일반기술
전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
일반적으로 리크로자는 전원측 단자와 부하 측 단자 사이에 구비된 진공 차단기 내의 점점이 분리되어 개방되어도 진공 차단기의 파손에 의한 절연 불량으로, 접점이 통전되는 고장이 발생하였을 경우에 어느 1상이 개방되지 않고 계속하여 부하측 단자에 전원이 인가되어도 확인할 수 없으므로, 작업자는 리크로자가 개방된 줄만 알고 작업하려다 감전 사고를 당하는 산업 재해가 발생한다.본 기술은 리크로자 개방시 전원측 단자와 부하측 단자 사이에 구비된 진공 차단기의 파손, 불량에 의한 고장으로, 3상의 접점중, 1상의 접점이 개방되지 않은 경우에 부하 측의 통전 여부를 표시하도록 하여 감전 사고의 산업 재해를 방지한다.본 기술은 전원측 배전선로로부터 고전압이 인가되는 전원인가선를 통해 전원이 인가되는 제1 내지 제3 전원측 단자와, 제1 내지 제3 전원측 단자에 인가되는 전원을 전원인가선를 통해 부하 측 배전선로에 인가하는 제1 내지 제3 부하측단자와, 제1 내지 제3 부하 측 단자에 취부되어 제1 내지 제3 전원측 단자로부터 인가되는 전원을 감지하고, 제어함에 제어정보가 되는 부하측 선로전류의 변화를 감지하는 제1 내지 제3 부싱 변류기와, 제1 내지 제3 전원측 단자와 제1 내지 제3 부하측 단자 사이에 설치되어 외부 개방장치에 의해 제1 내지 제3 전원측 단자로부터 제1 내지 제3 접점을 개방하여 제1 내지 제3 부하측 단자로 인가되는 전원을 차단하거나, 외부 투입장치에 의해 제1 내지 제3 전원측 단자에 제1 내지 제3 접점을 연결하여 제1 내지 제3 부하측 단자로 전원을 인가하는 제1 내지 제3 진공 차단기로 구성하며. 제어함내에 구비되어 상기 제1 내지 제3 부싱 변류기의 2차측 단자에 각각 연결되어 그 2차측 단자에 유기된 전압에 의해 제1 내지 제3 접점의 통전 상태를 표시하는 제1 내지 제3 표시부를 포함하여 구성되어 있다.이러한 구성으로 이루어진 본 기술은 리크로자 내부의 구비된 진공 차단기의 접점이 안전하게 개방이 되었는지를 외부에서 발광 다이오드를 보고, 눈으로 쉽게 확인 할 수가 있고, 눈에 보이지 않는 내부 고장을 미리 알 수 있으므로, 작업자가 리크로자가 개방이 된 줄만 알고 작업하려다, 감전을 당하는 산업재해를 예방할 수 있다.
