일반기술
화학 > 유기금속화학
본 기술은 나노소재의 팁(tip) 부위에 금속이 선택적으로 증착된, 금속/나노소재 이종접합구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 금속/나노소재 이종접합구조체는 나노 크기의 전자소자, 센서, 광소자, 자성소자 등에 이용될 수 있다.본 기술에 따르면, 다양한 증착법을 이용하여, 기재 위에 수직 내지는 일방향, 바람직하게는 수직으로 성장된 나노소재에 금속을 증착시킴으로써 나노소재의 팁 부위에 금속이 선택적으로 증착된, 금속/나노소재 이종접합구조체를 제조할 수 있다.본 기술에 따른 유기금속 화학증착법에 의하면, 금속 촉매를 사용하지 않아 나노선 또는 나노막대의 팁 부위에 금속 촉매가 잔류할 가능성이 없고 나노선 또는 나노막대가 기재에 대해 수직으로 성장하고 그 두께와 길이가 균일하며 직경도 200nm 이하의 작은 범위, 바람직하게는 수 나노미터까지 작게 조절할 수 있어, 금속 증착을 통한 이종접합구조체의 제조가 훨씬 수월하다.본 기술에 사용가능한 금속의 구체적인 예로는 금(Au), 구리(Cu), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni) 및 이들의 합금을 들 수 있다. 금속을 증착하는 방법으로는 통상적인 증착방법을 모두 사용할 수 있으며, 스퍼터링(sputtering), 열 또는 전자빔 증발법(thermal or e-beam evaporation), 펄스 레이저 증착법(pulse laser deposition), 분자 빔 증착법(Molecular beam epitaxy) 등과 같은 물리적인 성장방법 뿐만이 아니라, 화학증착법(CVD) 등과 같은 다양한 방법이 적용될 수 있다. 필요에 따라, 금속 증착된 나노소재를 열처리할 수 있다.본 기술은 금속/나노소재 이종접합구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 나노소재의 팁에 선택적으로 증착되며, 금속과 나노소재 사이의 계면이 매우 뚜렷해서 이를 이용한 나노소자 제작이 매우 용이하다. 특히, 다양한 금속의 증착이 가능하기 때문에 오믹 및 샤트키 등의 금속전극을 증착해서 샤트키 다이오드나 광소자 등의 다양한 나노소자의 핵심부품을 제조할 수 있다. 이뿐만이 아니라 망간, 철, 코발트. 니켈 등의 전이금속도 증착이 가능하기 때문에 전이금속의 자성특성을 이용한 나노스케일의 자성소자의 제조도 가능하다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
화학 > 유기금속화학
본 기술은 유기금속 착체, 및 상기 착체를 이용하여 반도체 소자용 게이트 절연막으로 유용한, 금속 실리케이트 박막을 화학증착시키는 방법에 관한 것이다.종래의 기술에 의한 금속 실리케이트 박막 증착시, 전구체로 사용되는 할로겐 화합물로부터 박막 내 할로겐 원소가 함입되어 부식을 일으키고 전기적 특성을 저하시키는 문제가 있어 왔다.본 기술은 종래 기술의 문제점을 해결하고자 규소와 금속 원소 둘다를 포함하는, 특정 구조의 유기금속 착체, 및 상기 착체를 사용하여 목적하는 조성의 금속 실리케이트 박막을 용이하게 제조할 수 있는 화학증착법을 제공한다.본 기술의 증착방법은 두 가지 전구체를 사용하는 종래의 박막 증착법에 비해 증착공정을 단순화시킬 수 있고 공정시간 또한 단축시킬 수 있으며, 증착온도와 같은 증착조건을 변화시켜 박막의 조성을 용이하게 조절할 수 있다. 따라서, 본 기술의 방법에 의하면, 목적하는 조성의 금속 실리케이트 박막을 간편하게 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 금속 실리케이트 박막은 게이트 절연막으로서 다양한 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다.
