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질화갈륨을 이용한 가스센서가 종래의 금속산화물을 이용한 그것에 비해 안정성이 뛰어나다는 점에서 실용면에서 큰 장점을 지닌다. 본 발명에서는 티탄과 백금을 증착시킨 히터와 면저항이 600옴, 전자농도가 7✕1017/cm2인 질화칼륨 박막위에 백금 또는 금의 박막을 증착한 촉매층을 사용한 구조를 이용함으로써 소자제조 공정은 단순하나 성능면에서는 종래의 감지특성의 안정도에 비해 월등히 우수한 감지소자를 얻을 수 있었다.
본 기술은 자외선에 의해 색깔이 변화하는 성질을 갖는 감광성 유리에 관한 것으로서 자외선의 조사에 의해 색깔이 변화하는데 원인을 제공하는 할로겐화 은을 유리의 표면에 코팅하여 감광성 유리를 제조하는 방법 및 상기 감광성 유리에 관한 것이다. 위의 방법은 유리에 착탈색 속도를 증진시키기 위하여 구리, 카드뮴, 세륨 등의 첨가제를 첨가한 할로겐화 은을 코팅하고, 약 400 ℃ 내지 800℃의 범위에서 열처리하여 유리 표면에 할로겐화 은의 결정을 생성한 후, 박막의 탈리를 방지하기 위하여 졸-겔 공정으로 제조된 무정형 실리카(SiO2)를 코팅하고, 약 100℃ ～ 300℃ 범위로 가열 건조하여 제조하는 방법으로, 본 기술에서 사용한 할로겐화 은의 사용량이 0.1wt% 이하이므로 자동차용 유리나 건축용 유리에 사용할 수 있을 정도로 경제성이 높은 제조방법이다기존의 감광유리는 유리 내부에 할로겐화 은을 0.5～3.0% 첨가하여 안경 렌즈나 특수 용도로만 사용하지만, 본 기술은 유리의 표면에 은의 박막을 코팅함으로 은의 사용량을 기존 제품보다 20% 이하로 사용할 수 있어서, 자동차 및 건축용 유리에 적용할 수 있다. 또한, 기존의 감광성 유리는 자외선을 차단하면 암갈색에서 투명한 색으로의 복원 속도가 서서히 진행되나, 본 기술에 의해 할로겐화 은에 첨가제로서 구리, 카드뮴 또는 세륨 등을 첨가함으로써 상기의 복원 속도를 증진시킬 수 있는 탁월한 효과를 갖는다.
본 기술은 타이를 헤드에 간단하고 신속하게 끼운 뒤 결착 할 수 있으며, 해지 역시 간편하게 할 수 있게됨에 따라 사용하기가 편리한 것으로, 전선 고정용 외에 빈번하게 결착 혹은 해지해야 하는 곳에 적합하다. 또한 헤드 외부로 노출되는 타이를 깨끗하게 마무리 할 수 있게 됨에 따라 미관이 좋은 효과를 가진다.하부로 타이가 일체로 형성되어 내부에는 스톱퍼를 구비하고 헤드의 상부가 개방되어 양측 측면 상단부는 내측으로 돌출되는 걸림턱이 형성되어 있다.
반복하중을 받는 방진고무는 피로 하중에 의한 파손이 발생될 수 있으며, 전체 시스템의 안전성에 중요한 역할을 담당한다. 피로수명은 주로 실험적인 방법으로 평가하고 피로시험시간이 오래 소요되는 어려움이 있다. 특히, 고무부품과 같이 작은 하중에도 큰 변형이 생기는 부품의 경우 유압식 피로시험기를 이용하여 피로시험을 수행할 경우 더욱 시간이 오래 걸리게 되어 막대한 비용과 시간이 소요되게 된다. 이러한 어려움을 극복하기 위하여 전동기와 크랭크축을 이용한 피로시험장치에 관한 기술이다.기존의 피로시험기는 1개의 시험기에 1개의 시험시편만 시험이 가능하였으나 본 기술에서 제안된 시험장치는 1개의 시험기에서 3개의 시편을 동시에 시험할 수 있으며, 3개의 시편은 각각 다양한 시험조건으로 시험이 가능하도록 하였다. 특히 평균변위조정이 3개의 시편에 다르게 부여할 수 있으며, 자동정지의 기능을 가지고 있다.
