일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
차세대 메모리 소자인 플래쉬 기억소자의 나노 플로팅 게이트 형성에 있어서, 상온에서 낮은 전압에서도 기판에서 전자가 절연층을 투과하여 나노 결정체에 포획되는 효과가 가능한 물질과 간단하게 나노 결정체의 크기나 밀도의 제어가 가능한 기술이 필요하다. 차세대 플래쉬 기억소자에 대한 이러한 필요성을 바탕으로 본 발명이 제시한 새로운 나노 플로팅 게이트는 폴리아믹 산과 금속의 화학적 결합에 의해 폴리아미드 속에 생성된 Ni1-XFeX 금속 나노 결정체로 형성하며, 이 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트는 전기적, 화학적으로 안정한 장점이 있다. 나노 플로팅 게이트를 가진 Al/폴리아미드/Ni1-XFeX 나노 결정체/폴리아미드/n-Si(100) 구조에 대한 정전용량-전압 특성은 Ni1-XFeX 나노 결정체가 전하를 포획했음을 나타낸다. 이러한 전기적, 화학적 안정성 및 제작 공정의 간편함으로 인해 고효율과 저비용의 플래쉬 기억소자의 제작이 가능하다.본 발명은 고분자 박막 내에 자발형성된 Ni1-xFex(0<x<0.5) 나노결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 갖는 고효율 저비용의 플래쉬 메모리 소자에 관한 것으로 본 발명의 Ni1-xFex 나노결정체를 갖는 나노 플로팅 게이트의 제조방법에 따르면 Ni1-xFex 나노결정체의 크기와 밀도의 조절이 용이하며 이를 통한 나노 플로팅 게이트의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한 전기적 , 화학적으로 안정한 나노 플로팅 게이트를 이용함으로써 고효율 저비용의 나노 플로팅 게이트의 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-18
상세보기
일반기술
재료 > 분말 제조 기술
본 발명은 복합상 이산화티타늄 분말에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 세라믹 바울과 볼을 사용하여, metal Ni을 8 wt.%를 티타늄수산화물과 글로브 박스 내에서 혼합한 후, 기계적합금화법을 이용하여 도핑시킨 후, 단순열처리 공정을 통하여, NiTiO3와 Ni이 도핑된 TiO2가 공존하는 복합상 광촉매를 제조하여 광효율을 가시영역까지 증가시켜 광활성화를 향상, 가시영역에서 반응가능한 NiTiO3/Ni doped TiO2 nanocomposite 이산화티타늄 분말 제조에 관한 것이다.본 발명은 광촉매 이산화티타늄 분말 제조에 있어, 기존의 제조방법과는 다른 상온 고상반응법인 기계적합금화법을 이용하여 Ni을 도핑시킨 후 열처리를 통하여, 금속니켈이 도핑된 이산화티타늄과 티탄산니켈이 공존하는 복합상 광촉매 이산화티타늄 분말을 제조하여 가시영역에서 반응가능한 광촉매를 제조하는 것이다. 전이금속(Ni)을 사용하여, 보다 더 공정을 단축시키며 Ni이 도핑된 이산화 티탄을 보다 대량으로 생산할 수 있으며, 가시영역에서도 유기물을 효과적으로 분해할 수 있다. 졸-겔법이 아닌 상온고상 반응법인 기계적 합금화법을 사용하였으며, 추가 코팅이 필요치 않은 분말상으로도 가시영역에서 유기물 분해 가능한 광촉매를 제조하였다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-18
상세보기
일반기술
재료 > 분말 제조 기술
본 발명은 몰리브덴 금속 산화물 분말을 수소환원하여 몰리브덴 금속 분말을 생산하는데 있어 수소 사용량을 획기적으로 절감시킬 수 있는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 예를 들어, 삼산화몰리브덴(MoO3)을 이산화몰리브덴 (MoO2)으로 환원시키는 1차 환원반응과 이산화몰리브덴을 몰리브덴 금속 (Mo)으로 최종 환원하는 2차 환원반응을, 별개의 원통형 batch 수소환원로를 이용하여 분리시킴으로서, 각 반응에 필요한 최적온도를 유지시키고, 수소 이용 효율이 낮은 2차 환원 반응에서 발생하는 미 반응 수소가스를, 수소 이용 효율이 높은 1차 환원반응에 재활용함으로써, 수소가스의 이용 효율을 최대한 높여 효율적이고 경제적으로 몰리브덴 금속 분말을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 수소환원을 통해 고순도 몰리브덴 금속 분말을 제조함에 있어, 기존의 일반적으로 사용되는 연속장입식 수평환원로 대신, 원통형 batch 수소환원로를 이용하여 2단계 수소환원법을 이용하였다. 