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- 포항공과대학교
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- 2006-05-18
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일반기술
화학 > 유기금속화학
본 발명은 유기전기 발광소자에 사용될 수 있는 폴리(스파이로바이플로레닐-2,7-비닐렌)[poly(spirobifluorenyl- 2,7-vinylene), (Spiro-PFV, X₂-Spiro-PFV)]과 폴리(플로레닐-2,7-비닐렌)(PFV) 유도체 및 이를 이용한 유기전기 발광소자에 관한 것이다.본 발명에서 합성된 폴리(스파이로바이플로레닐-2,7-비닐렌)계 및 폴리(알킬플로레닐-2,7-비닐렌) 유도체는 종래 유기전기 발광소자로 사용되던 PPV 유도체에 비해 발광고분자의 내열 특성과 전계에 대한 안정성 그리고 구동전압에 대한 발광특성이 크게 향상된 특성을 가진다.본 발명에서 합성된 발광고분자는 기존의 PPV계 고분자보다도 분자량이 매우 높고 유기용매에 쉽게 용해됨으로 인해서대면적의 발광면적을 형성할 수 있으며, 플로렌기에 처음으로 비닐렌기를 도입한 Spiro-PFV, X₂-Spiro-PFV 및 PFV유도체를 Gilch 중합법으로 처음 합성하였으며 폴리(플로렌)계에서 발생하는 소자 구동시의 장파장 발광을 억제하기 위하여 스파이로바이플로레닐비닐렌 형태의 발광고분자 구조를 개발하였고 ITO 표면과의 접착성이 우수하도록 방향족 알킬또는 알킬옥시 치환기 또는 방향족 치환기를 도입됨으로써, 애노드 전극으로 사용되는 ITO 표면과의 접착성을 향상시켰다.또한 전자주입층과 전자전달층을 발광층과 캐소드 전극사이에 도입함으로 인하여 유기전기 발광소자의 발광효율이 크게향상되었다.
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- 부산대학교
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- 2006-05-18
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화학 > 유기금속화학
본 기술은 금속 착체 및 이를 이용한 금속 나노점의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는, 기화특성이 우수한 금속 착체, 및 상기 금속 착체를 사용함으로써 목적하는 금속 나노점을 용이하게 제조할 수 있는 유기금속 화학증착법(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition)에 관한 것이다.최근 각광을 받고 있는 나노 기술에서 나노점의 응용은 점차 많은 부분을 차지하고 있다. 예를 들어, 전자 장치, 수소 저장장치, 필터 등에 폭넓게 사용되는 탄소 나노튜브 제조시, 절연체 기재 위에 금속 나노점을 형성한 후 이 위에 탄소 나노튜브를 형성하는 경우 금속 나노점 위에서 선택적으로 분해반응이 촉진됨으로써 탄소 나노튜브가 빨리 생성된다.따라서, 이러한 촉매로서의 역할을 비롯하여 다양한 용도를 갖는 금속 나노점을 기판 위에 균일하고 조밀하게 형성하는 것이 요구되나, 나노점을 형성하기 위해 기존에 사용되던 초기 핵형성(nucleation)법으로는 나노점의 크기와 밀도를 균일하게 조절하기가 어려웠다.본 기술은 기화특성이 우수한, 특정 구조의 금속 착체, 및 상기 착체를 사용하여 목적하는 금속 나노점을 용이하게 제조할 수 있는 유기금속 화학증착법을 제공하는 것이다.본 기술의 금속 착체는 열적으로 안정하여 취급이 용이하고 0 내지 130℃에서 기화하는 등 기화특성이 우수하며, 중요하게는, 전구체로서 MOCVD에 적용시 기판 상에 금속 나노점을 형성하는 특성을 가진다.본 기술에 따른 금속 착체의 증기를 바람직하게는 100 내지 300℃로 가열된 기판에 접촉시켜 기판 상에 금속 나노점을 증착시킬 수 있다. 