산업기술 통합검색
본고안은 전자부품의 자동공급장치에 관한것으로 보다 상세하게는 커버 테이프가 벗겨지고 부품이 헤드에 흡착된뒤에 본체 테이프의 배출을 용이하게 실시토록하는 자동공급 장치에 관한것이다.본 기술이 적용된 전자부품의 자동공급장치는 공급장치상에 가이드홈을 형성하여 배출되는 본체 테이프를 상기 가이드홈으로 안내하여 공급장치 바의 후방으로 배출하도록하였다. 따라서 공급기를 공급장치 상의 임의의 위치로 변경 장착할 경우에도 배출되는 본체 테이프의 간섭이 발생되지 않게 되므로 작업성을 향상시킬 수 있다.
본고안은 전자부품의 자동공급장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 테이프릴의 교환을 용이하게 실시할 수있게하여 작업성을 향상시킬 수 있는 자동 공급 장치에 관하것이다.본기술을 적용한 전자부품의 자동공급장치는 테이프홀더를 리어플레이트 상에 회동 가능하게 설치하였다. 따라서 테이프릴 교환시 테이프홀더를 분리하지 않고 교환을 할 수있음으로서 테이프홀더의 분실을 배제함과 동시에 장치의 운전을 계속하며 교환할 수 있게되어 생산성이 향상된다.
라디오페이져와 카세트플레이어를 한 기구물내에 일체화하여 휴대의 편리성을 달성하고, 소정 전카세트 플레이어의 작동시나 라디오 수신으로 인하여 페이져 신호음의 전달이 불가능할 경우 그 신호음의 전달을 페이져의 진동떨림으로 자동 변환하여 페이져의 수신신호 전달의 정확성을 향상시킬 수 있다.
본 고안은 온도감지장치와 시간장치를 사용하여 상자를 개봉할 수 있는 장치이다. 기존의 장치가 자물쇠로 잠그는 것에 반해 온도변화와 시간변화에 의해서도 사용할 수 있다는 장점을 가지고 있으며, 상자 속에 특정한 온도에 반응하는 물건을 넣거나 특정 시간동안 저장할 필요가 있는 물건을 저장할 수 있고, 특정온도에 도달시 또는 특정시간에 도달했을 경우, 소리를 내어 알려주는 특징이 있다. 이 고안은 완구로도 사용할 수 있어서, 오리인형과 같은 물건을 상자에 넣어 저장하여 특정시간 뒤에 개봉시킴으로써 아이들에게 부화과정을 직접 체험할 수 있도록 도와주는 교육도구 및 완구로 사용될 수 있다.온도변화에 민감한 물건을 넣는 경우 널리 사용될 수 있고 완구로 사용할 경우, 아이들에게 학습효과가 높아 널리 시판될 수 있다.
휴대폰내부에 초음파 발생기 장치를 내장한 휴대폰임야유회및 하절기 외출시 모기로 부터 자유로움을 가질수있음과 가정내에서 도 모기향 대용으로도 사용가능함
본발명은 플라스틱 필름의 표면에 알루미늄박막을 증착하기 전 또는 증착한 후에, 알루미늄/구리 합금박막을 증착하는 것으로 이루어지는 알루미늄증착플라스틱 필름의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 알루미늄증착 플라스틱 필름은 자기회복 특성이 우수하면서 장기간 사용하여도 캐패시턴스가 일정하게 유지되는 MF 콘덴서를 제조할 수 있으며, 또한 식품 저장용 용기를 제조하는데 이용될 수 있다.1.플라스틱 필름의 표면에 0.5~10중량%의 구리를 함유하는 알루미늄/구리 합금박막을 증착하고, 그 위에 알루미늄 박막을 증착하는 것으로 이루어지는 알루미늄증착 플라스틱 필름의 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 알루미늄/구리 합금박막을 합금박막의 면저항값이 4-300Ω/...(네모)범위가 되도록 증착하는 방법.3.제 1항에 있어서, 상기 알루미늄/구리 합금박막과 상기 알루미늄 박막이 진공증착법에 의해 증착되는 방법.4. 플라스틱 필름의 표면에 알루미늄 박막을 증착하고, 그 위에 0.5~10중량%의 구리를 함유하는 알루미늄/구리 합금박막을 증착하는 것으로 이루어지는, 알루미늄증착 플라스틱 필름의 제조방법.5. 제 4항에 있어서, 상기 알루미늄/구리 합금박막을 합금박막의 면저항값이 4-300Ω/...(네모)범위가 되도록 증착하는 방법.6.제4항에 있어서, 상기 알루미늄/구리 합금박막과 상기 알루미늄 박막이 진공증착법에 의해 증착되는 방법.
