일반기술
재료 > 고분자 복합재료
본 발명은 롤러를 사용하지 않은 금속판 압연시스템에 관한 것으로서, 다수개의 가이드롤러에 가이드되는 금속판을 압연하기 위하여, 금속판 하부에 설치된 적어도 하나 이상의 다이와, 다이에 대응하는 금속판의 상부에 설치되며 그 금속판을 연속단조하여 압연하는 적어도 하나 이상의 비롤러압연장치(Roll Free Reduction ; REF)를 포함한다. 이러한 압연시스템에 의하면, 고가의 롤러를 사용하지 않음으로써 롤러를 교체하기 위한 비용 및 수고를 덜 수 있어 금속판의 생산성을 향상시킬 수 있다. 다수개의 가이드롤러에 가이드되는 금속판을 압연하기 위한 금속판 압연시스템에 있어서, 상기 금속판 하부에 설치된 적어도 하나 이상의 다이와; 상기 다이에 대응하는 상기 금속판의 상부에 설치되어 그 금속판을 연속단조하여 압연하는 적어도 하나 이상의 비롤러압연장치(Roll Free Reduction ; REF)를 포함하며, 상기 비롤러압연장치는, 케이스와, 상기 케이스에 왕복이송 가능하게 설치되며 상기 금속판을 타발하기 위한 바아와, 상기 바아에 결합되는 바아고강력금속팁과, 상기 케이스에 설치되어 상기 바아를 일방향으로 탄성 바이어스시키는 스프링과, 상기 케이스에 설치되어 상기 바아를 진동시키는 엑츄에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속판 압연시스템.
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재료 > 고분자 복합재료
본 발명은 TiC계 표면강화 복합재료 및 가속전자빔 투사법을 이용한 그 제조방법에 대한 것이다. 본 발명에 따른 TiC계 표면강화 복합재료는 기지금속, 기지금속 상에 형성된 열영향부 및 열영향부 상에 형성되며, TiC 입자가 기지금속 내에 분산된 표면복합층을 포함하되, 상기 열영향부와 표면복합층 사이 및 상기 열영향부와 기지금속 사이의 계면에는 화학적, 기계적 물성의 불연속성이 존재하지 않는다. 본 발명에 따른 가속전자빔 투사법을 이용한 TiC강화 표면 복합재료의 제조방법은, 먼저 기지금속 표면 위로 TiC와 용제의 혼합분말을 균일하게 도포한다. 여기에서 기지금속은 일반 탄소강인 것이 바람직하다. 그런 다음, 상기 기지금속 위에 도포된 혼합분말을 가압하여 치밀화한다. 그리고 나서, 상기 치밀화된 혼합분말이 덮힌 상기 기지금속 위로 가속전자빔을 투사하여 TiC를 상기 기지금속의 표면으로부터 소정깊이까지 분산시킨다. 본 발명에 따른 가속전자빔을 이용한 TiC로 강화된 표면 복합재료의 제조방법은, 제조되는 표면 복합재료 내에 기공이나 균열을 거의 형성시키지 않으며, 대기 중에서 공정이 수행되기 때문에 연속공정이 가능하고, 기지금속의 넓은 영역에 걸쳐 프로세싱이 가능하여 대형재료의 제조 및 대량생산에 적합하고, 표면 복합재료의 제조에 소요되는 생산비를 절감할 수 있다. 기지금속 위에 TiC 와 용제의 혼합분말을 균일하게 도포하는 단계; 상기 도포된 혼합분말을 가압하여 치밀화하는 단계; 상기 치밀화된 혼합분말이 덮힌 상기 기지금속 위로 가속전자빔을 투사하여 TiC를 상기 기지금속의 표면으로부터 소정깊이까지 분산시키는 단계; 및 상기 분산된 TiC를 입자형태로 석출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가속전자빔 투사법을 이용한 TiC계 표면강화 복합재료의 제조방법.