- 보유기관
- 한국전력공사
- 등록일
- 2006-03-14
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일반기술
전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
본 기술은 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 상기 양극 상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있다. 상기 전이 금속층의 예로는 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co막을 들 수 있다. 상기 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고, 상기 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 본 기술의 유기 발광 다이오드는 양극막과 정공 수송층 사이에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮출 수 있다.본 기술은 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있는 유기 발광 다이오드를 제공 하는 데 있으며, 또한, 상기 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮출 수 있는 유기 발광 다이오드의 적합한 제조 방법을 제공하는 데 있다 본 기술의 유기 발광 다이오드는 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 상기 양극상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 양극은 ITO막으로 구성할 수 있다. 상기 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있다. 상기 전이 금속층의 예로는 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co을 들 수 있다. 상기 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성 되어 있고, 상기 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 상기 정공 수송층은 α-NPD로 구성할 수 있다. 상기 발광층은 Alq3로 구성할 수 있다. 상기 음극은 Al막으로 구성할 수 있다. 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 기술의 유기 발광 다이오드의 제조 방법은 유리 기판 상에 양극을 형성한 후, 상기 양극 상에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성한다. 상기 양극은 ITO막으로 형성할 수 있다. 상기 정공 주입층을 구성하는 전이 금속층은 Ir, Ru, V, Rh, Ni 또는 Co로 형성할 수 있다. 상기 양극을 형성한 후 상기 양극에 산소 플라즈마 처리를 수행할 수도 있다. 상기 정공 주입층에 일함수를 크게 하기 위해 산소 플라즈마 처리를 수행한 후, 상기 산소 플라즈마 처리된 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성한다. 상기 정공 수송층은 α-NPD로 형성할 수 있다. 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성한 후, 상기 발광층 상에 음극을 형성한다. 상기 발광층은 Alq3로 형성하고, 상기 음극은 Al막으로 형성할 수 있다. 이상과 같이 본 기술의 유기 발광 다이오드는 양극막과 정공 수송층 사이에 전이 금속층으로 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮출 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
