일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 피제트티(PZT) 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 졸-겔 스핀 코팅법으로 백금전극과 PZT 박막 사이에 박막과 같은 페로브스카이트 구조를 갖는 티탄산납(PbTiO3)의 촉진층을 삽입하고 백금전극과 반도체기판 사이에 확산 장벽용알루미나(Al2O3) 완충층을 삽입함으로서, 저온에서의 페로브스카이트 상형성을 용이하게 하며 고온에서의 물성저하 없이우수한 유전 및 강유전 특성을 발현하는 비휘발성 메모리용 PZT 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 PZT 박막은 현재 메모리 반도체 산업에서 가장 커다란 문제점으로 대두되는 저온에서의 페로브스카이트단일상의 형성과 확산방지 및 피로현산을 개선시킬 수 있기 때문에 장치의 의존성이 적은 졸-겔법이 갖는 경제적인 면 등의 장점을 살릴 수 있음과 동시에 특성형상을 위해 값비싼 단결정 기판 등으로 대체하지 않고 실제 반도체 소자 제조공정에서 사용되는 반도체기판을 아무 문제없이 직접 적용할 수 있으므로 그 응용성을 확대할 수 있다.쟨G
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 로봇 가공시 가장 기본적이고 빈번하게 등장하는 형상인 평면, 원통형, 구형 가공물을, 그 가공물의 형상특징을 파악할 수 있는 최소한의 점만을 교시하고 그 값들을 이용하여 가공물의 형상을 모델링하고, 이를 이용하여 가공에 가장 적합한 로봇 이동 경로점들을 생성하는 방법과, 개발된 알고리즘을 원-칩 프로세서 보드에 내장하고 작업자가 손쉽게이 알고리즘을 이용할 수 있도록, 로봇 경로 생성 기능을 아이콘화하여 작업 대상의 형태만 결정하여 그 형태에 해당하는아이콘을 선택하고 그 가공물의 가공에 필요한 경로를 생성하기 위한 최소한의 점들을 교시하기만 하면 로봇의 경로가 자동으로 생성되어 로봇에 RS232C Serial 통신을 이용하여 전달되는 기능을 갖춘 로봇 교시반을 포함하여 구성되어 부가적인 장치나 설비없이, 오차를 유발시키고 많은 시간을 요하는 가공을 위한 로봇 경로 생성을 더욱 손쉽고 빨리 처리할 수있게 함으로써 로봇을 이용한 가공 자동화 공정의 효율을 한층 높일 수 있게 되는 것이다.본 발명에서 개발한 최소교시에 의한 로봇 가공 경로 자동 생성 모듈은 로봇을 이용한 가공 자동화 공정중 가장 중요하고가장 번거로운 작업인 로봇 경로 교시 공정을 단순화시킨 대단히 효과적이고 기본적인 장치이다. 이로 인하여 기존의 수작업으로 수행되어 시간 소모가 크고 오차 유발의 가능성이 있는 로봇 경로 교시공정을 자동화할 수 있다. 또 기존의 방법중 CAD 데이터를 사용하거나 기타의 센서를 이용하는 경우와는 달리 부가적인 장치의 설치없이 자동 경로 생성이 가능하므로 가격 또한 저렴하다 할 수 있다. 그리고 로봇 교시반에 기본적인 가공 형상의 아이콘을 추가하여 작업자가 손쉽게이용할 수 있다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 단사정형 지르코니아에 소량의 이트리아와 알루미나를 분말이 아닌 용액으로 첨가함으로써 부분 안정화 지르코니아 소결체를 제조하는 방법에 관한 것으로, 단사정 지르코니아 슬러리에, 이트리아 및 알루미나졸 혼합용액을 첨가ㆍ혼합하고, 상기 슬러리로부터 용매를 제거한 후, 건조하거나 또는 건조, 하소한 후 성형체를 얻고 열처리하는 부분 안정화지르코니아 소결체의 제조방법을 제공하고, 여기서 상기 이트리아 및 알루미나졸 혼합용액은, 알루미나졸에 이트리아 분말을 첨가하여 용해시킴으로써 얻어질 수도 있고, 또한 이트리아 분말을 산성용액에 녹인 후, 알루미나 졸을 첨가함으로써 얻어질 수도 있고, 또한, 상기 하소는 유기물과 수분을 제거할 수 있는 온도범위인 400 - 700℃에서 행해지는 것이 바람직하다.본 발명은, 단사정 지르코니아 슬러리에, 이트리아 및 알루미나졸 혼합용액을 첨가ㆍ혼합하고, 상기 슬러리로부터용매을 제거한 후, 건조하거나 또는 건조, 하소한 후 성형체를 얻고 열처리하는 부분 안정화 지르코니아 소결체의 제조방법을 제공한다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
차량용 머플러의 부식에 의한 수명단축을 방지하기 위한 법랑 머플러 및 법랑 조성물의 개발에 따른 기존 머플러의 내구성 향상내식성 향상 및 내구성 증가
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- 한국에너지기술연구원
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- 2000-11-22
