ㅇ 본 기술의 목적: 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 특히 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 킹크전류(KINK CURRENT)를 억제하기 위해 두 개의 게이트 전극을 비대칭적으로 형성한다. 그리고 드레인 접합에 형성된 홀(HOLE)이 소스 전극까지 도달하는 것을 억제하여 포화 영역에서 킹크 전류가 억제되는 비대칭 듀얼 게이트를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다. ㅇ 기술 요약 및 특징:본 기술의 목적을 달성하기 위하여 본 기술의 비대칭 듀얼 게이트를 갖는 박막 트랜지스터는 제1 게이트 및 제 2 게이트로 된 듀얼 게이트와, 소스 및 드레인을 포함하는 듀얼 게이트 구조의 박막 트랜지스터에 있어서, 소스에 인접한 제1 게이트아래의 채널은 선형동작영역(linear operating mode)에서 동작하고, 드레인에 인접한 제2 게이트 아래의 채널은 포화동작영역(saturation operating mode)에서 동작하도록 제1 게이트의 길이는 제2 게이트의 길이보다 길게 형성되며, 제1 게이트와 제2 게이트 사이에는 부동 전위를 갖는 고농도 도핑 영역이 형성됨으로써 킹크 전류(kink current)를 억제함을 특징으로 한다.본 기술의 목적을 달성하기 위하여 비대칭 듀얼 게이트를 갖는 박막 트랜지스터 제조방법은 (a) 기판 위에 다결정 실리콘 박막을 형성하는 과정과 (b) 다결정 실리콘 박막 위에 게이트 절연층 및 게이트 전극층을 증착하는 과정과 (c) 게이트 패터닝을 위한 사진 및 식각공정을 통해 게이트 전극층 및 게이트 절연층을 식각함으로써 제1 게이트의 길이가 제2 게이트의 길이에 비해 길게 형성되어 비대칭 구조를 갖는 듀얼 게이트 전극을 형성하는 과정과 (d) 불순물을 이온주입한 다음 활성화하여 제1 게이트 측에는 소스를 형성하고, 제2 게이트 측에는 드레인을 형성하며, 제1 게이트와 제2 게이트 사이에는 고농도 도핑영역을 형성하는 과정 및 (e) 층간 절연층 및 금속배선을 형성하는 과정을 포함함을 특징으로 한다. 본 기술에 의한 비대칭 듀얼 게이트를 갖는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 킹크전류를 효과적으로 억제하여 일정한 출력 저항을 형성하여 아날로그 회로에서의 오동작을 방지할 수 있다. 이는 기존의 박막 트랜지스터-LCD 주변 회로는 물론, 최근 각광받고 있는 유기발광소자 (Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AM-OLED)에서도 적용될 수 있는 구조로서 추가의 마스크 공정 없이 제작이 가능하고 별도의 전극이 필요 없다는 장점이 있다.
<기술의 개요>본 기술은 측면 전계 방출을 이용한 2-축 가속도 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로 기존의 전계 방출을 이용한 가속도 센서는 수직형 전계 방출을 이용하기 때문에 1-축에 대한 가속도 밖에 측정 할 수 없지만, 본 기술에서는 측면 전계 방출을 이용하기 때문에 2-축에 대한 가속도를 동시에 측정할 수 있으며 화학 기계적 연마방식을 이용하여 탐침 간격이 매우 좁은 탐침 전극을 제조하기 때문에 낮은 전압에서 동작을 하게 되고 또한 기존의 높은 전압에 의한 정전기력을 이용하여 탐침을 가까이 가져오는 단계가 필요하지 않게 됨. 전계 방출을 이용하면 다른 방식의 가속의 감지 방법에 비해서 높은 감지도와 민감도를 가진다.<기술의 특징> - 2-축에 대한 가속도를 동시에 측정할 수 있는 2-축 가속도 센서를 제조할 수 있도록 함. - 전계 방출을 위한 탐침 간격을 줄이기 위한 별도의 전극 없이 터널링이 일어날 수 있는 충분히 가까운 거리를 가지는 전극을 가지는 2-축 가속도 센서를 제조할 수 있도록 함.<기술의 효과> - 저전압 동작이면서 2-축에 대한 가속도를 매우 정확하게 감지할 수 있음. - 터널링 전류의 요동 (fluctuation)을 줄이기 위해 전계 방출용 탐침의 개수를 여러 개로 하여 그 효과가 평균화되어 요동의 영향을 줄일 수 있음.
