산업기술 통합검색
미리 제작된 세트를 이용하여 대상이나 배경을 인식과 분류하는 기술은 속도와 신뢰성 절차를 최적화하였다. 이러한 절차는 단계적 시스템 튜닝 과정에서 준비되었다. 각각의 절차는 물체의 특징을 모아서 대상에 근접하게 조합하여, 대상의 종류에 따라 달라지는 검출 및 인식 알고리즘을 포함하고 있다. 또한 이는 광섬유를 통해 흐르는 간섭광(coherent light)의 모드 구조의 변화를 검출하여 규제받지 않은 침해를 발견하기 위해, 보호해야 하는 부분의 시야계를 따라 배치되는 준설용 광섬유를 사용할 것을 제안한다.제3자가 나타나는 것을 바라지 않을 경우 그 지역에서 대상의 보호. 이러한 대상에는 핵시설, 연료-에너지 기지, 위험물 취급 시설, 독성 화학물질 창고와 발사 장소 등이다.
프로젝트 개념의 기초가 되는 실험 세팅을 형성하는 위상적 IC 이미지는 투사법에 바탕을 두고 있다. 투사(projection)란 10 에서 120nm의 파장 범위에서 선택한 협대역 진공 자외선(VUV)을 이용하여 독립된 IC 층이나 그 일부의 단계적 위상 이미지를 노출하는 광학 시스템을 반영하는 것이다. VUV원은 레이저 플라즈마로, 중금속(또는 기체)으로 만든 얇은 테이프(또는 작은 공)에 초점을 맞춘 강력한 주파수의 레이저에서 방출되는 펄스 복사파에 의해 생성된다. 광학 시스템과 형판(마스크)은 곡선에 가까운 모양의 원자적으로 부드러운 표면(대물렌즈나 집광렌즈)이나 평면(VUV 마스크)에 씌워진 다층 Bragg’s 코팅이 있는 X-ray광학의 반사원리에 따라 제작되었다. 그런 후에, 10배로 확대된 IC 이미지는 정밀하게 초점 잡힌 빔에 의해 기존 전자 리스그래피 방법으로 마스크 표면에 새겨진다.
이 작업의 목적은 아주 빠르게 스위칭하는 대형 집적회로(SBIC와 SFIC)를 포함한 마이크로 전자 상품의 위상(topology)이 형성되었을 때, 여러 박막 필름과 상호작용을 하고 효과 효율과 공간 분해능에 영향을 미치며 이를 결정하는, 근(近) (I= 250 에서 120nm), 중(中)(I= 10 에서 10nm), 원(遠)(20 에서 10 nm)의 진공 자외선 아(亞)파장범위 세기가 강한 레이저 광선으로 일어나는 물리적 현상을 탐구하는 것이다. IC마이크로 이미지 형성에서 광학적 투사 시스템의 낮은 수치적 어퍼쳐(짧은 파장에서)의 부정적 효과를 보상하기 위해서는 높은 이미지 이전 콘트래스트만을 사용한다. 주된 착상은 몇몇 무기질 필름과 상호작용하는 전자기파에 높은 에너지 양자로 PTI에서 발견한 이미지 이전 콘트래스트 양의 효과에 바탕을 두고 있다.아주 빠르게 스위칭하는 대형 집적회로(SBIC와 SFIC) 포함한 마이크로 전자제품 개발
RTHI를 이용하여 혈액 단백질의 전기이온도입 분석법에 대한 연구를 통해 무색의 생체조직을 분리하여 관찰할 수 있으며 구성된 부분의 농도 변화와 관련된 용액의 굴절률의 변화를 판단할 수 있다. 혈액의 흐름 및 reology 의 역학과 인공 혈액 순환 시스템과 시험하는 인공심장 밸브의 문제를 푸는 연구는 RTHI 방법을 이용하여 수행하였다.주요 전망은 실용(인공심장 밸브의 비파괴 검사, RTHI 방법을 이용한 eletrophresis 처리에 대한 연구, 혈액 구성물과 진단 응용에 의한 빛의 산란)으로 이용할 수 있는 특수한 방법 및 홀로그래피 의료장치의 개발이다.