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 건식공정에 의한 주기율표 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 에칭방법으로서, 반도체의 열해리증발 온도 이상의 반도체기판온도에서, 에칭제로서 트리알킬인듐 가스와 과산화수소 가스를 다같이 사용하는 반도체의 에칭방법에 관한 것이다.본 발명에 따라 에칭제로서 트리알킬인듐 가스와 과산화수소 가스의 이용은 이들을 사용하는 금속 유기물 분자선에피탁시장치나 화학빔에피탁시 장치와 함께 인라인 또는 인시투로 반도체의 선택적 에칭공정에서 유력한 에칭제로 활용될 수 있다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 본 발명은 특히 1mol의 ZnO에 대하여 2mol의TiO2를 조합하여 얻은 ZnTiO2를 기본조성으로 하고, 여기서 Zn을 0.10∼0.5 mol의 Mg로 치환하여 된, (Zn-1-xMGx)Ti2O5(x=0.10∼0.50) 으로 구성되는 고주파용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다.본 발명에 따라(Zn-1-xMGx)Ti2O5 (단, x는 0.10∼0.50 임)의 조성을 갖는 마이크로파용 유전체 세라믹 조성물이 제공된다.본 발명에 따른 조성물은, 1100∼1500℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조에 없이도 치밀한 미세구조와 우수한마이크로파 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 가질 뿐 아니라 비교적 저렴한 금속산화물 원료만으로 구성된다는 특징을 갖는다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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재료 > 기타 금속재료
본 발명은 낮은 자심 손실과 고주파에서 우수한 자기적 특성을 나타내는 극박형 Fe-AlrP 연자성 합금 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로 말하자면, 본 발명은 각종 전기전자 장치의 부품으로서 사용되는 연자성 재료로서, 고주파 대역에서 우수한 투자율과 낮은 자심 손실을 갖는 극박형Fe-Al계 초미세 결정립 연자성 합금에 관한 것이다.기존의 Fe-Si-B-Cu-Nb계 및 Fe-Zr-B-Cu계에 대응할만한 고포화 자속 밀도 및 고투자율 특성을갖는 새로운 합금에 대해 연구한 결과 Fe-B-M-N-R(여기서, M은 Hf, Zr, Nb 중에서 선택된 한 원소이고, N은 Cu 원소이며,R은 여러 첨가 원소이다)의 합금계에 일정량의 Al을 첨가하면 연자성 특성이 향상되고 결정 자기 이방성이 저하되며 전기저항이 증가하여 고주파 연자기 특성이 향상되는데 주목하여 Al 첨가 Fe계 합금의 극박화를 시도하였다. 그 결과 제조된극박형 Fe-Al계 초미세 결정 연자성 합금이 종래의 극박형 비정질 합금보다는 포화 자속 밀도가 훨씬 높으며, 또한 종래의 초미세 결정 합금에 비해 고주파 특성, 특히 MHz 대역에서 매우 향상된 연자기 특성을 보인다는 사실을 발견하여 본발명을 완성하였다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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재료 > 기타 세라믹재료
성능이 좋은 perovskite 촉매를 제조하는 방법과 CO와 CH4의 촉매연소 반응에서 활성이 좋은 LaxAg1-xMnO3 perovskite 촉매에 관한 것이다.CO및 CH4를 소각시키는 공정에 활용가능
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- 한국에너지기술연구원
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- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 100~400℃의 저온영역에서 장시간 노출시에도 단사정 지르코니아(monoclinic zirconia polycrystal)로의 상전이 (phase transition)에 의한 저온열화를 나타내지 않으면서도 고인성을 갖는 정방성 지르코니아(tetragonal zirconiapolycrystal)복합체의 제조방법에 관한 것이다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 높은 품질 계수(Q값)와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수가 양호한 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.