n본 발명에서는 후공정으로 고온의 열처리를 거치지 않고도 접착력을 향상시킬 수 있는 새로운 방법을 개발하였다. \n전기영동법으로 형광체 분말을 기판위에 코팅한 후 UV 경화층을 코팅한 후 UV 조사를 통해 형광체의 접착력을 후열처리의 경우보다 크게 증가시킬 수 있다. \n또한 이 층은 UV에 의해 사진식각이 가능하여 RGB 패턴으로 형광체를 코팅시킬 수 있어 FED나 PDP와 같은 차세대 디스플레이에서 풀 칼라 구현을 위한 최적의 방법으로 응용될 수 있다.본 발명의 다른 특징에 따르면, 본 발명은 유리기판 위에 전도층을 형성하는 제1단계와, 상기 전도층 위에 제1포토레지스트층을 형성하고 원하는 제1패턴으로 패턴닝하여 상기 전도층에 대한 다수의 제1윈도우를 형성하는 제2단계와, 코팅을 원하는 제1형광체가 분산된 제1형광체 분산용액을 이용하여 전기영동법에 의해 상기 다수의 제1윈도우를 통하여 전도층 위에 선택적으로 제1형광체를 코팅하여 다수의 제1형광체 패턴셀을 형성하는 제3단계와, 상기 코팅되어 노출된 제1형광체 패턴셀을 포함한 기판의 상부면에 1-2중량%의 폴리비닐알콜(PVA)과 0.01-0.02중량%의 암모니늄디크로메이트(ADC), 그리고 잔부가 H2O로 구성되는 수용액을 도포하여 제1UV 경화층을 형성하고 제1형광체 패턴셀 상부를 선택적으로 UV 조사함에 의해 제1UV 경화층을 선택적으로 경화시켜 상기 노출된 제1형광체 패턴셀 부분에 선택적으로 다수의 제1접착층을 형성하는 제4단계와, 상기 제4단계에 이어서 제1형광체 패턴셀과 인접한 위치에 상기 제1형광체의 코팅방법과 동일한 방법으로 제2형광체로 코팅된 다수의 제2형광체 패턴셀을 형성하고, 상기 다수의 제2형광체 패턴셀 상부에 선택적으로 다수의 제2접착층을 형성하는 제5단계와, 상기 제1 및 제2 형광체 패턴셀과 인접한 위치에 상기 제1형광체의 코팅방법과 동일한 방법으로 제3형광체로 코팅된 다수의 제3 형광체 패턴셀을 형성하고, 상기 다수의 제3 형광체 패턴셀 상부에 선택적으로 다수의 제3 접착층을 형성하는 제6단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이용 형광체의 코팅방법을 제공한다.
- 등록일
- 2006-03-17
시멘테이션반응을 이용한 납축전지용 연분의 제조방법
본 기술은 염소 이온이 포함된 산성 용액에 생성물로 석출되는 납은 이온 상태로 첨가하고, 반응 시 이온으로 용해되는 알루미늄이나 마그네슘은 고체 상태로 용액에 침지하고 용액을 적정 온도로 가열 유지함으로써 시멘테이션 반응에 의해 활성 금속(active metal) 상에 수지상 또는 분말상으로 이루어진 스폰지상의 납이 석출되는데, 이때 석출된 납을 수세하여 고온의 오븐에서 가열 및 산화시킨 후 분쇄함으로써 비표면적과 산흡수도 등의 물리적 특성이 우수한 납축 전지용 연분의 새로운 제조방법을 제공하기 위한 것이다. 본 기술은 현재 널리 사용되고 있는 기계적인 연분 제조방법과는 달리 순수하게 화학적인 시멘테이션 반응에 의한 습식법을 이용하는 것을 특징으로 한다.1 ~ 4M 염화나트륨 또는 0.5 ~ 1％ 염산 용액으로 제조된 염소 이온을 함유하는 pH 1 ~ 2의 산성 용액에다 납 이온을 함유시켜 반응 용액을 제조하고, 80 내지 90℃의 고온에서 가열한 후 활성 금속인 알루미늄 또는 마그네슘 금속을 침지시켜 시멘테이션 반응에 의해 해당 활성 금속 상에 수지상 또는 분말상으로 이루어진 스폰지 납을 석출하는 단계; 상기 석출된 납을 증류수에 침지시켜 스폰지납의 내부와 표면에 흡착된 염소 이온을 제거 및 수세하는 단계; 상기 수세된 스폰지납을 고온의 오븐에서 건조 및 산화시키는 단계; 및 상기 건조 및 산화처리된 스폰지납으로 부터 최종적으로 미세한 입도의 연분을 제조하기 위해 볼밀링으로 분쇄하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 시멘테이션 반응을 이용한 납축 전지용 연분의 제조 방법.
