산업기술 통합검색
본 기술은 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성 방법 및 장치에 관한 것으로써, 결정구조를 갖는 물질을 투과 전자 현미경의 챔버에 위치시키고, 전자선을 조사하고, 결정구조를 갖는 물질을 투과 및 회절된 전자 빔의 간섭을 이용하여 피조사 물질의 표면에 결정구조를 갖는 물질의 격자 이미지를 위상 콘트라스트 영상법을 이용하여 형성한다. 본 기술은 결정 구조를 갖는 물질의 격자 이미지로 패턴을 형성함으로써 제어가능한 방법으로 양자점을 형성할 수 있으며, 별도의 패턴이 형성된 마스크를 제조하지 않아도 되는 편리한 이점이 있다.
본 기술은 물질의 결정구조를 이용한 패턴 형성방법으로, 결정구조를 갖는 물질을 투과 전자 현미경의 챔버에 위치시키고, 전자선을 조사하고, 결정구조를 갖는 물질을 투과 및 회절된 전자 빔의 간섭을 이용하여 피조사 물질의 표면에 결정구조를 갖는 물질의 격자 이미지를 위상 콘트라스트 영상법을 이용하여 형성한다. 본 기술은 결정 구조를 갖는 물질의 격자 이미지로 패턴을 형성함으로 제어가능한 방법으로 양자점을 형성할 수 있으며, 별도의 패턴이 형성된 마스크를 제조하지 않아도 되는 편리한 이점이 있다. 본 기술을 통해 대면적에 양자점을 생산성 있게 구현할 수 있다면, 이를 통한 장비 산업, 소자 산업 등에 미치는 영향은 수치로 환산될 수 없는 큰 영향이 있을 것이다.
본 기술은 시편의 뒷면에 스트레인 게이지(strain gauge)를 부착하여 시편에 압력이 가해질 때 시편과 오링 사이에 발생하는 응력을 스트레인으로 측정하고, 이 과정에서 발생하는 스트레인과 전하의 양을 동시에 측정한다. 인가 압력의 변화에 따라 발생하는 스트레인과 전하의 변화를 측정한다. 압전 박막의 압전 상수를 측정하는데 있어서, 기존의 방법들은 복잡한 장비나 측정기술을 필요로 하였다. 또한 d31의 경우 박막을 캔틸래버 모양으로 가공해야만 하는 번거로움이 있었다. 그러나, 본 방법의 경우 측정방법이 간단하고 복잡한 장비들을 사용하지 않고 쉽고 정확하게 박막의 압전상수를 측정할 수 있고, 일축방향의 응력을 만드는데 있어 금속 팁을 사용하는 수직 응력법에 비하여 용이하여 더 신뢰성 있는 결과를 얻을 수 있다.
본 기술은 생체 이식용 세라믹 복합체 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 복합체는 수산화아파타이트(hydroxyapatite)의 수산화이온(OH-)을 불소이온(F-)으로 치환(sustitution)시킨 불-수산화아파타이트(fluor-hydroxyapatite) 기지상(matrix)과 기 기지상 내에 위치하는 세라믹 재료로 이루어진 2차상(second phase)으로 이루어진다. 본 기술은 수산화아파타이트의 불화를 통해 우수한 기계적 물성을 가지면서 상분해도 되지 않는 소결체를 제조할 수 있게 되었다.그리고 기존에는 적용 가능하지 못했던 힘을 받는 부분의 임플란트로 사용될 수 있으며, 항우식 효과를 갖는 불소 이온의 용출을 이용하여 치과용 재료로 사용될 수 있을 것이다.
본 기술은 서로 다른 탄성 임피던스 유전율을 갖는 박막이 순차적으로 반복 적층된 다층막 구조를 갖는 탄성파 소자의 제조방법 및 그에 따라 형성된 탄성파 소자에 관한 것이다. 본 기술은 기판의 종류를 다양하게 사용할 수 있으며, 높은 전기적 반사계수를 가지며, 대량생산 및 공정시간을 단축할 수 있고, Tx 및 Rx filter가 결합된 2 GHz 대역의 고주파를 사용하는 이동통신 단말기의 duplexer에 활용할 수 있다.