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재료 > 재료성분 분석 기술
본 발명은 뫼스바우어분광분석법을 이용하여 철강재의 미세조직을 정량적으로 분석하는 방법에 관한 것이다. 상기 분석방법은 순수한 상으로 이루어진 표준시편에 감마선 소스에서 방출되는 감마선을 투과시켜 뫼스바우어 스펙트럼을 얻는 단계; 로렌찌안 함수를 이용하여 상기 스펙트럼을 피팅하므로써, 표준시편 각각에 대한 이성질체 이동, 전기적 4중극자 분열 및 자기적 2중극자 분열의 3대 초미세 인자값을 구하는 단계; 감마선 소스에서 방출되는 감마선을 분석하고자 하는 철강재 시편에 투과시켜 뫼스바우어 스펙트럼을 얻는 단계; 및 상기 3대 초미세 인자값을 최소자승법을 이용하여 상기 시편의 스펙트럼에 피팅하여, 표준시편 각각의 3대 초미세 인자값이 스펙트럼 피팅에 기여하는 정도로부터 철강재 시편에 존재하는 각각의 상의 부피분율을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 철강재의 미세조직을 정성적으로 분석할 수 있을 뿐만 아니라 철강재 내에 존재하는 각 상에 대한 상분율을 정확하게 정량적으로 분석하는 것이 가능하다. a) 순수한 상으로 이루어진 표준시편에 감마선 소스에서 방출되는 감마선을 투과시켜 뫼스바우어 스펙트럼을 얻는 단계; b) 하기 수학식 1로 표시되는 로렌찌안(Lorentzian) 함수를 이용하여 상기 스펙트럼을 피팅하므로써, 표준시편 각각에 대한 이성질체 이동(isomer shift), 4중극자 분열(quadrupole splitting) 및 자기 분열(magnetic splitting)의 3대 초미세 인자값을 구하는 단계; 〈수학식 1〉 σ= σ 0 (Γa / 2) 2 / [(Ε - Ε 0 ) 2 + (Γa / 2) 2 ] 상기 수학식 1에서, σ는 총흡수단면적이고, σ 0 는 최대흡수단면적이고, Γa 는 시료의 감마선 선폭(linewidth)이고, Ε는 감마선 에너지이고, Ε 0 는 되튀김 없는 감마선 에너지임. c) 감마선 소스에서 방출되는 감마선을 분석하고자 하는 철강재 시편에 투과시켜 뫼스바우어 스펙트럼을 얻는 단계; 및 d) 상기 3대 초미세 인자값을 최소자승법을 이용하여 상기 시편의 스펙트럼에 피팅하여, 표준시편 각각의 3대 초미세 인자값이 스펙트럼 피팅에 기여하는 정도로부터 철강재 시편에 존재하는 각각의 상의 부피분율을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 철강재의 분석방법.
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재료 > 고분자 복합재료
본 발명은 금속재료를 수용하기 위한 챔버를 갖춘 용해로, 상기 챔버내 금속재료를 가열하여 금속 용탕을 제조하는 가열 수단, 상기 챔버내에 운반가스 및 강화입자의 혼합체를 주입하는 주입구를 2개 이상 구비하며 상기 주입구가 챔버 기저로부터 용탕 높이의 1/5지점에서부터 3/5지점에까지 위치할 수 있도록 하는 주입 수단 및 교반에 의한 상승작용을 이용하여 강화입자를 용탕 속에 균일하게 분산시키는 교반 수단을 구비하는 금속기지 복합재료 제조 장치 및 이를 이용한 알루미늄기지 금속복합재료를 주조하는 제조방법을 제공한다.; 본 발명에 따른 금속기지 복합재료의 제조 장치와 이를 이용한 알루미늄기지 금속복합재료 제조 방법은 알루미늄 용탕 내에서 강화입자의 편석현상이나 응집현상을 방지하고, 화학적·물리적 조건을 만들어 줌으로써 효과적인 젖음성을 가지고 강화입자가 균일하게 분포할 수 있도록 한다. 또한 상기 제조 방법 및 장치를 통해 주조품의 크기에 제한을 받지 않고, 저비용의 제조공정을 통해 주조 적용성이 우수한 양호한 복합재료 인고트를 대량으로 생산할 수 있도록 한다.금속재료를 수용하기 위한 챔버를 갖춘 용해로; 상기 챔버 내 금속재료를 가열하여 금속 용탕을 제조하는 가열 수단; 상기 챔버 내에 운반가스와 강화입자의 혼합체를 주입하는 2개 이상의 주입구 및 랜스와 랜스 끝에 달린 미세한 구멍들을 가지는 노즐을 구비하며, 상기 주입구가 챔버 기저로부터 용탕 높이의 1/5 지점에서부터 3/5 지점에까지 위치할 수 있도록 하는 주입 수단; 및 임펠러 축에 대하여 45°각도로 경사진 네 개의 블레이드를 갖는 임펠러를 구비하며, 교반에 의한 상승작용을 이용하여 상기 강화입자를 용탕 속에 균일하게 분산시키는 교반 수단을 구비하는 금속기지 복합재료 제조 장치.
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재료 > 금속 복합재료
본 발명은 스텐레스강을 모재로 준비하는 단계; 강화입자 및 용제 분말의 혼합체를 조성하는 단계; 상기 혼합체를 상기 스텐레스강의 상부에 도포하는 단계; 상기 혼합체가 도포된 스텐레스강의 상부에 가속 전자빔을 투사하는 단계;를 포함하는 스텐레스강 표면복합재료의 제조 방법을 제공한다.; 본 발명에 따르면, 재료가 가열되는 시간이 짧아서 재료 표면이 산화되지 않으므로, 대기 중에서의 제조가 용이하고, 생산원가를 절감하고 생산효율을 증진시킬 수 있는 효과가 있다. 또한 경도가 높은 TiC 분말이 표면복합층에 형성됨으로써 경도가 높고 내마모성이 향상된 표면복합재료를 제조할 수 있을 뿐 아니라, 용제 분말의 혼합에 의해서 기공과 균열이 거의 발생되지 않는 균일한 표면복합재료를 제조할 수 있다.청구항 1항 스텐레스강을 모재로 준비하는 단계; 강화입자 및 용제 분말의 혼합체를 조성하는 단계; 상기 혼합체를 상기 스텐레스강의 상부에 도포하는 단계; 상기 혼합체가 도포된 스텐레스강의 상부에 가속 전자빔을 투사하는 단계;를 포함하며, 상기 강화입자는 TiC 분말, Ti와 C의 혼합분말, 또는 MC 형태의(M = Ti, V, Nb) 탄화물 분말이며, 상기 용제 분말은 CaF 2 또는 불화물계 용제인, 스텐레스강 표면복합재료의 제조 방법.