- 보유기관
- 창원상공회의소
- 등록일
- 2006-05-11
이방성 다공질 금속간 화합물 및 그 제조방법
*배경Bloch이나 Neel 자벽보다 더 좁은 자벽의 두께를 가지는 견고한 자벽의 생성은 기초 학문적으로뿐만 아니라 고밀도 하드 디스크의 헤드 등에서 사용되는 자기저항 소자로서의 응용 가능성 때문에 매우 중요하다. 최근까지 자벽에서 생성되는 누설 자기장의 효과는 무시되었었다. 그러나 최근 자기저항메모리와 관련된 연구에서 누설 자기장의 중요성에 대한 연구에 의하면 누설 자기장의 크기가 결코 무시할 크기가 아니란 사실이 강조 되었고, 나노 스케일의 소자에 있어서 자벽에서 발생하는 누설 자기장의 역할에 대한 고려가 필요함을 알 수 있다.*중요성 및 독창성본 기술은 국소적 교환 상호작용 구조를 이용하여 자벽의 위치와 두께를 인위적으로 제어함으로써 좁은 자벽을 형성할 수 있는 좁은 자벽 생성 방법 및 이를 이용한 자기저항소자 및 자기장 발생장치에 대한 것이다.* 특징 및 장점1) 두께가 서로 상이한 제1, 제2 강자성층이 부분적 교환 상호 작용에 의해 결합되는 부분을 갖도록 배치하되,2) 제1, 제2 강자성층의 두께와 층간 결합 에너지의 조절에 의해, 제1 강자성층과 교환 상호 작용에 의해 결합된 제2 강자성층의 부분인 영역1과 3) 제1 강자성층이 존재하지 않는 영역인 영역2가 서로 반대 방향의 자화 방향을 가지는 경계면에서 형성되는 자벽의 두께를 보통의 경우 보다 좁게 형성가능토록 하고, 4) 이에 의해 생성되는 좁은 자벽을 자기 저항으로 이용하며, 좁은 자벽에서 발생하는 누설 자기장을 나노 스케일에 국한된 자기장 발생수단으로 이용한다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-18
좁은 자벽 생성 방법 및 이를 이용한 자기저항소자와 자기장 발생장치
*배경일반적으로 자벽의 에너지와 두께는 주어진 물질의 특성에 의해서 결정되는 물리량으로 생각되어 왔다. 그러나 최근, Bruno는 인위적으로 제작한 나노 크기의 좁은 구조에 속박된 자벽의 경우, 기존의 자벽과는 다른 매우 급격한 자벽이 생성될 수 있음을 이론적으로 보였다. 급격한 자벽이 나노 접촉점에서 형성되는 것은 이미 실험적으로 보고 되었는데, 이 경우 매우 큰 탄성적 자기 저항 효과가 관측 되는 것으로 알려져 있다. 이때 매우 큰 탄성적 자기 저항 효과는 급격한 자벽 내부에서 회전 방향의 변화에 의한 탄성적 충돌이 그 주된 원인으로 알려져 있다. 비록 나노 접촉점의 형성과 관측된 매우 큰 자기 저항 효과에 대한 참과 거짓에 대해서 많은 논란이 있지만, 탄성 자기 저항이 급격한 자벽과 같이 자성을 띠는 방향이 급격히 바뀌는 경우에 관측되리라는 것은 여러 가지 이론에 의해서 믿어지고 있다. 이런 급격한 자벽을 형성하기 위한 나노 접촉점은 제작이 불가능한 것은 아니지만, 나노 구조의 조절과 재현성에 매우 큰 문제점을 가지고 있다. 또한, 생성된 나노 접촉점의 견고성과 과연 자벽이 형성되었는가 하는 점도 항상 확인이 필요한 부분이다. 