고무재료의 압축시험은 고무구조물의 중요한 설계자료로서 사용된다. 그러나 압축시험 시 그립의 표면과 고무시편의 표면에 작용하는 높은 마찰계수 때문에 벌징현상이 발생된다. 이러한 벌징 현상으로 정확한 압축 응력과 압축 변형률을 측정할 수 없다. 본 기술은 고무시편의 정확한 압축응력과 변형률을 측정하기 위한 것으로 그립의 형상을 테이퍼 형상으로 제작하여 마찰에 의한 영향을 감소시키는 것이다.압축시편의 수직방향으로 작용하는 하중은 마찰에 의한 표면저항력에 의해 그 합력이 수직이 되지 않는데, 테이퍼 형상의 그립은 시편에 작용하는 하중이 약간의 경사각으로 작용하여 마찰에 의한 표면 저항력의 합력으로 시편에 수직방향 하중을 유도하는 특징이 있다.
본 기술은 가교제로 가교반응하는 과정 중에 가교제와 산 또는 알칼리 용액의 혼합비를 조절하여 제조되는 다양한 입체규칙성을 가지는 PVA 접착제와 그의 제조방법에 관한 것으로서, 피발산비닐 1몰에 대하여 아세트산비닐 0.1 내지 15몰을 혼합한 단량체 혼합물에 개시제로서 아조비스디메틸발레로니트릴을 상기 단량체 혼합물 몰당 0.00001 내지 0.05몰의 양으로 가하고, 20 내지 80℃의 온도에서 벌크중합, 용액중합, 유화중합, 현탁중합 및 각각의 공중합들 중의 어느 하나의 중합방법에 의해 중합시켜 다양한 분자량과 입체 규칙성을 가지는 전구체들을 합성하고, 이 전구체들을 비누화시켜 비누화도가 70.0 내지 99.9%, 수평균중합도가 50내지 15,000이고, 교대배열 다이애드기가 50 내지 65%인 혼성배열 및 교대배열의 다양한 입체규칙성을 가지는 폴리비닐알코올을 물에 융해시키고, 가교제로 가교시킴으로서 이루어진다. 종래의 고교대배열 초고분자량의 PVA용 전구체의 합성을 위한 단량체로서 가장 많이 이용되고 있는 피발산비닐과저렴한 가격의 아세트산비닐을 단독중합하거나 벌크공중합, 용액공중합, 유화공중합 및 현탁공중합 함에 있어 우수한 성능을 갖는 혼성배열 PVA 뿐만 아니라 교대배열성이 우수한 초고분자량의 전구체를 저렴한 비용으로 제조하고자 여러 가지 단독중합 및 공중합을 실시하였고, 피발산 비닐을 사용함으로서 PVA의 입체규칙성을 조절하여 제조된 입체규칙성이 조절된 PVA에 가교제로 가교함으로서 접착제의 성능을 극대화시킬 수 있다.