기술적으로 이용되는 레이저에서 가장 바람직한 빔 파라미터 중 하나는 각 발산(angular divergence)으로, 처리 중인 주체의 작은 지점에 초점을 맞춘 복사파를 얻을 수 있다. 현대의 산업용 고체상태 레이저에서 레이저 출력 어퍼쳐에서 나타나는 빔 회절에 의해 결정되는 한계값을 넘는다. 좋지 않은 빔의 품질은 여러 가지 요인으로 나타나는데, 특히 활성 레이저 로드에서 나타나는 열적 뒤틀림(thermal distortion) 때문이다. 제안된 연구에서는 렌즈모양 뒤틀림(lense-wise distortion)이 불안정 공명기에 관련된 이미지 시스템의 광학적 구성성분으로 사용되었다. 이러한 접근방법을 통해 우리는 램프 펌핑을 이용하여 300W 산업용 레이저의 빔 밝기를 한 단위 이상 높일 수 있었다.제안된 공명기는 강한 열효과가 자주 나타나는 높은 파워(1kW 이상)의 다이오드 펌핑 레이저에서 매우 유용할 것이다.
이 연구는 이미징 망원경에서 대형 1차거울의 생산과 개발 비용을 낮추는 것을 목표로 한다. 이 연구의 주된 착상은 광학적 품질이 낮고, 이에 따라 비용이 적게 드는 망원경에서 1차거울의 뒤틀림을 비선형 광학적 역학 기술을 이용하여 보정하는 것이다. 이 연구에서 분할된 거울과 휘어지는 거울이 모두 1차거울로 사용된다. 지금까지 백색광에서 이 연구를 수행하면서 모델 시험을 해 왔다. 이 시험에서 대상 이미지의 광학적 품질은 회절 제한된 빛과 가깝게 되었으며, 타당성이 있는 것으로 밝혀졌다. 또한 탄성의 휘어지는 거울에 대한 고유한 설계가 고려 중인 망원경 시스템을 위해 개발되었다. 실험은 30cm의 직경을 가진 탁상용 거울로 수행하였다.뒤틀림 보정 비성형 광학적 기술의 응용과 함께 대형 망원기 시스템에서 탄성의 휘어지는 1차거울(직경 1m 이상)은 회절 한계에 가까운 분해능으로 먼 거리에 있는 대상에 대한 높은 품질의 이미지를 얻을 수 있을 것이다.
본 발명은 양방향 애드/드롭 다중화기를 구비한 양방향 파장분할다중방식 자기치유 광통신망에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 하나의 N×N 다중화기를 이용하여 간단한 구조의 양방향 애드/드롭 다중화기를 구현하고, 이를 이용하여 2가닥의 광섬유만을 사용하는 양방향 자기치유 광통신망을 제공하는데 있다. 이를 위한 본 발명의 제1 실시예는, 노드 간에 2가닥의 광섬유를 이용해 상호 연결한 광통신망에 있어서, 상기 각 노드는, 광신호의 수신 여부를 감지하는 적어도 2개의 광신호수신수단; 운용 광섬유의 절단시 예비 광섬유로 절체하기 위한 적어도 2개의 스위칭수단; 상기 스위칭수단을 제어하기 위한 적어도 2개의 스위칭 제어수단; 상기 스위칭수단 간에 연결되어 다중화 및 역다중화를 동시에 수행하는 다중화/역다중화 수단; 및 상기 운용 링과 예비 링에 연결된 다수개의 광증폭수단을 구비하되, 상기 다중화/역다중화 수단은, 폴드-백(fold-back) 형태로 연결되어 파장분할된 신호들의 다중화 및 역다중화를 동시에 수행하는 하나의 다중화기와, 적어도 2개의 서큘레이터, 및 상기 다중화기로부터 출력되는 다중화된 신호를 필터링하는 적어도 2개의 필터링수단을 포함한 것을 특징으로 한다. 하나의 N x N 다중화기만을 이용하는 양방향 애드/드롭 다중화기를 사용함으로써 2가닥의 광섬유로 구성되는 양방향 파장 분할 다중 방식 자기치유 광통신망을 경제적으로 구현하였다.