이 경우, 각 단계를 별개의 수소환원로를 이용하였기 때문에 단계별 최적온도를 별개의 로에서 사용할 수 있고, 로 내수소가스의 체류시간의 조절이 용이하여 분위기 조절에 의한 구형 몰리브덴 금속분말 제조가 가능하고, 수소환원에 필요한 이론적 수소가스 요구랑에 근접한 가스의 사용으로 몰리브덴 금속 분말의 생산이 가능하다. 또한, 수소 가스 이용효울이 낮은 2차 환원 반응 (MoO2 → Mo)에서 발생된 미반응 수소가스를, 수소가스의 이용효율이 높은 1차 환원반응(MoO3 → MoO2)에 재활용함으로써 수소 가스의 이용 효율을 최대한 높인 공정의 발명이라 할 수 있다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-18
상세보기
일반기술
재료 > 열처리 기술
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)/필드 에미션 디스플레이(FED) 소자 재료로 사용가능한 금속 텅스테이트 나노형광체의 합성법에 관한 것으로서, 마이크로파 주사를 통한 균일한 반응 및 낮은 온도에서의 가열을 통해 화학양론 조성의 단일상을 제조하는 합성법을 제공한다. 출발물질로서 금속 아세트산염과 텅스텐산을 사용하며, 균질한 조성의 형광체를 합성하기 위해 용액의 혼합 및 반응과정 중에 마이크로파를 주사하여 용액내의 균질한 반응을 도모한다. 이러한 공정을 통해 빠른 시간안에 용액의 고상화가 이루어지며 낮은 온도에서 나노크기수준의 단일조성의 금속 텅스테이트 형광체를 합성하는 방법을 특징으로 한다.금속 텅스테이트의 합성방법에 의하면, 금속아세테이트염과 텅스텐산을 이용하여 금속 텅스테이트를 합성하는 과정에서 마이크로파를 주사하여 저온에서 나노크기 수준의 입도를 갖는 입자를 형성하므로써, 전체 공정이 몇시간 안에 이뤄짐으로써 종래의 금속 텅스테이트 합성방법에 비해서 매우 빠르고 효율적이며 우수한 합성방법이다. 나노크기 수준의 금속 텅스테이트 형광체를 합성하기 위해 1. 금속 아세테이트염과 텅스텐산을출발물질로 사용하며 2. 마이크로파 주사를 통해 전체 합성공정이 몇 시간 안에 균질하게 이뤄져 화학양론적 단일상과 나노크기 수준의 입도를 갖는 금속 텅스테이트 형광체를 합성하는 공정을 제공하는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-18
상세보기
일반기술
재료 > 기타 복합재료
본 발명은 질산/황산 혼합 수용액에 몰리브덴(Mo) 금속 스크랩을 산용해시킨 후 중화시켜 몰리브덴은 고순도 금속 산화물로 회수하고 여액은 복합비료를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 예를 들어, 텅스텐(W) 필라멘트 제조공정에서 심선으로 사용되는 몰리브덴을 산용해시키는 과정에서 발생되는 수용성 몰리브덴 함유 고농도 질산/황산 혼합 수용액에 몰리브덴 금속 스크랩을 추가로 산용해시키고, 암모니아 가스를 취입하여, 수용성 몰리브덴은 전량 암모늄 몰리브데네이트 형태로 여과 회수한 후 배소하여 고순도 몰리브덴 산화물을 제조하고, 중화여액은 여기에 약간의 수용성인산 또는 수용성가리를 첨가하여 복합비료를 제조하는 방법을 제공한다.고농도의 질산, 황산과 함께 수용성 몰리브덴이 함유되어 있는 산폐액을 활용하여 간단하고 경제적인 방법에 의해 몰리브덴 금속 스크랩을 추가로 산용해시키고, 이로부터 고부가가치 형태의 몰리브덴을 경제적이고 효율적으로 회수할 수 있을 뿐만 아니라, 중화여액인 고농도 황산암모늄 수용액을 활용하여 비료를 제조할 수 있어 환경오염의 방지와 자원재활용의 효과를 동시에 달성할 수 있다. 본 발명은 상기 발생 질산/황산 함유 산폐액을 활용하여 몰리브덴 금속 스크랩을 추가로 용해시켜 환경오염의 원인이 되는 질산을 제거하고, 몰리브덴 포화 황산용액을 암모니아로 중화시켜 몰리브덴은 암모늄몰리브데이트로 회수하고 고농도 황산암모늄 수용액은 복합비료의 원료로 사용한다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