플라즈마 화학 증착법을 통하여 갈륨비소 기판상에 저저항의 전기적 특성이 우수한 금속배선용 텅스텐 박막을 형성시키기 위한 것이다. <구성>플르즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서 WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1.0E-1torr, 증착온도 200-300도C하에서 플라즈마 화학증착하여 갈륨비소 쇼트키베리어용 텅스텐 박막을 형성하여 구성한다. <효과>갈륨비소 반도체 소자에 형성된 텅스텐박막은 저저항을 나타내고 우수한 전기적 특성을 나타낸다.1. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1/10exp1Torr, 증착온도 200~300℃하에서 플라즈마 화학증착하여 갈륨비소 쇼트키베리어용 텅스텐박막을 형성함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 갈륨비소 반도체소자의 금속배선용 텅스텐박막 형성방법. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 자기정렬 게이트 구조의 MESFET를 제조하는 방법에 있어서, WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1/10exp1Torr, 증착온도 200~300℃하에서 플라즈마 화학증착하여 금속배선용 텅스텐박막을 형성한 다음 700℃이하의 온도에서 급속열처리함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 갈륨비소 반도체소자의 쇼트키베리어 및 금속배선용 텅스텐박막 형성방법.
이 발명은 실리콘 반도체소자의 실리콘 웨이퍼상에 텅스텐/질화텅스텐 이중박막으로 된 금속배선을 형성하는 방법이다. <구성>이 방법은 실리콘 웨이퍼상에 플라즈마 화학증착법 또는 저압 화학증착법으로 질화텅스텐박막을 먼저 증착시키고, 그 위에 텅스텐 박막을 증착시켜 이중구조의 금속배선을 형성한 다음, 고온에서 열처리한다. <효과>이중구조의 금속배선으로 인해 열처리시, 실리콘과 텅스텐의 반응으로 생성되는 불순물인 규화텅스텐이 생기지 않는다.1. 저압화학증착법으로 텅스텐 박막을 증착하여 금속배선을 형성함에 있어서, 상기 텅스텐 박막의 증착 전단계 공정으로서 NH₃/WF₄의 입력분압조성비를 0.25-2로 하고, 300-600℃의 증착 온도에서 0.1-1Torr의 증착 압력하에서 플라즈마 화학증착하여 70-300μΩ-cm의 비저항값을 갖는 텅스텐 질화박막을 500-1000Å의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용 텅스텐 질화박막 증착방법.
본 발명은 열전반도체 소자의 흡열 및 가열기능을 이용하여 냉각과 가열 싸이클을 반복시켜 인체 피부의 극소부위에 열적 자극 효과를 주기 위한 피부 국소 냉각장치에 관한 것으로서, 열전반도체 소자쌍과 저온단(1)과 고온단(3)을 갖는 열전 모듈(2)와, 열전 모듈(2)의 고온단(3)과 접촉하는 히트 캐패시터(4)와, 히트 캐패시터(4)와 접촉하는 열절연체(5)와, 열절연체를 이동시키는 스크루(7)과, 머리 또는 이마 등 인체에 부착시키는 금속제 클램프(6)과, 직류 전원(9)의 온/오프 제어장치(8)을 포함한다.1. 열전 모듈(2)를 포함하는 흡열 수단과, 상기 흡열 수단을 냉각 싸이클을 반복하도록 제어하는 제어 수단과, 상기 흡열 수단을 인체에 부착하기 위한 부착 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치2. 제1항에 있어서, 열전 모듈(2)는 열전반도체 소자쌍과 저온단(1)과 고온단(3)을 갖고, 부착 수단은 머리 또는 이마 등 인체에 부착시키는 금속제 클램프(6)을 포함하고, 제어 수단은 직류 전원(9)의 온/오프 제어장치(8)을 포함하고, 열전 모듈(2)의 고온단(3)과 접촉하는 히트 캐패시터(4)와, 히트 캐패시터(4)와 접촉하는 열절연체(5)와, 열절연체를 이동시키는 스크루(7)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치3. 제2항에 있어서, 직류 전원의 온/오프 제어장치(8)은 열전 모듈(2)의 냉각 싸이클의 주기와 저온단(1)의 온도를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치4. 제2항에 있어서, 히트 캐패시터(4)는 금속제이고, 냉각시에는 열전 모듈의 저온단(1)으로 부터 흡열된 열을 흡수하는 히트 싱크의 역할을 하며, 가열시에는 열저장체로서 열공급원의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치5. 제2항에 있어서, 열절연체(5)는 히트 캐패시터(4)와 클램프(6) 사이에 삽입되고, 스크루(7)의 조작으로 열전도 면적을 변화시켜 히트 캐패시터(4)의 온도 제어 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치