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재료 > 고분자 복합재료
본 발명은 금속기지 액상에 비연속 강화재를 분산 강화시켜 금속기지 복합재료를 제조하는 장치에 관한 것이다. ; 이를 위한 본 발명은, 비연속 분산강화 금속기지 복합재료 제조장치에 있어서, 고주파 유도장치를 구비한 유도 용해로를 포함하고, 상기 유도 용해로는 금속기지 액상에 비연속 강화재를 균일하게 분산강화시켜 금속기지 복합재료를 주조하며, 상기 제조장치는 상기 용해로내 상기 강화재의 균일한 분산에 영향을 미치는 인자들인 혼합 및 출탕온도, 강화재의 예열, 균일한 교반을 위한 임펠러의 형상, 임펠러의 위치 및 교반속도, 분말의 공급과 연관되도록 된 것을 특징으로 한다.; 이로써, 본 발명에 따르면 금속기지 복합재료의 제조에 있어서 여러 공정인자들을 변수로 지정하여 최적의 공정조건에서 균일한 강화재의 분산을 가지는 금속기지 복합재료를 제조할 수 있다. 금속기지 복합재료 제조장치에 있어서, 금속기지 액상에 비연속 강화재를 균일하게 분산강화시켜 금속기지 복합재료를 주조하기 위한 고주파 유도장치를 구비한 유도 용해로; 상기 유도 용해로에 탈부착 가능하며 상기 유도 용해로내의 용탕의 혼합을 제어하기 위한 혼합 제어장치; 상기 유도 용해로내의 용탕을 혼합하면서 동시에 출탕하기 위한 압력 펌프장치; 상기 유도 용해로의 온도 제어를 위한 온도 조절기와 열전대(thermocouple); 상기 비연속 강화재를 상기 유도 용해로에 소정의 예열된 가스압력으로 주입하기 위한 가스 예열장치 및 가스 압력 제어장치; 상기 비연속 강화재의 응집현상에 의한 비연속 강화재 주입의 불균일을 해소하기 위한 진동장치; 상기 용해로 내부에 공급되는 강화재의 균일한 분산을 위해 상기 용탕의 하부에 설치된 가스 튜브 및 노즐장치를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 금속기지 복합재료 제조장치.
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 전지와 전기 화학적 축전기의 기능을 동시에 수행하는 초소형 전지-축전기 하이브리드 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 전기 화학적 축전기의 양극 및/또는 전지의 양극으로 사용되는 제1 전극부, 상기 제1 전극부와 동일 평면상에 형성되고, 전기 화학적 축전기의 음극 및/또는 전지의 양극으로 사용되는 제2 전극부, 상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부의 상부에 형성되는 전해질층, 상기 전해질층 상부에 형성되고, 전지의 음극으로 사용되는 제3 전극부 및 상기 전해질층 및 상기 전극부를 보호하기 위해 상기 전해질층 및 상기 제3 전극부 상부에 형성되는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 전지-축전기 하이브리드 소자를 제공한다. 따라서, 본 발명에 따른 초소형 전지-축전기 하이브리드 소자 및 그 제조방법을 이용하여 초소형 전지와 전기 화학적 축전기의 기능을 동시에 구현하는 소자를 제조할 수 있고, 또한, 높은 전력을 요구하는 초소형 장치의 전원 공급원으로 사용할 수 있으며, 두 가지 소자를 개별적으로 제조하여 사용하는 경우보다 현저한 질량 및 부피의 감소를 얻을 수 있다. 초소형 전원 공급 장치에 있어서, 전기 화학적 축전기의 양극 및/또는 전지의 양극으로 사용되는 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 동일 평면상에 형성되고, 전기 화학적 축전기의 음극 및/또는 전지의 양극으로 사용되는 제2 전극부; 상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부의 상부에 형성되는 전해질층; 상기 전해질층 상부에 형성되고, 전지의 음극으로 사용되는 제3 전극부; 및 상기 전해질층 및 상기 전극부를 보호하기 위해 상기 전해질층 및 상기 제3 전극부 상부에 형성되는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 전지-축전기 하이브리드 소자.