상세보기
일반기술
재료 > 열기능재료
본 발명은 반복 열응력에 의해서 일어나는 Turbine Blade Bond 코팅층의 파손을 최대한 억제하기 위해 Al 확산 코팅 전에 전기 도금법으로 Nikel-base superalloy 위에 전기도금법을 이용하여 Platinum(Pt)와 Palladium(Pd)를 layer by layer 혹은 합금도금을 하였다. 종래의 기술에 비해 반복열응력하에서 Nickel base superalloy와 커다란 열팽창계수의 차이 때문에 일어나는 파손을 억제 할 수 있다. 본 발명은 사용온도의 고온화에 따른 격심한 산화와 부식 그리고 기계적 성질의 개선을 위한, 반복 열응력에 의해서 일어나는 코팅층의 파손을 최대한 억제하기 위한 기술이다.본 발명은 사용온도의 고온화에 따른 극심한 산화와 부식 그리고 기계적 성질의 개선 및 반복 열응력에 의해서 일어나는 코팅층의 파손을 최대한 억제할 수 있다.Al 확산코팅 전에 전기 도금법으로 Nikel-base superalloy위에 Platinum(Pt)/Palladium(Pd)의 layer by layer coating, Platinum(Pt)/Palladium(Pd) 합금도금 coating으로 형성한 후, 전기도금을 하였고, 1200℃에서 Cyclic test 결과 뛰어난 특성을 보였다. 또한 Iso thermal oxidation test 결과 전반적으로 우수한 결과를 나타냈다. 그리하여 반복 열응력에 의해서 일어나는 코팅층의 파손을 최대한 억제할 수 있었다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-18
상세보기
일반기술
재료 > 특수복합재료
○ 기술발명의 목적: 소각회 및/또는 슬러지를 이용한 인공골재의 제조방법○ 기술 요약 및 특징: 본 발명은 소 원심력을 이용해 핵의 주위에 소각회 및/또는 슬러지 분말을 부착시키고, 이를 치밀화 및 구상화 함으로써, 고온에서의 소성과정없이 상온에서 제조 가능한 인공골재의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명을 이용하면 비중, 입도, 흡수율, 10% 파쇄하중, 실적율 등의 경량골재 관련 성능이 우수하며 흡수율이 뛰어난 인골 골재를 얻을 수 있으며, 재조비를 절감할 수 있는 효과가 있다.○ 색인어: 소각회, 슬러지, 인공골재, 핵본 발명을 위해 주원료인 소각회 혹은 슬러지 분말과, 결합재인 멜라민 수지와, 소각회 혹은 슬러지 분말이 부착되는 핵을 각각 투입하는 투입기와, 상기 각각의 투입기에서 투입된 재료를 혼합하고, 원심력에 의해 핵이 회전하면서 핵의 주위에 소각회 및/또는 슬러지 분말이 부착되도록 하는 가경식 믹서와, 상기 가경식 믹서에 의해 형성된 소정의 크기를 갖는 구성체를 건조 양생하는 건조조와, 상기 건조조에 의해 양생된 골재의 주위를 마감처리 하기 위해 코팅처리하는 코팅처리조를 구비한다. 먼저, 본 발명에서는 소정의 경사각으로 기울어져 있는 가경식 믹서내에 핵과 결합재인 멜라민 수지를 투입하여, 상기 핵의 주위에 멜라민 수지가 충분히 묻혀지도록 한다. 그리고, 이 상태에서 소각회 및/또는 슬러지 분말을 가경식 믹서내에 살포하고, 믹서의 회전에 의해 상기 멜라민 수지가 묻혀진 핵이 회전하면서 핵의 주위에 소각회 및/또는 슬러지 분말이 부착되도록 한다. 그리고, 계속적인 회전에 의해 핵의 주위에 부착된 소각회 및/또는 슬러지 분말은 치밀화된다. 본 발명에서는 핵과 멜라민 수지, 그리고 소각회 및/또는 슬러지 분말을 살포하여 회전시키는 동작을 약 30초동안 실시하였다.이와 같이 소각회 및/또는 슬러지 분말을 핵의 주위에 부착시켜 치밀화 하고, 연속적으로 소각회 및/또는 슬러지 분말을 살포하면서, 믹서를 약 30초 동안 회전시킨다. 그리고, 이러한 동작을 반복하면서 원하는 크기의 초기 구상 골재를 제조한다. 이러한 과정을 통해 원하는 크기의 구상 골재가 생성되면, 이 초기 구상 골재는 양생단계를 거치기 위해 소정의 조건에서 소정의 시간동안 건조된다. 본 발명에서는 상온에서 약 3일 동안 건조하였다. 이와 같은 조건에서 양생된 구상 골재는 최종 처리공정인 코팅처리 과정을 거치게 된다.