본 발명에 따른 유전체 조성물은 유전율이 33.1 내지 60.2이고 Qxfo(GHz)가 25,060 내지 66,140이며 공진 주파수의 온도계수(TCF)가 -39.35 내지 83.60ppm/℃로 불순물 첨가량에 따라 TCF를 ±10ppm/℃로 조절이 가능하여 고주파용 유전체 세라믹스가 요구되는 통신 시스템에 적합하게 이용될 수 있다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 높은 품질 계수(Q값)와 유전율을 가지며 또한 공진 주파수의 온도계수가 양호한 고주파용 유전체 자기 조성물에 관한 것이다.본 발명의 유전체 자기 조성물은 CaTiO3와 La(Zn1/2Ti1/2)O3 및 La(Mg1/2Ti1/2) O3를 주성분으로 하는 페로브스카이트형 고용체로서 각 성분의 조성 범위는 제1도의 조성 상태도에 나타낸 바와 같다. 이러한 범위의 조성을 갖는 유전체 조성물은 공진주파수의 온도 계수가 최대 +52.32ppm/℃, 최소 -53.82ppm/℃ 범위에 있으므로, 이 자체로서 또는 첨가제의 양을 변화시킴으로써 유전 손실이 적고 온도 특성이 양호한 마이크로파 유전체 자기를 얻을 수 있다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 1050~1150℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도 보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속 산화물 원료만을 구성된 조성을 갖는 온도 보상용 마이크로파 유전체를 제공하기 위하여, 산화아연 및 산화티탄이 화학양론적으로 조합되는 ZnTiO3 중의 Zn이 Zn양 1에 대하여 0.175 내지0.25의 양으로 Mg와, Zn 양 1에 대하여 0 보다 크고 0.15 이하의 양으로 Ni, Cu, Ba, Sr 및 그들의 조합으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 치환되는 고주파용 유전체 세라믹 조성물을 제공한다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
본 발명은 신규한 광개시제 화합물 및 이를 함유하는 감광성 중합체 조성물에 관한 것이다. 더욱 상세히 설명하자면, 본발명은 벤조인알킬에테르(benzoin alkyl ether : 이하, 「BAE」로 표기함) 광개시제를 에폭시 프레폴리머 또는 아크릴산에스테르 프레폴리머에 화학적으로 결합시켜 얻은 신규의 광개시제 화합물 및 이를 함유하는 광경화 조성물에 관한 것이다.본 발명은 벤조인알킬에테르가 에폭시 프레폴리머 또는 아크릴산 에스테르 프레폴리머에 화학적으로 결합된 신규의 광개시제 화합물 및 이를 함유하는 광경화 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광개시제 화합물은 저장 안정성이 뛰어나고, 광경화 조성물 중의 다른 성분들과의 상용성이 우수하여 광반응 효율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 광경화된 조성물의 기계적 성질을 향상시킬 뿐만 아니라, 독성, 악취, 탁색 등의 문제도 해결할 수 있다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 박막 전계발광 표시(thin film electroluminescent display)소자의 구성하는 유전박막에 관한 것으로, 특히 Ba1-XSrXTiO3(0<x<1)의 조성을 인듐 틴 산화물(indium tin oxide)이 도포된 유리기판 위에 증착시켜 유전특성 및 전기적 특성을 향상시킨 저전압형 박막 전계발광 표시소자용 유전박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 박막 전계발광 표시(thin film electroluminescent display)소자를 구성하는 절연층용 복합유전층 구조에 관한것으로, 특히 기판의 표면에 형성된 투명전극과 절연층으로 작용하는 Ba1-XSrXTiO3 유전박막의 사이에 Si3N4등으로 이루어진버퍼층을 형성하여 절연층과 투명전극간의 반응이나 상호확산을 억제함으로써 전기적 특성의 열화를 방지토록 한 박막 전계발광 표시소자의 복합유전층 구조에 관한 것이다.본 발명은 Ba1-XSrXTiO3 박막이 가지고 있는 유용한 특성을 보다 효율적으로 TFELD소자에 적용하기 위하여 Ba1-XSrXTiO3 박막과 투명전극(ITO층) 사이에 10~100nm 두께의 버퍼층을 형성함에 기술적 특징이 있다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 신규의 산화물계 고온 초전도체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 고온 초전도체는 기본 구조를 Ca2CuO3+δ로 하고 Ca2CuO3+δ상의 내의 Ca 이온 자리의 일부를 Hg, Ba, La 및 Cd중에서 선정한 원소의 단독 또는 복합물로 대체시킨 물질로서, 초전도 임계 온도가 165 내지 260K이고, 조성이(Ca1-XMX)2CuO3+δ(M=Hg,Ba,La 또는 Cd)인 고온 초전도체이다. 