운반기체로는 아르곤과 같은 비활성기체 또는 질소를 사용할 수 있으며, 기판으로는 통상적인 것을 사용할 수 있는데, 구체적인 예로는 백금, SiO2, TiN 및 규소 등을 들 수 있다. 이때, 온도 및 시간과 같은 증착조건, 금속 착체(전구체)의 구조 및 기판표면의 상태를 변화시켜, 증착되는 금속 나노점의 크기(예: 1 내지 700nm)와 밀도를 조절할 수 있다.기화특성이 우수한 본 기술의 금속 착체는 MOCVD에 적용시 금속 나노점으로 용이하게 전환될 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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화학 > 유기금속화학
물리적인 수소 저장방법으로 수소를 고압 용기 내에 100기압 이상으로 압축 저장하여 사용하는 방법이 있으나, 이것을 수송 수단에 탑재하여 사용하는 것은 안전상 매우 위험하다. 그리고 다른 물리적인 저장 방법으로 수소를 끓는점(20.3K) 이하의 극저온에서 저장하는 방법이 있는데, 이 방법은 수소의 저장 부피를 상당히 줄여줌으로 많은 양의 수소를 저장할 수 있으나, 극저온을 유지하기 위한 부대 장치가 필요하게 됨으로 경제적인 측면에서 무리가 따른다.화학적인 수소 저장방법으로 수소저장합금을 이용한 수소저장법이 있다. 이는 수소를 효율적으로 저장할 수 있으나, 수소의 저장 및 방출을 반복적으로 수행할 경우 수소 내의 불순물에 의해 수소저장합금의 변형이 수반되어 수소 저장 용량이 떨어지는 문제점이 있는 것으로 알려져 있다. 그리고 금속합금을 저장 매체로 사용함으로써 단위 부피당 무게가 커져서 이동 수단에 탑재하여 사용하는 것은 힘든 단점이 있다.또 다른 수소의 저장 방법으로는 고체 물질에 가스 상의 수소를 흡착시켜서 저장하는 방법이 있다. 이러한 방법들 중, 탄소 나노튜브 또는 나노 구조의 탄소 재료에 의한 수소 저장방법의 기 보고된 결과에 의하면 10 중량%를 휠씬 상회하는 수소 저장 효율을 보여 주고 있기는 하나, 이러한 결과들은 재현성이 부족하여 아직 많은 연구자들이 연구를 진행 중에 있다.미국의 에너지부(DOE)의 수소 저장 목표치인 6.5중량% 이상의 수소 저장 효율과 위에서 언급된 여러 문제점들이 배제된 안정성과 경제성이 확보된 수소저장방법을 개발하기 위해 현재 많은 연구가 진행되고 있다.본 기술은 온화한 조건에서 대량 생산이 가능한, 계면활성제를 이용한 알루미나 나노튜브의 제조방법을 제공한다.본 기술은 상기 제조방법에 의하여 제조된 알루미나 나노튜브를 이용하여, 기존의 수소 저장 방법보다 수소 저장 효율이 높으면서도, 안전하고, 재현성이 좋으며, 경제적인 수소 저장 방법을 제공하는 것이다.본 기술은a) 계면활성제 및 알루미나 전구체를 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계b) 상기 혼합물에 물을 가하는 단계c) 물이 가해진 혼합물을 수열합성하는 단계 및d) 건조 및 소성과정을 통해 잔류 계면활성제를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미나 나노튜브의 제조방법을 제공한다.본 기술에 의해 제조된 계면 활성제를 이용한 알루미나 나노튜브는, 기존의 나노튜브에 비하여 온화한 조건에서의 대량 생산이 가능하고, 수소를 상대적으로 적은 부피 내에 대량으로 저장하고 안전하게 수송할 수 있으므로 수소 저장체로써의 활용될 수 있을 뿐 아니라, 더 나아가 리튬 이차 전지로써 응용이 가능하다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
화학 > 유기금속화학