소자제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와의 저항성 접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층 구조 금속 배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 탄탈륨실리나이트라이드 (TaSiNx)의 삼원소계 확산 방지막을 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산 방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적 특성의 열화를 막을 수 없는데 반하여 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지할 수 있으며, 전기적 특성을 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는 특징이 있다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억 소자의 제조방법에서 새로운 다층 금속 배선 구조로써 기존의 확산 방지막을 사용한 다층 금속 배선보다 월등히 우수한 특성을 가진다.1. 탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착함으로써, 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막내의 질소 농도가 0내지 43원자농도%로 제어되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨실리나이트라이드 박막 제조 방법.2. 제 1항에 의하여 제조되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막을 두께 500-2000Å로 증착하여, 실리콘(Si),갈륨비소(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 및 인듐인(InP)중 어느 하나와의 접합하기 위한 접합금속으로 사용하는 방법.3. 탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착함으로써, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 28원자농도%이하인 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 확산방지 및 접착력 향상을 위하여, 소스 및 드레인 접촉접합의 반도체 및 주배선금속 사이에 사용되는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자.4. 탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착하여, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 0내지 43원자농도%가 되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 반도체 소자중의 층간절연층 및 하부금속사이에 확산 방지막으로 사용되므로써, 층간절연층/탄탈확사낭지막/주배선금속으로 이루어진 금속배선이 2층이상으로 되어 있는 다층 금속 배선을 가지는 집적 반도체 소자.5.탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착하여, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 40원자농도%이상이 되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 구리금속아래에 직접 접촉하는 금속 배선을 구비하는 집적 반도체 소자.6. 제 1항에 의하여 제조된 탄탈륨실리나이트라이드 확산방지막을 이용한 반도체 소자의 접합배선 방법으로서, 반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 열산화막으로 덮는 단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 제 1항에 의하여 제조되는 탄탈확산 방지막을 도포하는 단계 및 상기 소스 및 드레인상에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐 중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 소스 및 드레인 접촉공정.7. 제 1항에 의하여 제조되는 탄탈륨실리나이트라이드 확산방지막을 이용한 집적 반도체 소자의 다층 금속 배선방법으로서, 반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 열산화막으로 덮는 제 1단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 제 2단게와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 제 3단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 제 1항에 의하여 제조되는 탄탈확산 방지막을 도포하는 제 4단계와, 상기 소스부분에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐 중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 제 5단계와, 상기 전 기판면에 층간절연박막을 도포하는 제 6단계와, 상기 드레인 측의 상기 층간절연박막을 다시 식각하고, 전면에 상기 탄탈확산방지막을 도포하는 제 7단계와, 상기 탄탈확산방지막상에 주금속배선을 도포하는 제 8단계 및 층간절연막/탄탈확산방지막/주배선금속층이 2층이상이 되도록, 상기 6내지 8단계를 2회鵑반복한 후, 그 위에 보호마ㅏㄱ을 형성시키는 제 9단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다층 금속배선 방법.