- 보유기관
- 전북대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기
일반기술
재료 > 구조·열기능재료
반복단위로 구성된 폴리벤즈옥사졸, 폴리벤즈시아졸, 폴리벤즈이미다졸, 폴리피롤론과 같은 마이크로기공과 메조기공을 포함한 다공성 고분자와 그의 공중합체, 다양한 무기산화물과의 복합체, 수소이온전도성 무기물과의 복합체로서 이로부터 제조된 기체분리용 고분자막. 본 발명은 다공성 유기 고분자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 기체 분리막에 관한 것이다. 본 발명의 다공성 유기 고분자는 기체투과도와 선택성간의 우수한 균형을 갖고, 내열성, 내화학성 및 기계적 성질이 우수하며, 나노단위의 미세다공성을 지니고 있어, 기체분리막, 흡착제 등 이용분야가 매우 광범위하다.관능기(-OH, -SH, -NH2)를 갖는 폴리이미드로부터 적정 구간에서의 열처리를 통하여 제조된 폴리벤즈옥사졸, 폴리벤즈시아졸, 폴리벤즈이미다졸, 및 폴리피롤론의 제조에 대한 것으로 간단한 방법으로 기존의 고분자가 갖지 못하는 높은 자유체적과 기체투과성능을 갖는 고분자를 제조할 수 있다. 본 발명의 다공성 유기 고분자는 기체투과도와 선택성간의 우수한 균형을 갖고, 열처리됨에 따라서 열적, 화학적 안정성을 갖는 강직한 사슬 구조를 갖게 됨으로써 고온에서 운전되는 공정에의 응용에서도 안정적으로 사용이 가능하다. 또한 유기 고분자에서 볼 수 없었던 마이크로세공 및 메조세공을 가지고 있어 기존의 무기재료와 동등한 흡착성능을 갖는다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
상세보기
일반기술
재료 > 에너지 저장·전환재료
발명은 산 또는 염기 도핑된 수소이온 전도성 고분자, 그 제조방법, 상기 고분자를 이용한 고분자막, 및 그 고분자막을 채용한 연료전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하기 대표도면의 반복 단위를 갖고, 산 또는 염기로 도핑된 수소이온 전도성 고분자, 그 제조방법, 상기 고분자를 이용한 고분자막, 및 그 고분자막을 채용한 연료전지에 관한 것이다. 본 발명의 수소이온 전도성 고분자는 비교적 낮은 도핑율 및 도핑 시간에도 불구하고 높은 이온전도도를 가지고, 90℃ 이상의 고온에서 도핑된 산 또는 염기의 누출현상 없이 높은 이온전도도를 나타낸다.본 발명의 수소이온 전도성 고분자는 비교적 낮은 도핑율 및 도핑 시간에도 불구하고 높은 이온전도도를 가지고, 90 ℃ 이상의 고온에서 도핑된 산 또는 염기의 누출현상 없이 높은 이온전도도를 나타낸다. 또한, 열처리 과정에 의해 열적, 화학적 안정성을 갖는 강직한 사슬 구조를 갖게 됨으로써 고온에서 운전되는 공정에서도 안정적으로 사용이 가능하고, 종래의 다른 유기 고분자에서 볼 수 없었던 마이크로세공 및 메조세공을 가지고 있어 기존의 무기재료와 동등한 흡착성능을 갖는다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
상세보기
일반기술
재료 > 기타 고분자재료
본 발명은 오버런 공정을 이용한 다공성 지지체의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 (1) 고분자 용액을 오버런(over-run)시켜 기체를 혼입시키는 단계; 및 (2) 상기 기체가 혼입된 용액을 동결건조시키는 단계를 포함하는 다공성 지지체의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 다공성 지지체의 제조방법에 따르면 인체에 유해한 화학약품의 잔유 위험이 없어 무독성의 생체적합성 다공성 지지체를 제조할 수 있고, 부가적인 세척공정 단계가 불필요하여 제조공정을 최소화할 수 있으며, 제조공정시의 여러 가지 인자들의 조절과 부가적인 가교반응과 염침출(particle-leaching)법 통해 원하는 적절한 다공도, 기계적 물성, 생분해 특성 등을 가진 3차원의 다공성 지지체의 제조가 가능하여 상처피복재료, 조직공학적 인공장기, 의료용 충진제, 또는 세포배양을 위한 지지체의 제조에 널리 활용될 수 있다.본 발명의 오버런 공정에 의한 다공성 지지체의 제조방법에 따르면 인체에 유해한 화학약품의 잔유 위험이 없어 생체적합성 다공성 지지체를 제조할 수 있고, 부가적인 세척공정 단계가 불필요하여 제조공정을 최소화할 수 있으며, 제조공정시의 여러 가지 인자들의 조절과 부가적인 가교반응과 염침출(particle-leaching)법을 통해 원하는 적절한 다공도, 기계적 물성, 생분해 특성 등을 가진 3차원의 다공성 지지체의 제조가 가능하다. 본 발명의 오버런 공정을 이용한 다공성 고분자 지지체의 제조방법은 세포의 접착과 분화, 성장을 촉진할 수 있는 적절하고 균일한 기공의 크기와 다공성을 가진 3차원의 다공성 지지체를 제공하여, 상처피복재료, 조직 공학적 인공장기, 의료용 충진제, 또는 세포배양을 위한 지 지체의 제조에 널리 활용될 수 있다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기