최근 반도체 기술은 반도체 소자의 소형화를 통해 보다 향상된 기술을 추구함으로써 지속적인 성장을 이루고 있으며, 이에 적합한 박막재료와 공정기술에 대한 연구, 특히, 강유전체 비휘발성 메모리(FRAM, ferroelectric random access memory)에 응용하기에 적합한 박막으로서 PZT 박막에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 기술은 유기금속 화학증착법(MOCVD, metal organic chemical vapor deposition)에 의한 PZT(lead zirconate titanate) 박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 적합한 유기금속 착체들을 선별하여 Pb, Zr 및 Ti 각각의 전구체로서 사용하고 이들을 단일 혼합용액의 형태로 반응기내로 도입함으로써 원하는 조성의 PZT 박막을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.본 기술에서는 금속 전구체 물질인 Pb, Zr 및 Ti 전구체 물질로서 각각 Pb(methd)2, Zr(methd)4 및 Ti(mpd)(methd)2을 사용하는데 특징이 있으며, 이때 methd는 메톡시에톡시테트라메틸헵탄디온(methoxyethoxytetramethylheptanedione)이고, mpd는 메틸펜탄디온(methylpentanedione)을 의미한다.상기 methd 리간드는 TMHD 리간드의 변형된 형태로서, 치환기의 끝부분에 비공유 전자쌍을 함유한 산소 원자를 포함하는 올가미 구조를 형성한다. 이러한 비공유 전자쌍을 가지는 산소 원자는 중심 금속 이온에 대한 배위력을 향상시켜 전구체 분자를 안정화시키고, 기화시 단량체로 존재할 수 있는 확률을 증가시킬 수 있다. 또한 methd를 근간으로 하는 전구체 분자는 기화시 잔여물질이 거의 남지 않는 특성을 가진다. 본 기술에서 사용되는 Pb(methd)2 전구체는 상온에서 백색 고체의 형태를 가지며, Zr(methd)4 및 Ti(mpd)(methd)2 전구체는 각각 상온에서 노란색 액체의 형태를 가진다. 본 기술의 PZT 박막의 제조방법에 따르면, 3종의 금속 전구체 물질, 즉 Pb(methd)2, Zr(methd)4 및 Ti(mpd)(tmhd)2를 유기용매에 용해시켜 원하는 조성을 가지는 단일의 혼합용액(1)을 제조하고, 생성된 혼합용액을 운반기체(3)로서의 아르곤 가스 분위기에서 기화기(2)내로 주입하고 기화시킨 후, 수득된 증기를 산소함유 기체(4)와 함께 반응기(5)에 주입하여 360 내지 560℃의 내부온도 조건하에서 다양한 기재 위에 막을 성장시킴으로써 PZT 박막을 증착시킬 수 있다. 본 기술의 방법에 따라 전구체 물질로서 Pb(methd)2, Zr(methd)4 및 Ti(mpd)(methd)2을 포함하는 단일의 혼합용액으로부터 화학증착법을 사용하여 원하는 조성을 가지도록 제조된 강유전성의 PZT 박막은 커패시터(capacitor) 유전물질로서 적용시킬 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
화학 > 유기금속화학
최근 반도체 기술의 발전은 반도체 소자의 소형화를 통해 보다 향상된 기술을 추구함으로써 지속적인 성장을 하였으며 이에 적합한 박막재료와 공정기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.본 기술은 반도체 소자용 산화막 제조에 유기금속 전구체로서 유용한 하프늄 또는 실리콘 착물 및 이의 제조방법, 그리고 이를 이용한 유기금속증착방법에 관한 것이다.본 기술은 수분에 민감하지 않고, 독성이 없으며, 상온에서 액체상으로 존재하여 취급이 용이하고, 저온에서 박막 성장이 용이한 새로운 하프늄 및 실리콘 유기금속 착물 전구체를 제공하고, 나아가 이를 이용하여 다양한 금속 박막을 제공한다.본 기술에 따른 유기금속 착물은 1)상온에서 약한 점성을 가진 액체상으로 존재하여 취급이 용이하고,2)공기 중에 노출되었을 때 급격한 반응성이 없다.3)또한 낮은 온도에서도 증착 속도가 높아 반도체 소자용 박막 제조시의 전구체로서 적합하다. 예를 들면, 통상적인 유기 화학증착 방법을 사용하여 하프늄 또는 실리콘을 포함하는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다. 또한 이들 두 전구체를 적정 농도로 공급한다면 하프늄 실리케이트 박막도 제조가 가능하며, 지르코늄 실리케이트, 하프늄 알루미네이트 박막의 제조에도 이용될 수 있다.