최근까지는 자벽에서 생성되는 누설 자기장의 효과는 무시되었다. 그러나 최근 연구 결과에 의하면 누설 자기장의 크기가 결코 무시할 크기가 아니란 사실이 강조 되었고, 특히 나노 규모의 소자에 있어서 자벽에서 발생하는 누설 자기장의 역할에 대한 고려가 필요함을 알 수 있다*원리 및 개요본 기술은 작은 부분적 교환 상호작용 구조를 이용하여 자벽의 위치와 두께를 인위적으로 제어함으로써 좁은 자벽을 형성할 수 있는 좁은 자벽 생성 방법 및 이를 이용한 자기저항소자 및 자기장 발생장치를 제공한다.*특징 및 장점1) 이 기술은 두께가 서로 상이한 제1, 제2 강자성층이 부분적 교환 상호 작용에 의해 결합되는 부분을 갖도록 배치한다. 2) 제1, 제2 강자성층의 두께와 층간 결합 에너지의 조절에 의해, 제1 강자성층과 교환 상호 작용에 의해 결합된 제2 강자성층의 부분인 영역1과 제1 강자성층이 존재하지 않는 영역인 영역2가 서로 반대 방향의 자성을 띠는 방향을 가지는 경계면에서 형성되는 자벽의 두께를 보통의 경우 보다 좁게 형성 가능하도록 한다.3) 이에 의해 생성되는 좁은 자벽을 자기 저항으로 이용하며, 좁은 자벽에서 발생하는 누설 자기장을 나노 스케일에 국한된 자기장 발생수단으로 이용함을 특징으로 한다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2006-04-13
전이금속 산화물류의 전도성 투명 박막
본 발명은 전이금속산화물에서 나타나는 전도성을 지니는 투명 박막에 대한 것으로서, 물리학적으로 Mott-Hubbard 계의 페로브스카이트 구조의 전이금속산화물로 전자 사이의 상호 작용이 매우 큰 물질에 첨가된 전자나 정공에 의한 도체 형성을 기반으로 하여, Mott-Hubbard 계의 페로브스카이트 구조의 전이금속산화물이 지니는 특이한 반사 특성 에 의한 가시광선 영역에서 투명도가 좋은 도체에 관한 것이다. 이 도체는 La 1-x Sr x TiO 3+δ 로 표현된다. 여기 서 x는 0과 1 사이의 값이며 δ는 Ti의 원자가가 +3과 +4의 값 사이에서 변화되는 값을 지닐 수 있다. 이 때, La은 3 가의 Y 및 희토류 금속인 Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu으로 치환 가능하며 Sr은 Ca, Ba, Pb 등 2가의 금속으로 치환 가능하고 Ti은 V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu로 치환 가능하다.본 발명은 가시광선의 투과율이 80% 이상이고, 수백 Ω정도의 면저항을 가지는 박막에 관한 것이다. 본 발명은 물질마다 지니는 일함수의 차이 등 전자 소자에서 필요한 ohmic 접합이나 Schottky 접합에 필요한 물질의 변화를 이를 수 있으며 이에 따른 특성 향상을 이룰 수 있을 것이다.본 발명에 따르면 페로브스카이트 구조를 가지는 전이금속산화물류를 이용하여 광투과율과 전도성이 우수한 투명 박 막을 형성할 수 있다. 이를 통하여 종래의 ITO나 IZO를 기반으로 하는 물질과 그 변형류를 이용하여 형성하는 투명 전극을 대치할 수 있다.