본 발명은 고집적 실리콘 반도체 소자의 금속 배선 형성에 관한 것이다. 최근에 개발된 저압 화학 증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착시키는 금속 배선 기술은 열적 안정도, 일렉트로 미그레이션, 스탭 커버리지 등이 우수한 반면 실리콘, 산화막 및 산화막/실리콘 계면에서 침식이 발생 함으로써 텅스텐이 산화막/실리콘 계면으로 파고 들어 가거나 실리콘 기판 내부로 침투하게 되어 결과적으로 누설 전류가 높아지고 정선의 단락이 발생하여, 절연 파괴 전압이 낮아지는 등의 문제점이 발생하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 텅스텐 박막의 형성 이전에 플라스마 화학 증착법을 이용하어 텅스텐 질화 박막을 증착시키는 방법을 제공한다.텅스텐 박막의 증착 전단계 공정으로써 NH /WF 의 입력 분압 조성비를 0.25-2로 하고, 300-600도C의 증착 온도에서 0.1-1 Torr의 증착 압력하에서 플라스마 화학 증착하여 70-300μΩ-㎝의 비저항값을 갖는 텅스텐 질화 박막을 5-10μm의 두께로 성장 시킴으로써 전압 화학 증착법으로 텅스텐 박막을 증착하여 금속 배선을 형성하는 공정시에 F원자 들에 의한 실리콘, 산화막 및 산 실리콘 계면의 침식을 방지 하도록 한 고집적 실리콘 반도체 소자의 금속 배선 형성용 텅스텐 질화 박막 증착법이다.1. 저압화학증착법으로 텅스텐 박막을 증착하여 금속배선을 형성함에 있어서, 상기 텅스텐 박막의 증착 전단계 공정으로서 NH₃/WF₄의 입력분압조성비를 0.25-2로 하고, 300-600℃의 증착 온도에서 0.1-1Torr의 증착 압력하에서 플라즈마 화학증착하여 70-300μΩ-cm의 비저항값을 갖는 텅스텐 질화박막을 500-1000Å의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용 텅스텐 질화박막 증착방법.
본 발명은 기억소자 및 비기억소자의 다층구조 금속 연결배선에 관한 것으로, 특히, 그에 사용되는 새로운 구조의 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 소자 제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와 저항성접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층구조 금속배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 상호확산을 막을 수 있는 확산방지막으로서, 본 발명에서 제안된 삼원소계 확산방지막인 텅스텐보론나이트라이드 (WBxNy)를 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확산방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적특성의 열화를 막을 수 없느데 반하여, 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지하였으며, 전기적 특성의 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억소자의 제조 방법에서 새로운 다층금속배선 구조중의 확산방지막으로 텅스텐보론나이트라이드를 사용하므로써, 기존의 확산방지막을 사용한 경우보다 월등히 우수한 전기적특성을 가지는 다층금속배선을 제공한다.1. WF6(육불화텅스텐)의 유량을 2~10sccm, H2(수소)의 유량을 50~300sccm로 하고 B10H14(데가보레인)/NH3(암모니아)가스의 유량비를 2~5까지 변화시키면서, 이 원료기체를 진공반응기에 넣고 압력 1~10/(1)Torr하에서 기판온도를 40~300℃범위에서 가열하는 것으로 이루어지는 텅스텐보론나이트라이드(WB(x)N(y))제조 방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 데가보레인과 암모니아 가스의 유량비를 조절하므로써, 상기 텅스텐보론나이트라이드 박막의 비저항을 200μΩcm이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 텅스텐보론나이트라이드박막 제조방법.5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한항에 의한 방법으로 제조된 두께 500-2000Å의 텅스텐보론나이트라이드 박막을, 실리콘(Si),갈륨비소(GaAs),갈륨나이트라이드(GaN), 및 인듐인(InP)중 하나와 저항성 접합하기 위한 접합금속으로 사용하는 방법.6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조되는 텅스텐보론나이트라이드박막이, 반도체소자의 소스 및 드레인 접촉접합의 반도체 및 주배선금속 사이에 확산방지막으로 사용되는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자.7. 제 1항 내지 제 4항중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조된 텅스텐보론나이트라이드박막이, 반도체소자중의 층간절연층 및 하부금속 사이에 확산 방지막으로 사용되고, 상기 층간절연층/텅스텐보론나이트라이드 확산방지막/주배선금속으로 이루어진 금속배선이 2층 내지 10층으로 되어 있는 다층 금속 배선을 가지는 집적 반도체 소자.8.제 1항 내지 제 4항 중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조된 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 이용한 반도체 소자의 접합배선 방법으로서, 반도체 기판상에 분리 산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 일산화막으로 덮는 단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산 방지막을 도포하는 단계 및 상기 소스 및 드레인상에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐 중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 소스 및 드레인 접촉공정.9. 제 1항 내지 제 4항중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조되는 텅스텐보론나이트라이드 확산 방지막을 이용한 집적 반도체 소자의 다층 금속 배선방법으로서, 반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 일산화막으로 덮는 제 1단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 제 2단계와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 제 3단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 도포하는 제 4단계와, 상기 소스부분에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 제 5단계와, 상기 전 기판면에 층간절연박막을 도포하는 제 6단계와, 상기 드레인 축의 상기 층간절연박막을 다시 식각하고, 전면에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 도포하는 제 7단계와, 상기 확산방지막상에 주금속배선을 도포하는 제 8단계 및 층간절연막/텅스텐보론나이트라이瀁源姸嗤주배선금속층이 2내지 10층이 되도록, 상기 6내지 8단계를 2회 내지 10회 반복한 후, 그 위에 보호막을 형성시키는 제 9단게로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 다층 금속배선 방법.