제품의 소형화와 더불어 보다 정밀하고 미소한 부품의 가공에 대한 요구가 증가하고 있다. 특히 현재의 미세가공에 많이 사용되는 반도체 제작공정을 응용한 리소그라픽 가공의 한계인 3차원 입체형상을 지닌 미소부품의 가공기술의 확보가 필요하다. 본 연구에서는 비접촉 방식인 방전가공의 극미세화, 초정밀화 기술을 이용하여 3차원 입체 형상을 지닌 미소구조를 가공하기 위한 미세 방전 가공 시스템을 개발함을 목적으로 한다. 가공물은 분해능 0.02㎛의 초정밀 스테이지위에서 위치제어 되며 전극과 가공물 간에는 RC회로로 이루어진 방전전원회로를 통하여 전원이 공급된다. 가공물의 표면거칠기를 최소화 하기 위하여 축전기의 용량은 50pF이하로 유지하였다. 또한 방전전원회로에서의 전류를 검출함으로써 방전가공 상태를 진단할 수 있으며 이를 토대로 전극의 위치를 제어하여 안정된 가공상태를 유지하도록 하였다. 직경 50㎛이내의 미소전극을 가공하기 위하여 와이어 방전연삭(WEDG)을 이용함으로써 방전에 의한 전극마모의 영향을 최소화 하였다. 현재까지는 직경 300㎛의 미세축 및 미세 구멍 등의 기초 가공을 수행하였으며 공구와 공작물 간의 간극, 절연액, 전원조건 등의 가공공정 파라메터와 가공성간의 관계를 규명하고 이를 토대로 하여 직경 50㎛, L/D Ratio 5 이상의 미세 장공을 지닌 광섬유 코넥터 금형가공에 응용하도록 한다.
LSI칩을 얻기 위해서는 1차원으로부터 3차원적으로 구조변화가 필요하다. 즉,① 소자선폭의 최소화(1G DRAM의경우 0.18μm) ② 칩 크기의 대면적화(수㎠) 및 웨이퍼의 대직경화(12인치) ③ 다층배선화(Multilevel Interconnect) 및 3차원 구조화(3D Structure)가 그 일례이다. 그러나, 이러한 ULSI의 요구에 따라 부상한 기술상의 문제점으로서, ① 로광시 엑시머 레이저의 적용에 의한 초점심도 (DOF:Depth of Focus) 여유의 감소 ② 칩 및 웨이퍼 크기의 증가에 따라, 상대적으로 형상 및 위치정밀도의 악화 ③ 다층배선 및 3차원 구조화에 따른 소자의 표면단차(凹凸)의 악화 등이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서는 실리콘 웨이퍼의 제조로부터 ULSI칩 제조에 이르기까지 웨이퍼 표면을 초정밀 경면가공하는 CMP기술이 필요 불가결하다. 본 연구에서 추구하고 있는 연구개발의 최종목표는 반도체의 평탄화를 위한 CMP장치 설계기술 및 관련 가공기술을 개발하여 반도체장비 생산설계기술 고도화를 확보함에 있다. 1단계 목표는 8인치 웨이퍼를 대상으로 대소소밀(大小疎密)한 요철(凹凸) 디바이스 패턴을 광역 평탄화할 수 있는 CMP장치를 개발한다. 그리고 CMP장치의 사양, 설계개념 및 기준, 데이터 베이스를 제공할 수 있는 프로세스도 동시에 개발함을 목표로 한다. CMP 프로세스의 개발은 크게, 층간 절연막과 금속배선의 평탄화로 나눌 수 있으며 각각의 경우에 적합한 프로세스 개발을 한다. 그 세부항목으로서는 CMP용 슬러리 개발, 화학적 및 기계적 제거가공의 메카니즘 해석, 요철패턴에 대한 폴리싱 패드변형의 유한요소해석 및 저 변형 패드 개발, 폴리싱 패드의 컨디셔닝기술 개발, 최적 CMP가공조건 및 균일성과 평탄도 향상에 관한 연구 등이 있다. 그리고 이를 구현하기 위해, 현재 Class 100의 클린룸에 시판중인 CMP 장비를 우선 도입하였고, Lapping m/c 및 Back Grinding m/c도 활용하여 활발한 실험 연구가 진행 중에 있다. 그리고 웨이퍼 클리닝 시스템 및 표면부착 입자의 검출장비를 이용하여 표면관리를 하고 있다.
