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일반기술 전기·전자 > 기타 전자요소 기술

회전식 플라즈마 용사법에 의한 집적회로 패키지용 히트싱크 제조방법

IC 패키지의 하나인 기밀형 4측면 밀봉 타입에 응용하기 위한 히프싱크 기판을 회전식 플라즈마 용사법에 의한 제조방법이 개시된다. IC 패키지용 히트싱크 제조방법에 있어서, 모재로서 무산소동을 준비하는 단계; 상기 모재의 일면에 NI 도금을 실시하는 단계; 상기 모재의 다른 쪽면에 절연성, 내식성 및 열전도성을 부여하기 위해 다음 (A) 내지 (D)의 공정을 실시하는 단계; (A)인위적인 표면 거칠기를 부여하기 위해 그리트 블라스팅을 실시하는 단계; (B)상기 모재 표면을 흑화처리하는 단계; (C)상기 흑화처리된 표면을 NI 도금하는 단계; (D)상기 NI 도금 위에 알루미나를 용사 코팅하는 단계를 포함하며, 상기 용사는 회전식 플라즈마 용사법에 의해 용사 거리 70-120㎜, 용사각도 90°, 아크가스(AR) 유량 50-130 SCFH, 보조가스(H2) 유량 6∼100 SCFH, 캐리어 가스(AR) 유량 21-40 SCFH, 분말공급율 3.5LB/HR, 아크(AR) 가스압 6.2 KG/㎠, 보조가스(H2) 압력 4.5 KG/㎠, 캐리어 가스(AR) 압력 4.5 KG/㎠의 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 IC 패키지용 히트싱크 제조방법.

보유기관
농업기술실용화재단
등록일
2009-01-30
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일반기술 전기·전자 > 기타 전자요소 기술

마그네트론 스퍼터링법을 이용한 산소／아르곤 유량비 조절을 통한 금속이 도핑된 ＺｎＯ 박막의 제조방법

마그네트론 스퍼터링법을 이용한 금속이 도핑된 ZNO 박막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 금속을 도핑시켜 ZNO 박막을 제조하는 공정에 있어서, 혼합기체로 흘려주는 산소/아르곤의 유량비를 조절함으로써 ZNO:AL 박막의 결정성, 광학적 특성, 전기적 특성, 투과도 등이 향상된 ZNO 박막의 제조방법에 관한 것이다.해당 기술에 의하면 결정성 및 표면 형상이 우수하고, 전기 전도성과 같은 전기적 특성이 향상된 ZNO 박막을 제조할 수 있다. 그 결과, 다양한 응용성으로 주목받고 있는 ZNO 박막의 응용 분야에서 그 적용 가능성을 높일 것으로 기대된다. 특히, 디스플레이 장치 분야에서 투명전극으로 사용되고 있는 기존기술의 ITO를 대체함으로써, 고가의 디스플레이 장치 등의 가격을 하락시킬 수 있을 것으로 기대된다.

보유기관
경기기술이전센터
등록일
2009-02-06
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일반기술 전기·전자 > 기타 전자요소 기술

투명한 튜브의 외경과 내경을 측정하기 위한 장치 및 방법

해당 기술은 투명한 튜브의 내경과 외경을 비접촉식으로 측정할 수 있는 장치와 방법이 제공된다. 해당 기술에 따르면, 투명한 튜브의 길이방향에 수직한 단면에 대하여 소정 각도로 기울여진 단면 직선상의 광빔을 투명한 튜브에 조사하여, 튜브에 의해 가려지고 굴절되어 형성된 광빔의 패턴을 획득하고, 튜브에 의해 가려진 광빔 패턴으로부터 외경정보를 추출하고, 튜브에 의해 굴절되어 형성된 광빔 패턴으로부터 내경정보를 추출하여 연산함으로써 외경과 내경을 함께 얻는다.

보유기관
(재)광주테크노파크
등록일
2009-07-09
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