본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.1. 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하고, ECR-CVD 법으로, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 10nm 이하가 되도록 비정질 실리콘 박막을, 후속 공정 없이 성장 조절함으로써 상온에서 안정된 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 실리콘 박막을 형성시키는 것을특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.2. 제 1 항에 있어서, 상기 성장은, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하여 행해지는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는미세 실리콘 결정립의 제조 방법. 3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도를 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법
[cox fe1-x]1-n [bysil-y]n의 원자 조성비를 갖는 비정질 자성 합금을 준비하는 단계, 상기 조성의 비정질 자성 합금을 200-460도씨의 온도 구간에서 대기 중에서 1분 이상 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서 제조 방법.1.［COX Fe1-X］1-n［By Si 1-y］n의 원자 조성비를 갖는 비정질 자성 합금을 준비하는 단계, 상기 조성의 원자 조성비를 갖는 비정질 자성 합금을 준비하는 단계, 상기 조성의 비정질자성 합금을 200~460˚C의 온도 구간에서 대기 중에서 1분이상 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서제조방법.2.제1항에있어서, 상기 열처리 단계는 외부 자장을 영에 가깝게 하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서 제조방법.3.제1항에있어서, 상기 비정질 자성 합금은 5atomic%까지의 Cr,Ni,Mn등의 제 3혹은 제 4의 금속원소를 함유한 비정질 자기 합금인 것을 특징으로 하는 자기 센서 제조 방법.4.제1항에 따른 방법에 의해 제조된 자기 센서 소자.5.제4항에 있어서, 상기 자기센서 소자는 외부 교류자장이 한 주기만큼 변할때 두개의 주피크와 두개의 부피크를 나타내는 것을 특징으로 하는 자기 센서 소자.6.주파스 발진 수단, 특정 주파수의 정현파를 생성하는 수단, 상기 정현파를 전류 증폭하여 자기장을 발생시키는 수단, 상기 자기장 주위에 있으며 이자기장이 가해지는 제4항에 따른 특성을 가지는 자기 센서 소자,상기 자기 센서 소자에 인접하여있고, 상기 자기센서 소자를 감지한 신호를 수신하는 수신기 수단, 상기 수신기 수단에 접속되어 상기 수신기 수단에서 나온 센서 신호의 파형을 기준으로 하여 구형파를 생성하는 제어 신호 발생 수단, 상기 발진기 수단에 결합되어 상기 주파수 발진기 수단에서 나온 신호에 의해 제어신호를 발생하는 제어 신호 발생수단, 상기 제어 신호발생 수단과 상기 구형파 생성 수단사이에 결합되어, 상기 제어 신호의 주파수와 상기 구형파 생성수단에서 나온 신호의 주파수와 펄스의 갯수를 비교하는 비교 수단, 및 상기 비교 수단에 결합되어, 상기 비교수단에서 나온 센서 존재 유무 판정 신호를 받아 경보를 울리는 경보 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 도난 방지 시스템.7.제6항에 있어서, 상기 센서 존재 유무 판정은 외부 교류 자장이 한 주기만큼 변할 때 2개의 주피크와 2개의 부피크를 나타내는 신호를 감지하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도난 방지 시스템
본 발명은 큐 스위치된 펄스의 에너지를 펌핑 에너지의 시간적 변화에 관계 없이 균일하게 안정화시키기 위해서 큐 스위치된 펄스의 반복율이 펌핑 에너지의 세기 변화에 따라 자동으로 조절되는 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 장치는 고체 레이저에서 레이저 펌핑원으로 사용되는 플래쉬 램프에서 방출되는 빛의 세기가 펌핑 에너지의 세기에 비례하는 특성을 이용하여 큐 스위치된 펄스의 반복율을 자동으로 조절하는 것으로서, 레이저 활성 매질(active medium)이 플래쉬 램프에 의해 여기되는 동안 플래쉬 램프에서 방출되는 빛의 세기에 따라 큐 스위치된 펄스의 반복율을 변하게 하여 펌핑 에너지를 일정하게 하는 것을 특징으로 한다.1. 