<기술의 개요> 본 기술은 다중양자우물(multiple quantum well) 수직입사 적외선 탐지소자(infrared photodetector) 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 기술의 적외선 탐지소자는 상면에 이방성 경사면이 형성된 기판 전기 기판의 이방성 경사면 상에 형성되며 수직입사된 빛을 탐지하기 위하여 표면 내부가 하향으로 경사지도록 형성된 다중양자우물 전기 다중양자우물의 상단과 하단에 형성되어 접지전극과 감지전극을 부설하기 위한 접지층 및 감지층 및, 전기 접지층 및 감지층 각각에 부착 형성되어 다중양자우물에서의 탐지된 결과를 외부로 전달하기 위한 접지전극 및 감지전극을 포함하며, 본 기술에 의한 다중양자우물 수직입사 적외선 탐지장치는 별도의 부대장치가 필요없이 적외선 탐자소자면에 대해 수직입사되는 빛을 효율적이고 감도높게 탐지할 수 있으며, 본 기술에 의해 적외선 탐지소자를 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.<기술의 특징>상면에 이방성 경사면이 형성된 기판과 수직 입사된 빛을 탐지하기 위하여 표면 내부가 하향으로 경사지도록 형성된 다중양자우물과, 다중양자우물의 상단과 하단에 형성되어 접지전극과 감지전극을 부설하기 위한 접지층과, 감지층 및 그 각각에 부착 형성되어 다중양자우물에서의 탐지된 결과를 외부로 전달하기 위한 접지전극 및 감지전극을 특징으로 한다.<기술의 장점> 별도의 부대장치가 필요없이 적외선 탐지소자면에 대해 수직입사되는 빛이 효율적으로 감도 높게 탐지됨.
1. 기술의 개요 목적 : 저항을 최소화하여 보다 우수한 성능의 열전모듈을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 효과: 열전모듈의 저온부 전극 접합시 열전소자와 전극 사이에 치밀하고 연속적인 도전층을 형성하고, 도전성 접착제를 사용하여 전극을 외부단자에 연결함으로서, 계면의 전기저항 값을 감소시켜 열전발전 및 열전 냉각용 모듈로서 실용성이 높은 열전모듈을 제조할 수 있다. 2. 기술의 특징열전모듈의 제조 방법에 있어서, 열전모듈의 저온부 전극 접합시 열전소자와 전극 사이에 치밀하고 연속적인 도전층을 형성하고 도전성 접착제를 사용하여 상기 전극에 외부단자를 연결하는 것을 특징으로 한다. 3. 기술의 연구개발 동향 종래의 전극 형성 방법으로는 금속 페이스트를 열전소재와 전극의 접합계면에 바르고 이를 열처리 하여 접합하거나 브레이징법에 의해 직접 접합하는 방법이 주로 사용되어 왔다. 그러나 금속 페이스트법의 경우에는 전극층이 치밀하지 못하고 기공도가 높음으로 인하여 고온의 열처리시 열전소자 표면에 산화층이 형성됨으로써 접합계면의 저항이 증가하는 단점이 있으며 브레이징법의 경우에는 소재와 접합재와의 열팽창 계수 차이 및 습윤성 등을 해결해야 하는 문제점이 있다.
본 발명은 링형 공진기에서 대칭되는 위치에 각 출력단을 위치시킴에 의해 불평형 위상 특성을 얻고, 입출력단 선로간의 임피던스 차를 부여함에 의해 입출력 신호의 불평형-평형 변환을 수행하는 발룬-대역 통과 필터에 관한 것이다. 본 발명은 유전체로 이루어진 기판과; 양단부가 연결되며 각각 λ/4 길이의 제1 및 제2 선로와, 양단부가 각각 상기 제1 및 제2 선로의 양단부에 연결되며 λ/2 길이의 제3선로와, 상기 제3선로의 중간에 수직방향으로 연장 형성되는 개방 스터브 선로를 구비하여, 전체적으로 사각형상으로 이루어지며 상기 기판 위에 마이크로스트립 선로를 사용하여 형성되는 한 파장 링 공진기와; 상기 제1 선로와 제2 선로 사이의 연결부분에 결합되어 외부로부터 입력신호를 링 공진기로 인가하기 위한 입력단과; 상기 제1 선로와 제3 선로의 일측단부 사이의 연결부분에 결합되어 상기 링 공진기로부터 제1출력신호를 발생하는 제1출력단과; 상기 제1 선로와 제3 선로의 타측단부 사이의 연결부분에 결합되어 상기 링 공진기로부터 제1출력신호와 180˚ 위상차를 가지며 동일한 크기의 제2출력신호를 발생하는 제2출력단으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 몰드 처리방법에 관한 것으로서, 소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드를 마련하는 단계와; 상기 몰드의 표면에 수산화기 또는 아미노기를 도입하는 단계와; 상기 몰드에 다음 화학식 1로 표현된 표면처리 물질을 가하여 비접착 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.화학식 1.(여기서 R1은 서로 같거나 다를 수 있으며 CH3, F, CF3 중 어느 하나이고, R2는 상기 수산화기 또는 아미노기와 반응가능한 관능기임)이에 의해 몰드와 유기층 간의 접착을 감소시키는 몰드처리방법이 제공된다. 대표청구항) 소정의 패턴이 형성되어 있는 몰드를 마련하는 단계와;상기 몰드의 표면에 수산화기를 도입하는 단계와;상기 몰드에 다음 화학식 1로 표현된 표면처리 물질을 가하여 비접착 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드 처리방법.화학식 1.여기서 R1은 서로 같거나 다를 수 있으며 CH3, F, CF3 중 어느 하나이고, R2는 상기 수산화기 또는 아미노기와 반응가능한 관능기임.