압전 회전센서(Piezoelectric Gyroscope)는 물체의 회전속도를 감지하기 위한 센서로서 압전효과를 이용해 코리올리스 힘 (Coriolis Force) 을 측정하는 센서이다. 코리올리스 힘이란 선속도로 운동하는 물체에 외부 각속도가 작용하여 이 두 벡터가 이루는 평면에 수직한 방향으로 발생하는 힘을 말한다. 본 센서는 이 힘을 감지하기 위한 압전세라믹 박편 4개를 서로 직각으로 배치한 구조를 취하여, 수직한 두 개의 회전속도 성분을 동시에 측정할 수 있는 기능을 가진다. 기존에 사용되고 있는 압전 회전센서는 1축형이 주종을 이루고 있는데 본 센서는 한 차원 발전된 2축형 회전센서이다. 본 2축형 센서는 뛰어난 S/N 비를 갖고 있어서 두 방향의 회전력에 대한 센서의 감도 및 변별력이 우수하며, 외부 회전력과 출력전압과의 관계는 선형성을 나타낸다. 본 센서는 앞으로 캠코더, 자동차 및 여러 전자제품등에 다양하게 응용될 것으로 기대된다
화합물 반도체 소자는 서로 다른 밴드갭 에너지를 갖는 반도체의 이종접합을 이용하여 소자의 성능을 극대화시키는데 지난 15년간의 연구 결과 반도체 극초막으로 구성되는 양자(quatum)구조를 이용하는 경우 많은 소자의 성능을 극대화시킬 수 있음이 알려져 있다. 현재 반도체 레이저, LED, 고속 트랜지스터 등에는 100 Å 이하의 두께를 갖는 반도체 양자우물 층을 갖는 소자가 실용화되어 있다. 양자구조에 대한 연구는 현재의 양자우물을 근간으로 양자선(quantum wire) 및 양자점(quantum dot) 등의 구조를 이용하여 보다 향상된 소자 성능을 구현하고자 하는 연구가 진행되고 있는데 현재 이들 구조를 손쉽게 에피성장시킬 수 있는 방법에 대한 연구가 주된 관심이 되고 있다. 양자우물은 100 Å 이하의 두께를 갖는 극초막의 형태인데 이러한 극초막을 기판 전면에 균일한 조성과 두께를 갖도록 에피성장시키기 위하여는 높은 수준의 에피성장기술이 요구된다. 현재 유기금속기상에피성장법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD)은 이러한 극초막 구조를 균일하게 에피성장시킬 수 있는 수준으로 발달하여 다수의 광소자 제작에 이용되고 있다. 아울러 양자선 및 양자점 구조의 에피성장 기술도 나날이 발전하고 있는데 전통적인 MOCVD 에피성장과 함께 선택적(Selective Area) MOCVD, 원자층 에피성장법(Atomic Layer Epitaxy) 등 다양한 에피성장방법이 연구되고 있다.양자구조를 이용한 화합물 반도체 소자 제작 기술은 가장 고도의 에피성장기술을 기반으로 하고 있고 본 연구진은 지난 10여년에 걸친 양자구조 에피성장 기술을 바탕으로 현재 양자선 및 양자점 에피성장 기술을 개발하고 있어 이미 확보된 양자우물 구조 에피성장 기술과 함께 중소기업에 접목하여 3년 이내에 국내 및 국내의 소자 제작 회사에 웨이퍼를 공급할 수 있을 것으로 기대한다.