음향 광학 변조기를 이용하며, 큐 스위치(Q-switch) 및 상기 큐 스위치를 구동시키기 위한 큐 스위치 구동기를 포함하는 상기 큐 스위치에 의해 큐 스위치된 펄스형 고체 레이저 발진기에서, 출력 펄스의 에너지를 안정화시키기위한 장치에 있어서,상기 고체 레이저의 레이저 펌핑원으로 사용되는 플래쉬 램프와,상기 플래쉬 램프로부터 방출되는 광량을 검지하여 검지된 광량에 대응하는 전압을 발생시키기 위한 광 검지부와,상기 광 검지부로부터의 전압에 따라 결정되는 주파수를 갖는 펄스를 출력하는 전압 제어 발진부와,상기 전압 제어 발진부로부터 출력되는 펄스의 폭을 상기 큐 스위치 구동기의 입력 신호 요구 조건에 맞도록 조절하는 펄스폭 조절부로 이루어지며, 상기 조절된 출력 펄스를 상기 큐 스위치 구동기로 공급하는 것을 특징으로 하는 레이저 출력 펄스 에너지 안정화 장치.2. 제1항에 있어서, 상기 펄스폭 조절부는 상기 출력 펄스의 반복율을 조절하여 큐 스위치된 레이저 펄스열 각각의 에너지를 균일하게 하기위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 출력 펄스 에너지 안정화 장치.
본 발명은 모터의 고정자 권선구조에 관한것이다. 즉 3상8극슬롯모터의 전자기효율을 대폭향상시켜 모터의 성능을 높일 수 있도록하는 모터의 고정자 권선구조에 관한것이다.본 발명의 모터의 고정자 권선구조에 의하면 권선법에 의한 기자력보다 훨씬 향상된 기자력 효율을 얻을 수있게 되어 3상8극 24슬롯 모터의 성능을 높일 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 전동기의 성능을 시험하는 장치에 관한 것으로 특히 AC서보 모터의 제동기(브레이크)로 이용하여 토오크 스텝 응답 특서을 시험할 수 잇는 전동기 성능 시험장치에 관한것이다.본 발명의 전동기 성능 시험장치는 토오크 제어가 가능한 AC서보전동기로 사용하여 토오크 인가시 단위 계단파에 가까운 토오크를 형성한다. 따라서 토오크 곡선이 입력에 비해 히스테리시스곡선을 그리거나 목표치까지 도달하는데 걸리는 시정수가 상대적으로 커지는 것을 막고 토오크에 대한 시험전동기의 스텝 응답특성을 정확히 측정하여 시험전동기의 토오크 특성시험의 정밀도를 향상시키는 효과가 있다.
[구성]자동차, 항공기, 선박 등의 각종 항행체에서 운전자가 시선을 돌리지 않고도 주변 광경과 컬러 영상으로 주어지는 항행 정보를 동시에 투시가능하게 하는 천연색 홀로그래픽 표시 장치에 관하여 기술하였다. 주변 광경과 항행 정보를 동시에 투시가능하게 해주는 홀로그래픽 결합기는 렌즈 또는 구형 반사경의 특성을 가진 홀로그래픽 광학 소자가 매트릭스 형태로 된 것을 사용하며, 각 광학 소자는 대응하는 정보표시판의 천연색 화소로부터의 빛만을 눈통으로 입사시킬 수 있게 아주 좁은 대폭을 가진다. 본 발명의 표시 장치는 밝고 또한 상호 변조 잡음에 의한 화질 저하가 없는 천연색 영상의 표시가 가능하다.1.투사될 정보를 표시하기 위한 정보 표시판, 상기 정보 표시판에 표시된 상(image)을 전달하기 위한 중계 광학계(Relay Optical System),및 상기 중계 광학계로부터의 상을 관찰자의 시야를 형성하는 눈통(Eye Box)에 전달하기 위한 홀로그래픽 결합기(Holographic Computer)를 포함하여 구성된 홀로그래픽 결합기가 상기 정보 표시판의 화소수와 동일한 수의 홀로그래픽 광학 소자들로 구성되면, 상기 홀로그래픽 광학 소자들이 상기 정보 표시판의 화소 배열과 동일한 매트릭스 형태로 배열된 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 홀로그래픽 광학 소자들이 투명 유리나 투명 플라스틱 기판에 접착된 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 홀로그래픽 광학 소자들이 적색, 청색, 및 녹색에 해당하는 발광 대폭(Spectral Bandwidth)의 빛 중에서 어느 하나만 선택적으로 반사시키는 구형 반사경(Spherical Reflecting Mirror)의 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.4. 제 1항에 있어서, 상기 관찰자의 시야를 형성하는 눈통의 크기가 상기 홀로그래픽 광학 소자의 가로, 세로 길이와 초점 거리에 따라 정해지는 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.5. 제 1항에 있어서, 상기 중계 광학계는 상기 정보 표시판의 천연색 화소 각각을 상기 홀로그래픽 결합기 내의 대응하는 홀로그래픽 광학 소자에 입사시키는 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.6. 제 1항에 있어서, 상기 홀로그래픽 광학 소자들이 렌즈특성을 갖는 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.7. 제 1항에 있어서, 차량의 뒷창에 장착된 정지 지시기용으로 사용되는 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.