일반기술
재료 > 비철재료
본 발명은 상기 타겟으로부터 방출되는 입자가 상기 기판 홀더에 배치된 기판 상으로 진행가능하도록 적어도 하나 이상의 홀이 마련된 도전체를 소정의 금속타겟과 기판 홀더 사이에 배치함으로써 상기 금속타겟으로부터 발생되는 금속이온과 산소의 결합을 향상시켜 반금속 산화물을 제조할 수 있는 플라즈마 스퍼터링 장치를 제공한다. 또한, 바람직한 실시형태에서는, 상기 도전체에 도전체용 전력공급부를 연결하여 추가적으로 전력을 공급하여 2차 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이러한 플라즈마 스퍼터링 장치는 산소분해를 위한 높은 에너지를 제공할 뿐만 아니라, 추가적인 전력을 통해 서로 다른 이온가를 갖는 금속이온을 정확한 조성비로 발생시킬 수 있어 낮은 공정온도에서 반금속성 산화물을 제조하는데 매우 유용하다. 나아가, 본 발명은 상기 플라즈마 스퍼터링 장치를 이용하여 반금속성 산화물 박막을 제조하는 방법도 제공한다. 이러한 제조방법은 상기 플라즈마 스퍼터링 장치의 잇점뿐만이 아니라, Fe3O4 박막을 저온에서도 제조할 수 있으므로, 다른 자성물질과 결합하여 디바이스를 구성하는 경우에 특히 유용하게 채용될 수 있다.종래의 스퍼터링 장치의 소정의 금속타겟과 기판 홀더 사이에 상기 타겟으로부터 방출되는 입자가 상기 기판 홀더에 배치된 기판 상으로 진행가능하도록 적어도 하나 이상의 홀이 마련된 도전체를 배치함으로써, 산소분해를 향상시키고 그 분해된 산소이온과 상기 금속타겟으로부터 발생되는 서로 다른 전자가의 금속이온을 결합하여 반금속 산화물을 제조할 수 있는 플라즈마 스퍼터링 장치를 제공하는데 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 플라즈마 스퍼터링 장치를 이용하여 반금속성 산화물 박막을 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
텅스텐 산화물을 10 내지 100 시간 동안 초음파 볼밀링하고, 이렇게 분쇄된 텅스텐 분말을 650 ~ 1000℃의 온도 범위에서 30 분 내지 5 시간 동안 수소환원하는 것을 포함하는, 텅스텐 나노금속분말의 제조 방법이 제공된다. 또한, 상기 수득된 텅스텐 나노금속분말을 성형하여 1250~1450℃의 온도에서 소결하는 것을 특징으로 하는, 텅스텐 소결체의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 방법에 따르면, 성형체 밀도 52%에서 95% 이상의 치밀화가 가능해졌으므로, 본 발명의 텅스텐 나노분말은 복잡한 형상의 제품을 제조하기 위한 분말사출 성형용 원료분말로 적용될 수 있다. 또한, 상기 나노분말은 92~94%의 소결밀도를 요구하는 스웨이징용 텅스텐 소결체로도 사용될 수 있으며, 더욱이, 소결 후 대부분의 기공들이 계면에 잔류하므로, 스웨이징용 텅스텐 소결체를 제조하기 위한 원료분말로서 극히 바람직하다.본 발명에 따르면, 텅스텐 산화물을 합금/복합 나노금속분말 제조기술인 선행 기술(대한민국 특허 출원 10-2000-64779)의 초음파 밀링법을 이용하여 불순물 혼입없이 분쇄한다. 이러한 분쇄 공정에 의해 산화물 응집체(agglomerate) 내부의 기공량이 증가되어 수소 환원시 발생되는 수증기가 효과적으로 방출된다. 효과적인 수증기 방출은 환원반응 영역에서의 수증기 분압을 낮추는 결과를 초래하여 합성되는 텅스텐 입자의 나노화를 가능케 한다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-18
상세보기
일반기술
재료 > 기타 복합재료
본 발명은 W-Cu 복합 복말을 제조하는 방법에 관한 것이다. 좀더 구체적으로, 본 발명은 W-Cu 복합재료를 액상소결법으로 제조함에 있어서, W 금속 분말과 Cu 산화물 분말을 이용함으로써 W과 Cu의 혼합도를 증진시켜 소결도가 향상된 W-Cu 복합 분말을 제조하는 방법에 관한 것이다. 장시간의 볼 밀링이나 고온에서의 환원 공정 등에 의해 수반되는 비용 및 시간 등의 단점을 해소함과 동시에, W과 Cu의 혼합도를 향상시키고 W의 입자 재배열을 증진시켜, 높은 소결 밀도를 갖는 W-Cu 복합 분말을 제조하는 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.본 발명에 따르면 간단한 볼 밀링 공정과 비교적 낮은 온도 범위에서의 수소 환원 공정을 통해 더욱 손쉽고 경제적인 방법으로, 마이크로 패키징용 재료와 고부하 전기접점 재료 등에 응용이 확대되고 있는 W-Cu 복합 재료를 우수한 소결 특성을 갖는 것으로 제공할 수 있으므로, 그의 산업적 이용 가능성이 매우 크다고 할 것이다. W-Cu 복합분말을 제조하기 위하여 금속 W와 Cu 산화물 분말을 볼 밀링한 후 Cu 산화물을 환원하는 공정이다. 기존의 W-Cu 복합분말의 제조공정에서 환원온도를 낮추고 한 단계로 단순화하였다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기