- 보유기관
- 부산대학교
- 등록일
- 2006-05-10
망간이 도핑된 산화아연계 강자성 물질 및 그 제조 방법
본 기술은 망간이 도핑된 강자성 산화아연 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산화아연 박막의 성장시 망간을 첨가함으로써 강자성을 갖게 되는 산화아연과 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술의 산화아연계 강자성 물질은 액체 상태인 유기아연과 유기망간을 수소 또는 아르곤을 이용하여 기상의 상태로 반응기까지 운반하고 300∼1000 ℃의 기판에서 이를 산소와 화학 반응을 일으키게 하여 박막으로 성장시킬 수 있다.상기 방법에 따라 제조된 망간이 고용화된 산화아연은 망간이 산화아연으로부터 상분리를 일으키지 않고 단일상을 이루며, 그 결정구조도 산화아연의 결정구조를 그대로 유지한다. 본 기술에 의해 형성된 산화아연은 망간 (Mn)이 첨가됨에 따라 강자성이 나타나 다양한 전자소자 및 광소자에 효율적으로 사용될 수 있다.본 기술에 따른, 망간(Mn)이 도핑된 산화아연은 성장시 적정량의, 즉 산화망간 상이 분리되지 않을 정도의 망간(Mn)을 첨가함으로써, 강자성을 띄는 강자성 반도체 물질을 합성하여 다양한 광소자 및 전자 소자에 효율적으로 사용될 수 있다. 망간이 첨가된 산화아연에서는 강자성 현상이 보고된 바 없었으나 본 연구에서 신규하게 망간(Mn)을 산화아연에 첨가함으로써 강자성 현상을 보이는 산화아연을 발명하였으며 이러한 기술을 토대로 반도체의 강자성을 이용하는 모든 소자에 응용이 가능하다. 스핀트로닉스(spintronics)라 불리는 이 연구 분야는 크게 강자성 금속을 이용하는 분야와 강자성 반도체를 이용하는 분야로 나뉘는데 강자성 반도체를 이용할 경우 기존의 반도체 산업에서 전자의 전하뿐만 아니라 스핀을 이용할 수 있게 된다. 강자성 반도체 제작은 고밀도 정보 저장뿐만 아니라 양자 연산(quantum computing) 및 송수신이 가능하게 되어 양자컴퓨터 제작에 토대가 되리라 기대된다. 이렇게 강자성 반도체를 이용하는 소자로는 전자의 스핀과 전하를 동시에, 또는 전자의 스핀을 이용하는 전자 소자, 자기 소자 및 광소자와 스핀 소자 등이 있을 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-10
강유전체막을 구비한 반도체장치
강유전체는 기존의 산화막, 실리콘 나이트라이드막이나 탄탈륨 팬트옥사이드(Ta2O5)막과는 달리 자발분극(spontaneous ploarization)현상을 갖고, 유전상수가 보통 수백에서 1000정도인 물질을 만한다. 이러한 강유전체를 유전체막으로 사용하는 경우는, 상기 강유전체를 수백Å의 후막으로 형성하여도 등가-산화막 두께(equivalent oxide thickness)를 10Å이하로 박막화 할 수 있다. 강유전체인 PZT를 게이트절연막으로 사용하기 위해서는, PZT가 실리콘기판과 반응하지 않아야 하며 고온에서 Pb의 휘발이 없어야 하는 문제점이 있다. 구체적으로 상기 PZT가 페로브스카이트 구조를 형성하는데 있어서는 고온열처리가 필요한데 이때 Pb의 휘발이 발생하는 것이다. Pb의 휘발을 방지하기 위해서 본 기술에서는 실리콘 기판의 상부에 형성되어지되 ZT층이 PZT층의 상부 및/또는 하부에 형성되어진 절연막 및 이 절연막의 상부에 형성된 전극을 포함하여 구성되어진 것을 특징으로 하는 강유전체막을 구비한 반도체장치를 제공한다. 상기 ZT막은 PZT막에서 전기적 성질을 저하시키는 Pb원소를 제거한 것으로서, PZT막과 Si기판 사이에서 완층막으로 형성되거나 PZT위에 덮개막으로 형성되어진다.PZT가 실리콘과 반응하지 않고 PZT층과 ZT층의 복합층을 제작하여 PZT의 잔류 분극 특성열화를 일으키는 고온에서의 Pb의 휘발을 방지 하도록한 기술이여서 매우 독창적이라 할 수 있다.비휘발성 메모리 소자에 활용 가능할 뿐만 아니라 PZT를 이용한 압전소자 제작에도 활용이 가능하다.BST등과 같은 강유전체 또한 활발히 연구되고 있으며, 비메모리소자 제작에 적용된다면 기술적 발전뿐만 아니라 메모리 시장에 지대한 영향을 미칠 것으로 예상된다.