본 기술은 리가 공정을 이용한 삼각산맥구조물과 그 성형틀 제조방법에 관한 것으로, 특히 기판 상부에 X-선 감광제를 접합하고, X-선 투과층 상부에 삼각산맥구조물의 영역을 정의하는 X-선을 흡수하는 물질로 이루어진 마스크 패턴을 형성하고, X-선 감광제와 마스크 패턴을 밀착시키고 X-선 투과층에 서로 다른 입사방향의 경사진 각도로 2번 노광을 실시하고, X-선 노광을 한 뒤에 X-선 마스크와 감광제를 분리한 후 X-선 감광제를 현상하여 기판 상부에 삼각 산맥구조물 패턴을 형성하고, X-선 감광제 상부에 시드층을 형성하고 금속층을 두껍게 형성한 후에, 삼각산맥구조물 패턴 및 기판을 모두 제거하여 삼각산맥의 피크 끝 부분이 날카로운 미세삼각산맥구조물의 성형틀을 제작할 수 있다.본 기술은 X-선 사진식각공정, 도금공정, 사출성형공정을 포함하는 리가기술을 이용하여 성형틀을 형성하므로 피크부분이 날카로운 미세 삼각산맥구조물을 제작할 수 있을 뿐아니라 피크의 각도를 조절할 수 있어 최적화된 삼각 산맥의 형을 구현할 수 있고 대면적의 성형틀을 만들 수 있다. 이러한 성형틀을 이용하여 유연한 폴리머로 삼각산맥고주물을 성형할 수 있기 때문에 삼각산맥구조물을 대량생산 할 수 있게 한다. 유연한 구조물 특성에 의해 평평한 부분만 아니라 곡면에도 붙일 수 있어서 삼각산맥구조물의 적용범위가 확대된다. 더욱이 성형물질로서 PDMS와 같이 투명한 물질을 사용할 경우, 삼각산맥구조물을 적용하게 되는 물체의 표면상태를 시각적으로 관찰할 수 있는 이점도 있다.
초미세 분자화학현미경을 활용하여 연속생산라인에서 제조되는 고부가가치의 부품소재 (예: 대면적/초고집적도의 HD급 차세대 디스플레이 평판) 표면에 존재하는 micrometer 이하 크기의 defect나 불순물 성분 및 입자를 분자화학적 수준에서 공정라인의 중단없이 실시간으로 검출할 수 있게 하는 분광학적 검출 기술이다. 이와 같은 defect/불순물의 화학성분 및 물리적 특성 검출을 통하여 여러 단계로 구성되는 제조 공정라인에서의 불량원인을 실시간으로 찾아내어 해결함으로써 품질관리 효율을 높여 불량발생시 그동안 사용해온 Line-Stop-And-Analyze 방식에 따른 막대한 생산중지/분석/원인규명/해결/생산재개에 따른 손실을 최소화할 수 있게 한다. 1세대 근접장 광학현미경분야의 어려움을 극복하기 위해 Optical Fiber Tip을 쓰는 대신 금속이나 유전체로 된 탐침 끝에 매우 집광이 잘된 레이저 광을 쪼여 주어서 탐침 끝에 레이저의 광밀도가 매우 집중되도록 한 후 이때 형성된 근접장에 시료를 가까이 접근하여 scan하는 방식의 apertureless 근접장현미경이 최근 개발되고 있다. 지금까지는 주로 형광과 적외선 흡수방식의 2세대 근접장현미경 분야가 구현되어 왔으나, 본 기술에서는 세계 최초로 분자의 구조에 대한 화학적 작용기에 대한 정보를 주며 적외선 흡수 방식과는 달리 수용액 시료에 응용까지도 가능한 2세대 근접장 Raman 현미경을 활용할 수 있다. 이를 통해 라인생산 방식으로 연속으로 제조되는 고부가가치의 부품소재 샘플을 bypass시킨 다음 근접장 Raman을 이용하는 분광학적 검출 기법을 활용하여 샘플 표면에 존재하는 micrometer 이하 크기의 defect나 불순물 성분 및 입자를 분자화학적 수준에서 공정라인의 중단없이 실시간으로 검출할 수 있게 하며, 공간 일치도 0.1 nm 이하의 정밀도를 구현할 수 있다.