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재료 > 고분자 복합재료
본 발명은 우수한 안정성, 균일한 모양 및 나노미터 크기의 좁은 입자 분포를 갖는 금속 콜로이드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 (1-비닐 피롤리돈)-아크릴산 공중합체 {poly(1-vinyl pyrrolidone-co-acrylic acid)}, 폴리옥시에틸렌 스테아레이트 (polyoxyethylene stearate) 및 (1-비닐 피롤리돈)-비닐 아세트산 공중합체 {poly(1-vinyl pyrrolidone-co-vinyl acetate)}를 안정제로 사용하여 제조된 금속 콜로이드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다． ; 본 발명에 의하면, 실온에서 균일한 입자 크기, 입자 분포 및 모양을 갖는 은 나노입자 용액을 대량으로 제조할 수 있다. 또한, 매우 작은 크기의 은 나노입자를 사용하였기 때문에, 부피 대 표면적 비가 매우 커서 극소량을 사용하더라도 우수한 항균성을 나타낸다. 따라서, 본 발명의 은 나노입자는 항균제, 살균제, 탈취제, 전자파 차폐제, 전도성 접착제, 전도성 잉크에 사용될 수 있다.청구항 1항 금속염 또는 금속 산화물염과, (1-비닐 피롤리돈)-아크릴산 공중합체, 폴리옥시에틸렌 스테아레이트 및 (1-비닐 피롤리돈)-비닐 아세트산 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고분자 안정제를 물 또는 비수계 용매에 용해시키고, 질소 퍼지 (purge)한 후, 감마선을 조사하는 것을 특징으로 하는 금속 나노입자 콜로이드 용액의 제조 방법.
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일반기술
재료 > 특수복합재료
본 발명은, 낮은 생산비용으로 우수한 품질의 벌크 비정질 합금 판재를 제조할 수 있는 방법으로서, 다른 추가적인 공정을 거치지 않고도 합금 용탕을 판재 형태로 성형할 수 있는 방법을 제공한다. 본 발명의 방법은 합금을 구성하는 성분을 함유하는 용탕을 준비하는 단계; 서로 반대 방향으로 회전하며 열교환 수단을 구비하고 있는 두 개의 롤 사이로, 상기 용탕을 공급하는 단계; 및 상기 롤 사이로 상기 용탕을 통과시키면서, 상기 용탕이 비정질 고체상태로 변화될 수 있는 한계냉각속도보다 더 빠른 속도로, 상기 용탕을 냉각시키는 단계를 포함한다. 본 발명은 또한, 낮은 생산비용으로 우수한 품질의 벌크 비정질 합금 판재를 제조할 수 있는 장치 및 벌크 비정질 합금 판재를 제공한다. 합금을 구성하는 성분을 함유하는 용탕을 준비하는 단계; 서로 반대 방향으로 회전하며 열교환 수단을 구비하고 있는 두 개의 롤 사이로, 상기 용탕을 공급하는 단계; 및 상기 롤 사이로 상기 용탕을 통과시키면서, 상기 용탕이 비정질 고체상태로 변화될 수 있는 한계냉각속도보다 더 빠른 속도로, 상기 용탕을 냉각시키는 단계를 포함하는 벌크 비정질 합금 판재 제조 방법으로서, 상기 롤의 회전속도는 1 내지 10 cm/sec, 상기 롤의 간격은 0.5 내지 20 mm인 것을 특징으로 하는 벌크 비정질 합금 판재 제조 방법.
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일반기술
재료 > 나노와이어·튜브기술
본 발명은 유기금속 화학기상증착법에 의해 산화티타늄 박막이 코팅된 생체 임플란트(implant) 소재를 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 생체 임플란트 소재에 관한 것으로서, 구체적으로 티타늄 전구체로서의 티타늄-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 10 -3 내지 1,000 mmHg의 압력 및 상온 내지 1,000℃의 범위의 온도에서 생체 임플란트 소재의 기재(substrate)와 접촉시켜 기재 위에 산화티타늄 막을 형성하는 것을 포함하는, 본 발명에 따른 유기금속 화학기상증착법에 의한 산화티타늄 박막-코팅된 임플란트 소재의 제조방법은 표면 조도가 우수하고 두께가 균일한 산화티타늄계 박막이 코팅된 소재를 제공할 수 있으며, 이를 인공치아 등의 치과 또는 정형외과용 생체 임플란트 소재의 대량 생산에 이용할 수 있다. 티타늄 전구체로서의 티타늄-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 유기물을 별개의 라인을 통해 반응기에 주입시키면서 5 내지 10 mmHg의 압력 및 350 내지 450℃의 온도에서 생체 임플란트(implant) 소재 기재(substrate)와 접촉시켜 기재 위에 산화티타늄 막을 형성하는 것을 포함하는, 유기금속 화학기상증착법에 의한 산화티타늄 박막-코팅된 생체 임플란트 소재의 제조방법.