액정 표시 소자는 액정 분자의 배열 특성에 따라 광투과성, 응답시간, 시야각, 콘트라스트 등과 같은 표시소자로서의 기능이 결정된다. 따라서 액정 분자의 배향을 균일하게 제어하는 기술이 매우 중요하다.액정의 균일한 배향 상태는 단순히 액정을 상, 하기판사이에 개재시키는 것만으로는 얻기 힘들다. 따라서 투명전극층 상부에 액정의 배향을 위한 배향막을 형성하는 것이 일반적이다.상기 배향막으로는 기판상에 폴리이미드(polyimide) 등과 같은 유기 고분자 물질로 된 박막을 형성한 후, 상기 결과물을 특수형태의 천으로 러빙하여 형성된 배향막이 주로 이용되었다. 상기 러빙법은 실시하기가 용이하고 공정이 단순하기는 하지만, 러빙시 사용된 특수형태의 천으로부터 미세입자, 섬유소 등의 물질이 이탈되어 배향막을 오염시킬 수 있고, 배향막 재료에 따라서 배향이 잘 안되는 경우도 있다. 또한, 러빙시 발생하는 정전기에 의하여 박막 트랜지스터가 손상된다는 문제점이 있다.또한 광배향막 형성용 고분자를 사용하였으나 광배향성은 우수하지만, 가교반응후 대칭구조로 인해 액정의 프리틸트각을 소망하는 바대로 조절하기가 어렵다는 문제점을 가지고 있다. 본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 광배향성 폴리에스테르, 그 제조방법 및 이로부터 형성된 배향막을 구비하고 있는 액정 표시 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하기로는 고분자의 주쇄 성분으로서 아크릴계 화합물을 함유하고 있는 광배향성 폴리에스테르, 그 제조방법 및 상기 광배향성 폴리에스테르로 된 배향막을 구비하고 있는 액정 표시 소자에 관한 것이다.본 기술에서는 종전의 문제점을 해결하여 250 내지 400 nm 파장 범위에서 최대 자외선 흡수를 나타내어 광반응성이 우수한 신규한 광배향성 폴리에스테르 및 그 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은 광배향성 폴리에스테르로 된 배향막을 구비함으로써 액정 배향의 안정성이 우수하면서 액정의 프레틸트각을 임의로 조절함으로써 광시야각 성능을 향상시킬 수 있는 액정 표시 소자를 제공한다.결국 본 기술에서 폴리에스테르는 주쇄로서 아크릴계 화합물을 함유하고 있어서 250 내지 400nm 영역의 자외선을 흡수하여 반응하는 광반응성이 우수하여 광배향막 형성재료로 유용하다. 따라서 폴리에스테르를 포함하는 광배향막을 이용하면 광배향성이 우수하며 액정의 배향 특성이 우수할 뿐만 아니라 프리틸트각 특성이 향상된 액정 표시 소자를 제조할 수 있는 특징이 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
본 발명은 CMOS 이미지 센서의 단위픽셀에 관한 것으로서, 전송 전압을 바이어스 전압으로 이용하는전송게이트를 포함하는 구성을 갖는 PMOSFET형 광검출기를 이용하여 설계한 능동픽셀센서에 관한 것이다. PMOSFET형 광검출기를 이용한 능동픽셀센서는 광검출기 내부에 형성되는 채널의 에너지 밴드를 변화시키는 전송게이를 포함하는 광검출기를 이용함으로서, 전송게이트를 갖는 3-Tr구조로서 구현될 수 있는 장점이 있으며, 이에 따라 가변 광감도를 가지면서도 집적도가 향상되는 효과가 있다. 본 발명은 CIS를 구성하는 능동필셀센서에 있어서, 가변 광감도를위해 전송전압을 바이어스 전압으로 이용하여 광검출기의 소스와 드레인 사이에 형성되는 채널의 에너지 밴드를 조절하는 전송게이트를 포함하는 구성을 갖는 PMOSFET형 광검출기를 포함함으로서, 가변 광감도를 위해 구성하는 추가적인 MOSFET을 구성하지 않아도 되므로, 민감한 광특성이 유지되면서도 집적도가 향상될 수 있는 특징이 있다. 또한 상기 광검출기에 의해 인지되는 빛의 밝기에 따라 상기 전송전압의 종류, 크기 및 인가 시간을 조절함으로서, 빛의 밝기에 의한 잡음을 제어할 수 있는 장점이 있으며, 특히 민감한 광특성을갖게 되므로, 암전류에 으한 잡음을 제어할 수 있는 특징이 있다.
- 보유기관
- 경북대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