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- 포항공과대학교
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- 2006-05-24
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일반기술
화학 > 유기금속화학
본 기술은 구리 박막 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기 금속 화학 증착법을 이용한 구리 박막 제조 방법에 관한 것이다.본 기술은(1)챔버 내에 기판을 로딩하는 단계(2)상기 챔버 내로 원료 기체로 구리가 전구체를 펄스 형태로 주입하여 상기 기판 상에 구리가 전구체를 증착시키는 단계(3)상기 챔버 내로 퍼지 기체를 펄스 형태로 주입하는 단계를 포함하며(4)상기 기판에 증착된 구리가 전구체는 열분해에 의하여 구리 금속으로 전환되는 구리 박막 형성 방법을 제공한다.본 기술의 방법에 따라, 약 70 내지 약 100℃ 이하의 저온에서 펄스 주입형 유기 금속 화학 증착법으로 성장시킨 구리 박막은 기존 기술에 의한 방법에 비하여 뛰어난 장점 및 특징은 다음과 같다.(1)낮은 저항 (low resistivity)(2)좋은 표면 모폴러지 (good morphology)(3)우수한 층덮힘 (good step coverage)(4)낮은 불순물 함유량 (low impurity)(5)좋은 결정성 (good crystallinity)(6)좋은 표면거칠기 (smooth surface roughness)를 가지는 박막을 얻을 수 있다.이러한 우수한 특징을 가진 본 기술은 차세대 반도체 소자에 적용될 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
화학 > 유기금속화학
본 발명은 화학식 1로 표시되는 폴리이미드 유도체, 그 제조방법 및 상기 폴리이미드 유도체로부터 형성된 배향막 및 이 배향막을 구비하고 있는 액정표시소자를 개시한다.; <화학식 1>; [IMAGE 1] ; 상기식중, X는 -O-, -C(=O)- 또는 -C(R 1 )(R 2 )-이고(여기에서, R 1 및 R 2 는 각각 독립적으로 선택되며, 수소, 비치환된 또는 적어도 하나의 치환기(G)를 갖는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고), Y 1 , Y 2 및 Y 3 는 서로에 관계없이, 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기, 비치환된 또는 치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이고, x는 1 내지 6의 정수이고, y는 0 내지 3의 정수이고, 상기 치환기(G)는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 방향족, 아미노기, 치환된 아미노기, 할라이드, 하이드록시기, 니트로기, 시아노기, 티오시아노기, 티올기, 카르복실기로 이루어진 군으로부터 선택되고, n은 10 내지 200의 수이다. 화학식 1의 폴리이미드는 새로운 화합물로서, 여러 가지 용도로 적용가능하다. 이러한 폴리이미드를 이용하여 배향막을 형성하면 액정의 프레틸트각 특성을 개선할 수 있다. 화학식 1로 표시되는 폴리이미드 유도체: <화학식 1> [IMAGE 11] 상기식중, X는 -O-, -C(=O)- 또는 -C(R 1 )(R 2 )-이고(여기에서, R 1 및 R 2 는 각각 독립적으로 선택되며, 수소, 비치환된 또는 적어도 하나의 치환기(G)를 갖는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고), Y 1 , Y 2 및 Y 3 는 서로에 관계없이, 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기, 비치환된 또는 치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이고, x는 1 내지 6의 정수이고, y는 0 내지 3의 정수이고, 상기 치환기(G)는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 방향족, 아미노기, 치환된 아미노기, 할라이드, 하이드록시기, 니트로기, 시아노기, 티오시아노기, 티올기, 카르복실기로 이루어진 군으로부터 선택되고, n은 10 내지 200의 수이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
화학 > 유기금속화학