일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
양자점 발광 영역 양면에 p형과 n형 반도체 박막의 정공과 전자의 주입층의 전극층 형성이 필요하거나 전하를 전달하는 다층의 유기물층의 형성이 필요한 기존의 발광 소자와 다르게, 본 발명에서 제시하는 발광 소자는 폴리이미드 안에 자발 형성된 Cu2O 나노 결정체를 형성하여, 소자 양단에 교류 전류를 인가함으로 발광하게 된다. 폴리이미드 안에 자발 형성된 Cu2O 나노 결정체의 크기 및 밀도를 조절함으로서, 원하는 발광 파장과 높은 발광 효율을 가진 새로운 유기물과 결합한 무기물의 발광 소자를 제작 할 수 있다. 유리 기판위에 증착 및 스핀 코팅의 간단한 공정으로 제작할 수 있기 때문에 기존의 발광 소자에 비하여 제작과정이 간단하며 교류를 인가하여 발광하기 때문에 저전력으로 동작한다.본 발명은 절연성 폴리이미드 안에 자발 형성된 Cu2O 나노 결정체의 크기와 밀도를 변화하여 여러 가지 발광색 및 높은 발광 효율을 얻을 수 있으며, 교류 전원을 사용하여 발광하는 유기물과 무기물이 결합한 발광 소자는 양자점 활성층 양면에 p형과 n형 반도체 박막의 정공 및 전자 주입층의 형성이나, 전자나 정공 전달층인 다층 유기물의 형성이 필요없는 절연성 유기물과 결합한 무기물의 간단하고 저전력의 발광소자의 제작 방법을 제안한다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기
일반기술
재료 > 기타 고분자재료
* 원리 및 구성본 기술은 해양생물로부터 추출된 콜라겐을 이용하여 제조된 조직공학용 고분자 지지체 및 그 콜라겐의 추출방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 콜라겐의 아미노산 조성에 있어 프롤린(proline)이 6 내지 10.5 몰%, 히드록시프롤린(hydroxyproline)이 3 내지 7 몰%인 해양생물로부터 추출된 콜라겐을 이용하여 제조되는 조직공학용 고분자 지지체 및 그 콜라겐의 추출방법에 관한 것이다.* 기술효과본 기술의 조직공학용 고분자 지지체는 포유동물 유래 콜라겐에 비해 세포친화성이 우수하고, 세포독성 및 면역 반응의 위험이 없는 해양생물로부터 추출된 콜라겐을 이용하여 제조됨으로써, 상처피복재료, 조직공학용 인공장기, 의료용 충진제, 또는 세포배양을 위한 지지체로 널리 활용할 수 있다. 또한, 본 기술의 추출방법에 의하면, 비교적 저가의 가격으로 광우병 등의 전염성 병원체의 감염 위험이 없는 콜라겐을 다량 생산할 수 있다.* 기술특징본 기술의 목적은 저온에서 안정하고, 전염성 병원체, 세포독성, 면역반응의 위험이 없는 해양생물 유래의 콜라겐을 이용하여 제조되는 조직공학용 고분자 지지체를 제공하는 것이다. 본 기술의 다른 목적은 전염으로 인한 오염 위험, 특히 프리온(prion) 타입의 전염성 병원체의 오염 위험이 없는 콜라겐을 비교적 저가의 가격으로 대량 생산할 수 있는 추출방법을 제공하는 것이다.* 주요 적용 제품 - 상처피복재료 - 조직공학용 인공장기 - 의료용 충진제 - 세포배양을 위한 지지체* 특징 및 장점 - 첫째, 비교적 저가의 가격으로 광우병 등의 전염성 병원체의 감염 위험이 없는 콜라겐을 다량 생산할 수 있다. - 둘째, 유래 콜라겐에 비해 세포친화성이 우수하다. - 셋째, 질병감염, 세포독성 및 면역반응의 위험이 없는 해양생뮬로부터 추출된 콜라겐을 사용한다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
상세보기
일반기술
재료 > 기타 고분자재료
* 원리 및 구성본 기술은 기체분리용 규소함유 탄소분자체 분리막의 제조방법 및 그 전구체가 되는 고분자의 성분 및 조성에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 규소를 함유한 고분자전구체막을 제조하는 단계; 기존의 폴리이미드의 합성에 이용되었던 단량체와 실록산기를 함유한 양말단이 아민기인 올리고머를 공중합시키는 조성 결정단계, 상기 고분자전구체막을 5-10oC/min의 승온속도로 400oC까지 승온시킨 다음, 3-5oC/min의 승온속도로 550-600oC까지 승온시킨 후 같은 온도범위에서 1-2시간의 등온과정을 거치는 단계, 및 상기 등온과정을 거친 안정화된 분리막을 1-5oC/min의 승온속도로 800oC와 1000oC까지 각각 승온시켜 같은 온도에서 1-2시간의 등온과정을 거쳐 탄소화시키는 단계를 포함하는 기체분리용 탄소분자체 분리막의 조성 및 제조방법에 관한 것이다. 상기 분리막은 헬륨, 수소, 산소, 질소, 메탄 또는 이산화탄소와 같은 기체를 매우 효율적으로 분리할 수 있다.