○ 적층형 내장소자의 제작에 응용 가능한 그린시트의 조성과 후막 미세회로의 제작을 위한 감광성 전도체 및 유전체 페이스트를 개발 및 개발된 재료를 활용하여 인덕터 및 캐패시터 등 초소형 고정밀급 내장형 수동소자를 제조하는 기술임- 아크릴바인더를 이용한 저온동시소성 세라믹 그린시트 제조 기술- 염기성 수용액에 현상이 가능한 -COOH 기를 가진 바인더 폴리머, 3개 이상의 작용기를 가진 모노머와 자외선 흡광특성이 우수한 광개시제를 이용하는 감광성 전도체 및 유전체 페이스트 제조 기술- 감광성 페이스트를 이용한 미세도선 및 미세비아 형성 공정 기술- 그린시트, 감광성 페이스트를 이용한 다층화 공정기술과 이를 활용한 내장형 인덕터 및 캐패시터의 제조 기술(443A2933)○ 후막 리소그라피를 이용한 미세라인 형성 기술- Photoimageable & photoetchable 공정 조건 set-up : 상용 페이스트별 노광, 현상 및 에칭조건 선정- Etched, printed 및 photoimaged 도선 형상, 해상도, 전송 특성 등 비교 평가 기술- 상용 photoimageable paste를 이용한 다층화 공정기술 개발 : Series & Parallel Process○ 내장형 수동 소자 라이브러리- LTCC 적층공정과의 융합을 이용한 내장형 L, C 라이브러리 구축- 캐패시터 : low C 0.67~22.7pF, high C 29.9~145.6pF library- 40~60㎛ 미세라인을 이용하여 초소형 planar 인덕터를 제작, 1.33~71.3nH의 inductance 확보○ 고주파 신호 전달 특성측정 기술- Microstrip, ring & series gap 공진기 등을 이용한 기판 및 전송선로 시스템의 신호전달 특성 측정 기술- 스크린 인쇄와 후막 리소그라피로 제작된 전송선로 시스템의 고주파 전송 특성 비교 평가 기술○ 마이크로파 대역 분포 소자- 후막 리소그라피의 패턴 정밀도를 활용, hair-pin 타입 BPF, LMDS 대역용 microstrip duplexer 설계, 제작 및 평가 기술- Photoetching을 이용, 28GHz 대역 BPF 제작 및 평가 기술○ 감광성 페이스트 제조 기술 구축- LTCC와 수축율이 매칭되고, 상용 페이스트 이상의 해상도를 보이는 동시소성용 photoimageable Ag 페이스트 개발: 소성 후 Line/Space=14/19㎛의 미세라인이 제작 가능한 조성 확보 기술- 유전율 7.8인 유전체 분말 적용, 전도체 페이스트용 고분자 조성을 보완 적용하여, 소성후 비아 사이즈 50㎛ 가능한 조성 확보 기술
본 발명은 미세 입자의 원료가 되는 고체 분말을 소정의 형틀 내에서 가압, 가열하여 고형화시킨 후에 고형화된 고체 시편을 펄스 레이저를 이용하여 미세 입자화함으로써 미세입자의 생성 효율을 향상시킨 미세입자의 제조 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명에 따른 방법은, 상기 미세 입자를 생성하기 위한 원료로서의 고체 분말을 가압, 가열하여 고형화된 고체 분말 덩어리 시편을 만드는 단계; 및 상기 고형화된 고체 분말 덩어리 시편에 레이저 펄스를 조사하여 어블레이션(ablation) 시켜 상기의 미세 입자를 생성하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 장치는, 상기 미세 입자를 생성하기 위한 원료로서의 고체 분말을 가압, 가열하여 고형화된 고체 분말 덩어리 시편을 만들기 위한 가압 가열수단; 및 상기 고형화된 고체 분말 덩어리 시편에 레이저 펄스를 조사하여 어블레이션시켜 상기의 미세 입자를 생성하기 위한 수단을 포함하여 된 것을 특징으로 한다.미세 입자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 미세 입자를 생성하기 위한 원료로서의 고체 분말을 가압, 가열하여 고형화된 고체 분말 덩어리 시편을 만드는 단계; 및 상기 고형화된 고체 분말 덩어리 시편에 레이저 펄스를 조사하여 어블레이션(ABLATION) 시켜 상기의 미세 입자를 생성하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 미세 입자 제조방법. 고체 분말을 가압,가열 처리하여 고체 덩어리로 고형화하여 고체 분말이 고르게 분포된 시편을 만든 이후 레이저 펄스를 조사하여 레이저의 모든 에너지가 고체 분말을 미세 입자로 만드는데 이용되게 함으로써 미세입자의 생성 효율을 향상시킬 수 있도록 한 미세 입자의 제조 방법 및 그 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 산화아연과 이와 유사한 물질의 이종접합구조(heterostructure)의 산화아연계 나노선, 그 제조방법 및 응용에 관한 것이다.본 발명의 이종접합 나노선은 매우 뚜렷한 접합계면을 갖으며, 결함이 적어 전기적 특성과 광학적 특성이 향상된다. 특히 산화아연 나노선에 다양한 물질을 접합하여 차세대 나노소자 제조가 용이하다. 