레이저 유도반응에 의한 미세가공 기술은, 기존의 식각 기술(화학 식각, 반응성 이온 식각, 플라즈마 식각)과 달리, 마스크와 포토레지스트를 사용하지 않고 상온에서 직접 식각을 할 수 있기 때문에, 복잡했던 공정을 최소화시킬 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한 레이저 유도반응에 의한 식각은 종횡비가 큰 식각형태를 구사 할 수 있으며, 수 마이크론의 분해능을 가지고 있기 때문에 제한된 영역의 식각이 가능하다. 또한, 레이저 빔을 시료 위에 주사(scan)함으로써 원하는 패턴을 쉽게 얻을 수 있다. 레이저 유도반응에 의한 식각은 다른 일반적인 식각 기술과 비교하여 국소부분의 온도상승에 의한 화학반응을 이용하므로 공정상에서 오는 손상(damage)이 매우 작다. 이러한 가공기술은 광전소자의 분리, 광도파로의 형성, 초소형 기기 제작 등에 필요한, 중요한 미세 가공기술로 매우 큰 관심을 끌고 있다. 화학 식각의 경우 식각용액을 사용하는 것과는 달리 건식식각에서는 반응을 돕는 가스를 사용하는데, 주로 CCl4, CCl2F2 (O 또는 He을 포함), SiCl4/SF6, CH4/H2 가스등이 사용되어 왔다. 이 중 CCl4 가스와 CCl2F2 가스를 사용한 경우에 식각특성은 매우 우수한 것으로 보고된 바 있으나, 오존층(O3)을 파괴하는 주인자로서 환경규제 물질이 되고 있다. 따라서, 이런 환경문제에 대처하기 위하여 새로 개발된 CFC 대체가스를 사용하여 레이저 유도반응을 이용한 건식식각이 필요하다.반도체 미세가공에 주로 사용되는 재료는 화합물 반도체로 GaAs, AlGaAs, InP, InAs 등이 있다. 시료는 기본 진공도 10-3 Torr인 진공 반응용기 안에 있는 내부식성이 강한 스테인레스 스틸 고정대 위에 고정을 하며, 진공 반응용기 또한 내부식성을 고려하여 스테인레스 스틸로 만들었다. 반응용기 내에 빔을 조사시키기 위해서 석영유리로 창을 만들며, 반응용기는 X, Y, Z 축으로 이동이 가능한 스테이지 위에 얹고 스테이지의 구동은 DC-서보 모터를 사용하여 이동시켰다. 속도의 제어는 기어박스를 사용하여 최저 1 μm/sec에서 200 μm/sec까지 실현시켰다. 레이저 빔은 광학현미경의 대물렌즈를 사용하여 직경 1.2 μm까지 집속 시켰으며, 빔은 고정되어 있고 스테이지를 이동시켜서 주사(scan)가 가능하도록 하였다. 한편, 반응용기 안에 반응가스의 주입양을 제어하기 위해서 니들 밸브와 압력 게이지를 반응용기와 연결시켰다. 레이저는 아르곤 이온 레이저를 사용하였으며 다중파장을 사용하였다.
현재 데이터 통신에서 사용자수가 증가함에 따라 채널의 처리용량을 높이는 접속방법에 대한 연구가 필요하다. 기지국과 이동국은 순방향과 역방향 채널을 통해 통신을 하게 되는데 순방향 채녈은 충돌을 피하도록 설계되어 있고 역방향 채널에서는 기지국에 접속을 하기 위하여 이동국이 서로 경쟁을 한다. 이러한 경쟁 방식 중 하나가 ISMA(Idle Signal Multiple Acess)이다. ISMA 프로토콜에서 일반적으로 기지국은 터미널에서 채널이 비사용 중이면 idle 신호를 전송하고 idle 신호를 감지한 터미널은 먼저 예약패킷을 전송하여 예약패킷이 전송이 성공하면 메시지 패킷을 전송한다. Idle 신호를 감지한 후 2개 이상의 터미널이 예약패킷을 전송하면 충돌이 발생하게 되는데 예약패킷이 동시 전송으로 인하여 충돌이 발생하는 경우에도 충돌한 패킷중 하나는 전송이 성공하는 켑춰를 고려한다. 이러한 켑춰효과를 이용함으로써 더 높은 채널처리용량을 얻을 수 있다. 그리고 앞으로 다가올 음성, 데이터 혹은 화상까지 전송을 하는 멀티미디어 패킷 무선망에서는 기존 망에 비하여 더 많은 틀픽 전송이 이루어지므로 예약 ISMA방식을 이러한 환경하에서도 적합한 신뢰성 있는 접속프로토콜이다.