본 발명은 폴리아믹산 디알킬에스테르 유도체, 그 제조방법 및 상기 폴리아믹산 디알킬에스테르 유도체로부터 형성된 폴리이미드 유도체에 관한 것이다. 상기 폴리아믹산 디알킬에스테르는 화학식 1로 표시된다.; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 여기에서, R 1 은 하기 구조식으로 표시되고,; [IMAGE 2] ; R 2 는 하기 구조식으로 표시되고,; [IMAGE 3] ; 상기식중, Y 1 , Y 2, Y 3 , Y 4 , Y 5 , Y 6 , Y 7 , Y 8 , Y 9 및 Y 10 은 서로에 관계없이 수소, (CH 2 ) m -(CF 2 ) k -CH 2 F, (CH 2 ) m -(CF 2 ) k -CHF 2 또는 (CH 2 ) m -(CF 2 ) k -CF 3 이고(단, m은 0 내지 1의 수이고, k는 0 내지 10의 수임), R 3 은 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이고, n은 10 내지 1000의 수이다. 화학식 1로 표시되는 폴리아믹산 디알킬에스테르 유도체는 신규한 화합물로서 매우 안정하여 장기간 보관할 수 있다. 또한 이 유도체를 통상적인 이미드화 과정에 따라 열처리하면 유전상수 및 열팽창율 특성이 우수한 폴리이미드를 얻을 수 있다. 화학식 1로 표시되는 폴리아믹산 디알킬에스테르 유도체: 〈화학식 1〉 [IMAGE 18] 여기에서, R 1 은 하기 구조식으로 표시되고, [IMAGE 19] R 2 는 하기 구조식으로 표시되고, [IMAGE 20] 상기식중, Y 1 , Y 2, Y 3 , Y 4 , Y 5 , Y 6 , Y 7 , Y 8 , Y 9 및 Y 10 은 서로에 관계없이 수소, (CH 2 ) m -(CF 2 ) k -CH 2 F, (CH 2 ) m -(CF 2 ) k -CHF 2 또는 (CH 2 ) m -(CF 2 ) k -CF 3 이고(단, m은 0 내지 1의 수이고, k는 0 내지 10의 수임), R 3 은 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기이고, n은 10 내지 1000의 수이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
화학 > 유기금속화학
본 발명은 감광성 폴리이미드 전구체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 상기 감광성 폴리이미드 전구체는 화학식 1로 표시된다.; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기식중, R 1 은 CH 2 =C(R 4 )-COO(CH 2 ) K -이고(여기에서, R 4 는 수소 또는 알킬기이고, k는 1 내지 10의 수임), R 2 는 하기 구조식으로 표시되고, ; [IMAGE 2] ; 상기식중, Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 , Y 6 , Y 7 및 Y 8 은 서로에 관계없이 수소, (CH 2 ) m -(CF 2 ) l -CH 2 F, (CH 2 ) m -(CF 2 ) l -CHF 2 또는 (CH 2 ) m -(CF 2 ) l -CF 3 이고(단, m은 0 내지 1의 수이고, l은 0 내지 10의 수임), R 3 은 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소이고, x/(x+y)=0.1∼1.0이다. 본 발명에 따른 감광성 폴리이미드 전구체는 종래의 폴리이미드 전구체에 비하여 감도가 개선될 뿐만 아니라, 이미드화 과정 전후로 수축율이 감소된다. 본 발명의 폴리이미드 전구체로부터 형성된 폴리이미드 절연막은 종래의 경우에 비하여 분해능 및 내구성이 개선될 뿐만 아니라, 유전상수, 열팽창계수 및 잔류응력이 낮고, 기계적 성질을 비롯한 물리적 특성이 우수하다. 화학식 1로 표시되는 감광성 폴리이미드 전구체: <화학식 1> [IMAGE 14] 상기식중, R 1 은 CH 2 =C(R 4 )-COO(CH 2 ) K -이고(여기에서, R 4 는 수소 또는 알킬기이고, k는 1 내지 10 수임), R 2 는 하기 구조식으로 표시되고, [IMAGE 15] 상기식중, Y 1 , Y 2 , Y 3 , Y 4 , Y 5 , Y 6 , Y 7 및 Y 8 은 서로에 관계없이 수소, (CH 2 ) m -(CF 2 ) l -CH 2 F, (CH 2 ) m -(CF 2 ) l -CHF 2 또는 (CH 2 ) m -(CF 2 ) l -CF 3 이고(단, m은 0 내지 1의 수이고, l은 0 내지 10의 수임), R 3 은 탄소수 1 내지 20의 지방족 탄화수소기 또는 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소이고, x/(x+y)=0.1∼1.0이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
화학 > 유기금속화학
본 발명은 활성탄소-다종금속 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 2종 이상의 금속으로 이루어진 합금판과, 전도성 지지체에 고정된 활성탄소를 특정의 조건에서 전기·화학적인 전기도금법을 수행하여 제조된 활성탄소-다종금속 복합체는, 종래의 금속염이 첨착된 활성탄소나 각각의 금속을 연속적으로 도금하여 제조된 복합체에 비해 높은 견착력 및 비표면적을 유지하고, 순수한 금속의 도입으로 반응성이 좋으며, 금속의 조성 및 함량의 미세 제어가 가능하여 기상/액상 오염원 제거용 필터소재 및 이차전지, 연료전지, 커패시터, 수소저장체 전극재료용 활물질에 유용한 활성탄소-다종금속 복합체의 제조방법에 관한 것이다.