아연도금 재료의 부식을 방지하기 위하여 표면에 부동태 피막을 형성하는 chromate conversion coating 방법을 일반적으로 사용하고 있으나 chromate treatment는 우수한 내식성을 부여하는 반면 유독성이 강한 용액을 사용하기 때문에 용액을 처리하는데 인체나 환경에 나쁜 영향을 주지 않기 위해 많은 노력과 기술이 필요하다. 이를 위해 chromate treatment대신 아연도금층의 부식을 방지할 수 있는 새로운 표면처리제에 대한 기술개발이 필요하다. 본 기술은 용융아연 도금 파이프의 표면에 발생하는 부식현상인 백청을 방지 할 수 있는 환경 친화적 표면처리 방법에 관한 것이다.환경친화적 표면처리 화합물로 사용할 수 있는 molybdate 화합물을 중심으로 한 용액에 phosphoric acid 를 1~1.5%첨가한 복합용액의 경우 우수한 백청방지 효과를 나타내었으며, 실제 2,3개의 아연도금 파이프를 다발로 묶어서 보관하는 bundle test를 통하여 실험하였을 경우, 한달 동안 백청 발생을 방지할 수 있다.
본 기술은 산화마그네슘 박막 성장시 아연을 첨가함으로써 제조된 박막에 관한 것으로, 박막의 제조시 산화아연상이 분리되지 않는 범위내로 아연을 첨가함으로써 산화 마그네슘의 결정을 그대로 유지하면서, 결정성 및 표면 미세구조가 향상되고, 표면 거칠기가 매우 적은 본 기술의 산화 마그네슘 박막은 다양한 광소자 및 전자소자에 사용될 수 있다.본 기술은 산화마그네슘 박막 성장시 마그네슘과 이온 반경이 유사한 아연을 상분리가 일어나지 않는 범위내에서 고용시킴으로써, 격자구조 및 격자상수의 큰 변화없이 결정성 및 표면 미세구조가 향상된 산화마그네슘 박막을 제공하기 위한 것이다. 본 기술에 따른, 아연이 첨가된 산화마그네슘계 박막은 박막 성장시 적정량의 즉, AnO 상이 분리되지 않을 정도의 아연을 첨가함으로써, 결정성 및 표면 미세구조가 매우 우수하여, 박막의 질이 향상되고, 다양한 광소자 및 전자소자에 효율적으로 사용될 수 있다.
UV 엑시머 레이저의 Ablation(광분해) 가공을 통하여 마이크로 3차원 부품을 쾌속 제작하는 기술로서, 직접적으로는 폴리머 재질과 같은 광 반응 폴리머(photo sensitive polymer)를 대상으로 개발하였으나, 레이저 LIGA 공정을 활용하면 다양한 재질에 대한 3차원 마이크로 부품을 제작 가능한 장점이 있다.기존의 2차원 패터닝 기술에 사용되어왔던 UV 레이저 포토머시닝 기술을 3차원 가공법으로 응용함과 동시에 상변화 충진 기술을 도입하여 완전한 3차원 마이크로 부품을 제작가능한 특징이 있다. 또한 레이저 가공용 3차원 CAD/CAM 기술을 접목하여 가공 공정이 자동화되어 사용자가 쉽게 사용가능하다.