본 기술은 ITO 유리 표면에 소량 존재하는 친핵성 작용기인 히드록시기와 아지리딘 또는 아지리딘 동등체(equivalent)를 직접 반응시킴으로써 단일공정을 통해 기질 표면에 높은 밀도의 아민기를 가지는 분자 층을 도입하는 방법에 관한 것으로,본 기술에 의하면 ITO 유리 표면에 아민기를 포함하는 분자 층을 간편하게 도입할 수 있으므로 생체 분자를 포함하는 많은 분자들을 표면에 화학결합을 통해 부착시킬 수 있고, 단백질 칩 등 대부분의 생체 분자 칩을 제작하는데 있어 기본적인 기술을 제공할 수 있으며, 표면에서의 분자 특성 연구에도 중요한 역할을 할 수 있다.또한 본 기술은 차세대 디스플레이로 각광받고 있는 유기 EL 또는 고분자 EL의 기판으로 사용되는 ITO 유리 표면에 화학결합을 통해 유기분자를 부착할 수 있는 방법을 제공한다.본 기술에 따르면,1)ITO 유리에 아민기 함유 분자층을 안정되게 형성시킬 수 있으며,2)이와 같이 아민기 함유 분자층이 형성된 ITO 유리는, 바이오칩을 비롯한 생체 분자가 결합되어 있는 모든 칩을 개발하는데 매우 중요한 기판으로서 제공되고,3)기판 표면에 원하는 분자들을 고정하고, 이들의 성질, 특히 전기적인 특성을 밝히는 표 면 연구에도 중요한 전극 기판으로 제공될 수 있다.4)또한, EL 소자를 만드는데 있어 빛을 낼 수 있는 고분자를 ITO 유리 표면에 화학결합 을 통해 결합시킴으로써 고분자 박막의 안정성을 높일 수 있으며,5)표면에 도입된 고분자의 일함수도 커져 그 효율이 향상된 EL 소자를 제공할 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-06-12
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전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
본 기술은 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조 및 그 제조방법을 제공한다.본 기술의 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조는 Bi2Sr2CaCu2O8+x와 같은 고온초전도체 단결정을 포토리소그래피(photolithography)나 전자선 리소그래피(e-beam lithography)를 이용한 미세 패터닝(micropatterning) 공정과 건식 식각(dry etching) 공정을 이용하여 패턴닝하고, 양면 벽개가공 기법을 이용하여 제조한다.이에 따라, 본 기술은 Bi2Sr2CaCu2O8+x와 같은 고온초전도체 단결정이 선천성으로 매우 얇은 CuO2 초전도층과 절연층(insulating layer)의 조셉슨 접합으로 구성되는 층상 구조를 양면에서 가공함과 동시에 층상구조의 두께와, 상기 층상 구조에 포함된 조셉슨 접합의 수를 제어할 수 있다.본 기술의 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조 및 그 제조방법에 의하면, Bi2Sr2CaCu2O8+x와 같은 고온초전도체 단결정을 미세 패터닝(micropatterning) 공정과 건식 식각(dry etching) 공정을 이용하여 패터닝한다.1)이에 따라, Bi2Sr2CaCu2O8+x와 같은 고온초전도체 단결정이 선천성으로 매우 얇은 CuO2 초전도층과 절연층(insulating layer)의 조셉슨 접합으로 구성되는 층상 구조의 형태 및 두께와, 상기 층상 구조에 포함된 조셉슨 접합의 수를 제어하며 층상구조의 양 면을 임의로 가공할 수 있다. 2)또한, 본 기술의 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조 및 그 제조방법에 의하면, 초전 도체 단결정을 박막처럼 사용할 뿐만 아니라, 초전도체 단결정 기저부가 제거된 선천 성 조셉슨 접합으로 구성된 층상 구조의 상하 양면에 초미세 가공을 가할 수 있어 한 면에만 초미세 가공이 가능한 박막의 경우보다 다양한 미세 형상의 성형이 가능하다. 3)따라서, 본 기술의 양면 가공한 고온 초전도체 조셉슨 접합 단상 구조 및 그 제조방법 은 테라 헤르츠(THz) 발진소자 이외에 선천성 고온 초전도 조셉슨 접합을 이용한 전 압 표준 소자, 믹서(mixer), 초전도 양자 간섭 소자(superconducting quantum interference device(SQUID)) 등의 능동 소자에 이용될 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