예를 들어 이종 접합이 가능한 물질로 산화아연에 마그네슘(Mg), 카드늄(Cd) 및 망간(Mn) 등을 첨가하면, 밴드갭을 변화시킬 수 있을 뿐만 아니라 자성 특성을 띄기 때문에 이종접합 나노선을 이용하여 다양한 구조를 가지는 나노스케일의 전자소자 및 광소자를 제작하기가 용이하다.이종접합구조의 산화아연(ZNO) 구성부재를 포함하되,상기 산화아연(ZNO)은;금속 또는 반도체 또는 유전체가 입혀진 산화아연 구성부재를 포함하거나, 또는상기 산화아연(ZNO)에 망간(MN) 또는 코발트(CO)의 전이금속을 도핑하여 자성 특성을 띄게 한 산화아연망간(ZN1-XMNXO(0≤X≤1)) 또는 산화아연코발트(ZN1-XCOXO(0≤X≤1)) 또는 산화아연(ZNO)에 마그네슘(MG) 또는 카드늄(CD)이 첨가되어 밴드갭의 조절이 가능하도록 형성된 이종접합구조의 산화아연마그네슘(ZN1-XMGXO(0≤X≤1)) 또는 산화아연카드늄(ZN1-XCDXO(0≤X≤1)) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합구조의 산화아연계 나노선에 관한 발명
본 기술은 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에서 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다.즉, 본 기술은 산화아연 나노막대 및 기타 나노막대에 특정 파장을 가지는 레이저 빔을 조사시켜 나노막대와 기재의 선택흡수에 의해 발생하는 열팽창 차이로 인한 응력을 이용하여 기재와 나노막대를 분리시킴으로써 고밀도 고효율의 나노소자 개발에 적용할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다.한편, 본 발명은 반도체 나노막대를 기재로부터 분리시키는 방법으로서, 더 상세하게는 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재 위에 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재로부터 분리시킴으로서, 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 나노막대 분리방법에 관한 것이다.본 기술에 따른 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법은,1)레이저 빔을 크게 흡수하지 않고 투과시킬 수 있는 기재위에서 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있도록 하는 이점을 제공한다. 즉, 본 발명은 산화아연 나노막대 및 기타 나노막대에 특정 파장을 가지는 레이저 빔을 조사시켜 나노막대와 기재의 선택흡수에 의해 발생하는 열팽창 차이로 인한 응력을 이용하여 기재와 나노막대를 분리시킴으로써 고밀도 고효율의 나노소자 개발에 적용할 수 있도록 하는 이점을 제공한다. 2)기재위에 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 분리시킴으로써 나노막대의 손상없이 균일한 크기를 가지는 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 이점을 제공한다. 3)단일 나노소자 및 복합 나노소자의 집적화를 통해 고효율, 고집적, 복합기능의 나노소자의 개발을 가능하게 할 수 있는 이점을 제공한다.
본 발명은 CoFeZr 강자성층을 포함하는 거대 자기저항 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반강자성층, 고정층, 비자성층과 자유층을 포함하는 자기저항 구조체에 있어서, 상기 고정층 및/또는 자유층을 CoFeZr를 포함된 거대 자기저항 소자및 그 제조 방법을 제공하여 구조적 안정성 및 열적 안정성이 향상시킬 수 있다.본 발명은 CoFeZr 강자성층을 포함하는 거대 자기저항 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반강자성층, 고정층, 비자성층과 자유층을 포함하는 자기저항 구조체에 있어서, 상기 고정층 및/또는 자유층을 CoFeZr를 포함된 거대 자기저항 소자및 그 제조 방법을 제공하여 구조적 안정성 및 열적 안정성이 향상시킬 수 있다.본 발명에 의하면, 거대 자기 저항 소자의 고정층 또는 자유층을 선택적으로 CoFeZr로 형성시키거나, 고정층과 자유층 모두를 CoFeZr로 형성시킴으로써 구조적으로 안정된 표면 정밀도를 지니며, 열적으로 안정적이며 sensitive 한 스핀 배열 및 스위칭 거동을 지닌 거대 자기 저항 소자를 제공할 수 있다.본 발명에 의하면, 거대 자기 저항 소자의 고정층 또는 자유층을 선택적으로 CoFeZr로 형성시키거나, 고정층과 자유층 모두를 CoFeZr로 형성시킴으로써 구조적으로 안정된 표면 정밀도를 지니며, 열적으로 안정적이며 sensitive 한 스핀 배열 및 스위칭 거동을 지닌 거대 자기 저항 소자를 제공할 수 있다.