흔히 사용하는 기존의 발화성이 강한 트리메틸알루미늄 (Me3Al, TMA) 대신 발화성이 없어 훨씬 더 안전한 이소프로필산디메틸알루미늄 (Me2AlOiPr, dimetylaluminum isopropoxide, DMAI)을 물과 함께 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)의 원료로 사용하여 실리콘 (100) 기질 위에 산화알루미늄 (Al2O3) 박막을 제조하였다. 이 방법으로 산화알루미늄 박막을 만들면 실리콘 표면의 산화가 거의 안 일어나 박막과 실리콘 기질의 계면이 아주 깨끗하게 된다. TMA를 쓰면 실리콘-산화알루미늄 계면에 이산화규소 (SiO2) 층이 조금이라도 생기므로 산화알루미늄을 고유전율 물질로 이용하는 데 다소 어려움이 있다. DMAI를 쓰는 ALD 공정에서는 산화알루미늄의 침착 온도가 150 oC로 아주 낮은데도 박막의 성장 속도는 1.06 Å/cycle로 TMA를 쓰는 공정과 비교하여도 손색이 없다.본 기술은 발화성이 없는 안전한 DMAI를 사용하여 비교적 낮은 온도에서 산화알루미늄 초박막을 제조하는 점에서 기존의 TMA를 쓰는 공정보다 훨씬 더 유리하다. 그러나 반도체 업계에서는 이미 익숙해진 TMA를 쓰기 때문에 본 기술을 현장에 적용하기가 어렵다. 본 기술에서는 산소 원으로 물을 썼고 오존이나 플라스마를 이용하지 않았기 때문에 이 점을 보완할 필요가 있다고 본다. 그러나 오존이나 플라스마를 이용해도 같은 조건에서 TMA를 쓰는 공정보다는 DMAI를 쓰는 본 공정이 기술성에서 더 나을 것이다. 지금 반도체 업계에서는 산화알루미늄 초박막을 기억 소자의 산화막으로 채택하려는 움직임이 있어 이에 관한 연구 활동이 아주 활발하다. 그리고 하드 디스크의 thin film head (TFH)에도 산화알루미늄 박막이 들어가는데 이 제조 공정의 온도가 낮아야 하기 때문에 침착 온도가 높은 TMA-O3 공정은 이용할 수 없고 오존 대신 물을 써야 한다. 따라서 본 기술이 쓰일 가능성이 있다.
본 기술은 반도체 소자용 산화막 제조에 유기금속 전구체로서 유용한 하프늄 또는 실리콘 착물 및 이의 제조방법, 그리고 이를 이용한 유기금속증착방법에 관한 것이다. 최근 반도체 기술의 발전은 반도체 소자의 소형화를 통해 보다 향상된 기술을 추구함으로써 지속적인 성장을 하였으며 이에 적합한 박막재료와 공정기술에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 게이트 유전막으로 사용되고 있는 실리콘 산화막(SiO₂)층의 두께를 감소시키려는 노력이 이루어지고 있다. 향후 0.1μmrmq 소자를 위해서는 20Å 이하의 두께를 갖는 SiO₂가 요구되는데, 이러한 두께 감소는 게이트 누설전류, 보론(B)의 침투, 수명(life time) 감소 등의 문제점을 나타내어 그 두께의 감소에 한계가 있다.본 기술은 반도체 소자에 사용되는 절연막(유전막)을 효과적으로 증착할 수 있는 Hf과 Si전구체를 새롭게 합성하는 기술이다. 즉, 수분에 민감하지 않고, 독성이 없으며, 상온에서 액체상으로 존재하여 취급이 용이하고, 저온에서 박막 성장이 용이한 새로운 하프늄 및 실리콘 유기금속 착물 전구체를 제공하고, 나아가 이를 이용하여 다양한 금속 박막을 제조하고자 하는데 있다. 이 기술의 유기금속 착물은 상온에서 약한 점성을 가진 액체상으로 존재하여 취급이 용이하고, 공기 중에 노출되었을 때 급격한 반응성이 없다. 또한 낮은 온도에서도 증착 속도가 높아 반도체 소자용 박막 제조시의 전구체로서 적합하다. 예를 들면, 통상적인 유기 화학증착 방법을 사용하여 하프늄 또는 실리콘을 포함하는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다. 또한 이들 두 전구체를 적정 농도로 공급한다면 하프늄 실리케이트 박막도 제조가 가능하며, 지르코늄 실리케이트, 하프늄 알루미네이트 박막의 제조에도 이용될 수 있다.