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일반기술
재료 > 고분자 복합재료
본 발명은 첨단 재료로 널리 이용되고 있는 이중조직(bimodal)을 갖는 (α+β) 타이타늄 합금 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Ti-6Al-4V합금의 이중조직을 장시간 과시효(over-aging)시켜 α 2 (Ti 3 Al)상을 석출시킴으로써 기계적 특성 및 방탄 특성을 증대시킬 수 있는 이중조직을 갖는 (α+β) 타이타늄 합금 및 그 제조방법에 관한 것이다.; 이상과 같이 본 발명을 통해 (α+β) 타이타늄 합금의 미세조직 중 물성이 우수한 이중조직(bimodal)의 기계적 물성 및 동적 파괴 특성을 크게 향상시킬 수 있었으며, 이를 이용해 단열성 전단밴드의 형성 가능성을 낮출 수 있는 방안을 제시함으로써 동적변형 및 파괴성질을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 기계적 물성 및 방탄성능의 향상을 가져올 수 있었다. ; 또한, 본 발명을 통해 초고속 공정, 탄도 충격과 같은 심각한 환경 하에서 보다 유용하고 안전하게 사용할 수 있는 타이타늄 합금을 개발할 수 있고, 특히 장갑재료 등 방위소재나 항공소재로의 응용이 가능하다. Ti-6Al-4V 합금계인 (α+β) 타이타늄 합금의 이중조직(bimodal)을 얻기 위해 용체화 처리(solution treatment and aging)하는 단계와, 상기 용체화 처리를 통해 얻어진 상기 (α+β) 타이타늄 합금의 이중조직에 대해 그 α상 내부에 α 2 (Ti 3 Al)상이 균일하게 석출되도록 530~560℃의 온도범위 내에서 100~400시간 동안 장시간 과시효(over-aging)시키는 단계를 포함하는 이중조직을 갖는 (α+β) 타이타늄 합금의 제조방법.
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- 2007-08-10
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일반기술
재료 > 금속 복합재료
본 발명은 티타늄과 알루미늄으로 구성된 금속 분말을 바인더와 혼합하여 분말혼합체를 형성하는 공정; 상기 분말혼합체를 사출성형하여 사출성형체를 형성하는 공정; 상기 사출성형체를 용매 내에 침지하고 교반하여 상기 바인더를 추출하는 용매 추출 단계 및 상기 사출성형체 내에 잔존하는 바인더를 열분해 방식으로 제거하는 열분해 단계를 수행하는 탈지 공정; 상기 탈지 공정을 거친 사출성형체를 예비소결하는 공정; 및 상기 예비소결된 사출성형체를 본소결하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 티타늄 알루미나이드 금속간화합물 물품의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 티타늄 알루미나이드 금속간화합물 물품의 제조 방법은 물품의 기공을 최소화하여 치밀도를 증가시킴으로써 우주 항공 분야의 극초음속 항공기와 우주선의 엔진 구조제, 핵융합 원자력 발전의 노벽재, 고효율 가스 터어빈 구조재, 자동차용 엔진 밸브 등의 제조에 유용하게 사용될 수 있다. 티타늄과 알루미늄을 포함하는 금속 분말을 바인더와 혼합하여 분말혼합체를 형성하는 공정; 상기 분말혼합체를 몰드 내에 사출성형하여 사출성형체를 형성하는 공정; 상기 사출성형체를 용매 내에 침지하고 교반하여 상기 바인더를 추출하는 용매 추출 단계 및 상기 사출성형체 내에 잔존하는 바인더를 열분해 방식으로 제거하는 열분해 단계를 수행하는 탈지 공정; 상기 탈지 공정을 거친 사출성형체를 850 내지 1100℃의 온도로 예비소결하는 공정; 및 상기 예비소결된 사출성형체를 1300 내지 1450℃의 온도로 본소결하는 공정을 포함하며, 상기 사출성형체를 형성하는 공정은 상기 분말혼합체를 115 내지 125℃의 온도로 가열하여 사출성형하며, 상기 용매 추출 단계는 C6~C8의 알칸 화합물 용매에서 실시되는 것을 특징으로 하는 티타늄 알루미나이드 금속간화합물 물품의 제조 방법.