- 보유기관
- 서울대학교
- 등록일
- 2006-05-10
자기장의 분포를 균일하도록 만드는 프레스넬 판의 구조 및 이를 이용하여 자기장의 교란을 제거하는 프레스넬판의 설치 방법
본 발명은 국소 자기 교란 (localized magnetic disturbance)을 제거하여 자기장의 분포가 균일하게 형성되도록 소정의 형상을 갖는 자기장 집속부재를 1-100mm이내의 간격으로 적어도 2개이상 평행하게 배열하여 형성된 판재(이하 프레스넬 판이라 칭함) 및 이용하여 자기장의 교란을 제거하는 프레스넬 판의 설치방법에 관한 것인바, 본 발명은 -269℃∼+200℃의 온도범위 내에서 투자율 2.0이상, 항자계 1.0 에르스테드[Oe] 이하, 포화자화 10 가우스[gauss] 이상, 큐리 온도 -269℃(액체헬륨 온도 4.2°K) 이상인 특성을 만족하는 자성물질이 판재(plate, sheet)형, 박막(thin film)형, 그물(net)형, 봉(bar)형, 관(pipe)형, 분말형 중 선텍된 어느 하나의 형상을 갖도록 가공된 자기장 집속부재를 적어도 2개 이상을 1-100mm의 간격으로 평행하게 배치시켜 형성하도록 한 것을 특징으로 하는 자기장의 분포를 균일하도록 만드는 프레스넬 판의를 제공하며, 이 제공된 프레스넬 판을 이용하여 자기장의 교란을 제거하는 방법으로는 자기장 집속부재를 적어도 2개 이상을 1-100mm의 간격으로 평행하게 배치시켜 형성시킨 프레스넬 판을 서로 마주보는 3쌍의 면을 구비되며 내부 공간이 형성된 육면체 일 때 적어도 대응하는 3개면 이상에 프레스넬 판을 부착하는 것을 특징으로 하는 프레스넬판을 이용하여 자기장의 교란을 제거하는 프레스넬 판의 설치방법에 의해 달성된다.본 발명에서는 평면이나 표면, 공간에서 발생한 자기교란(자기이상)을 제거하기 위해서 연질자석(soft magnet), 경질자석(hard magnet), 초전도체(superconductor)를 교란의 상태와 정도에 따라, 일정한 폭과 길이를 가지는 판재(plate)나 시트(sheet), 막대기(bar) 또는 그물 망(net)을 일정한 간격과 방향으로 배열하므로서 국소 자기 교란 (localized magnetic disturbance)을 제거하여 자기장의 분포가 균일하게 되도록 만드는 프레스넬 판을 제공하며, 상기 자기장의 분포가 균일하게 되도록 만드는 프레스넬 판을 이용하여 3차원 이상의 공간을 갖는 다면체, 구 또는 원통형 내부 표면에 부착 설치하여 자기장의 교란을 제거하는 프레스넬 판의 설치방법에 의하여 달성된다본 발명에 의하면 기존의 차폐물질이나 차폐구조가 자기장의 교란을 억제하지 못하거나 역의 효과가 있는 것에 반해, 본 발명에서 제안한 자기장 균일화 구조물을 적용할 경우에는 최소 95% 이상의 높은 균일화 효과를 얻을 수 있고, 국소적인 또는 지엽적인 자기장 교란을 제거하기 위해서는 현재 아무런 방법이 제안되어 있지 않으나 본 발명에 따른 국소적인 자기장 균일화 방법을 채택할 경우, 95% 이상의 교란 억제효과를 얻을 수 있으며, 국소적인 공간으로부터 넓은 공간에 이르기까지 어떠한 형태의 공간에 대해서도 자기장의 교란을 정확하게 억제할 수 있고, 자기장이 교란된 바닥에 대해서도 프레스넬 판을 사용하여 간단하게 자기장 교란을 95% 이상 제거할 수 있다.