<목적>종래의 고유전율 유전체 재료가 지니고 있는 문제점인 산화납의 휘발 및 불순물의 혼입에 의한 유전특성 저하를 해결하기 위해 유전특성이 우수하고 양산성이 있는 고유전율의 고주파용 저온소결 유전체 재료를 제공하기 위한 것이다. <구성>중량비로 BaO 9.8%+PbO 13%+Nd2O3 36.65%+TiO2 39.2%+Pr6O11 0.65%를 기본조성으로 하여 산화규소 및 규산염계 화합물을 소결조제로 소량 첨가한다. <효과>유전특성과 소결성의 증진이 이루어지며 원료분말이나 공정수행중에 혼입되는 불순물이 첨가제에 흡수되어 산화납의 휘발이 억제되므로 우수하고 균일한 유전특성을 갖는 고주파용 유전체 소자의 대량생산이 가능하다.1. 중량비로 BaO 9.8%+PbO 13%+Nd2O3 36.65%+TiO2 39.2%+Pr8O11 0.65%를 기본조성으로 하여 소결조제가 첨가된 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 재료.2. 제1항에 있어서, 상기 소결조제는 SiO2인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 재료.3. 제1항에 있어서, 상기 소결조제는 Al2O3인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 재료.4. 제1항에 있어서, 상기 소결조제는 CaO인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 재료.5. 제1항에 있어서, 상기 소결조제는 CaSiO3인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 재료.6. 제1항에 있어서, 상기 소결조제는 CaOAl2O3SiO3인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 재료.7. 제1항에 있어서, 상기 소결조제는 SiO2, Al2O3, CaO중 적어도 두 종류 이상의 첨가제가 혼합된 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 재료.8. 제1항에 있어서, 상기 소결조제는 CaSiO3, CaOAl2O3SiO2이 혼합된 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 재료.9. 제1항 또는 제3항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 상기 소결조제는 중량비로 0.2~4%인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 재료.