본 기술은 교류형 플라즈마 표시 장치 내부의 유전체층 보호용 산화마그네슘 보호막의 표면에 수화물의 생성을 억제하는 덮개막을 피복시킨 교류형 플라즈마 디스플레이 장치용 산화마그네슘 보호막과 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술의 보호막은 산화마그네슘 보호막의 표면에 산화알루미늄 내지는 산화아연 중의 하나로 이루어진 덮개막이 1~100nm의 두께로 피복형성된 것으로, 산화마그네슘 보호막의 표면에 산화알루미늄 내지는 산화아연 중의 하나를 증착시켜 피복시킨다. 본 기술의 산화마그네슘 덮개막은 피디피 제조 완료 후 초기 방전과정시 플라즈마에 의해 식각되어 제거되고, 종래의 보호막에 비하여 방전특성이 향상된다. 본 기술은 피디피 패널의 소비전력을 감소하는 데 초점을 두고 있으므로, 피디피 패널 제조 공정에 당업계의 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 특성을 변질치 않고 쉽게 적용할 수 있다.
본 기술은 자기저항소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 자기헤드 및 자기센서 소자로의 응용이 활발히 연구되고 있는 스핀밸브 자기저항 소자의 제조시에 재료 내에 별도의 외부자장의 인가없이 자기이방성을 유도하여 자기저항소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 기울여 잘라진(tilt-cut) Si 기판 상에 Cu층을 바닥층으로 사용하고, 그 위에 Co / Cu / NiFe로 이루어지는 박막을 외부자장의 인가 없이, 순차적으로 형성하여 자기이방성을 유도하는 것을 특징으로 하는 자기헤드 및 센서용 자기저항 소자의 제조방법을 개발하였다. 이 때 Co 와 NiFe 두 자성층에 유도되는 자화용이축은 면내에서 상호 수직으로 형성되어 자기헤드 및 센서용 소자등의 제조에 매우 유용하다.
본 기술은 하이드록시 아파타이트와 인산삼칼슘 복합체의 소결성을 향상시킴으로써 고강도의 생체용해성 조절이 용이한 생체활성 세라믹복합체와 그 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 기술은 생체용해성을 조절하기 위한 하이드록시 아파타이트와 인산삼칼슘 복합 세라믹에 마그네슘을 첨가하므로써 인산삼칼슘의 상전이온도를 상승시켜 1200℃ 이상에서 소결이 가능하고 이에 따라 고밀도의 세라믹을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 첨가된 마그네슘은 미세구조를 균열의 진행이 어려운 형태로 바꾸는 효과가 있어 강도를 3배 정도 향상시키므로 고강도가 필요한 인공치아 및 골이식재에 응용이 가능하다.
본 기술은 생체재료용 β상 인산3칼슘의 생체친화성을 저해하지 않으면서 고밀도의 소결체를 얻을 수 있도록 β-인산3칼슘의 상전이를 지연시키는 소결조제를 함유한 인공골용 인산칼슘 세라믹 조성물에 관한 것이다. 본 기술은 종래의 기술과 비교해볼 때 생체친화성이 있는 여러 인산칼슘화합물만을 소결조제로 사용하여 고밀도로 β상 인산3칼슘을 소결할 수 있고 인산3칼슘/수산화아파타이트 복합체나 인산3칼슘/인산일칼슘 복합체의 소결에도 응용 가능하다.
본 기술은 기계적 응력이 가해지는 부위에 사용되는 인공골로서의 응력을 지탱할 수 있도록 골이식용 또는 인공치아용 산화물 세라믹 기판 위에 체액 및 주위 골과 접촉하는 생체활성 세라믹 코팅층을 형성시키기 위한 것으로서, 제조단가가 저렴하고 공정이 간단한 생체활성 세라믹 코팅방법을 제공하는 것이다. 본 기술은 종래의 스퍼터, CVD, PLD(Pulsed Laser Deposition)와 같은 코팅방법에 비해 별도의 장치가 필요 없고 EPD(Electrophoresis Deposition), 졸-겔법에 비해 코팅두께를 충분히 두껍게 할 수 있으며 복잡한 형상도 자유자재로 코팅할 수 있다. 또한 지르코니아, 알루미나, 티타니아와 같은 기계적 강도가 우수한 산화물 세라믹을 생체 이식용으로 유용하게 사용할 수 있다.