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- 영남대학교
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- 2006-05-10
금속 양자점 제조 방법과 이를 이용한 비 휘활성 메모리 소자 제작 방법
본 발명은, 금속 양자점 형성방법 및 비휘발성 메모리 소자 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 금속막을 형성하는 단계와, 고온분위기에서 상기 금속막에 레이저를 조사하여 상기 금속막으로부터 금속양자점을 형성하는 단계를 포함하는 금속양자점 형성방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 반도체 기판 상에 터널링 절연막을 형성하는 단계와, 상기 터널링 절연막 상에 금속막을 형성하는 단계와, 고온분위기에서 상기 금속막에 레이저를 조사하여 상기 금속막으로부터 금속양자점을 형성하는 단계와, 상기 금속양자점 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 콘트롤 게이트를 형성하는 단계와, 상기 콘트롤 게이트 양측에 위치한 상기 터널링 절연막, 상기 금속양자점 및 상기 게이트 절연막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 반도체 기판의 노출된 표면에 소스와 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리소자 제조방법을 제공한다.본 발명에 따르면, 기판 열처리 등에 의해 형성되는 고온분위기에서 레이저 조사를 실시함으로써 균일한 금속 양자점을 높은 재현성으로 형성할 수 있다. 또한, 이를 나노 플로팅 게이트 메모리와 같은 비휘발성 메모리 소자에 응용함으로써 종래의 실리콘 양자점보다 우수한 고효율의 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있을 것으로 기대할 수 있으며, 그 공정도 간소하고 재현성도 우수하여 실제 양산화공정에 효과적으로 적용될 수 있다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-18
화학양론적 조성의 상변화형 광 및 전자 메모리 재료의 합성방법
본 발명은 상변화형 광기록 및 차세대 메모리소자 재료의 합성법에 관한 것으로서 고온에서의 물질 휘발을 억제하고 급속 가열 및 냉각을 통해 화학양론 조성의 단일상을 제조하는 합성법을 제공한다. 화학양론적 물질의 합성을 위해 펄스 전류에 의한 저항가열을 이용함에 있어서 인가된 펄스 전류가 한 방향으로만 재료내부로 공급되며 냉각용 가스의 주입 및 배출구를 갖도록 고안된 흑연 주형안에 혼합된 원료를 가압한 성형체를 위치하고 이를 고순도 질소 또는 아르곤 가스 분위기하에서 수분 안에 가열함으로써 급속 반응 및 응고 처리한다. 이 반응을 통해 금속 용기 또는 석영에 의한 봉입 없이 빠른 시간안에 화학양론적 조성의 광기록용 상변화형 물질을 합성하는 방법을 특징으로 한다.본 발명의 특징은 상변화형 물질을 합성하기 위해 1. 펄스 전류를 인가하여 물질 자체의 저항가열을 유도하며 2.고안된 흑연주형을 이용하여 전체 합성공정이 수십분 안에 이뤄져 저융점 원소의 휘발을 억제하여 화학양론적 단일상을 급속 합성하는 공정을 제공하는 것을 특징으로 한다. 종래의 밀봉공정 또는 용융 및 급냉과정이 분리된 복잡한 합성공정과 비교하여 매우 간단하면서도 화학양론적 조성의 상변화형 합금체를 빠른 시간 안에 합성할 수 있으며, 높은 휘발성을 갖는 물질의 치환시에도 매우 효과적으로 화학양론적 조성을 유지할 수 있다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-18
아조계 화합물의 금속 착화합물의 제조 방법 및 이의 용도