* 발명의 특징본 발명은 기체를 높은 투과도와 함께 효율적으로 분리할 수 있는 규소를 함유한 탄소분자체 분리막의 고분자 전구체 조성 및 제조방법에 관한 것이다. 두 개의 서로 다른 영역을 가지는 미세상분리 구조로 된 폴리이미드실록산을 탄화과정을 통해 높은 투과도와 선택도를 가지는 규소 함유 탄소막을 제조한다.* 적용응용분야 및 시장성탄소분자체막은 기체 혼합물의 분리에 이용되며 이외에 바이러스, 단백질, 박테리아 분리와 같은 의료분야 및 주류, 탄산음료와 같은 식품산업에 대해서도 탄소막을 이용한다. 탄소분자체는 기체분리 뿐 만 아니라 그 용도가 매우 다양하여 분리산업 및 촉매산업에도 큰 각광을 받을 것으로 기대된다. 본 발명은 산소 산업의 핵심 기술인 고분자 분리막의 대체기술이며 최근 들어 신()산업으로 급부상하고 있는 산소관련 산업은 시장규모가 오는 2003년 1조원대에 달할 것으로 예상된다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기
일반기술
재료 > 전자기 기능재료
본 발명은 아조계 색소와 이의 금속 착화합물을 광기록 물질로서 이용하는 광기록 매체에 관한 것이다. 이러한 광기록 매체는 기능에 따라 기록되어진 정보를 재생만 하는 재생전용형(Read Only Memory)과 1회에 한하여 기록이 가능한 추기형(Write Only Read Many: WORM) 및 기록 후 소거 및 재기록이 가능한 소거가능형(Erasable)으로 구분된다. 기록 가능한 광기록 매체는 기록 전후 기록 층의 물리적인 변형, 상 변화, 자기적 성질의 변화 등에 기인한 반사율 변화로 기록 재생하게 된다. 상기 추기형 광기록 매체로는 CD-R(Compact Disk Recordable)이 가장 널리 알려져 있다. 이러한 광기록 매체의 특성을 향상시키면서 제조를 용이하게 하기 위하여 여러 가지 광기록 물질들이 제안되어 일부 실용화되고 있다. 상기 CD-R용 광기록 물질로는 시아닌 염료(일본 특허 공개 소58-125246), 프탈로시아닌 염료(유럽 특허 제676751호), 아조 염료(미국 특허 제 5,441,844호), 이중염 염료(double salt)(미국 특허 제 4,626,490호) 등이 공지되어 있다.최근, 정보량이 점차 증가함에 따라, 저장 정보의 용량을 증가시킨 DVD-R(Digital Versatile Disk Recordable)이 제안되었다. 이 DVD-R은 광원으로서 630 내지 670nm 파장 영역의 적색 다이오드 레이저를 채용하고 비트 크기 및 트랙 간격을 감소시킴으로써 CD-R의 경우와 비교하여 기억 용량을 6 내지 8배로 증가시켜 기록 밀도를 향상시켰다. DVD-R용 광기록 물질로 사용되기 위해서는 기록 파장에서의 높은 굴절율과 적절한 흡수 특성, 유기용매에서의 뛰어난 용해도, 기록 부위의 균일성 및 안정성 뿐만 아니라, 합성이 용이하고 재료원가가 저렴해야 한다는 특성 등이 요구된다. DVD-R용 광기록 물질의 예로는 시아닌 염료, 등이 있다. 그러나, 기존 염료 물질들의 경우, 프탈로시아닌 염료는 합성하기가 어렵고 제조 단가가 높다는 단점이 있고 시아닌 염료는 광이나 열에 약하다. 이처럼 기존 염료는 상술한 특성 측면에서 아직도 개선의 여지가 많다.본 발명은 아조계 색소와 이의 금속 착화합물을 광기록 물질로서 이용하는 광기록 매체에 관한 것이다. 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 합성하기가 기존의 프탈로시아닌이나 시아닌에 비해 비교적 용이하며, 제조 수율이 높으며, 광적, 열적으로 우수한 특성을 보이는 새로운 아조계 착화합물 염료를 광기록 물질로 제공하는 것이다. 화학식 1로 표시되는 아조 색소는 합성하기가 용이할 뿐만 아니라 합성수율이 우수하다. 그리고 화학식 2로 표시되는 아조 금속 착화합물 또한 합성이 용이하다. 따라서 이 아조 금속 착화합물을 광기록물질로 이용하면 종래의 광기록물질을 이용한 경우와 비교하여 광기록 물질의 제조단가 등의 측면에서 유리하다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
* 원리 및 구성본 기술이 이루고자 하는 기술적 과제는 합성하기가 기존의 프탈로시아닌이나 시아닌에 비해 비교적 용이하며, 제조 수율이 높으며, 광적, 열적으로 우수한 특성을 보이는 새로운 아조계 착화합물 염료를 광기록 물질로 제공하는 것이다. 상기식중, X 는 S, N 이고, Y 는 S, N 이며, R1 ~R5 는 수소 원자(-H), 카르복실산(-COOH), 메톡시 (-OCH3)이다. M 은 금속이온으로 Ni, Zn, Co, Cu 이다. 화학식 1로 표시되는 아조 색소는 합성하기가 용이할 뿐만 아니라 합성수율이 우수하다. 아조 색소에 M 을 사용하여 화학식 2와 같은 아조의 금속 착화합물 또한 합성이 용이하다.* 발명의 특징본 발명은 아조계 색소와 이의 금속 착화합물을 광기록 물질로서 이용하는 광기록 매체에 관한 것이다. 