[구성]본 발명은 원격지에 있는 로봇팔에 달린 그리퍼와 그리퍼가 접촉하는 작업대상물 사이의 촉각 정보를 중앙 제어실에 있는 작업자에게 전달하여 더욱 정교하고 효과적인 작업을 할 수 있도록 하는 전자석의 흡인력을 이용한 원격조종로봇용 촉각궤환장치에 관한 것으로, 종래의 공압이나 형상기억합금을 사용한 촉각궤환장치에 있어서는 그리퍼와 그리퍼가 접촉하는 촉각정보를 중앙제어실에 있는 작업자에게 정확히 전달할 수 없게되는 문제점이 있었다. 이러한 점을 감안하여, 촉각센서로부터 측정된 촉각정보를 접촉유형분석기부에서 적당한 주기마다 신호들을 한 부류로 묶고, 그 형성된 신호 군들의 변화 추세를 이미 얻어진 접촉 유형 데이터베이스를 토대로 하여 각 경우에 맞게 변화시키고, 촉각궤환소자 구동회로부에서 전류로 변환하여, 각각의 촉각궤환소자를 구동시키게 하며, 상기 촉각궤환소자를 5 x 5 어레이 형태로 구성하여 상기 촉각정보를 어레이 단위로 궤환되도록 함과 아울러 연속적인 출력제어가 가능하도록 함으로써, 원격지의 촉각정보를 작업자에게 정확히 전달하여 정교하고 효과적인 작업을 수행할 수 있게 한 것이다.1.촉각정보를 입력받아, 그에 따른 접촉유형을 분석하여 명령신호를 출력하는 접촉유형 분석기부와, 상기 접촉유영 분석기부에서 출력되는 명령신호를 전류로 변환하여 공급하는 촉각궤환소자 구동회로부와, 상기 촉각궤환소자 구동회로부로 부터 공급되는 전류에 따라 고정프런저와 이동프런저사이의 흡인력이 변화하여 촉각력을 제어하는 촉각궤환소자로 구성하여 된 것을 특징으로 하느 전자식의 흡인력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각궤환장치.2.제 1항에 있어서, 촉각궤환소자는 초침이 이동할 수 있도록 중심이 빈 파이프형의 고정프런저에 상기 촉침과 연결되어 있는 이동프런저의 이동을 안내해주는 보빈을 삽입시켜,그 위에 코일을 조밀하게 감고, 상기 권회된 코일외곽을 셀(shell)로 감싼 구조로 구성된 것을 특징으로 하는 전자석의 흡인력을 이용한 원격조종로봇용 초각궤환장치.3.제 1항 또는 제 2항에 있어서, 촉각궤환소자를 어레이 형태로 배열하여 구성된 것을 특징으로 하는 전자석의 흡인력을 이용한 원격조종로봇용 촉각궤환장치.4. 제 1항에 있어서, 접촉유형 분석기부는 촉각센서의 배열형태의 측정점들 각각으로부터 입력되어진 신호들을 짧은 샘플링 시간을 기준으로 하여 어레이 단위의 촉각신호군으로 묶어주고, 그 촉각신호군을 단위로 하여, 일정 개수의 집합들의 변화추헤를 분석하여, 미리 실험 혹은 이론을 통해 얻어진 대표적인 접촉유형 데이터베이스중 어느 분류에 속하는지를 검색하고, 그 속한 대표 접촉유형을 기준으로 하여 평균 촉각신호군의 힘 크기, 분포에 따라 적절히 변화를 주어 각각의 촉각궤환소자 구동회로부에 해당명령신호를 인가하게 구성된 것을 특징으로 하는 전자석의 흡인력을 이용한 원격조정 로봇용 촉각궤환장치.5. 제 2항에 있어서, 촉각궤환소자는 보빈을 이동프런저의 이동부분만 안내할 수 있도록 짧게하여, 고정프런저에 삽입시킨 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 전자석의 흡인력을 이용한 원격조종로봇용 촉각궤환장치.6.제 1항에 있어서, 로봇의 작업수행시, 그리퍼와 그리퍼가 접촉하는 작업대상물 사이에 작용하는 접촉력을 측정하는 촉각센서와, 상기 촉각센서의 측정신호를 증폭하여 접촉유형 분석기부에 송신하는 인터페이스부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전자석의 흡인력을 이용한 원격조종 로봇용 촉각궤환장치.7. 촉각궤환소자 구동회로부로부터 권선코일에 전류가 공급됨에 따라, 그로부터 발생되는 자기장이 고정프런저를 관통한 후 셀(shell)표면을 타고 유도되어, 상기 고정프런저와 소정거리 떨어져 있는 이동프런저로 되돌아오는 자기장 경로가 형성되게 하여, 상기 고정프런저의 하단면과 상기 이동프런저의 상단면이 서로 반대극성을 띠어 그 이동프런저를 잡아 당기게 하고, 상기 이동프런저를 잡아 당김에 따라 그 이동프런저 에 부착되어있는 촉침이 상기 고정프런저의 내부를 관통해 이동하여 그 촉침위에 위치한 피부에 촉각력을 전달하게 촉각궤환소자를 구성한 것을 특징으로 하는 전자석의 흡인력을 이용한 원격조종로봇용 촉각궤환장치.8. 제 7항에 있어서, 이동프런저와 고정프런저의 양접합면을 경사지게 형성하여 이동변위를 증대시키게 구성된 것을 특징으로 하는 전자석의 흡인력을 이용한 원격조종로봇용 촉각궤환장치.