본 기술은 종래의 인산칼슘으로 이루어진 기존의 아파타이트계 탈취제에 비하여 다양한 악취성분을 제거할 수 있고 인체에 안전하며 환경친화적인 탈취제에 관한 것이다. 아파타이트 또는 TCP로 구성되는 염기성 물질의 주성분과 산성 물질의 인산일칼슘이 혼합되어 있는 인산칼슘 화합물에 마그네슘을 치환 또는 첨가시킴으로써 제조되는 탈취제는 인체에 무해하고 환경 친화적일 뿐만 아니라 종래의 아파타이트와 TCP만으로 구성된 탈취제와는 달리 산성, 염기성 성분의 악취 및 황화수소까지 제거가 가능하므로 산업용 탈취제 및 가정용 탈취제로 안전하게 사용할 수 있다.
본 기술은 물에 용해되지 않고 MgTiO3 의 소결온도를 상용화 가능온도인 1400℃이하로 낮추면서 유전손실에는 영향을 주지 않는 소결조제와 소결과정 중 발생하는 비정상입성장을 억제할 수 있는 입성장 억제제를 포함하는 위상변환기용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 본 기술은 위상변환기로의 응용에 적합한 유전특성과 함께 우수한 기계적 강도를 갖기 때문에 유전체를 회전시키는 구조로 이루어진 위상변환기에 응용 시 부품의 삽입손실 감소와 신뢰성 및 생산성 향상의 효과를 얻을 수 있다.
본 기술은 Ba3Ti4Nb4O21 과 음의 온도계수를 갖는 유전체 조성물과의 결합으로 온도보상이 가능하며 은, 은/팔라듐, 구리 등의 저융점 금속전극과 동시에 소성하여 적층 또는 평면형 소자를 만들 수 있는 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 기술은 온도 보상이 가능하고 소결조제를 첨가할 경우 900℃에서 소결이 이루어지기 때문에 은 저융점 전극과 동시소성이 가능하다. 또한 유전율이 크며 공진주파수 온도계수가 ±10ppm/℃ 이하의 값을 갖기 때문에 온도안정성이 요구되는 부품에 사용할 수 있을 뿐만 아니라 우수한 품질계수(Q×f)를 갖기 때문에 통신부품에도 사용할 수 있다.
본 기술은 온도안정성이 우수하며 유전율이 큰 Ba3Ti5Nb6O28를 주성분으로 하는 유전체의 높은 품질계수와 저온 소결특성을 만족시킬 수 있는 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 본 기술에 의한 Ba3Ti5Nb6O28 계 세라믹 유전체 조성물에 소결조제, 첨가제 등을 첨가한 결과, 1000℃ 이하에서 소결이 이루어지기 때문에 은(Ag)과 같은 저융점 전극과 동시소성이 가능하고, 이렇게 제조된 세라믹 유전체 조성물은 적층캐패시터(MLCC)에 유전체로 사용이 가능하며 특히, 유전손실이 작고 유전율 온도계수가 작기 때문에 PCS등의 이동통신용 부품을 제조하기에 적합하다.
본 기술은 온도안정성이 우수하며 저유전율 대역의 유전체의 품질계수와 저온소결특성을 만족시킬 수 있는 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층부품의 제조방법에 관한 것이다. 본 기술에 의한 유전체 조성물은 1000℃ 이하에서 소결이 이루어지기 때문에 은(Ag)과 같은 저융점 전극과 동시소성이 가능하고, 이렇게 제조된 세라믹 유전체 조성물은 적층캐패시터(MLCC)에 유전체로 사용이 가능하며 유전손실이 작고 유전율 온도계수가 작기 때문에 PCS등의 이동통신용 부품을 제조하기에 적합하다.