- 보유기관
- 인하대학교
- 등록일
- 2008-08-29
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일반기술
화학 > 유기금속화학
웜 감속기(worm-gear reducer) 연결 동(bronze) 부문에서 발생하는 세 번의 마찰(Steel-윤활제-동)을 감속시켜 주는 유기금속화합물이 개발되었다. 유기금속화합물을 함유하는합성물은 연결표면 부문의 마모 에너지를 통제하여 마모를 보상시켜 주며, 고강도의 코팅 처리로 오랫동안 이용할 수 있도록 하였다.코팅은 윤활제, 내마모 첨가제, antiscoring의 특성을 지니고 있다. 금속 표면부문에 이온금속이 자동적으로 복구되지 않는 것을 기초로 하여 연결부문이 마모가 없이 진행된다.코팅 막의 두께는 작업 진행과정에서 자동으로 조절 된다.
- 보유기관
- (재)송도테크노파크
- 등록일
- 2009-02-20
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일반기술
화학 > 유기금속화학
□ 기술개요□ 목적 해당 기술의 목적은Ni/Ni-B 전기도금을 함에 있어서 환원제에 의한 Ni-B의 안정적인 환원 역할이 이루어지도록 도금액을 관리함으로써, 환원제의 급격한 가수분해 현상으로 인하여 니켈보라이드가 미석출되어 경도의 향상이 일정하게 일어나지 않게 되는 문제점을 방지하여 안정적인 Ni/Ni-B 전기도금 효과를 얻을 수 있도록 해주는 Ni/Ni-B 전기도금방법을 제공하는 것에 있다. □ 구성 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 해당 기술은, 환원제를 사용하는 무전해도금과 전기도금을 혼합하여 실시하는 Ni/Ni-B 전기도금방법에 있어서, 도금액의 pH는 3.5~4.5로, 온도는 40~50℃로, 도금액 중의 Ni의 농도는 200~350g/liter로 유지되도록 도금액을 관리하는 것을 특징으로 한다. □ 종래기술 현재 첨단산업이 발전함에 따라 가혹한 조건의 마모, 부식분위기 등에서 사용되는 설비, 기계부품, 공구류 등은 그 성능 및 수명향상이 요구되고 있는데, 이를 위해 보호코팅을 포함한 각종 표면처리 방법 등이 대두되고 있다. 상기와 같은 표면처리 방법 중에서 전기도금은 제조 설비가 비교적 간단하고 제조 단가가 낮아 경제성이 있으나, 도금물질의 한계성으로 인해 가혹한 조건에 사용되는 첨단 설비에는 적용하기가 어렵다. 한편 무전해도금의 경우에는 제품의 경도를 상당히 향상시킬 수 있으나 잔류응력이 크게 영향을 미치고, 내마모성이 요구되는 응용부품에 적용하기에는 도금두께가 0.1mm이하로 얇기 때문에 적용상의 난점이 있고 내열응력이 요구되는 응용부품에도 적용하기 어려운 문제점이 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위해서 Ni/Ni-B 전기도금방식이 대두되고 있는데, 이 도금은 상기한 전기도금과 무전해도금을 혼합한 방식으로서 각각의 장점을 취하고 단점을 보완할 수 있어서 그 사용분야는 항공기, 원자력, 전자부품 그리고 석유화학 등의 산업에 광범위하게 사용될 수 있고, 이런 이유로 이러한 방식에 의한 도금의 응용확대가 절실하게 요구되고 있는 실정이다. 전기도금에 사용하는 물질은 천이금속이나 이의 합금도금을 주로 사용하고 있으므로 연성과 열응력에 우수한 특성을 보유하고 있으나 내마모성이 요구되는 응용부품에는 한계가 있었다. 이러한 문제점을 극복하기 위해 더욱 발전시킨 것이 복합도금으로서, 기능성 파우더를 전기도금액에 분산시켜 도금층에 흡착시킴으로써 새로운 기능을 첨가하고 있으나 산업부품에 널리 사용되고 있지는 못한 실정이다. 한편 무전해도금은 외부에서 전류를 흐르지 않고, 용액 중의 금속이온을 환원 석출시켜 모재의 표면에 도금막을 만들게 하는 방법으로서, 화학 환원제를 사용하는 무전해 도금법과 이온 치환에 기초를 둔 침적도금법이 있다. 