본 발명은 아조계 색소와 이의 금속 착화합물을 광기록 물질로서 이용하는 광기록 매체에 관한 것이다. 이러한 광기록 매체는 기능에 따라 기록되어진 정보를 재생만 하는 재생전용형(Read Only Memory)과 1회에 한하여 기록이 가능한 추기형(Write Only Read Many: WORM) 및 기록 후 소거 및 재기록이 가능한 소거가능형(Erasable)으로 구분된다. 기록 가능한 광기록 매체는 기록 전후 기록 층의 물리적인 변형, 상 변화, 자기적 성질의 변화 등에 기인한 반사율 변화로 기록 재생하게 된다. 상기 추기형 광기록 매체로는 CD-R(Compact Disk Recordable)이 가장 널리 알려져 있다. 이러한 광기록 매체의 특성을 향상시키면서 제조를 용이하게 하기 위하여 여러 가지 광기록 물질들이 제안되어 일부 실용화되고 있다. 상기 CD-R용 광기록 물질로는 시아닌 염료(일본 특허 공개 소58-125246), 프탈로시아닌 염료(유럽 특허 제676751호), 아조 염료(미국 특허 제 5,441,844호), 이중염 염료(double salt)(미국 특허 제 4,626,490호) 등이 공지되어 있다.최근, 정보량이 점차 증가함에 따라, 저장 정보의 용량을 증가시킨 DVD-R(Digital Versatile Disk Recordable)이 제안되었다. 이 DVD-R은 광원으로서 630 내지 670nm 파장 영역의 적색 다이오드 레이저를 채용하고 비트 크기 및 트랙 간격을 감소시킴으로써 CD-R의 경우와 비교하여 기억 용량을 6 내지 8배로 증가시켜 기록 밀도를 향상시켰다. DVD-R용 광기록 물질로 사용되기 위해서는 기록 파장에서의 높은 굴절율과 적절한 흡수 특성, 유기용매에서의 뛰어난 용해도, 기록 부위의 균일성 및 안정성 뿐만 아니라, 합성이 용이하고 재료원가가 저렴해야 한다는 특성 등이 요구된다. DVD-R용 광기록 물질의 예로는 시아닌 염료, 등이 있다. 그러나, 기존 염료 물질들의 경우, 프탈로시아닌 염료는 합성하기가 어렵고 제조 단가가 높다는 단점이 있고 시아닌 염료는 광이나 열에 약하다. 이처럼 기존 염료는 상술한 특성 측면에서 아직도 개선의 여지가 많다.본 발명은 아조계 색소와 이의 금속 착화합물을 광기록 물질로서 이용하는 광기록 매체에 관한 것이다. 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 합성하기가 기존의 프탈로시아닌이나 시아닌에 비해 비교적 용이하며, 제조 수율이 높으며, 광적, 열적으로 우수한 특성을 보이는 새로운 아조계 착화합물 염료를 광기록 물질로 제공하는 것이다. 화학식 1로 표시되는 아조 색소는 합성하기가 용이할 뿐만 아니라 합성수율이 우수하다. 그리고 화학식 2로 표시되는 아조 금속 착화합물 또한 합성이 용이하다. 따라서 이 아조 금속 착화합물을 광기록물질로 이용하면 종래의 광기록물질을 이용한 경우와 비교하여 광기록 물질의 제조단가 등의 측면에서 유리하다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-22
확산방지막내에 동종금속의 중간 금속박막을 적용한 반도체소자의 제조방법
반도체 기판 상에 부도체막을 형성하고, 부도체막 위에 제1확산방지막을 형성하며, 제1확산방지막 위에 제1확산방지막과 동일한 종류의 금속으로 이루어진 중간 금속박막을 형성한 후, 다시 제1확산방지막과 동일한 재질의 제2확산방지막을 형성하고 그 위에 구리막을 형성한다. 이에 따라 확산방지막과 그 위에 형성되는 중간 금속박막에 대하여 이종금속을 사용하는 구조에 비해서 비저항이 증가하는 것을 방지할 수 있으며, 중간 금속박막이 제1확산방지막 및 제2확산방지막의 결정립계를 효과적으로 충진해줌으로서 구리 배선층으로부터 제1 확산방지막 및 제2확산방지막으로의 확산을 방지할 수 있다.본 발명에 의한 구리 배선 구조에 있어서는 제1확산방지막 에 중간 금속박막으로 동일한 물질의 금속을 증착하고, 다시 중간 금속박막 위에 제1확산방지막과 동일한 재질의 제2확산방지막을 형성한다.이에 따라 제1확산방지막과 그 위에 형성되는 중간 금속박막에 대하여 이종금속을 사용하는 구조에 비해서 비저항이 증가하는 것을 방지할 수 있으며 Al을 사용함으로서 생기는 계면 불균일을 억제할 수 있다. 또한, 이에 따라 서브미크론 이하의 소자에서 응답속도가 저하되지 않는다. 또한, 수직 프로파일 형성이 가능함으로서 미세패턴 가공을 용이하게 하며, 대량생산시 충분한 마진을 확보할 수 있는 이점이 있다. 또한, 공정이 간단해져서 재현성이 우수하다는 이점이 있다.더욱이, 제1확산방지막/중간 금속박막/제2확산방지막의 구조를 가짐으로서 중간 금속박막이 제1확산방지막 및 제2확산방지막의 결정립계를 효과적으로 충진해줌으로서 구리 배선층으로부터 제2확산방지막으로의 확산을 방지할 수 있다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-22