본 기술은 유기초박막 파장다중기록소자에 관한 것으로서,유기분자를 기판 위에 여러 가지 제막방법을 이용하여 박막화시키고 이들이 전기광학적으로 반응하는 특성을 이용 초박막형 소자로 제작, 정보를 기록, 재생할 수 있도록 한 것이다. 본 기술은 광흡수 반응을 이용한 유기분자 파장다중기록소자에 있어서, 수정 또는 유리로 구성될 수 있는 기판의 표면에 서로 다른 파장을 형성할 수 있도록 유기분자막을 병렬로 증착시키되, 유기분자막에 광에너지를 조사하여 파장다중광기록하고, 전계를 인가하여 파장다중전계기록할 수 있도록 하거나, 유기분자막의 하측에 투명전국(ITO) 을 상측에는 금속전극을 부착하여 유기분자막이 가지는 광흡수 반응으로 유기분자가 가지는 분자정보를 전기적으로 검출하고 유기분자막에 전계를 인가하여 분자정보를 임의적인 조건으로 변화할 수 있도록 하거나, 기판과 유기분자막을 포함하는 기록소자를 진공커버로 씌워 조사되는 광에너지의 열적 안정성을 확보할 수 있도록 한 것이다.광반응에 의한 정보처리용 유기초박막 파장다중기록소자에 유기분자를 이용하여 소자 개발 다종막 형태로 기록 능력의 향상, 정보의 다중복합화가 가능하여 제공하는 정보의 신뢰성과 비밀유지에 응용, 무제한적인 재료이용, 복합적 정보의 입출력이 가능한 소자 제작 용이, 현재의 광기록 기술을 한 차원 향상시켰다.
플라스틱과 같은 비금속재료의 기본적인 물성 데이터를 산출하고자하는 경우 고정 수단에 의해 고정지지되는 시험재료를 좌우방향으로 이동시킬 수 있고 로드셀이 장착된 크로스헤드를 상하 및 좌우방향으로 이동시킬 수 있어 다양한 각도에서 시험할 수 있도록 한 것으로, 프레임에 장착되는 교류모터와, 교류모터에 연결되어 프레임에 회전가능하게 고정지지되는 회전축을 따라 상하이동하며 시험장치에 사용되는 부품이 장착되는 상하이동부재와, 시험편의 하중을 측정하는 로드셀이 장착되며 프레임에 양단부에 회전가능하게 고정지지되는 제1좌우이동축을 따라 좌우방향으로 이동되는 상부베드와, 시험장치에 사용되는 시험편용 지그가 장착되며 상부베드에 대해 분리되어 프레임에 양단부가 회전가능하게 고정지지되는 제2좌우이동축을 따라 좌우방향으로 이동되는 하부베드와, 상하이동부재의 상하이동속도를 조절하는 컨트롤러와, 로드셀 및 위치검출센서와 연결되어 로드셀에 고정되는 시편을 시험시 나타나는 하중과 변위를 수집하는 데이터 수집장치를 제공한다. 이로 인해, 시험재료를 좌우방향으로 이동시킬 수 있고, 로드셀이 장착된 크로스헤드를 상하방향은 물론 좌우방향으로도 이동시킬 수 있어 다양한 시험이 가능하여 산출되는 시험 데이터 값의 신뢰도를 높이며, 이로 인해 불량품이 발생되는 것을 최소화시키며, 데이터 수집장치를 분리형으로 형성함에 따라 호환성을 갖게되어 범용적인 수집장치를 활용할 수 있게 되며, 구동장치의 구조 간단화로 인해 원가 비용을 줄일 수 있게 된다.본 기술은 시험재료를 좌우방향으로 이동시킬 수 있고 로드셀이 장착된 크로스헤드를 상하방향은 물론 좌우방향으로도 이동시킬 수 있어 다양한 시험이 가능하여 산출되는 시험 데이터 값의 신뢰도를 높이며, 이로 인해 불량품이 발생되는 것을 최소화 할 수 있도록 한 유니버셜형 재료 시험장치를 제공하는 것이다. 또한, 데이터 수집장치를 분리형으로 형성함에 따라 호환성을 갖게되어 범용적인 수집장치를 활용할 수 있게되며, 구동장치의 구조 간단화로 인해 원가비용을 줄일 수 있도록 한 유니버셜형 재료 시험장치를 제공하는 것이다.