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일반기술
재료 > 고분자 복합재료
본 발명은 a) Cu-Al 합금 분말과 Cu 분말에 Al 2 O 3 입자가 균일하게 혼합되어 있는 산화제 분말을 혼합하는 공정;; b) 상기 a) 단계에서 얻은 상기 혼합 분말을 진공 분위기에서 내부 산화시켜 Cu-Al 2 O 3 합금 분말을 형성시키는 공정;; c) 상기 내부 산화된 Cu-Al 2 O 3 합금 분말을 환원시켜 CuAl 2 O 4 또는 CuAlO 2 의 형태로 이루어진 복합 산화물을 제거하여 Cu-Al 2 O 3 합금 빌렛을 제조하는 공정;; d) 상기 복합 산화물이 제거된 Cu-Al 2 O 3 합금 빌렛을 진공 분위기에서 가열하여 합금 빌렛 중에 포함되어 있는 가스 물질을 제거하는 탈가스 공정; 및; e) 상기 탈가스 처리된 Cu-Al 2 O 3 합금 빌렛을 고온 압출하는 공정을 포함하는 Cu-Al 2 O 3 합금의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 Cu-Al 2 O 3 합금은 높은 전기 전도도 및 고온 물성이 우수하여, 전자제품이나 자동차 생산라인의 용접 자동화에 필수적인 접점 및 전극 재료를 개발할 수 있다. a) Cu-Al 합금 분말과, Cu 분말에 Al 2 O 3 입자가 균일하게 혼합되어 있는 산화제 분말을 혼합하는 공정; b) 상기 a) 단계에서 얻은 상기 혼합 분말을 진공 분위기에서 내부 산화시켜 Cu-Al 2 O 3 합금 분말을 형성시키는 공정; c) 상기 내부 산화된 Cu-Al 2 O 3 합금 분말을 환원시켜 CuAl 2 O 4 또는 CuAlO 2 의 형태로 이루어진 복합 산화물을 제거하여 Cu-Al 2 O 3 합금 빌렛을 제조하는 공정; d) 상기 복합 산화물이 제거된 Cu-Al 2 O 3 합금 빌렛을 진공 분위기에서 가열하여 합금 빌렛 중에 포함되어 있는 가스 물질을 제거하는 탈가스 공정; 및 e) 상기 탈가스 처리된 Cu-Al 2 O 3 합금 빌렛을 고온 압출하는 공정을 포함하는 Cu-Al 2 O 3 합금의 제조 방법.
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일반기술
재료 > 기타 복합재료
본 발명은 음극 타겟 후방에 장착된 영구자석에 의하여 발생된 자기장을 이용하여 평면 음극에 아크를 균일하게 발생시켜 대면적에 균일한 코팅이 가능하도록 한 음극아크 코팅장치를 개시한다. 본 발명의 음극아크 코팅장치는, 타겟을 안치하고 절연시키기 위한 타겟 절연부와, 상기 타겟을 냉각하기 위한 냉각부와, 상기 타겟 표면에 발생된 전자의 이동 경로가 되며, 상기 타겟의 상부에 발생된 아크를 안정화하기 위한 보조 양극과, 상기 아크가 상기 타겟을 벗어나는 것을 차폐하기 위한 차폐부와, 상기 아크의 운동을 상기 타겟의 표면 내부로 제한하고, 상기 타겟 표면에 전면에 퍼지도록 안내하는 이동식 영구자석부를 포함한다. 본 발명의 음극아크 코팅장치는, 자기장의 정밀 제어를 통하여 고가의 타겟의 침식율을 증가시키며, 반응성 가스를 챔버 내부로 유입시켜 TiN, CrN, AlN, WC 등과 같은 고기능성 박막을 균일하게 코팅한다.막 형성물질을 포함하며, 아크가 발생될 때 증발되는 금속으로 된 음극; 상기 음극의 외주면을 둘러싸서 상기 음극을 고정하며 상기 음극을 절연하는 테프론 절연부; 상기 음극을 직접 냉각하기 위한 냉각부; 상기 음극 표면에 발생된 전자의 이동 경로가 되며, 상기 음극의 상부에 발생된 아크를 안정화하기 위한 보조 양극; 및 상기 아크가 상기 음극의 표면을 벗어나는 것을 방지하기 위한 차폐부재; 및 상기 아크의 운동을 상기 음극의 표면 내부로 제한하고, 상기 음극 표면의 전면에 퍼지도록 안내하는 이동식 영구자석부를 포함하는 것을 특징으로 하는 아크방전을 이용한 막 형성장치.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 발명은 세정물의 표면에 부착된 불순물을 제거하는 방법에 관한 것으로, 상기 세정물에 액막을 도포하는 단계; 하나 이상의 광학부를 통과한 레이저 펄스를 상기 세정물위의 소정 거리로 떨어진 곳에서 포커싱(focusing)하여 플라즈마를 발생시켜 충격파를 생성하는 단계; 상기 액막이 도포된 세정물 표면에 레이저를 조사(照射)하여 액막을 기화시키는 단계; 상기 충격파가 상기 불순물에 도달되는 시간과 상기 세정물 위에서 액막의 증발이 일어나는 시간을 동기화하는 단계; 그리고, 도달시간이 동기화된 증발압력과 충격파로 불순물을 제거하는 단계;를 포함해서 이루어진다. 세정물의 표면에 부착된 불순물을 제거하는 방법으로, 상기 세정물에 액상 물질을 분사해서 액막을 도포하는 단계; 하나 이상의 광학부를 통과한 레이저 펄스를 상기 세정물위의 소정 거리로 떨어진 곳에서 포커싱(focusing)하여 플라즈마를 발생시켜 충격파를 생성하는 단계; 상기 액막이 도포된 세정물 표면에 레이저를 조사(照射)하여 액막을 기화시키는 단계; 상기 충격파가 상기 불순물에 도달되는 시간과 상기 세정물 위에서 액막의 증발이 일어나는 시간을 동기화하는 단계; 그리고, 도달시간이 동기화된 증발압력과 충격파로 불순물을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