-최근 무한경쟁하에서의 CIM 및 CALS체제 구축에 있어서 가장 중요한 전제조건인 제조업 업무혁신과 효율화를 위한 업무프로세스 분석방법의 제시가 본 연구의 주된 목적이다. 특별히, 제품의 전 life-cycle 과정에서 관련되는 모든 생산활동들을 대상으로 주요 업무를 정의하고 각 업무별 프로세스를 나열, 과정을 도시한 뒤 심도있는 분석을 통하여 향후 표준화 할 개선형태를 도출한다. 주요 tool로는 미 공군에서 개발한 IDEF(integrated definition)를 사용하며, 업무프로세스의 분석 및 모델링을 위하여 IDEF0, 정보시스템 모델링 및 설계를 위하여 IDEF1X, 그리고 업무프로세스의 절차적 분석을 위하여 IDEF3을 활용한다. 최종적으로는, 전산화시스템 선정 및 구축을 위하여 단위시간당 transaction수의 분석 및 예측을 위한 IDEF2에 대하여는 SLAM, SIMAN(ARENA) 등의 시뮬레이션 도구를 사용하여 분석을 수행한다.
데이터의 보호를 위해 암호화 및 복호화 기능을 수행하도록 구성된 VHDL Source Code16 round SEED 방식, 128 비트 암호화/복호화 key, 128 비트 데이터 입/출력
데이터의 보호를 위해 암호화 및 복호화 기능을 수행하도록 구성된 VHDL Source Code16 round SEED 방식, 128 비트 암호화/복호화 key, 128 비트 데이터 입/출력, ROM 베이스
데이터의 보호를 위해 암호화 및 복호화 기능을 수행하도록 구성된 VHDL Source Code1 round SEED 방식, 128 비트 암호화/복호화 key, 128 비트 데이터 입/출력
본 발명은 미세 패턴의 제작에 사용되는 리소그라피 장치에서 간섭계를 이용하여 정확하게 촛점을 찾는 방법에 관한 것이다 <구성>종래의 방법은 렌즈의 구경이 커야하고 모서리 효과를 제거할 수 있어야 함에 따라 렌즈이 가격이 고가이며, 렌즈의 촛점 거리를 측정하여 그 위치에 검출기를 정렬하는 데에 어려움이 많은 문제점이 있다. <효과>레이저(10)로부터 방출되어 콜리메이터(11)를 거쳐 광분할기(12)로 입사된 빛의 일부분은 거울(13)로 진행하다 반사되어 다시 공분할기로 향하고, 빛의 다른 부분은 직진하여 집속 렌즈(17)를 지나 시료에서 반사되어 다시 광분할기(12)로 향하여 이들 두개의 거울에서 반사된 빛과 시료에서 반사된 빛이 광분할기로 거치면서 간섭을 일으키는 간섭계에서 관찰되는 특정의 간섭 무늬를 직선이 되도록 제조정하여 시료에 촛점을 맺히게 함으로 촛점을 찾는다.1. 레이저로부터 방출되어 콜리메이터를 거쳐 광분할기로 입사된 빛의 일부분은 거울로 진행하다 반사되어 다시 광분할기로 향하고, 빛의 다른 부분은 직진하여 접속렌즈를 지나 시료에서 반사되어 다시 광분할기로 향하여 이들 두개의 거울에서 반사된 빛과 시료에서 반사된 빛이 광분할기로 거치면서 간섭을 일으키는 간섭계에서 관찰되는 특정의 간섭무늬를 직선이 되도록 조정하여 시료에 촛점이 맺히게 함을 특징으로 하는 레이저 리소그라피장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법.