액정소자(LCD)는 평판 표시 소자의 하나로서 자체 발광을 하지 못하는 수동 디스플레이 소자에 속한다. 이러한 LCD와 같은 수동 디스플레이 소자는 소자의 후면 또는 측면에서 빛을 발생시키는 액정소자용 후광장치가 반드시 필요하다. 이처럼 액정소자용 후광장치가 필요하나 LCD에 있어서 광손실의 대부분은 도광판, 확산판, 프리즘, 반사판 등으로 이루어진 후광장치에서 발생된다. 그러므로 광손실을 줄여서 고휘도, 저전력 소비 구현을 위한 후광장치에 대한 연구가 폭넓고도 다양하게 진행되고 있다.'본 기술은 음성 자외선 감광재를 이용한 액정소자 후광장치용 금형 제조방법에 관한 것으로서 음성 자외선 감광재를 이용하여 표면조도가 우수하며 다양한 형상의 금형을 제조할 수 있는 음성 자외선 감광재를 이용한 액정소자 후광장치용 금형 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 음성 자외선 감광재에 자외선 경사 노광으로 표면 거칠기가 우수하며, 다양한 형태의 후광장치용 금형을 제작할 수 있는 음성 자외선 감광재를 이용한 액정소자 후광장치용 금형 제조방법을 제공하는 데 있다. 또한, 액정소자 후광장치용 금형 공정의 높은 재현성과 대량생산을 이룰 수 있도록 음성 자외선 감광재를 이용한 액정소자 후광장치용 금형 제조방법을 제공하는 데 있다. 즉, 액정소자 후광장치용 도광판 제조에 필요한 금형 제조 방법을 제공하며, 음성 자외선 감광재를 사용하여 표면조도가 우수하며 임의의 형상을 갖는 도광판 금형을 제조할 수 있는 기술이다. 기존의 기계 절삭과 같은 방법에 비하여 공정의 재현성, 대량생산, 단가 등에 대하여 유리한 이점을 가진 기술이다.
본 기술은 이와 같은 문제점을 감안하여 인체의 체형과 형태의 특징을 수량화하여 기본 원형의 기본 실루엣을 그대로 유지하면서도 의복의 피트성을 최대로 유지할 수 있게 드롭차이에 의해 분류된 체형과 그레이딩 방법에 의한 3차원적 그레이딩 기술을 개발하는 데에 그 목적이 있다.본 기술로 인해, 무특정다수에게 착용되는 기성복의 피트성이 증진되고, 기성복 착용자에 있어서는 미적인 면과 동작의 기능성이 최대화되며, 각 업체에서는 사이즈의 부적합성에 의한 재고율 및 수선율을 최소화시킬 수 있다. 또한, 그레이딩 방법을 분류하여 체형별 그레이딩의 증감값을 단일화하므로서, 사용목적에 따라 그레이딩 방법을 조합하여 사용할 수 있어 그레이딩의 사용 범위를 확대할 수 있으며, 어패럴 CAD시스템을 사용한 그레이딩의 생산성 향상과 병행하여 정확한 인풋(input) 데이타인 그레이딩 방법개발로 의류산업의 인적자원 및 상용 어패럴 CAD의 사용효율을 극대화 시키는 한편, 의복 설계단계의 과학화로 고부가가치 제품 생산에 대한 의류산업의 인프라를 구축하는 효과를 얻을 수 있다.