재료 > 고분자 복합재료
본 발명은 비정질 합금 분말과 용제로 이루어진 분말 혼합체를 모재 표면에 도포하는 제1단계; 상기 분말 혼합체의 치밀화를 위하여 가압하는 제2단계; 및 상기 치밀화된 분말 혼합체 상에 고에너지 가속전자빔을 균등하게 투사함으로써 상기 비정질 합금 분말을 용해 및 응고시켜, 비정질 표면복합층을 갖는 비정질 표면복합재료를 형성하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 표면복합재료의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 따라 제조된 비정질 표면복합재료에 관한 것이다.; 본 발명의 비정질 표면복합재료 제조 방법에 의하면, 비정질 표면 및 충분한 연성과 파괴인성을 갖는 모재로 이루어진 비정질 표면복합재료를 저렴한 제조 비용으로 대량 생산할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조 방법에 따라 제조된 비정질 표면복합재료는 우수한 내식성, 내마모성, 경도 및 강도 등을 가져 각종 관련 산업에서 유용하게 사용될 수 있다. 비정질 합금 분말과 용제로 이루어진 분말 혼합체를 모재 표면에 도포하는 제1단계; 상기 분말 혼합체의 치밀화를 위하여 가압하는 제2단계; 및 상기 치밀화된 분말 혼합체 상에 고에너지 가속전자빔을 균등하게 투사함으로써 상기 비정질 합금 분말을 용해 및 응고시켜, 비정질 표면복합층을 갖는 비정질 표면복합재료를 형성하는 제3단계 를 포함하고, 상기 비정질 합금 분말이 Zr계 비정질 합금 분말이고, 상기 고에너지 가속전자빔의 전자에너지가 0.5MeV-1.5MeV인 것을 특징으로 하는 비정질 표면복합재료의 제조 방법.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
재료 > 금속 복합재료
본 발명은 비정질 합금 분말을 흑연 또는 탄소 몰드에 장입 및 압축시켜 압분체를 형성하는 단계; 상기 압분체가 충진된 몰드를 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버에 장착하는 단계; 상기 챔버 내부를 진공화시키는 단계; 상기 압분체를 제1 승온 및 가압 처리하는 단계; 상기 제1 승온 및 가압 처리된 압분체를 제2 승온 및 가압 처리하는 단계; 상기 제2 승온 및 가압 처리된 압분체의 온도 및 압력으로 등온 및 등압을 유지하며 압축성형하는 단계; 및 상기 압축성형된 압분체를 급속 냉각하여 벌크 비정질 합금을 형성하는 단계를 포함하는, 방전 플라즈마 소결법을 이용한 벌크 비정질 합금 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 비정질 합금 분말 및 결정질 분말을 이용한 벌크 비정질 복합재료 제조 방법에 관한 것이다.; 상기 본 발명의 제조 방법에 따르면, 특정 승온 및 가압 조건을 갖는 방전 플라즈마 소결법을 이용하여 저렴하고 간편하게 벌크 비정질 합금 또는 복합재료를 제조할 수 있으며, 이로부터 제조된 벌크 비정질 합금 또는 복합재료는 산업상 이용가능한 형태 및 크기와 우수한 물성을 갖는다. 구리계 비정질 합금 분말을 흑연 또는 탄소 몰드에 장입 및 압축시켜 압분체를 형성하는 단계; 상기 압분체가 충진된 몰드를 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버에 장착하는 단계; 상기 챔버 내부를 진공화시키는 단계; 상기 압분체를 제1 승온 및 가압 처리하는 단계; 상기 제1 승온 및 가압 처리된 압분체를 제2 승온 및 가압 처리하는 단계; 상기 제2 승온 및 가압 처리된 압분체의 온도 및 압력으로 등온 및 등압을 유지하며 압축성형하는 단계; 및 상기 압축성형된 압분체를 급속 냉각하여 벌크 비정질 합금을 형성하는 단계 를 포함하는, 방전 플라즈마 소결법을 이용한 벌크 비정질 합금 제조 방법.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 발명은 이온간 인력에 의한 자기조립법을 이용하여 세라믹, 유리, 금속과 같은 무기재료 뿐만 아니라 고분자 재료에까지 이산화티타늄 나노입자의 멸균코팅막을 형성시키는 방법에 관한 것으로서, (A) 박막이 형성될 기판을 준비하는 단계와, (B) A단계의 기판을 고분자양이온 수용액에 일정시간 침지한 후 증류수로 세척하여 건조시키는 단계와, (C) B단계의 기판을 고분자음이온 수용액에 일정시간 침지한 후 증류수로 세척하여 건조시키는 단계와, (D) C단계의 기판을 나노입자의 이산화티타늄 용액에 일정시간 침지하여 표면에 흡착시킨 후 증류수로 세척 및 건조시키는 단계와, (E) D단계의 기판을 상기의 C단계 공정, B단계 공정, C단계 공정을 순차적으로 수행한 후에 D단계 공정을 수행하는 단계와, (F) 상기의 E단계 공정을 반복하는 단계를 포함하는 멸균 코팅막의 제조방법을 제공함으로써, 코팅될 기질의 크기와 형태에 대한 제약이 거의 없으며, 코팅될 기질의 원색과 투명도를 그대로 유지시키면서 멸균코팅이 가능할 뿐만 아니라 플라스틱과 같은 범용 고분자 재료에까지 확대시킬 수 있어 병원과 같은 공중시설 환경에서 사용되는 많은 고분자 제품에 유용하게 사용될 수 있다.