본 기술은 접촉 패드 구조에 관한 것으로서, 특히, 접촉 패드의 감지 구획을 구분하고, 구획을 접촉 패드에 중복 배치시켜서 접촉 패드를 하나의 IC 칩으로 구현하는 경우, 필요로 하는 IC 핀 수를 줄일 수 있는 문자 입력 장치에서의 다중화된 접촉 패드의 구조에 관한 것이다 본 기술은 동일한 구획내의 상응하는 위치의 상세 접촉전극들은 서로 전기적으로 연결되어 있는 그러한 상세 접촉 전극들로 구성되는 구획들을, 접촉 패드 영역에 공간적으로 순차적으로 중복 배열하고, 접촉점의 이동전, 이동중, 이동후의 접촉점에 의한 중복적인 감지 신호를 종합하여 연속적인 이동 경로를 나타내는 단일의 접촉점 이동 경로를 결정하는 것임을 특징으로 한다. 본 기술에 의한 접촉 패드에서는 전기적으로 연결되는 상세 접촉 전극들을 가지는 구획을 반복 배치함으로써 해상도가 저하됨이 없이 접촉 패드와 연결되는 IC 핀의 수를 줄일 수 있는 장점이 있다. 이러한 구조를 가지는 본 기술에 의한 접촉 패드 구조에서는 접촉점의이동 경로를 결정할 수 있으므로 문자 입력 장치로서 사용할 수 있다. 또한, 반복되는 구획을 구성하는 상세 접촉 전극들과는 별도로 전기적으로 서로 연결되지 않는 '대략의 접촉 전극'들을 접촉 패드 전체 영역에 걸쳐서 배치하여 접촉점의 대략적인 절대 위치를 결정함으로써, 본 기술에 의한 접촉 패드의 구조를 모니터상의 커서의 위치를 결정하는 입력수단으로서 사용할 수 있다.
본 기술은 클래딩(cladding) 영역이 물리적으로 변형된 중공부(hollow)를 가지는 광섬유(optical fiber)의 코아(core) 영역에 액정이 주입되어 광투과 스펙트럼을 넓은 파장 영역에서 전기적으로 제어할 수 있도록 한 액정을 이용한 광섬유 격자소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술은 광반응성 광섬유(photosensitive optical fiber)에 의해 제작된 광섬유 격자 소자들은 그 자체적으로 수동 소자이기 때문에 일단 제조된 후 광투과 스펙트럼을 가변하기 어려운 반면, 본 기술에서의 경우 중공부에 채워진 액정의 방향자를 전기적으로 재배향함으로써 투과 스펙트럼을 전기적으로 용이하게 가변할 수 있다는 장점을 지닌다. 이때 투과 스펙트럼은 액정에 의한 코어 영역과 물리적으로 변형된 클래딩 영역간의 모드 결합에 의해 결정된다.
본 기술은 편광 의존성이 있는 액정의 배향을 이용하여 서로 직교하는 편광 특성을 갖는 이진 격자 구조를 도입하여 편광 빛살 가르개를 제작하는 방법으로, 자외선 조사에 의해 수직 배향막이 수평 배향막으로 역할하는 광배향 수지를 도포하고 이진 마스크를 통해 자외선을 조사하여 수평 또는 혼성 배향과 수직 배향으로 이루어진 액정 이진 격자를 제작한다. 본 기술은 표면 배향막에 일정한 형태의 마스크를 통해 조사된 자외선에 의해 간단히 인가 저압에 따른 파장 가변형 편광 빛살 가르개를 제작할 수 있고 이진 격자 구조 제작이 용이하고 파장 가변성이 있다. 광배향 수지의 기능성 향상을 통해 제품으로 상용화되리라 본다.
본 기술은 액정과 아조 염료 혼합물 내부에 광경화성 수지 망구조가 주기적으로 형성된 편광 회절 격자 소자 (polarization grating device)에 관한 것이다. 제어광에 의한 액정의 방향자의 재배향 정도가 시편 내에 형성된 수지망 구조의 밀도에 따라 달리 조절되므로, 여타 광반응성 물질을 이용한 회절격자 소자의 경우 회절 효율을 조절하기 위해서는 두개 이상의 제어광원이 필요한 반면, 본 기술에서는 단일 제어 광원만으로 회절광 및 투과광의 광효율 및 편광 상태를 용이하게 조절 할 수 있다는 장점을 가진다. 또한 상기 회절 격자 소자는 액정 내에 형성된 수지 구조와 재배향된 염료간의 상호 작용에 의하여 액정의 재배향을 지속시키는 것이 가능하다는 특징을 지닌다.
본 기술은 밀리미터파 대역의 낮은 SNR 한계를 극복하고, 광대혁 무선 전송 시스템 구현할 수 있는 3차원 빔 스티어링 시스템에 관한 것이다. 본 기술에 의하면, 밀리미터파 대역에서 낮은 소자 출력 및 높은 공간 손실로 인하여 낮은 신호대 잡음비(SNR)를 가질 수 밖에 없다는 문제를 3차원 빔 스티어링이라는 새로운 전송방식 및 전기적, 기계적으로 움직이는 초소형 안테나 구조를 도입하여 해결함으로써, Pico cell 환경의 광대역 무선통신뿐만 아니라 3차원 이미징이 가능하게 된다.