초전도성 이붕화마그네슘(MgB2)의 제조방법에 관한 것으로서, 마그네슘분말:붕소분말의 몰비를 1:2 내지 1:4로 하여 혼합하는 단계와 혼합단계에서 혼합된 마그네슘-붕소 혼합물을 20 내지 100MPa의 압력으로 압축성형하는 단계와 압축성형단계에서 압축성형된 마그네슘-붕소 혼합물을 산소배제 분위기에서 자전연소시키는 단계를 포함하는 것이다.에너지 소모율이 적고 고가의 설비를 필요로 하지 않는 자전연소합성방법을 이용해 이붕화마그네슘을 저렴하게 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 여기서, 자전연소합성법은 반응물들의 합성반응에 의해 생기는 반응열을 이용해 반응체 또는 시편 내부를 높은 온도로 상승시키고, 연소파가 점화시작 부분으로부터 그 반대 부분까지 스스로 진행하여 반응종료시까지 고온을 유지시켜 수 분 안에 최종합성물을 얻을 수 있는 방법을 말한다.
FTTH (Fiber To The Home)를 위한 광통신시스템에서, 특히 WDM-PON (Wavelength Division Multiplexer - Passive Optical Networks) 시스템에서의 핵심 광소자는 광스위치, 광감쇠기 소자와 함께 각각의 파장을 다중화/역다중화 하기 위한 소자이다. 파장을 다중화/역다중화 하기 위한 소자는 대표적으로 박막 필터, AWG (Arrayed Waveguide Grating)등이 있으며, 16채널 이상의 WDM-PON 시스템에서는, AWG 가 핵심이 될 것이다. 무편광, 무온도 의존성 폴리머 광도파로형 소자는, 가격대비 경쟁력등의 상업성을 고려할 때, 향후 WDM-PON 기반의 FTTH에서 핵심 광소자 기술이다.-. 대부분의 재료가 실리카인데 반해 폴리머로 제작. (저온 제작 공정 및 제조 공정 단순) -. 상부 클래딩의 다층 박막공정법 개발하여 무편광 해결 (특허 출원 및 논문 게제) -. 높은 열광학 계수와 낮은 열전도도로 소비 전력을 낮추고, 시스템내 열 축적을 최소화함. -. 채널/립 테이퍼 도파로를 이용하여 저손실 달성(특허 등록 및 논문 게제)
자동차 및 욕실의 김서림 거울로 사용되는 안티포깅 물질로는 TiO2 박막이 코팅된 물질이 사용되었다. 그러나 자연광하에서의 안티포깅 능력을 발휘하기 위하여서는 새로운 형태의 제조기술이 요구되고 있다. 본 기술에서 개발된 WO3가 치환된 TiO2 광유도 초친수성 박막 제조기술은 기존의 다단계 제조기술에 비하여, 공정의 단순화 및 에너지 절약의 특징을 갖고 있으며, 또한 유사한 전이금속을 이용한 초친수성 박막의 제조에도 응용이 가능한 유용한 기술로, 특히 나노포러스 물질을 이용할 경우에 경쟁력있는 안티포깅 거울의 제조가 가능할 것으로 사료된다.종래의 졸-겔 코팅법에 의해 제조된 친수성 산화물 박막은 유리기판에 TiO2 박막 코팅후 SnO2, ZrO2 그리고 WO3를 코팅하여 복합산화물을 다단계 코팅 방식으로 제조하며, 높은 소성온도로 인한 결정성을 띄는 복합산화물 제조에 유용한 방법이다. 본 기술은 유기금속 전구체 졸(sol)용액을 유리 위에 코팅하여 20-40nm 크기의나노 입자인 비결정성 WO3-TiO2 복합 산화물을 제조하여 낮은 소성온도에서 입자크기가 조절된 초친수성 무기 박막를 제조함으로서, 공정의 단순화 및 에너지 절약의 측면이 띄어난 기술이다. 따라서 제조된 박막은 UV 조사후 광유도 초친수성, 즉 5o 이하의 접촉각을 갖는다.