본 기술은 고온초전도 선천성 조셉슨 접합을 이용한 초전도 양자간섭소자(Superconducting Quantum Interference Device; SQUID) 제조 방법에 관한 것이다. 일반적으로 알려진 직류(直流; dc) 양자간섭소자(SQUID)는 초전도 환 (superconducting ring)에 조셉슨접합(Josephson junction)이 두 개 삽입된 형태를 지닌다. 이와 같은 SQUID 소자는 극미세한 자장의 변화에 대해 고감도의 전압 출력을 낼 수 있는 장점을 지니고 있다. 직류(dc) SQUID는 일반적으로 사용되는 자기검출용 소자인 자기저항소자(磁氣抵抗素子)와 홀(Hall) 소자 등에 비하여 적어도 1000 내지 10만배 이상 높은 감도로 자장변화를 검출할 수 있으므로 매우 감도가 높은 자력계(magnetometer) 및 자장 구배측정기(magnetic field gradiometer) 등으로 사용될 수 있으며, 소자의 탐지부를 적절히 변화시킴으로써 감도가 탁월한 전압계(voltmeter), 전류계(ammeter), 저항계(resistance meter) 등으로도 사용될 수 있어, 의학, 군사분야, 자원탐사, 기초과학 연구 등에 활용도가 매우 높은 소자이다.본 기술에서 고안한 고온초전도체 선천성 조셉슨접합을 이용한 직류(dc) SQUID 소자의 제조 기법에서는 그 제조가 불가능한 인공적인 고온초전도체 조셉슨접합을 이용하는 대신 고온초전도체 단결정에 자연적으로 형성되는 조셉슨접합을 이용하고 있다.즉 고온초전도체는 단결정에서 자연적으로 발생하는 조셉슨접합의 특성을 이용하여 단결정에 양면벽개 공정을 이용하여 고온초전도 환상구조(circular shape)를 형성하며 동시에 환상 내에 선천성 조셉슨 접합을 포함되게 함으로써 고온초전도 SQUID를 제조하는 것을 가능하게 한다.본 기술에서 고안된 조셉슨접합이 두 개 삽입된 형태의 SQUID의 용도는 다음과 같다.(1)매우 감도가 높은 자력계, 전압계, 전류계, 저항계 및 자장구배측정기 등으로 사용되며,(2)뇌파탐지 등을 위한 의학분야 응용, 해저 잠수함 탐지 등을 위한 군사분야 응용, 자원탐사, 미세 자기 및 전기 신호 측정을 위한 기초과학 연구 등에 점차 활용도가 증대되고 있다.4 K 근처의 극저온 환경 하에서만 작동이 가능한 저온초전도 SQUID 소자에 비해 고온초전도 SQUID 소자의 특징은 다음과 같다. (1)저온초전도 소자보다 10-20 배 높은 온도영역에서 작동이 가능하게 되어 측정 온도 범위를 확대할 수 있고(2)그에 따라 액체 질소를 냉매로 사용할 수 있어 소자의 작동 경비를 현저히 감소시킬 수 있는 경제적인 이점을 가지고 있어 매우 활용도가 높은 소자로 인정되고 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
유기발광소자(OLED)는 형광 또는 인광 유기층에 전류를 흘려주면, 전자와 정공이 유기층에서 결합하면서 빛이 발생되는 현상을 이용한 자발광형 소자이다. 유기발광소자는 외부발광효율이 제품의 발광효율을 판별하는 기준이 되는데, 이는 내부양자효율과 광학연계효율에 의하여 결정된다. 이중 광학연계효율은 내부반사에 의해 주로 저하되어 내부양자효율에 비해 상대적으로 매우 낮다.그래서, 종래에는 내부반사를 차단하면서 광학연계효율을 향상시키기 위한 기술들이 개발되었는 바, 기판 뒷면에 마이크로렌즈를 패터닝하거나, 200nm 크기의 광결정 구조를 기판에 패턴닝하는 방법, 400~450nm 크기의 홀이 있는 AAO(Anodic Aluminum Oxide) 필름을 사용하여 방법들이 공지되었다. 그러나, 이 종래기술들은 실제 유기발광소자 제품을 제작하는 경우에 나노미터급 패턴을 형성시키기 어렵고, 그 제작비용도 높아지며, 대면적 박막 제작이 어렵고, 생산성이 낮은 문제점이 있다.이 발명의 유기발광소자는 빛을 통과시키는 기판, 상기 기판 상에 형성되면서 광결정(photonic crystal) 구조를 갖는 광결정층, 상기 광결정층 상에 형성되면서 상기 광결정층에 비해 높은 굴절률을 갖는 중간층, 상기 중간층 상에 형성되는 제1전극층, 상기 제1전극층 상에 형성되면서 전류의 흐름에 따라 빛을 발광하는 발광층, 및 상기 발광층 상에 형성되는 제2전극층을 포함한다.또한, 이 발명의 유기발광소자의 제조방법은, 기판 상에 광결정층을 형성하는 광결정층 형성단계, 상기 광결정층에 비해 높은 굴절률을 갖는 중간층을 상기 광결정층 상에 형성하는 중간층 형성단계, 및 상기 중간층 상에 제1전극층, 발광층, 제2전극층을 순차적으로 적층 형성하는 전극 형성단계를 포함한다. 이 광결정층 형성단계는 상기 기판 상에 상기 광결정층 소재를 도포하는 도포단계 및 상기 광결정구조의 표면 형상을 갖는 마스크로 상기 광결정층 소재를 임프린트시켜서 광결정을 형성시키는 임프린트단계를 포함한다.