본 발명은 합성하기가 기존의 프탈로시아닌이나 시아닌에 비해 비교적 용이하며, 제조 수율이 높으며, 광적, 열적으로 우수한 특성을 보이는 새로운 아조계 착화합물 염료를 광기록 물질을 제공하는 것이다.* 적용응용분야 및 시장성CD-R의 경우와 비교하여 기억 용량을 6 내지 8배로 증가시킨 DVD-R(Digital Versatile Disk Recordable)용 광기록 물질로 사용된다. 기존 염료 물질들의 경우, 프탈로시아닌 염료는 합성하기가 어렵고 높은 제조 단가의 단점이 있고, 시아닌 염료는 광이나 열에 약하다. 이처럼 상술적 측면에서 기본 염료가 가진 문제점을 개선할 수 있다. DVD-R용 광기록 물질로 사용되기 위한 조건인, 기록 파장에서의 높은 굴절율과 적절한 흡수 특성, 유기용매에서의 뛰어난 용해도, 기록 부위의 균일성 및 안정성 뿐만 아니라, 합성이 용이하고 재료원가가 저렴해야 한다는 특성등을 갖고 있다. 본 물질이 가진 특성등으로 인해 DVD-R용 광기록 물질로 사용되어 기존 DVD-R 제조 회사에서 유용하게 쓰일 수 있다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기
일반기술
재료 > 철강재료
* 원리 및 구성본 기술의 Fe계 경면처리 합금은 원전밸브에 사용되는 Co계 스텔라이트 합금을 대체할 수 있는 우수한 내마모성, 캐비테이션 부식(cavitation erosion) 저항성 및 내식성을 나타내었다. 특히, 본 기술의 Fe계 경면처리 합금을 원전 밸브의 경면처리 합금에 사용할 경우 고가의 Co를 값싼 Fe로 대체하는 효과를 얻을 수 있으며, 58Co과 60Co 방사성 동위원소에 의해 형성되는 방사선장을 효과적으로 감소시킬 수 있다. 본 기술은 원자력 발전소 밸브의 경면처리 재료인 Co계 StelliteTM 합금을 대체할 수 있는 고내식고내마모 경면 처리용 Fe계 합금이다. 기존 Co계 StelliteTM 대체합금의 내식성을 개선한 것이다.* 특징 및 장점 - 본 기술의 Fe계 경면처리 합금을 원전밸브의 경면처리에 사용할 경우에 방사선장 형성의 원천인 Co를 제거함으로써 약35% 정도의 방사선량 저감효과를 볼 수 있다. - 본 기술의 Fe계 경면처리 합금을 원전밸브의 경면처리에 사용할 경우에 원전작업자의 피폭선량을 감소시켜 작업자의 안전성 향상은 물론 작업자의 작업시간 연장에 따른 운영효율 증대와 유지비용 절감 효과가 기대되며, 저준위 방사성 폐기물의 처리비용 감소와 원전의 안전성에 대한 신뢰도를 높일 수 있다. - 본 기술의 Fe계 경면처리 합금은 종래의 원전밸브의 경면처리에 사용된 스텔라이트 합금에 버금가는 성능을 갖기 때문에 대체 가능하고, 값비싼 코발트의 사용을 배제함으로써 방사선 누출의 위험도 줄이고 가격면에서도 경쟁력을 가질수 있다. 그리고, 본 기술의 Fe계 경면처리 합금은 원전 밸브의 경면처리 이외에도 산업현장에 널리 이용되고 있는 펌프의 임펠러, 터어빈 블레이드, 밸브 등과 같이 마모 및 부식 등에 의해 파손되어 수시로 교체하던 부품의 수명을 간단한 용접을 통한 경면 처리만으로 상당기간 연장시킬 수 있으므로 기계 가동의 효율과 유지비용을 크게 개선할 수 있다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기
일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
* 원리 및 구성본 발명은 원자층 화학기상증착을 이용하여 게이트 산화막용 금속 산화막을 형성하는 방법을 개시한다. 본 발명의 금속 산화막 형성방법은 본 발명의 게이트 산화막 형성방법은, 원자층 화학기상증착용 반응로에 반도체 기판을 장입하는 단계; 제 1 시간 동안 금속과 산소를 포함하는 소오스 가스를 상기 반응로에 공급하는 단계; 상기 제 1 시간의 경과후, 제 2 시간 동안 퍼지 가스를 공급하는 단계; 상기 제 2 시간의 경과후, 제 3 시간 동안 H2, O2 또는 H2O 플라즈마를 상기 반응로 내에 형성하는 단계; 및 상기 제 3 시간의 경과후, 제 4 시간 동안 상기 퍼지 가스를 공급하는 단계를 1 사이클로 하여 목표한 두께가 얻어질 때까지 상기 사이클을 반복한다.* 발명의 특징게이트 산화막의 형성방법으로 산소, 수소 또는 물 분자 플라즈마를 원자층화학기상증착법에 적용한 형성방법이다. 새로운 개념의 증착법인 원자층 화학기상증착법 방법을 적용한 것이다.* 적용응용분야 및 시장성반도체 메모리 소자를 위한 게이트 산화막에 적용된다. 단원자층의 두께로 형성이 가능하고, 박막내의 불순물 함량이 적고, 박막 도포성이 우수하다. 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 디자인 룰이 점점 감소함으로 원자층 화학기상증착법의 적용이 많아질 것으로 예상된다. 앞으로 많은 기업들이 본 증착방법을 적용할 것으로 보인다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
상세보기