(A) 세라믹 재료, 금속 재료, 고분자 재료 중 어느 하나의 재료로 구성되며, 그 표면에 박막이 형성될 기판을 준비하는 단계와, (B) 폴리알릴아민 하이드로클로라이드를 증류수에 용해시킨 후 pH 2.5 정도의 강산성이 되도록 조절하여 제조된 고분자양이온 수용액에 A단계의 기판을 일정시간 침지한 후 증류수로 세척하여 건조시키는 단계와, (C) 폴리아크릴산을 증류수에 용해시킨 후 pH 2.5 정도의 강산성이 되도록 조절하여 제조된 고분자음이온 수용액에 B단계의 기판을 일정시간 침지한 후 증류수로 세척하여 건조시키는 단계와, (D) C단계의 기판을 나노입자의 이산화티타늄 용액에 일정시간 침지하여 표면에 흡착시킨 후 증류수로 세척 및 건조시키는 단계와, (E) D단계의 기판을 상기의 C단계 공정, B단계 공정, C단계 공정을 순차적으로 수행한 후에 D단계 공정을 수행하는 단계와, (F) 상기의 E단계 공정을 반복하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노입자의 멸균코팅막의 제조방법.
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- 포항공과대학교
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일반기술
재료 > 소성가공 기술
국부전기화학석출법(localized electrochemical deposition)을 이용한 높은 종횡비를 갖는 3차원 미세 물체를 제조하는 방법으로서, 전도성 미세 전극을 간격 형성을 위해 전도성 기판 표면부근에 위치시키는 단계; 상기 전도성 미세전극과 상기 전도성 기판 표면이 접촉하도록 전기화학적 매체를 도입하는 단계; 상기 3차원 물체를 석출하기 위하여 상기 전기화학적 매체를 가로질러 전기적 포텐셜을 인가하는 단계; 상기 전도성 전극과 상기 3차원 물체사이의 최적 거리를 선정하는 단계; 및 상기 최적공정 조건 하에서 산출된 미세 전극과 3차원 물체사이의 거리를 일정하게 유지하면서, 상기 전도성 전극을 이동시키는 단계를 포함한다. 미세전극과 상기 3차원 물체사이의 최적거리는 코우히어런트 X-선을 이용한 미세 방사학적 장치를 이용하여 확인되며, 전도성 전극의 위치조절은 스테핑 모터에 의해 행해진다. 국부 전기화학석출법을 이용한 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법으로서, (a) 팁 형태의 미세전극을 전도성 기판의 표면 부근에 위치시키는 단계; (b) 상기 미세전극과 상기 전도성 기판의 표면이 전기화학적으로 접촉하도록 전기화학적 매체를 도입하는 단계; (c) 미세구조물을 석출하기 위하여 상기 전기화학적 매체를 가로질러 상기 미세전극과 상기 전도성 기판 사이에 전기적 포텐셜을 인가하는 단계; (d) 상기 미세전극과 상기 미세구조물 사이의, 상기 미세구조물이 치밀하게 성장할 수 있도록 하는 최적 거리를 선정하는 단계; 및 (e) 상기 치밀한 미세구조물이 높은 종횡비를 갖도록, 상기 최적 거리를 유지하면서 상기 미세전극을 이동시키는 단계를 포함하는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 평면형 전계 효과 트랜지스터를 제작하고, 그 위에 전도체의 탄소 나노 튜브를 제작함으로써, 날카로운 팁이 형성됨과 아울러 전기적 특성 또한 증가시킨 스캐닝 프로브 마이크로 스코프의 탐침을 제공하며, 이를 위하여, 본 발명은 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 제 1 단계; 상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극 상부 일단에 탄소 나노 튜브를 성장시키기 위하여 준비하는 제 2 단계; 그리고 상기 준비된 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극 상부 일단에 탄소 나노 튜브 생성하는 제 3 단계; 를 포함하는 전계 효과 트랜지스터 채널 구조를 갖는 탐침의 제조방법을 제공한다.반도체 기판 상에 소스 전극과 드레인 전극 그리고 게이트 전극이 형성된 전계 효과 트랜지스터를 제조하는 제 1 단계; 상기 반도체 기판 상에 형성된 게이트 전극의 끝단 상부에 탄소 나노 튜브를 형성하기 위한 시드 전극으로서 철(Fe)계, 코발트(Co)계, 니켈(Ni)계 또는 티타늄(Ti)계 금속촉매 중 어느 하나를 형성시키는 제 2 단계; 그리고 상기 형성된 시드 전극 상에 탄소 나노 튜브를 성장시키는 제 3 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 채널 구조를 갖는 탐침의 제조방법.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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