펄스 레이저 증착법을 이용한 상온에서의 금속 텅스테이트 결정 박막제조방법
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)/필드 에미션 디스플레이(FED) 소자 재료로 사용가능한 금속 텅스테이트 결정 박막의 상온 제조법에 관한 것으로서, 펄스 레이저 주사를 통한 금속 텅스테이트 타겟의 융발(ablation)을 통해 타겟물질과 동일한 화학양론 조성을 가진 단일상 금속 텅스테이트 금속 박막을 제조하는 합성법을 제공한다. 출발물질로서 금속 텅스테이트 분말을 성형하여 타겟으로 사용하며, 기판은 타겟의 방향과 수평방향(on-axis) 혹은 수직방향(off-axis)으로 배치하며, 공정과정 중 기판을 가열하지 않고 상온에서 증착함으로써 나노크기 수준의 크기의 결정질 금속 텅스테이트가 증착되도록 한다. 이러한 공정을 통해 빠른 시간 안에 박막의 제조가 이루어지며 상온에서 나노크기의 결정으로 이루어진 단일조성의 금속 텅스테이트의 박막을 제조하는 것을 특징으로 한다.본 발명의 특징은 나노미터 크기 수준의 결정으로 이루어진 금속 텅스테이트 박막을 제조하기 위해 1. 같은 조성의 금속텅스테이트 분말을 성형한 타겟을 출발물질로 사용하며 2. 펄스 레이저를 이용하여 상온에서 결정 박막을 증착하는, 전체 공정이 몇 시간 안에 균질하게 이루어지며 화학양론적 단일상과 나노크기 수준의 결정입자를 갖는 금속 텅스테이트 결정박막을 증착하는 공정을 제공하는 것을 특징으로 한다. 나노크기 수준의 결정입도를 갖는 금속 텅스테이트 결정 박막의 상온증착이 몇 시간 안에 가능하기 때문에플라즈마 디스플레이 패널(PDP)/필드 에미션 디스플레이(FED) 같은 소자에 다양하게 응용될 수 있다. 현재 이러한 디스플레이 소자에는 유기형광물질이 주로 사용되고 있으나 유기물은 고온 및 고전력에서 취약한 특성을 나타내므로 고온 및 고전력을 필요로 하는 소자의 대체 물질로 사용될 수 있다. 또한 최근 급속하게 발전하고 있는 나노소자기술에 적용되어 보다 다양한 소자 물성 제공에 응용할 수 있다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-22
구형 망간탄산화물의 제조방법 및 그 제조물
본 발명은 스피넬 LiMn2O4의 원료가 될 수 있는 망간탄산화물로서 구조가 구형인 망간탄산화물의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 (Mn1-xMx)CO3의 공침법에 서는 일반적으로 판상으로 성장하는 망간탄산화물을 환원제인 하이드라진을 사용함으로써 구형의 형상을 가진 망간탄산화물을 제조할 수 있다. 본 발명에 의해 망간산화물로서 갖는 장점을 살리면서도 충진 밀도를 높이며, 수명특성의 문제점들을 극복하여 구조변이가 없고 수명 특성이 우수한 스피넬 LiMn2O4의 원료가 될 수 있는 구형의 망간탄산화물을 제공할 수 있다.본 발명에 의하면, 종래의 탄산화공침법에 의해 제조된 종래의 망간탄산화물의 제반 문제점을 해결하여 충진밀도가 높고, 입도분포가 균일하여, 리튬이차전지용 스피넬 Li[Mn1-xMx]2O4의 양극활물질의 원료가 될 수 있는 구형의 망간탄산화물을 제공할 수 있다. 또한 본 발명은 리튬이차전지의 양극활물질의 원재료의 제조에 관한 기술로써, 리튬이차전지용 망간탄산화물을 구형의 분말로 제조하여 적용한 기술로써, 탭밀도가 높으며, 단분산 스피넬 복합 산화물의 제조가 용이하고, 이를 이용한 리튬이차전지의 제조가 가능하다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22