본 발명은 불휘발성(nonvolatile) 강유전체 박막 제조방법에 관한 것으로, 불화 크립톤 익사이머 레이저 아브레이션법을 이용하여 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물(strontium bismuth t antalum oxide:SrBi2Ta2O9)로 구성된 강유전체 박막 제조를 완료하므로써, 1) 기존 졸겔법이나 액체이동 증착법에 비해 반도체 공정과의 호환성을 높일 수 있을 뿐 아니라 제조 공정의 단순화 및 생산 효율 증대 효과를 기할 수 있고, 2) 백금/스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물/백금 캐패시터 구조의 경우, 장기물성(long term properties)인 파티그 및 임프린트 특성이 우수해 기억소자의 사용기간(life time)이 길어지게 되므로 상품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 강유전체 박막을 구현할 수 있게 된다.1. 백금/티탄/산화규소/규소가 순차적으로 적층된 구조의 기판 상에 불화 크립톤 익사이머 레이져 아브레이션 방법으로 스트론튬 비스무스탄탈륨 산화물 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막은 진공챔버 내의 기판 홀더에 기판을 고정시키는 단계와; 상기 진공챔버 내의 공정 조건을 산소 분압 900m Torr와, 기판 온도 450동 및, 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 타게트의 10회/분 회전으로 형성하는 단계와; 레이져를 3Hz로 진공챔버 내로 조사하여 기판 상에 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막을 형성하는 단계와; 상기 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막이 형성된 기판을 서냉시키는 단계 및; 산소 분위기하에서 열처리하는 단계를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.3. 제2항에 있어서, 상기 레이져는 파장 248nm, 에너지 400-600mJ 및, 고전압 17.5kV의 조건으로 진공챔버 내로 조사되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.4. 제2항에 있어서, 상기 열처리 공정은 섭씨 750도에서 2시간 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 제조방법.5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불휘발성 강유전체 박막은 상기 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막 상부에 백금 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.6. 제5항에 있어서, 상기 불휘발성 강유전체 박막은 백금 패턴 형성후 산소 분위기하에서 접촉 서냉하는 공정을 저 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.7. 제6항에 있어서, 상기 접촉 서냉 공정은 섭씨 560도에서 10분간 실시되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.8. 제2항에 있어서, 상시 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막은 기판과 타게트의 사이의 간격이 3.5~4.5cm이 유지된 상태에서 형성되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.
1.48마이크로 및 1.75마이크로 빛살의 방출방법으로서, 레이저 유리의 광원으로서 800 나노미터의 레이저 다이오드를 사용하는 방출방법을 제공한다. [구성]방출시 레이저 유리에서 1.48 및 1.75 마이크로미터 형광을 방출하기 위하여 펌핑 광원으로 800 나노미터의 소형 레이저 다이오드를 사용한다. 즉 펌핑 방식은 1.06 마이크로미터의 Nd-YAG레이저를 사용하는 기존의 2단계 펌핑과 달리 1단계로서 펌핑하므로 더 우수한 효율을 기대할 수 있다. 이때 레이저의 펌핑효율은 레이저의 출력 에너지를 펌핑 에너지로 나눈값인데 1 보다 작은 값이므로 2단계 펌핑인 경우는 더욱 작은 값이 된다.1. 다음식의 조성으로 이루어진 1.48 및 1.75 마이크로미터 형광을 방출하는 레이저 유리 : 53ZrF4-25BaF2-(4-x)LaF3-3AlF3-15NaF-xTmF3 상기식에서 x는 0.02x≤4이며, LaF3 및 TmF3의 총 함량이 4몰%이다.2. 1.48 및 1.75 마이크로미터 형광을 방출하는 방법으로서, 제1항에 따른 레이저 유리에 펌핑 광원으로서 800나노미터 레이저 다이오드를 사용하는 적외선 방출방법.