해당 기술에서 응용한 Ni-B 무전해도금에서 사용되는 환원제로는 수소화붕소화합물, 디메칠아민보란(DMAB), 디에칠아민보란(DEAB), 트리메칠아민보란(TMAB) 등이 있다. DMAB를 사용하는 산성도금욕에서의 반응은 Ni₂B를 포함한 니켈합금으로서 내마모성과 내열응력성이 양호하여 다양한 분야에 적용 될 수 있다. 그러나 Ni 전기도금과 Ni-B 무전해도금을 혼합한 복합도금을 실시하기 위해서는 환원제로서 사용하는 DMAB가 가수분해로 소모되는 문제점을 보완해야 한다. 실제로 기계적특성이 양호한 Ni 전기도금을 얻기 위해서는 pH가 3에서 4.5의 범위이고 온도는 50℃ 이상인 비교적 고온의 도금욕에서 실시하여야 한다. 그러나 Ni-B 무전해도금의 경우에는 DMAB는 중성영역, 온도는 40℃ 정도의 저온 그리고 도금속도를 증가시킬수 없는 저 Ni농도에서 실시하여 최대한 환원제가 가수분해되는 것을 억제하는 조건에서 실시하여야 한다. 이와 같이 두 방식의 도금조업조건이 상이하기 때문에 도금조건 및 도금액조건을 비교적 안정적으로 사용할 수 있는 도금조건을 설정하여야 Ni/Ni-B 전기도금을 안정적으로 확보할 수 있게 된다. □ 효과 니켈/니켈-보론(Ni/Ni-B) 전기도금방법은, 환원제의 급격한 가수분해 현상으로 인하여 니켈보라이드가 미석출되어 경도의 향상이 일정하게 일어나지 않게 되는 문제점을 방지하여, 도금되는 모재의 경도 사양설계에 정확하게 일치하면서 안정적인 Ni/Ni-B 전기도금을 확보할 수 있게 해주는 효과를 제공하는 장점이 있다. □ 기술의 특징해당 기술은 니켈/니켈-보론(Ni/Ni-B) 전기도금방법에 관한 것으로서, 환원제를 사용하는 무전해도금과 전기도금을 혼합하여 실시하는 Ni/Ni-B 전기도금방법에 있어서, 도금액의 pH는 3.5~4.5로, 온도는 40~50℃로, 도금액 중의 Ni의 농도는 200~350g/liter로 유지되도록 도금액을 관리하는 것을 특징으로 하며,; 환원제의 급격한 가수분해 현상으로 인하여 니켈보라이드가 미석출되어 경도의 향상이 일정하게 일어나지 않게 되는 문제점을 방지하여, 도금되는 모재의 경도 사양설계에 정확하게 일치하면서 안정적인 Ni/Ni-B 전기도금을 확보할 수 있게 해주는 효과를 제공한다. *** 대표도면 및 도면의 설명/ 기술의 상세한 내용은 하단의 <기술관련자료> 참조
- 보유기관
- 포항산업과학연구원
- 등록일
- 2009-04-28
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일반기술
화학 > 유기금속화학
□ 기술개요해당 기술은주석-은-구리-인듐의 4원계 무연솔더 조성물에 관한 것으로, 그 목적은 Ag의 함량 감소에 따른 젖음성(wettability)의 저하를 억제하고, 열 사이클링(thermal cycling) 및 기계적 충격(impact)에 대한 내성을 최적화 할 수 있도록 인듐(In)을 적정량 첨가함과 더불어 은(Ag)의 함량을 최적화하여 무연솔더 조성물의 원가 상승을 억제할 수 있도록 하는 주석-은-구리-인듐의 4원계 무연솔더 조성물을 제공함에 있다. 이를 위한 해당 기술은0.3wt.%이상 2.5wt.%미만의 은(Ag)과, 0.1wt.%이상 2wt.%미만의 구리(Cu)와, 0.1wt.%이상 1.2wt.%이하의 인듐(In)과, 나머지는 주석(Sn)으로 이루어진 주석-은-구리-인듐 4원계 무연솔더 조성물에 관한 것을 그 기술적 요지로 한다. □ 기술의 특징0.3WT.%이상 2.5WT.%미만의 은(AG)과, 0.2WT.%이상 2WT.%미만의 구리(CU)와, 0.2WT.%이상 0.8WT.%이하의 인듐(IN)과, 나머지는 주석(SN)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 주석-은-구리-인듐의 4원계 무연솔더 조성물.
- 보유기관
- 부산기술이전센터
- 등록일
- 2009-06-03
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