- 보유기관
- (주)티티엠시스
- 등록일
- 2008-12-29
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일반기술
전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
□ 기술개요- 해당 기술은 분진, 연기, 수증기 등 기존의 위치결정 및 제를 위한 검출방식이 사용되기 어려운 환경에서 위치 검출이 가능한 기술이다. 기존에 위치 결정을 위해 사용되는 방법은 LASER 거리측정, 초음파거리측정 등을 주로 사용하고 있다. 이러한 방법은 매우 정확하고 정밀한 측정방법이다. 그러나 산업현자에서 고분진 환경이나 수증기 연기 등이 많이 발생하는 경우 이러한 광학식 및 초음파식 장치는 측정에 영향을 받으며 심각한 경우 오동작으로 이어질 수 있어 위험한 상황이 발생하기도 한다.해당 기술은 자기센서의 array를 이용하여 위치를 측정하게 되므로 내환경성이 보장되어야 하는 열악한 환경에서의 크레인의 위치제어 이송장치의 절대위치 측정 등에 매우 유용한 기술이다. □ 기술특징1.기술성 해당 기술은 전술한 바와 같이 내환경성이 필요한 작업조건에서 유용하다. 특히 제철산업 및 가열로를 이용하는 분야 등에서 용해로를 이송하거나 용융된 재료를 이송하는 크레인 등에 용이하게 사용될 수 있다. 이러한 경우 발생되는 대량의 연기 및 분잔 등에서 오차가 발생할 수 있는 광학식 및 초음파 식과 달리 자기센서를 이용하므로 검출과정이 환경에 영향을 받지 않으며 특히 장치의 성능관리를 위한 유지보수과정이 거의 필요없으므로 장수명의 안정된 사용이 가능한 위치 결정 방식이 될 수 있으며, 자기센서의 설치위치를 기준으로 하므로 절대위치의 산정에도 매우 유리한 방식이 된다. 2.기술동향 현재 사용중인 위치제어방식은 거의 LASER, 엔코더, 초음파 등을 이용하고 있으며 위에서 제시된 자기센서를 이용한 기술은 직접적으로 사용되고 있지 않음3.사업성 내환경성이 필요한 화학, 환경, 제철 분야 등에서 원료이송 장치, 크레인 등의 위치제어를 하기 위하여 직접적으로 사용할 수 있으며 이를 응용한 다양한 위치제어 및 측정이 가능할 것으로 판단됨
- 보유기관
- (재)울산테크노파크
- 등록일
- 2009-01-15
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전기·전자 > 표시 미소 전자시스템 소자
□ 기술개요- 목적 : 산업용 기계구조물을 구성하고 있는 기계류 부품이나, 프레임 등의 내부에 균열이 발생할 때 발생되는 미세한 음향을 감지하여 신호로써 분석함으로써 균열발생의 위치와 안전조치를 사전에 실시할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.- 구성 : 3개 또는 4개의 음향방출센서를 시험편에 설치하고 음향방출센서에 연결되어 전달된 신호를 분석하며, 시험편의 균열시 동일한 시간동안 음향방 출센서에 도달하는 음향을 연산하여 거리를 연산함을 포함하여 구성된다.- 효과 : 균열발생 및 균열의 진전에 의해 파괴에 이르기 전에 미리 능동적으로 균열이 진전되지 않도록 대처하여 대형 사고를 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다. □ 기술특징종래에는 균열발생에 의해 교량이 부서지는 등의 돌발적인 사고를 방지하기 위하여 교량의 경우 교각에 스트레인게이지를 부착하여 교량의 휘어짐을 감지하거나 센서 등을 부착하여 교량의 이상 유무를 감지하고 있다. 또한 원자로의 경우에도 구조재의 표면에 스트레인게이지나 음향센서 등을 부착하여 사용 중에 변형이 임계 이상으로 발생하거나 균열이 발생하게 되면 세서로 감지하여 변형이나 균열이 발생하는 것을 감지할 수 있다. 그러나 이것들은 단지 구조재가 시간이 지남에 따라 변형이나 균열이 발생됨을 알려주는 수동적인 것에 불과하며 어느 위치에 균열이 발생할 것이지는 알 수가 없는 문제점이 있다. 하여 본 기술에서는 3개 이상의 음향방출센서를 부착하여 파괴에 이르기 전에 재료 내부에서 발생하는 균열을 감지하여 균열의 위치를 확인하는 것으로 균열발생에 의한 대형 사고를 미연에 방지하도록 하였다.
- 보유기관
- (재)울산테크노파크
- 등록일
- 2009-01-15
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