본 발명의 고온 초전도체는 분말의 합성 및 소결 단계를 거쳐 제조할 수 있다.본 발명의 고온 초전도체의 특징은 무엇보다도 임계 온도가 상온에 육박한다는 것이다. 약 250K의 임계 온도는 액체 질소를 사용하지 않고서도 실생활에서 쉽게 구현할 수 있는 온도이다. 그러므로, 본 발명의 고온 초전도체는 냉각비용과 장치의 크기를 감소시킨 에너지 절약형 휴대용 초전도 응용장치의 실현 가능성을 높여주는 것이다. 또한, 본 발명의 고온 초전도체는 칼슘(Ca)을 고정적으로 함유한다는 특징과 함게 독성이 강한 탈륨(Tl) 등의 원소를 배제하였다는 장점을 가지고있다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
본 발명은 입체적으로 부피가 큰 작용기를 포함하는 유기실란 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 유기실란은 올레핀을 중합할 때 사용되는 찌글러-나타고분자화 반응에서 조촉매로 사용하면 외부전자주게로 작용하여 고분자의 방향성을 일정하게 유지시키는 효과를 가지고 있다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 모스 캐패시터용 유전 박막 조성물 및 그 유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 캐피시터용 유전박막은 실리콘 기판과의 계면에서 많은 결함이 존재하여 이로인한 정정용량-전압 특성에서 많은 히스테리시스를 보이고 있어이것을 이용한 응용소자의 경우 실용화하는데 문제점이 있으며, 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 초소형화시에는 고전압(8MV/cm)하에서 발생되는 유전막의 누설전류(leakage current)로 인하여 발생되는 읽기/쓰기 횟수(read/write cycle)의감소 및 데이타 리텐션열화(data reterion degradation)가 해결되어야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 계면이 전기적으로 강하다는 점에 착안하여, TiO2의 음이온인 산소를 질소로 일부치환하여 유전상수가 크고 정전용량-전압 특성에서 쉽게 발생하는 히스테리시스(Hysteresis)가 없고 유전 파괴전압이 우수한 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 조성물을 제공하는 것이다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
발명은 저압화학증착법, 플라즈마화학증착법 또는 스퍼터링으로 금속, 반도체, 유전체의 비정질(amorphous) 또는 미세구조(micro crystalline) 박막을 저온에서 증착한 후 동일 증착장치내에서 바로 열처리를 수행하여 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 금속, 반도체 또는 유전체 박막의 증착과 열처리를 반복하면서 다층구조(multilayer)의 박막을 제조하거나, 비정질 혹은 미세구조의 박막을 다결정(polycrystalline)이나 단결정(single crystalline) 박막으로 변환시켜결정성(crystallinity)을 향상시킨 램프가열 및 회전식 기판을 이용한 박막제조방법 및 이에 적합한 장치에 관한 것이다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 실리콘 반도체 기억소자 및 갈륨비소화합물 반도체 소자의 고유전체 커패시터 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 사용하거나 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 사용하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 600~700℃에서 1~2시간 동안 BaTiO3, PbTiO3 및 Zr, Ln, Mg, Nb등이 첨가된 BaTiO3, PbTiO3을 증착하여 고유전체박막을 형성하는 과정으로 이루어진다.본 발명은 종래의 고유전체 캐피시터의 구조에서 기판전극의 재료와 구성을 변화시킴으로서 고유전체 커패시터 물리·전기적 특성을 향상시킨 효과가 있다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-11-22
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